酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)及其鍍銅方法
【專利摘要】一種酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)包括酸性化學(xué)鍍銅液、浸置于酸性化學(xué)鍍銅液的工作物件和犧牲陽極。酸性化學(xué)鍍銅液包括銅離子水溶液、緩沖劑和還原劑。工作物件包括具有第一還原電位的導(dǎo)電材料，犧牲陽極包括具有第二還原電位的金屬材料，且犧牲陽極電性連結(jié)于工作物件以進(jìn)行偶合，第二還原電位低于第一還原電位。其中，進(jìn)行化學(xué)鍍銅時，通過犧牲陽極與工作物件的偶合而將酸性化學(xué)鍍銅液中工作物件的表面電位值調(diào)整至第一還原電位和第二還原電位之間而使還原劑產(chǎn)生氧化，以析出鍍銅層于工作物件。
【專利說明】酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)及其鍍銅方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種化學(xué)鍍銅系統(tǒng)及其鍍銅方法，且特別是涉及一種無金屬活化作業(yè)程序的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)及其鍍銅方法，該方法可提升化學(xué)鍍銅速率和獲得高純度的銅鍍層。
【【背景技術(shù)】】
[0002]為順應(yīng)印刷電路板細(xì)線化的發(fā)展趨勢，及避免傳統(tǒng)減去制程法蝕刻因子的限制，線路用材的銅箔厚度近年來已持續(xù)由35 μ m遞減至8 μ m，并朝向(厚度=8 μ m)附載箔超薄銅箔(ultra-thin copper foil with carrier)發(fā)展中。但在銅箔厚度減薄(如減至3ym-5ym)的同時，也會連帶導(dǎo)致薄銅電鍍結(jié)晶核的側(cè)向成長時間不足(電鍍銅核側(cè)向成長緩慢)，而容易留下孔洞使薄銅不易形成連續(xù)膜，因而造成后續(xù)細(xì)線路制作時的斷線困擾，急需加以改善。
[0003]據(jù)文獻(xiàn)資料揭示，薄銅針孔的生成主要是與傳統(tǒng)載箔鍍銅作業(yè)過程中的電流及強(qiáng)酸性鍍液都會對載箔(carrier)表面的分離層(releasing layer)造成傷害,并因而導(dǎo)致銅核分布不均及連帶地針孔生成的結(jié)果。此外，在多種不用外加電流的針孔改善方法中，以堿性化學(xué)鍍銅法，因其為全濕式制程且不需要真空相關(guān)設(shè)備，最被看好。
[0004]堿性化學(xué)鍍銅作業(yè)法目前已成為電子工業(yè)的重要制程技術(shù)。其制程一般皆是先將受鍍試樣表面利用具催化能 力的貴金屬如鎳(Ni)或鈀(Pd)等進(jìn)行表面附著活化處理后，再進(jìn)入強(qiáng)堿(PH>11)的環(huán)境下作業(yè)，以便得到較大的鍍銅速率。不過依據(jù)文獻(xiàn)資料揭示，在強(qiáng)堿性作業(yè)溶液中，銅材會在表面造成水合作用，并將因此導(dǎo)致較長的化學(xué)銅起鍍(誘發(fā))時間，同時還會對化學(xué)鍍銅核的析出密度造成降低效應(yīng)，并促成薄銅針孔的形成，因而有必要開發(fā)酸性化學(xué)鍍銅作業(yè)技術(shù)。
[0005]現(xiàn)行市售化學(xué)鍍銅液，主要仍是采用以甲醛為還原劑的強(qiáng)堿性(ρΗ>11)鍍液系統(tǒng)。反應(yīng)式如下:HCH0+20H_ —HC00_+H20+l/2H2+e_。此系統(tǒng)雖然具有低成本及鍍銅層特性良好的優(yōu)點(diǎn)，但也同時伴隨有多項(xiàng)缺點(diǎn)，例如甲醛化學(xué)鍍銅系統(tǒng)屬強(qiáng)堿性，除了與PCB線路制作現(xiàn)有的光致抗蝕劑(photoresist)材質(zhì)間存在嚴(yán)重的相容性外，同時還會造成較長的化鍍誘發(fā)時間及較低的成核密度，此外甲醛是具揮發(fā)性的致癌物質(zhì)，并存在如卡尼查羅(Cannizzaro)副反應(yīng)(即甲醛會和堿起反應(yīng)，產(chǎn)生甲醇和甲酸)，導(dǎo)致其鍍液穩(wěn)定性不佳，其反應(yīng)式為2HCH0+0!T — HC00_+CH30H。因此長久以來，人們一直積極于新還原劑的開發(fā)作業(yè)。