專利名稱：無電鍍方法和形成鍍膜的非導(dǎo)電性被鍍物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對非導(dǎo)電性被鍍物的無電鍍方法和基于該無電鍍方法形成鍍膜的非導(dǎo)電性被鍍物。
背景技術(shù)：
裝飾鍍、電子元器件的電極形成等各種領(lǐng)域中，均需形成金屬膜。在金屬膜的形成中經(jīng)常應(yīng)用鍍敷。被鍍物是非導(dǎo)電性的情況下，為了形成金屬膜，通常不能應(yīng)用電鍍，而應(yīng)用無電鍍。無電鍍中典型的是在鍍浴中添加還原劑，利用由該還原劑的氧化反應(yīng)產(chǎn)生的電子使金屬在被鍍物的表面析出。這種鍍敷方法被稱作自催化型無電鍍。
自催化型無電鍍中，需要使被鍍物的表面對還原劑的氧化反應(yīng)具有催化活性。因此，以往一般如例如日本專利特開2002-314309號公報(專利文獻(xiàn)1)所記載，通過將被鍍物事先浸漬在含有Pd(鈀)的催化劑溶液中，從而使被鍍物的表面催化活性化。
該以Pd為主要成分的催化劑在自催化型無電鍍中催化作用最強(qiáng)，還具有可適用的還原劑種類多的優(yōu)點，在工業(yè)上的應(yīng)用最廣。
然而，要將被鍍物浸漬在含有Pd的催化劑溶液中時，存在作為用于賦予Pd催化劑的預(yù)處理需要脫脂工序和蝕刻工序等使制造工序復(fù)雜的問題。此外，還有Pd昂貴的問題。另外，還存在被鍍物和鍍膜之間由作為催化劑殘留的Pd構(gòu)成的中間層削弱鍍膜對被鍍物的粘附力的問題。
在日本專利特開2003-183843號公報(專利文獻(xiàn)2)中，揭示了以下的鍍敷方法對形成于被鍍物表面的導(dǎo)電性電極部分使用添加形成鍍膜的金屬離子和使該金屬離子析出的還原劑的鍍浴進(jìn)行無電鍍的鍍敷方法，其特征在于，在鍍浴中與被鍍物一起投入對于還原劑的氧化反應(yīng)表現(xiàn)出催化活性的導(dǎo)電性介質(zhì)。
專利文獻(xiàn)2所記載的鍍敷方法中，即使不在電極部分進(jìn)行上述Pd催化劑的賦予，也可以在電極部分形成無電鍍膜。然而，專利文獻(xiàn)2中對于由非導(dǎo)電體構(gòu)成的被鍍物的鍍膜的形成沒有進(jìn)行揭示。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開2002-314309號公報專利文獻(xiàn)2日本專利特開2003-183843號公報發(fā)明的揭示發(fā)明要解決的課題本發(fā)明的目的在于提供對于非導(dǎo)電性被鍍物可以不經(jīng)過事先的催化劑賦予工序而形成鍍膜的無電鍍方法。
本發(fā)明的目的還在于提供形成了粘附力高的鍍膜的非導(dǎo)電性被鍍物。
解決課題的方法本發(fā)明首先是對非導(dǎo)電性被鍍物使用添加了形成鍍膜的金屬離子和使該金屬離子析出的還原劑的鍍浴進(jìn)行無電鍍的鍍敷方法，其特征在于，使對于還原劑的氧化反應(yīng)表現(xiàn)出催化活性的導(dǎo)電性介質(zhì)與被鍍物接觸。
本發(fā)明所述的無電鍍方法中，為了使導(dǎo)電性介質(zhì)更有效地與被鍍物接觸，較好是準(zhǔn)備允許鍍液通過的容器，在該容器內(nèi)投入非導(dǎo)電性被鍍物和導(dǎo)電性介質(zhì)，將投入了非導(dǎo)電性被鍍物和導(dǎo)電性介質(zhì)的容器在鍍浴內(nèi)旋轉(zhuǎn)、搖動或振動。
本發(fā)明所述的無電鍍方法中，較好是通過使上述金屬離子在導(dǎo)電性介質(zhì)上析出，使析出的金屬附著在導(dǎo)電性介質(zhì)上，通過使導(dǎo)電性介質(zhì)與非導(dǎo)電性被鍍物接觸，將附著在導(dǎo)電性介質(zhì)上的析出金屬轉(zhuǎn)移到非導(dǎo)電性被鍍物上，由此在非導(dǎo)電性被鍍物上形成鍍膜。
