專利名稱：靶座結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種靶座結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
濺射靶座是真空鍍膜設(shè)備中的主要裝置之一?，F(xiàn)有的濺射靶座多為直立的柱狀結(jié) 構(gòu)。每兩個所述柱狀靶座以放置被鍍物件的基座為中心對稱地設(shè)置，所述柱狀靶座相對一 側(cè)的表面上涂覆有鍍膜用的靶材。在進行鍍膜時，所述靶材被電離的惰性氣體離子轟擊后 向靶座之間的區(qū)域濺射靶材原子以附著在被鍍物件的表面上形成膜層。但是，在整個濺鍍空間內(nèi)所述對稱設(shè)置的柱狀靶座并不連續(xù)分布，從而導致所述 柱狀靶座之間的靶材原子濃度分布不均勻，容易造成被鍍物件的膜層厚度不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可提高被鍍物件膜層均勻性的靶座結(jié)構(gòu)。一種靶座結(jié)構(gòu)，其包括底座、靶材、鍍膜層、靶座支架及基座支架。所述鍍膜層包括 第一靶座、第二靶座及基座。所述第一靶座、第二靶座及基座均為同心的環(huán)形體。所述第一 靶座和第二靶座由所述靶座支架支撐在所述底座上且在同一平面內(nèi)圍成一連續(xù)閉合的環(huán) 形鍍膜區(qū)域。所述基座由所述基座支架支撐在所述底座上并位于所述環(huán)形鍍膜區(qū)域內(nèi)。所 述第一靶座和第二靶座上包覆有所述靶材。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的靶座結(jié)構(gòu)通過在相互同心的環(huán)形第一靶座和第 二靶座上包覆靶材以向由所述第一靶座和第二靶座圍成的連續(xù)閉合的環(huán)形鍍膜區(qū)域內(nèi)濺 射靶材原子，以確保所述鍍膜區(qū)域具有均勻的靶材原子濃度，從而提高所鍍膜層的均勻性。


圖1是本發(fā)明實施方式提供的靶座結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式如圖1所示，本發(fā)明實施方式所提供的靶座結(jié)構(gòu)2包括底座20、靶材22、鍍膜層 24、靶座支架26及基座支架28。所述鍍膜層24包括第一靶座240、第二靶座242及基座244。所述第一靶座240、 基座244及第二靶座242為直徑依次減小的同心環(huán)形體。所述靶座支架26可為多個與底座20固定連接的直立桿體，其包括用于支撐所述 第一靶座240的第一靶座支架260及用于支撐所述第二靶座242的第二靶座支架262。所 述第一靶座240上間隔均勻地設(shè)置有多個第一連接通孔2400，所述第一靶座支架260穿過 所述第一連接通孔2400并與所述第一靶座240固定連接。所述第二靶座242上間隔均勻 地設(shè)置有多個第二連接通孔2420，所述第二靶座支架262穿過所述第二連接通孔2420并與 所述第二靶座242固定連接。所述第一靶座支架260和第二靶座支架262分別將所述第一靶座240和第二靶座242支撐在同一平面內(nèi)以圍成一個連續(xù)閉合的環(huán)形鍍膜區(qū)域248。所 述第一靶座240及第二靶座242上包覆有所述靶材22。所述基座支架28可為多個與底座20固定連接的直立桿體。所述基座244上間隔 均勻地設(shè)置有多個第三連接通孔2440，所述基座支架28穿過所述第三連接通孔2440并與 所述基座244固定連接。所述基座支架28將所述基座244支撐在所述環(huán)形鍍膜區(qū)域248 內(nèi)，并位于所述第一靶座240和第二靶座242所在的平面內(nèi)。所述基座244與第一靶座240 相對的一側(cè)設(shè)置有掛持結(jié)構(gòu)245。所述掛持結(jié)構(gòu)245上可放置待鍍膜的基材，如電子設(shè)備外 殼、光學玻璃等?？梢岳斫獾氖?，為了提高所述第一靶座支架260、第二靶座支架242和基座支架28 分別與第一靶座240、第二靶座242及基座244之間固定連接的穩(wěn)定性，所述第一靶座240 與至少三個所述第一靶座支架260固定連接，所述第二靶座242與至少三個所述第二靶座 支架262固定連接，所述基座244與至少三個所述基座支架28固定連接。所述第一靶座240及第二靶座242均包括多個轉(zhuǎn)動部246。所述轉(zhuǎn)動部246間隔 均勻地設(shè)置在所述環(huán)形的第一靶座240及第二靶座242上。所述靶材22包覆在所述轉(zhuǎn)動 部246上。所述轉(zhuǎn)動部246可由設(shè)置在第一靶座240及第二靶座242內(nèi)的馬達(圖未示) 帶動，以各自轉(zhuǎn)動部246所處的圓弧段為轉(zhuǎn)動軸心進行轉(zhuǎn)動。在鍍膜過程中，所述靶材22 在轉(zhuǎn)動部246的帶動下轉(zhuǎn)動，從而可以不斷地更換第一靶座240及第二靶座242上面向環(huán) 形鍍膜區(qū)域248的靶材表面，以提高靶材22的利用率。所述基座244在底座20上的環(huán)形投影處設(shè)置有環(huán)形驅(qū)動裝置200。所述環(huán)形驅(qū)動 裝置200由設(shè)置在底座20內(nèi)的馬達(圖未示)驅(qū)動，可帶動所述基座244在鍍膜過程中繞 基座244的中心旋轉(zhuǎn)使得被鍍基材在環(huán)形鍍膜區(qū)域248內(nèi)運動，以提高鍍膜的均勻性。在進行鍍膜時，所述第一靶座240及第二靶座242上朝向環(huán)形鍍膜區(qū)域248的靶 材表面受到電離態(tài)惰性氣體離子的轟擊而向所述環(huán)形鍍膜區(qū)域248內(nèi)濺射靶材原子。