在諸多迄今已知的還原劑中，又以乙醛酸、次亞磷酸鈉及DMAB (二甲基胺硼烷)三種較受重視。其中，乙醛酸雖然無甲醛的致癌性，但因與甲醛同屬強(qiáng)堿性系統(tǒng)且有更明顯的卡尼查羅副反應(yīng)，鍍液穩(wěn)定性相對較差，因此迄今仍未被大量采行。至于另外的次亞磷酸及DMAB 二劑，則雖然可使用的pH值范圍可同時包括酸堿領(lǐng)域，但因鍍銅速率會隨著pH值的降低而迅速下降，因此其開發(fā)研究迄今仍多以堿性區(qū)域的應(yīng)用為主。其中，次亞磷酸因具相對價廉且鍍液性質(zhì)較穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)，因此又獲得相對較多的重視，但其有一最大缺點(diǎn)-即其氧化反應(yīng)無法被化鍍自行催化，必須借助于鍍液中額外添加Ni或Pd等具有催化能力的離子進(jìn)行共鍍，化學(xué)鍍銅作業(yè)才可持續(xù)進(jìn)行，結(jié)果導(dǎo)致了只能形成電阻值偏大的合金鍍層(Cu-N1-P)。這種化學(xué)鍍銅層合金化及電阻值增大的現(xiàn)象，限制了其在銅細(xì)線路導(dǎo)線中的應(yīng)用。
[0006]鑒于前述堿性作業(yè)系統(tǒng)諸多的細(xì)線路應(yīng)用限制，酸性系統(tǒng)雖可能有較大的應(yīng)用相容性，但其鍍銅速率過慢和/或鍍銅層合金化的困難仍有待克服。例如以DMAB為還原劑的酸性化學(xué)鍍銅液(pH=5~7)，由于沒有次亞磷酸的合金鍍銅層困難，近年來也獲得些許的重視與研究，但其過低的鍍銅速率(< l00nm/hr)已實(shí)質(zhì)造成產(chǎn)業(yè)應(yīng)用上的困難。因此迄今為止，商用酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)的大量應(yīng)用案例仍未見出現(xiàn)。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0007]本發(fā)明涉及一種酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)及其化學(xué)鍍銅方法，可在酸性化學(xué)鍍銅液中不需任何金屬活化作業(yè)程序下即令還原劑氧化，并可快速且持續(xù)地析出高純度的銅鍍層，可應(yīng)用于制作無針孔薄銅。
[0008]本發(fā)明提出一種酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，包括酸性化學(xué)鍍銅液、浸置于該酸性化學(xué)鍍銅液的工作物件和犧牲陽極。酸性化學(xué)鍍銅液包括銅離子水溶液、緩沖劑和還原劑。工作物件包括具有第一還原電位的導(dǎo)電材料，犧牲陽極包括具有第二還原電位的金屬材料，且犧牲陽極電性連結(jié)于工作物件以進(jìn)行偶合，第二還原電位低于第一還原電位。
[0009]本發(fā)明提出一種化學(xué)鍍銅的方法，包括:
[0010]提供酸性化學(xué)鍍銅液，包括銅離子水溶液、緩沖劑和還原劑；
[0011]浸置工作物件和犧牲陽極于酸性化學(xué)鍍銅液，工作物件包括具有第一還原電位的導(dǎo)電材料，犧牲陽極包括具有第二還原電位的金屬材料，第二還原電位低于第一還原電位；和
[0012]電性連結(jié)犧牲陽極與工作物件以進(jìn)行偶合，通過犧牲陽極與工作物件的偶合而將酸性化學(xué)鍍銅液中工作物件的表面電位值調(diào)整至第一還原電位和第二還原電位之間而使還原劑產(chǎn)生氧化，以析出鍍銅層于工作物件。
[0013]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所示附圖，作詳細(xì)說明如下:
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0014]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)的示意圖。
[0015]圖2為實(shí)施例中還原劑DMAB和次亞磷酸鈉的氧化電位關(guān)系圖。
[0016]【主要附圖標(biāo)記說明】
[0017]1:酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)
[0018]11:酸性化學(xué)鍍銅液
[0019]13:工作物件
[0020]15:犧牲陽極
【【具體實(shí)施方式】】