本發(fā)明所述的無電鍍方法優(yōu)選的第1實施方式中，鍍膜的主要成分由Ni、Co、Au或Pt或者它們的合金構(gòu)成，還原劑含有磷酸類化合物，導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面含有Ni、Co、Au和Pt中的至少1種。
本發(fā)明所述的無電鍍方法優(yōu)選的第2實施方式中，鍍膜的主要成分由Ni、Co、Au或Pt或者它們的合金構(gòu)成，還原劑含有硼類化合物，導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面含有Ni、Co、Au和Pt中的至少1種。
本發(fā)明所述的無電鍍方法優(yōu)選的第3實施方式中，鍍膜的主要成分由Ni、Co或Pt或者它們的合金構(gòu)成，還原劑含有氮類化合物，導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面含有Ni、Co和Pt中的至少1種。
本發(fā)明所述的無電鍍方法優(yōu)選的第4實施方式中，鍍膜的主要成分由Cu、Ag或Au或者它們的合金構(gòu)成，還原劑含有醛類化合物，導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面含有Cu、Ag和Au中的至少1種。
本發(fā)明還是形成了以選自Ni、Co、Cu、Ag、Au和Pt中的至少1種金屬或它們的合金為主要成分的鍍膜的非導(dǎo)電性被鍍物。其特征在于，鍍膜通過上述的本發(fā)明所述的無電鍍方法形成，同時特征還在于處于鍍膜不通過由對所述還原劑的還原作用表現(xiàn)出催化活性的物質(zhì)構(gòu)成的層而直接與非導(dǎo)電性被鍍物粘合的狀態(tài)。
發(fā)明的效果采用本發(fā)明所述的無電鍍方法，由于不需要事先對非導(dǎo)電性被鍍物進(jìn)行Pd等催化劑的賦予，所以可以不需要復(fù)雜的工序，并低成本地形成鍍膜。
此外，采用本發(fā)明所述的無電鍍方法，由于鍍膜不通過由Pd催化劑等構(gòu)成的中間層而直接粘合在非導(dǎo)電性被鍍物上，所以可以得到對于被鍍物的粘附力高的鍍膜。
附圖的簡單說明[
圖1]圖1是采用本發(fā)明所述的無電鍍方法的鍍膜形成過程的圖解說明圖。
符號的說明1無電鍍浴2導(dǎo)電性介質(zhì)3析出金屬4非導(dǎo)電性被鍍物5鍍膜實施發(fā)明的最佳方式首先，對本發(fā)明所述的無電鍍方法進(jìn)行說明。
簡而言之，本發(fā)明所述的無電鍍方法是使用添加形成鍍膜的金屬離子和使該金屬離子析出的還原劑的鍍浴對非導(dǎo)電性被鍍物進(jìn)行無電鍍的鍍敷方法，其特征在于，使對于還原劑的氧化反應(yīng)表現(xiàn)出催化活性的導(dǎo)電性介質(zhì)與被鍍物接觸。
參看圖1，更詳細(xì)地進(jìn)行說明。如圖1(a)所示，在無電鍍浴1中所含的金屬離子(M+)通過導(dǎo)電性介質(zhì)2的催化作用接受由還原劑(R)的氧化反應(yīng)()產(chǎn)生的電子(e-)而被還原，容易析出·附著在導(dǎo)電性介質(zhì)2的表面。由此，首先在導(dǎo)電性介質(zhì)2的表面附著來自金屬離子(M+)的析出金屬3。
接著，如圖1(b)所示，附著于導(dǎo)電性介質(zhì)2上的析出金屬3通過在導(dǎo)電性介質(zhì)2如箭頭所示撞擊非導(dǎo)電性被鍍物時壓附或擦附在被鍍物4的表面，如圖1(c)所示，轉(zhuǎn)移到被鍍物4的表面。由此，轉(zhuǎn)移到被鍍物4的表面的析出金屬3對被鍍物4通過固著效果而粘合。
接著，以粘合在被鍍物4上的析出金屬3為核，如圖1(c)中虛線所示，析出金屬3在被鍍物4上不斷析出，形成鍍膜5。特別是析出金屬3對于還原劑具有催化活性的情況下，形成如上所述的析出金屬3的核后，隨著形成的鍍膜5的擴(kuò)大，鍍膜5加速形成。
