專利名稱：一種適用于等離子體加強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備的一體化真空腔體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備，尤其涉及該設(shè)備中的真空腔體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
自從半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)從上世紀(jì)70年代發(fā)展起來以后，等離子體工藝技術(shù)，包括等離子體薄膜沉積技術(shù)，得到了很大發(fā)展和應(yīng)用。在等離子體薄膜沉積技術(shù)中，又包括物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)；而在化學(xué)氣相沉積技術(shù)中，等離子體加強化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)的應(yīng)用最為廣泛。今天，PECVD設(shè)備和工藝被大量地應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、LED芯片、太陽能電池片以及其他專門用途的電子器件的制造工藝上。PECVD工藝，是在真空條件下借助射頻能量所產(chǎn)生的電磁反應(yīng)，將反應(yīng)氣體電離，產(chǎn)生等離子體。存在于等離子體中的有活性反應(yīng)原子或分子，以及電子和離子。由于等離子體中的電子溫度很高，可以達(dá)到幾萬度，因此等離子體雖然氣體溫度很低，活性反應(yīng)原子或分子卻可以在只有幾百攝氏度(比如100-400°C)的基體表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成所需要的薄膜。如果不是由于等離子體的這一特殊性質(zhì)，化學(xué)反應(yīng)可能要在非常高的溫度(比如5000-10000°C )條件下才能發(fā)生。由等離子體加強化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝生成的薄膜材料，往往直接關(guān)系到芯片的制造工藝流程以及芯片的最終功能。比如，利用PECVD工藝生成的氮化硅(SiNx)薄膜，在大規(guī)模集成 電路芯片上，可用來作密封層，因為它具有極佳的防潮、防鹽或其它化學(xué)物質(zhì)腐蝕的性質(zhì)；在1^0芯片和太陽能電池片上，它又可以作為光學(xué)膜來使用，因為它具有適宜的光學(xué)性質(zhì)。

圖1描繪的是通常的PECVD工藝腔室的機電配置，其中包括:工藝腔室上部腔體Ia和下部腔體lc，其間設(shè)置腔體O-形密封圈lb，還包括同射頻電源連接在一起的電極，其由設(shè)置在該上部腔體內(nèi)的上電極Ik和設(shè)置在該下部腔體內(nèi)的下電極Ii組成，下電極在電性上是接地的；在上腔體上設(shè)有工藝氣體導(dǎo)入裝置，工藝氣體通過設(shè)置在上部腔體上的工藝氣體導(dǎo)入口 Im導(dǎo)入工藝腔室而進(jìn)入上下電極之間，在上下電極之間設(shè)置氣體噴淋頭Ij ；在下部腔體上安裝冷卻裝置，通常為冷卻水管Ie ;在下電極上設(shè)置加熱器lg。在下腔體Ic和下電極Ii之間還要設(shè)置密封墊圈If和連接螺釘lh，將下腔體Ic和下電極Ii密封地固接在一起；在下腔體Ic上還設(shè)有抽真空口。使用時，在下電極Ii上放置基片U。PECVD工藝腔室還包括圖1中未顯示出來的機電配置，例如還有真空泵、真空壓力計、真空閥門、氣柜、電源柜、射頻源及自動匹配器，以及其它的控制器件等等。上述各種配置和器件，共同實現(xiàn)在工藝腔室內(nèi)產(chǎn)生真空和等離子體的功能。從圖1可以清楚地看到，下電極Ii是單獨加工制造出來，安裝在下腔體Ic上的。PECVD的工藝過程，一般是在工藝腔室的真空度達(dá)到一定的要求后，引入工藝氣體，然后啟動與上電極Ik連接在一起的大功率射頻源和射頻匹配器，將工藝氣體電離，產(chǎn)生等離子體，并開始在基片It上生長所需要的薄膜，直到薄膜的厚度達(dá)到工藝要求。上電極Ik在工作狀態(tài)時，具有幾十到幾百伏的負(fù)電勢；而下電極Ii則在電性上一直處于接地狀態(tài)，不帶任何電勢。對基片It的加熱，是通過安裝在下電極Ii上的加熱器Ig來完成的。一般來說，加熱器Ig不安裝在真空腔室內(nèi)，加熱器Ig產(chǎn)生的熱量，通過熱傳導(dǎo)的方式，經(jīng)過下電極Ii的頂端材料層，傳遞給置于下電極Ii上的基片lt，將其加熱。本發(fā)明所關(guān)注的，就是這個下電極li。下電極Ii的主要功能包括:1，承載基片；2，為基片It提供加熱，比如沉積最為通用的氧化硅(Si02)和氮化硅(Si3N4)膜，基片It表面需要被加熱到300-400攝氏度，并且具備適宜的導(dǎo)熱性能；3，能有效地提供真空密封，并且在等離子體的化學(xué)條件下具有抗腐蝕的性能。在PECVD技術(shù)發(fā)展之初，下電極的直徑較小，即多在10英寸以下。直到今天，仍然有一部分技術(shù)單位還在使用小尺寸下電極的PECVD設(shè)備。在下電極尺寸較小的條件下，人們多采用一種被稱為“蒙乃爾合金”的材料加工制造下電極。這種合金材料主要含鎳(可達(dá)到60%以上)、銅(可達(dá)到20%以上)、鐵、鋁、鈦和其他少量金屬元素。蒙乃爾合金具有優(yōu)良的抗腐蝕性能，尤其是對F-基、O-基和Cl-基等各種等離子體。除了具有同不銹鋼材料相當(dāng)?shù)臋C械性能外，蒙乃爾合金還具有適宜PECVD工藝的熱性能，包括較低的熱膨脹系數(shù)和導(dǎo)熱率。下表列舉比較幾種通用材料的熱膨脹系數(shù)和導(dǎo)熱率。表1，幾種通用材料的熱膨脹系數(shù)和導(dǎo)熱率材料