[0021]本發(fā)明的實(shí)施例提出酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)及其化學(xué)鍍銅方法，將工作電極與具犧牲陽極特性的活性金屬(或氧化電位較高的卑金屬)進(jìn)行偶合后，在無須額外添加Ni或Pd等具催化力的離子的情況下，酸性環(huán)境下的還原劑仍具有氧化能力而可持續(xù)析出高純度的銅鍍層。另外，實(shí)施例中，通過犧牲陽極與工作電極的偶合面積比例及作業(yè)時間的搭配調(diào)整，亦可使還原劑的氧化及連帶地化學(xué)鍍銅作業(yè)得以加速且持續(xù)進(jìn)行，而獲得析出速率適當(dāng)且具有良好導(dǎo)電特性的銅鍍層。本發(fā)明實(shí)施例提出的酸性化學(xué)鍍銅方法應(yīng)用甚廣，由于可以有效避免堿蝕問題，且同時提升化學(xué)鍍銅速率及增加銅鍍層純度至>99.5%，因此對于各種導(dǎo)線制作，如需要細(xì)線化的各式印刷電路板(含硬板PCB、軟板FPCB及IC構(gòu)裝用載板)、無針孔薄銅的制作(如附載箔超薄銅箔制程)等，皆可應(yīng)用。
[0022]以下參照所示附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施例。需注意的是，實(shí)施例所提出的細(xì)節(jié)內(nèi)容主要為舉例說明之用，并非對本發(fā)明欲保護(hù)的范圍進(jìn)行限制。此外，附圖是簡化的以便清楚說明實(shí)施例的內(nèi)容，附圖上的尺寸比例并非按照實(shí)際產(chǎn)品等比例繪制，因此并非作為限制本發(fā)明保護(hù)范圍之用。
[0023]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)的示意圖。該實(shí)施例的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)I包括酸性化學(xué)鍍銅液11、浸置于酸性化學(xué)鍍銅液中的工作物件13和犧牲陽極(sacrificial anode) 15,且犧牲陽極15電連結(jié)于工作物件13以進(jìn)行偶合。工作物件13 (或稱底材)包括具有第一還原電位的導(dǎo)電材料，如銅、不銹鋼或其他導(dǎo)電材料；其型態(tài)可以是由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電底材，或是以導(dǎo)電材料對非導(dǎo)電基板進(jìn)行表面處理所制成。犧牲陽極15 (或稱偶合材)包括具有第二還原電位的金屬材料，如鋅(Zn)、鋁(Al)、鎂(Mg)或其他氧化活性較高的卑金屬(比較容易氧化放出電子，其還原電位較低)、或前述金屬的合金，且第二還原電位低于第一還原電位。換句話說，犧牲陽極15材料的氧化能力大于工作物件13的導(dǎo)電材料的氧化能力。其中，工作物件13未經(jīng)催化劑預(yù)活化處理，進(jìn)行化學(xué)鍍銅時通過犧牲陽極15與工作物件13的偶合而將酸性化學(xué)鍍銅液11中工作物件13的表面電位值調(diào)整至第一還原電位和第二還原電位之間而使還原劑產(chǎn)生氧化(偶合后達(dá)到還原劑的氧化電位)，以析出鍍銅層于工作物件13。實(shí)施例中鍍銅層具有至少99.5%以上的純度。
[0024]一實(shí)施例中，酸性化`學(xué)鍍銅液的pH值例如是4到6.5的范圍，但本發(fā)明并不以此為限，也可以低于4，實(shí)際應(yīng)用時可根據(jù)酸性化學(xué)鍍銅液的組成做適當(dāng)選擇和調(diào)整。
[0025]另外，一實(shí)施例中，酸性化學(xué)鍍銅液的溫度例如是45~7(TC，但本發(fā)明并不以此溫度范圍為限制，其他溫度范圍亦可進(jìn)行還原劑的氧化。
[0026]另外，一實(shí)施例中，酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)中的犧牲陽極15與工作物件13的偶合面積比例如是大于等于0.5，但本發(fā)明不以此數(shù)值為限制，其可視實(shí)際應(yīng)用的要求例如所需鍍銅速率、銅層鍍制厚度和/或搭配偶合時間等各因素而做適當(dāng)變化與選擇。