上述的鍍膜5處于不通過由對所述還原劑的還原作用表現(xiàn)出催化活性的物質(zhì)構(gòu)成的層而直接與非導(dǎo)電性被鍍物4粘合的狀態(tài)。
作為具體的實施方式，較好是應(yīng)用以下方法準(zhǔn)備允許鍍液通過的容器，在該容器內(nèi)投入非導(dǎo)電性被鍍物和導(dǎo)電性介質(zhì)，通過將投入了非導(dǎo)電性被鍍物和導(dǎo)電性介質(zhì)的容器在鍍浴內(nèi)旋轉(zhuǎn)、搖動或振動，使非導(dǎo)電性被鍍物與導(dǎo)電性介質(zhì)有效地接觸。這時，可以優(yōu)選地使用通常電鍍法所用的那樣的筒(barrel)作為上述容器。此外，也可以以筒傾斜的狀態(tài)使其旋轉(zhuǎn)、搖動或振動。
比較本發(fā)明所述的鍍敷方法和專利文獻(xiàn)2所記載的鍍敷方法，在不需要事先的Pd等催化劑的賦予和使對還原劑表現(xiàn)出催化活性的導(dǎo)電性介質(zhì)與被鍍物接觸方面是共通的。但是，在專利文獻(xiàn)2所記載的鍍敷方法中，在被鍍物具有電極等導(dǎo)電體部分、鍍膜只在導(dǎo)電體部分形成這一點上有較大不同。
即，專利文獻(xiàn)2所記載的鍍敷方法中，在具有催化活性的導(dǎo)電體介質(zhì)與被鍍物的導(dǎo)電體部分的表面接觸時，在該接觸點的附近發(fā)生還原劑的氧化反應(yīng)，由該氧化反應(yīng)產(chǎn)生的電子流動到被鍍物的導(dǎo)電體上。鍍浴中的導(dǎo)電體附近的金屬離子接受該導(dǎo)電體上的電子，金屬在導(dǎo)電體上析出。通過重復(fù)該反應(yīng)而只在導(dǎo)電體上形成鍍膜。
另一方面，在被鍍物除導(dǎo)電體部分之外的非導(dǎo)電體部分上，由于沒有還原劑的氧化反應(yīng)所產(chǎn)生的電子流動，所以按照專利文獻(xiàn)2所記載的機(jī)理不會形成鍍膜。但是，在非導(dǎo)電體部分，若根據(jù)上述本發(fā)明的機(jī)理、即在導(dǎo)電性介質(zhì)撞擊被鍍物時在導(dǎo)電性介質(zhì)上析出·附著的析出金屬轉(zhuǎn)移到被鍍物上并粘合的機(jī)理，推測也應(yīng)該會有鍍膜形成。然而，采用專利文獻(xiàn)2所記載的機(jī)理，由于鍍浴中的金屬離子優(yōu)先地析出到導(dǎo)電體部分上，因而在非導(dǎo)電體部分上幾乎沒有鍍膜形成。
綜上所述，即使使用相同的金屬離子和對還原劑具有催化活性的相同的導(dǎo)電性介質(zhì)，根據(jù)被鍍物是否含有導(dǎo)電體部分，鍍膜形成的機(jī)理會完全不同。即，本發(fā)明所述的鍍敷方法由于以在非導(dǎo)電體上形成鍍膜為目的，所以作為本發(fā)明的對象的被鍍物實際上不含有導(dǎo)電體部分。
因為本發(fā)明所述的鍍敷方法是基于如上所述的機(jī)理，所以與所述的專利文獻(xiàn)1所記載的鍍敷方法的情況相比，或者如專利文獻(xiàn)2所記載的要形成鍍膜的表面是導(dǎo)電體的情況相比，成膜速度較慢。但是，如上所述，如果考慮到形成具有自催化性的析出金屬的核后成膜速度變得更快，則這一點在實用上不會成為問題。
如上所述，采用本發(fā)明所述的鍍敷方法，鍍浴中的金屬離子主要首先在具有催化活性的導(dǎo)電性介質(zhì)上析出，然后通過導(dǎo)電性介質(zhì)與被鍍物接觸，析出金屬轉(zhuǎn)移到被鍍物上并粘合。以該粘合的析出金屬為核，通過析出金屬的自催化性形成鍍膜。由此，即使被鍍物是非導(dǎo)電性的，也可以不經(jīng)過事先的催化劑賦予工序而形成無電鍍膜。
