技術(shù)編號：3255897
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種等離子體化學氣相沉積工藝設(shè)備，尤其涉及該設(shè)備中的真空腔體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)自從半導體芯片制造技術(shù)從上世紀70年代發(fā)展起來以后，等離子體工藝技術(shù)，包括等離子體薄膜沉積技術(shù)，得到了很大發(fā)展和應用。在等離子體薄膜沉積技術(shù)中，又包括物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)技術(shù)；而在化學氣相沉積技術(shù)中，等離子體加強化學氣相沉積(PECVD)技術(shù)的應用最為廣泛。今天，PECVD設(shè)備和工藝被大量地應用于半導體芯片、LED芯片、太陽能電池片以及其他專門用途...
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