[0027]一實(shí)施例中，酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)的犧牲陽極15與工作物件13偶合后，酸性化學(xué)鍍銅液中工作物件13的表面電位值可調(diào)整至-0.5V(vs.SCE飽和甘汞電極)以下，但本發(fā)明并不以此表面電位值為限制。實(shí)際應(yīng)用時，表面電位值系根據(jù)酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)的犧牲陽極15與工作物件13的組合而變化。
[0028]實(shí)施例中，酸性化學(xué)鍍銅液至少包括金屬銅離子(copper ions)水溶液、還原劑(reducing agent)和緩沖劑(buffer)。其中，銅離子水溶液(如硫酸銅水溶液或其他)為鍍層金屬的來源。還原劑則是將金屬銅離子還原成金屬銅，例如是二甲基胺硼烷(dimethylamine borane ;DMAB)、或次亞磷酸鹽或其他適合的化合物；緩沖劑則是控制酸性化學(xué)鍍銅液的PH值在低于7的操作范圍內(nèi)。另外，實(shí)施例的酸性化學(xué)鍍銅液還可包括絡(luò)合劑(complexing agent)(如EDTA_2Na或其他)以其配位鍵與銅離子產(chǎn)生絡(luò)合,并可調(diào)節(jié)析出速率、防止鍍液分解，使鍍液穩(wěn)定。一實(shí)施例中，若選用EDTA-2Na作為絡(luò)合劑，酸性化學(xué)鍍銅液的PH值可不低于4，以使EDTA-2Na可穩(wěn)定地作用；但本發(fā)明并不以此特定絡(luò)合劑和其pH值為限制。
[0029]以下實(shí)施例以DMAB和次亞磷酸鹽作為還原劑舉例說明。但本發(fā)明并不限制于此兩種還原劑。
[0030]圖2為實(shí)施例中還原劑DMAB和次亞磷酸鈉的氧化電位關(guān)系圖。在動電位掃描下，記錄實(shí)驗(yàn)過程中的電位值和電流值，由所得的曲線證實(shí)，即使在沒有催化劑如Pd或Ni的存在狀態(tài)下，酸性化學(xué)鍍銅液中的還原劑DMAB (曲線-□-)和次亞磷酸鈉B (曲線-圖-)皆可經(jīng)由電位控制進(jìn)行氧化作用。根據(jù)圖2的曲線，若實(shí)施例的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)的犧牲陽極15與工作物件13偶合后，酸性化學(xué)鍍銅液中工作物件13的表面電位值調(diào)整至例如約-0.6V(vs.SCE廣約-0.8V(vs.SCE)之間時，DMAB和次亞磷酸鈉可產(chǎn)生氧化。
[0031]因此，實(shí)施例的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)將氧化活性較大的犧牲陽極15的材料(如Zn、Al、Mg等卑金屬材料)與未經(jīng)如N1、Pd預(yù)活化處理作業(yè)的化學(xué)鍍銅試樣(工作物件13)進(jìn)行導(dǎo)線偶合，以直接在不含Ni或Pd離子的酸性化學(xué)鍍銅液中，且未外加電流的狀態(tài)下進(jìn)行化學(xué)鍍銅作業(yè)。另外，實(shí)施例中，亦可通過犧牲陽極15的材料與工作物件13之間的偶合面積比或是導(dǎo)線偶合時間的變動調(diào)整作業(yè)，以獲得析出速率適當(dāng)且具有良好導(dǎo)電性的高純度銅層。因此，實(shí)施例可在避免市售堿性化學(xué)鍍銅液的各項(xiàng)缺點(diǎn)的同時，能有效改善酸性化學(xué)鍍銅液偏低的鍍銅速率和/或鍍層銅含量下降所導(dǎo)致的導(dǎo)電性偏低等困難，以期滿足PCB產(chǎn)業(yè)日后對細(xì)線路制作的性能需求。
[0032]以下以實(shí)施例的 酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)提出多個相關(guān)化學(xué)鍍銅實(shí)驗(yàn)及其說明。
[0033]<實(shí)驗(yàn)例D-DMAB酸性化學(xué)鍍銅液的犧牲陽極(偶合材)與工作物件(底材)面積比效應(yīng)
[0034]配制DMAB酸性化學(xué)鍍銅液250cc，包括濃度為30g/L的EDTA_2Na (絡(luò)合劑)，30g/L的KH2PO4 (緩沖劑)，12g/L的CuSO4和12g/L的DMAB (還原劑)，經(jīng)以NaOH調(diào)整pH至