因為 所述第一靶座240及第二靶座242所圍成的環(huán)形鍍膜區(qū)域248連續(xù)且閉合，所述濺射進入 環(huán)形鍍膜區(qū)域248的靶材原子不易擴散出所述環(huán)形鍍膜區(qū)域248，所述環(huán)形鍍膜區(qū)域248內(nèi) 的靶材原子均勻分布，有利于提高被鍍膜層的均勻性。可以理解的是，為了擴大鍍膜空間，所述靶座結(jié)構(gòu)2可進一步包括多個相互平行 設(shè)置的鍍膜層24。每一個鍍膜層24內(nèi)的第一靶座240、第二靶座242及基座244分別固定 連接在對應(yīng)的第一靶座支架260、第二靶座支架262及基座支架28上以形成多個相互平行 的環(huán)形鍍膜區(qū)域248。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的靶座結(jié)構(gòu)通過在相互同心的環(huán)形第一靶座和第 二靶座上包覆靶材以向由所述第一靶座和第二靶座圍成的連續(xù)閉合的環(huán)形鍍膜區(qū)域內(nèi)濺 射靶材原子，以確保所述鍍膜區(qū)域具有均勻的靶材原子濃度，從而提高所鍍膜層的均勻性。最后應(yīng)說明的是，以上實施方式僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參 照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，可以對本發(fā)明 的技術(shù)方案進行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種靶座結(jié)構(gòu)，其包括底座、靶材、鍍膜層、靶座支架及基座支架，其特征在于，所述鍍膜層包括第一靶座、第二靶座及基座，所述第一靶座、第二靶座及基座均為同心的環(huán)形體，所述第一靶座和第二靶座由所述靶座支架支撐在所述底座上且在同一平面內(nèi)圍成一連續(xù)閉合的環(huán)形鍍膜區(qū)域，所述基座由所述基座支架支撐在所述底座上并位于所述環(huán)形鍍膜區(qū)域內(nèi)，所述第一靶座和第二靶座上包覆有所述靶材。
2.如權(quán)利要求1所述的靶座結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靶座支架包括用于支撐第一靶座 的第一靶座支架及用于支撐第二靶座的第二靶座支架，所述第一靶座支架、第二靶座支架 及基座為多個與底座固定連接的直立桿體，所述第一靶座、第二靶座及基座上分別間隔均 勻地設(shè)置有多個連接通孔，所述第一靶座支架穿過第一靶座上的連接通孔并與第一靶座固 定連接，所述第二靶座支架穿過第二靶座上的連接通孔并與第二靶座固定連接，所述基座 支架穿過所述基座上的連接通孔并與所述基座固定連接。
3.如權(quán)利要求2所述的靶座結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一靶座、與至少三個第一靶座支 架固定連接，所述第二靶座與至少三個第二靶座支架固定連接，所述基座與至少三個基座 支架固定連接。
4.如權(quán)利要求2所述的靶座結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靶座結(jié)構(gòu)包括多個相互平行的鍍 膜層，每一個鍍膜層內(nèi)的第一靶座、第二靶座及基座分別固定連接在對應(yīng)的第一靶座支架、 第二靶座支架及基座支架上。
5.如權(quán)利要求1所述的靶座結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述靶座結(jié)構(gòu)進一步包括環(huán)形驅(qū)動裝 置，所述環(huán)形驅(qū)動裝置設(shè)置在所述基座在底座上的環(huán)形投影處，所述環(huán)形驅(qū)動裝置用于驅(qū) 動所述環(huán)形基座繞其中心旋轉(zhuǎn)。
6.如權(quán)利要求1所述的靶座結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一靶座及第二靶座均包括多個 轉(zhuǎn)動部，所述轉(zhuǎn)動部間隔均勻地設(shè)置在環(huán)形的第一靶座及第二靶座上，所述靶座包覆在所 述轉(zhuǎn)動部上，所述轉(zhuǎn)動部由設(shè)置在第一靶座及第二靶座內(nèi)的馬達帶動，以各自轉(zhuǎn)動部所處 的圓弧段為轉(zhuǎn)動軸心進行轉(zhuǎn)動。
全文摘要
一種靶座結(jié)構(gòu)，其包括底座、靶材、鍍膜層、靶座支架及基座支架。所述鍍膜層包括第一靶座、第二靶座及基座。所述第一靶座、第二靶座及基座均為同心的環(huán)形體。所述第一靶座和第二靶座由所述靶座支架支撐在所述底座上且在同一平面內(nèi)圍成一連續(xù)閉合的環(huán)形鍍膜區(qū)域。所述基座由所述基座支架支撐在所述底座上并位于所述環(huán)形鍍膜區(qū)域內(nèi)。所述第一靶座和第二靶座上包覆有所述靶材。因所述環(huán)形鍍膜區(qū)域為連續(xù)閉合的，所述靶材原子濺射進入環(huán)形鍍膜區(qū)域后不易向外擴散，從而提高環(huán)形鍍膜區(qū)域內(nèi)靶材原子濃度的均勻性。
文檔編號C23C14/54GK101871091SQ20091030184
公開日2010年10月27日 申請日期2009年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月25日
發(fā)明者王仲培 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司