權(quán)利要求
1.一種適用于等離子體加強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備的一體化真空腔體，包括上部腔體、下部腔體，還包括同射頻電源連接在一起的電極，其由設(shè)置在該上部腔體內(nèi)的上電極和設(shè)置在該下部腔體內(nèi)的下電極組成，下電極在電性上是接地的；在上腔體上設(shè)有工藝氣體導(dǎo)入裝置，其通過設(shè)置在上部腔體上的工藝氣體導(dǎo)入口導(dǎo)入工藝腔室而進(jìn)入上下電極之間，在上下電極之間設(shè)置氣體噴淋頭；在下部腔體上安裝冷卻裝置；在下電極上設(shè)置加熱器，其置于所述真空腔體構(gòu)成的真空腔室的外面，在該真空腔體上設(shè)有設(shè)有抽真空口 ；其特征在于:其中的下電極和下部腔體是同一種材料、一體構(gòu)成的一體化真空下腔體構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化真空腔體,其特征在于:構(gòu)成所述一體化真空下腔體構(gòu)件的材料是金屬材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一體化真空腔體，其特征在于:所述的金屬材料是滿足如下條件的金屬材料: (1)材料的硬度:80-200HB或 50-100HRB，或 100-200HV ；(2)材料的導(dǎo)熱率:5-200W/m-K。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一體化真空腔體，其特征在于:所述金屬材料是鋁或鋁合金材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一體化真空腔體，其特征在于:所述鋁合金材料是6041系列或7075系列的鋁合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化真空腔體,其特征在于:所述一體化真空下腔體構(gòu)件的腔壁，對應(yīng)于下電極的部分的腔壁，與其它部分有不同的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化真空腔體，其特征在于:在所述下電極上設(shè)置的加熱器是固定設(shè)置在相對于所述一體化真空下腔體構(gòu)件中所述下電極的外側(cè)的下腔體構(gòu)件的下底外表面上，或者，所述下腔體的下底面設(shè)有一個內(nèi)凹部，所述內(nèi)凹部的內(nèi)凹腔的上頂部即為下電極，在該上頂部的頂面上固設(shè)所述加熱器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化真空腔體，其特征在于:在所述下電極外緣的外面的所述下部腔體底部的外圍邊緣區(qū)域設(shè)置冷卻水管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化真空腔體，其特征在于:所述下腔體的下底面設(shè)有一個內(nèi)凹部，所述內(nèi)凹部的內(nèi)凹腔的上頂部即為下電極，在該內(nèi)凹部的內(nèi)凹腔的側(cè)面的側(cè)壁的外表面上開設(shè)有設(shè)定寬度和深度的凹形溝槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的一體化真空腔體，其特征在于:所述一體化真空下腔體構(gòu)件是從整塊的金屬鑄錠加工而成的構(gòu)件，或者，是澆鑄而成的構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種適用于等離子體加強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備的一體化真空腔體，其中的下電極和下部腔體是同一種材料、一體構(gòu)成的一體化真空下腔體構(gòu)件。本發(fā)明提供的適用于等離子體加強化學(xué)氣相沉積工藝設(shè)備的一體化真空腔體，由于下部腔體和下電極為同樣材料的一體化構(gòu)件，能夠解決熱膨脹導(dǎo)致的密封問題，并且可以使得設(shè)備的結(jié)構(gòu)簡單，制造方便，降低成本。
文檔編號C23C16/44GK103184428SQ20121005091
公開日2013年7月3日 申請日期2012年2月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月29日
發(fā)明者季安, 賴守亮 申請人:北京普納森電子科技有限公司