5.80-6.20，并加熱至65°C后，分別依表1設(shè)定的未經(jīng)催化劑預(yù)活化的工作物件(底材)、犧牲陽極(偶合材)及面積比等參數(shù)值組合搭配并進(jìn)行30分鐘化學(xué)鍍銅作業(yè)后取出稱重，并依銅比重8.9g/cm3進(jìn)行換算整理后，得到DMAB酸性化學(xué)鍍銅液各鍍銅速率值，其結(jié)果列于表1。實(shí)驗(yàn)中，犧牲陽極選用鋁或鋅，工作物件選用不銹鋼或銅。工作物件的面積固定為4cm2，犧牲陽極的面積分別為4cm2、8cm2和16cm2，因此偶合面積比分別為1、2和4。表1中R2為化銅速率與偶合面積比間的線性系數(shù)判定值。
[0035]此實(shí)驗(yàn)例中以工作物件經(jīng)Pd預(yù)活化處理后的試樣進(jìn)行化學(xué)鍍銅(如工作物件表面吸附Pd后再浸泡至鍍液)為對照組，其化學(xué)鍍銅速率值為75nm/hr。
[0036]從表1結(jié)果可得知:其測得的化學(xué)鍍銅速率值最小為392nm/hr，相比于經(jīng)Pd預(yù)活化處理試樣的75nm/hr及文獻(xiàn)發(fā)表的〈100nm/hr 二值，已有明顯提升效果。又隨著底材及偶合材的變動，化鍍速率雖也會稍有變動，但由線性系數(shù)判定值(R2)知各化學(xué)鍍銅速率測量值皆與偶合面積比值間呈現(xiàn)著良好線性關(guān)系:即酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)中犧牲陽極對工作物件的面積比越大，其鍍銅速率也越大。[0037]表1:DMAB酸性化學(xué)鍍銅液中不同工作物件和犧牲陽極材料在偶合面積比為1、2和4時的鍍銅速率
[0038]
【權(quán)利要求】
1.一種酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，包括: 酸性化學(xué)鍍銅液，包括銅離子水溶液、緩沖劑和還原劑； 工作物件，浸置于該酸性化學(xué)鍍銅液，且該工作物件包括具有第一還原電位的導(dǎo)電材料；和 犧牲陽極，浸置于該酸性化學(xué)鍍銅液，且該犧牲陽極包括具有第二還原電位的金屬材料，該犧牲陽極電性連結(jié)于該工作物件以進(jìn)行偶合，該第二還原電位低于該第一還原電位。
2.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該工作物件未經(jīng)催化劑預(yù)活化處理，通過該犧牲陽極與該工作物件的偶合而將該酸性化學(xué)鍍銅液中該工作物件的表面電位值調(diào)整至該第一還原電位和該第二還原電位之間而使該還原劑產(chǎn)生氧化，以析出鍍銅層于該工作物件。
3.如權(quán)利要求2所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該鍍銅層具有至少99.5%以上的純度。
4.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該酸性化學(xué)鍍銅液的PH值為4到6.5的范圍。
5.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該還原劑包括二甲基胺硼烷或次亞磷酸鹽。
6.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該工作物件為由該導(dǎo)電材料制得的導(dǎo)電底材，或是以該導(dǎo)電材料對非導(dǎo)電基板進(jìn)行表面處理所制成。
7.如權(quán)利要求6所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該導(dǎo)電材料為不銹鋼或銅。
8.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該犧牲陽極的材料包括鋅、鋁、鎂、或前述金屬的合金。
9.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該犧牲陽極與該工作物件偶合后，該酸性化學(xué)鍍銅液中該工作物件的表面電位值調(diào)整至-0.5V(vs.飽和甘汞電極(SCE))以下。
10.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該犧牲陽極與該工作物件偶合后，該酸性化學(xué)鍍銅液中該工作物件的表面電位值調(diào)整至-0.6V(vs.SCE廣-0.8V(vs.SCE)之間。
11.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該犧牲陽極與該工作物件的偶合面積比大于等于0.5。