導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面必須是對鍍浴中的還原劑表現(xiàn)出催化活性的。以下，對可以使用的還原劑的種類和與其相適應(yīng)的構(gòu)成導(dǎo)電性介質(zhì)的金屬元素進(jìn)行說明。
還原劑可以例舉一般被廣泛使用的磷酸類化合物、硼類化合物、氮類化合物和醛類化合物等。已經(jīng)有關(guān)于對這些還原劑具有催化活性的金屬的研究報告。
例如，已報道Au、Ni、Co和Pt對作為磷酸類還原劑的次磷酸鈉(NaH2PO2)的氧化反應(yīng)具有催化活性(大野淙、若林理、春山志郎著，“無電鍍中對于次磷酸鈉的陽極氧化的金屬的催化活性(無電めつきにおける次亜リン酸ナトリウムのアノ一ド酸化に對する金屬の觸媒活性)”，金屬表面技術(shù)，第34卷，第12號，1983年，pp.594-599)。
因此，使用磷酸類還原劑的情況下，通過至少構(gòu)成導(dǎo)電性介質(zhì)的表面的金屬使用Au、Ni、Co和Pt中的至少1種，可以不經(jīng)過事先的催化劑賦予工序而在非導(dǎo)電性被鍍物的表面形成Ni、Co、Au、Pt等的鍍膜。
此外，已報道還原劑使用硼氫化鈉(NaBH4)和DMAB((CH3)2NHBH3)等硼類化合物的情況下，Ni、Co、Pt和Au對這些硼類化合物的氧化反應(yīng)具有催化活性(大野淙、若林理、春山志郎著，“無電鍍中對于硼氫化鈉和二甲胺硼烷的陽極氧化的金屬的催化活性(無電めつきにおけるホウ水素化ナトリウムおよびジメチルアミンボランのアノ一ド酸化に對する金屬の觸媒活性)”，電化學(xué)，第53卷，第3號，1985年，pp.196-201)。
因此，使用硼類化合物作為還原劑的情況下，通過至少構(gòu)成導(dǎo)電性介質(zhì)的表面的金屬使用Au、Ni、Co和Pt中的至少1種，可以不經(jīng)過事先的催化劑賦予工序而在非導(dǎo)電性被鍍物的表面形成Ni、Co、Au、Pt等的鍍膜。
另外，已報道還原劑使用作為氮類化合物的肼(N2H4)的情況下，Ni、Co和Pt對N2H4的氧化反應(yīng)具有催化活性(大野淙、若林理、春山志郎著，“無電鍍中對于甲醛和肼的陽極氧化的金屬的催化活性(無電解めつきにぉけるホルムアルデヒドおよびヒドラジンのアノ一ド酸化に對する金屬の觸媒活性)”，電化學(xué)，第53卷，第3號，1985年，pp.190-195)。
因此，使用氮類化合物作為還原劑的情況下，通過至少構(gòu)成導(dǎo)電性介質(zhì)的表面的金屬使用Ni、Co和Pt中的至少1種，可以不經(jīng)過事先的催化劑賦予工序而在非導(dǎo)電性被鍍物的表面形成Ni、Co、Pt等的鍍膜。
此外，已報道還原劑使用甲醛(HCHO)的情況下，Cu、Au和Ag對HCHO的氧化反應(yīng)具有催化活性(大野淙、若林理、春山志郎著，“無電鍍中對于甲醛和肼的陽極氧化的金屬的催化活性”，電化學(xué)，第53卷，第3號，1985年，pp.190-195)。
因此，使用醛類化合物作為還原劑的情況下，通過至少構(gòu)成導(dǎo)電性介質(zhì)的表面的金屬使用Cu、Au和Ag中的至少1種，可以不經(jīng)過事先的催化劑賦予工序而在非導(dǎo)電性被鍍物的表面形成Cu、Au、Ag等的鍍膜。
以上，對本發(fā)明所述的鍍敷方法所優(yōu)選的鍍浴和導(dǎo)電性介質(zhì)的關(guān)系進(jìn)行了說明。上述說明對還原劑分成磷酸類化合物、硼類化合物、氮類化合物和醛類化合物4類進(jìn)行，但本發(fā)明所述的鍍敷方法并不局限于上述4類。鍍浴中的金屬成分和導(dǎo)電性介質(zhì)表面的金屬成分只要是對采用的還原劑表現(xiàn)出催化活性，當(dāng)然也可以另外考慮其它的組合。
此外，關(guān)于導(dǎo)電性介質(zhì)，只要是至少其表面具有導(dǎo)電性且對還原劑具有催化活性即可，內(nèi)部的導(dǎo)電性和催化活性沒有關(guān)系。