12.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該酸性化學(xué)鍍銅液的溫度為45 ~70。。。
13.如權(quán)利要求1所述的酸性化學(xué)鍍銅系統(tǒng)，其中該酸性化學(xué)鍍銅液包括硫酸銅水溶液、該還原劑、該緩沖劑和絡(luò)合劑，其中該緩沖劑用于調(diào)整該酸性化學(xué)鍍銅液的PH值，該絡(luò)合劑以其配位鍵與銅離子產(chǎn)生絡(luò)合。
14.一種化學(xué)鍍銅的方法，包括: 提供酸性化學(xué)鍍銅液，包括銅離子水溶液、緩沖劑和還原劑； 浸置工作物件和犧牲陽極于該酸性化學(xué)鍍銅液中，該工作物件包括具有第一還原電位的導(dǎo)電材料，該犧牲陽極包括具有第二還原電位的金屬材料，該第二還原電位低于該第一還原電位；和 電性連結(jié)該犧牲陽極與該工作物件以進(jìn)行偶合，通過該犧牲陽極與該工作物件的偶合而將該酸性化學(xué)鍍銅液中該工作物件的表面電位值調(diào)整至該第一還原電位和該第二還原電位之間而使該還原劑產(chǎn)生氧化，以析出鍍銅層于該工作物件。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該工作物件未經(jīng)催化劑預(yù)活化處理。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該酸性化學(xué)鍍銅液的pH值為4到6.5的范圍。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該還原劑包括DMAB或次亞磷酸鹽。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該工作物件為由該導(dǎo)電材料制得的導(dǎo)電底材，或是以該導(dǎo)電材料對非導(dǎo)電基板進(jìn)行表面處理所制成。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中該導(dǎo)電材料為不銹鋼或銅。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該犧牲陽極的材料包括鋅、鋁、鎂、或前述金屬的I=1-Wl O
21.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該犧牲陽極與該工作物件偶合后，該酸性化學(xué)鍍銅液中該工作物件的表面電位值調(diào)整至-0.5V(vs.SCE)以下。
22.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該犧牲陽極與該工作物件偶合后，該酸性化學(xué)鍍銅液中該工作物件的表面電位值調(diào)整至-0.6V(vs.SCE廣-0.8V(vs.SCE)之間。
23.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該鍍銅層的鍍銅速率與該犧牲陽極與該工作物件的偶合面積比成正比。
24.如權(quán)利要求2 3所述的方法，還包括調(diào)整該犧牲陽極與該工作物件的偶合時間以控制該鍍銅速率。
25.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該酸性化學(xué)鍍銅液的溫度為45~70°C。
26.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該酸性化學(xué)鍍銅液包括硫酸銅水溶液、該還原劑、該緩沖劑和絡(luò)合劑，其中該緩沖劑用于調(diào)整該酸性化學(xué)鍍銅液的PH值，該絡(luò)合劑以其配位鍵與銅離子產(chǎn)生絡(luò)合。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中析出的該鍍銅層具有至少99.5%以上的純度。
28.如權(quán)利要求14所述的方法，其可應(yīng)用于附載箔銅箔制程。
【文檔編號】C23C18/40GK103805975SQ201210536847
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月9日
【發(fā)明者】陳友忠, 李鴻坤, 羅舒元, 羅一玲, 程子萍 申請人:財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院