關(guān)于導(dǎo)電性介質(zhì)的大小，可以根據(jù)被鍍物的大小適當(dāng)選擇。如果導(dǎo)電性介質(zhì)和被鍍物的大小分別以體積表示，導(dǎo)電性介質(zhì)的體積較好是被鍍物體積的1/1000～1/1左右。若導(dǎo)電性介質(zhì)過小，則由于與被鍍物撞擊時，壓附析出金屬的力弱，被膜形成慢。另一方面，若導(dǎo)電性介質(zhì)過大，則由于與被鍍物的撞擊概率低，被膜形成慢。
鍍浴的各種條件，例如金屬離子濃度、還原劑的濃度、pH、溫度以及穩(wěn)定劑和表面活性劑等各種添加劑的種類和量等，需要根據(jù)對應(yīng)于要實施的鍍敷方法所選擇的還原劑和金屬離子的種類來適當(dāng)調(diào)整。
接著，對使用本發(fā)明所述的鍍敷方法形成了無電鍍膜的非導(dǎo)電性被鍍物進(jìn)行說明。
如前所述，本發(fā)明所述的非導(dǎo)電性被鍍物是形成了以選自Ni、Co、Cu、Ag、Au和Pt中的至少1種金屬或它們的合金為主要成分的鍍膜的非導(dǎo)電性被鍍物，其特征在于，上述鍍膜處于不通過由以例如Pd為主要成分的金屬或化合物構(gòu)成的層而直接與被鍍物粘合的狀態(tài)。
由此，采用本發(fā)明，由于不需要事先的Pd等催化劑的賦予工序，所以在被鍍物和鍍膜之間不存在中間層。因此，鍍膜的粘附力提高。
非導(dǎo)電性被鍍物的前提是至少形成鍍膜的表面部分是非導(dǎo)電性的。不形成鍍膜的被鍍物內(nèi)部的非導(dǎo)電性不成為問題。若表面存在導(dǎo)電體部分的情況下，由于前述的理由非導(dǎo)電體部分不會形成鍍膜，因此在本發(fā)明的范圍外。
此外，由于被鍍物是非導(dǎo)電性的，本發(fā)明的鍍膜對被鍍物通過固著效果而直接粘合。因此，被鍍物的表面的表面粗糙度越大，鍍膜的粘附力越大。被鍍物的表面粗糙度Ra較好是在0.1μm以上，更好是在1μm以上。
使用本發(fā)明的鍍敷方法形成例如Ni鍍膜后，可以在其表面形成通常普遍采用的置換Au鍍層。此外，形成Sn鍍層也沒有問題。
以下，基于更具體的實施例，對本發(fā)明所述的無電鍍方法和非導(dǎo)電性被鍍物進(jìn)行說明。
實施例1作為非導(dǎo)電性被鍍物，準(zhǔn)備100個長3mm、寬3mm和高7mm的立方體狀的電介質(zhì)陶瓷單元。
另一方面，準(zhǔn)備具有如下的組成和條件的鍍浴。
金屬鹽硫酸銅0.04摩爾/升還原劑甲醛0.70摩爾/升配位劑EDTA 0.08摩爾/升pH12.0
浴溫45℃接著，在內(nèi)容積為1.90×104m3的搖動筒中投入上述100個電介質(zhì)陶瓷單元，同時投入8.6g(約1500個)直徑約0.7mm的Cu球，將該搖動筒浸漬到上述鍍浴中，一邊進(jìn)行空氣攪拌，一邊以8～16往復(fù)/分鐘的速度使搖動筒搖動60分鐘，在電介質(zhì)陶瓷單元的表面形成Cu鍍膜。
通過如上所述進(jìn)行無電鍍，可以不經(jīng)過事先的催化劑處理工序，而形成沒有粘合強(qiáng)度和析出不均的問題的膜厚約2.0μm的Cu鍍膜。鍍膜的膜厚通過熒光X射線膜厚計(セイコ一インスツルメンツ公司制SEA5120)進(jìn)行測定。上述形成鍍膜的電介質(zhì)陶瓷單元適合用作電介質(zhì)諧振器。
實施例2作為非導(dǎo)電性被鍍物，準(zhǔn)備100個長5mm、寬5mm和高1.5mm的塑料制框體。
另一方面，準(zhǔn)備作為市場上銷售的Ni-P合金浴的荏原ユ一ジライト制“エバシ一ルドTN”作為鍍浴，浴溫設(shè)定為63℃。
接著，在內(nèi)容積為1.90×104m3的搖動筒中投入上述100個塑料制框體，同時投入7.9g(約1500個)直徑約0.7mm的Ni球，將該搖動筒浸漬到上述鍍浴中，一邊進(jìn)行空氣攪拌，一邊以8～16往復(fù)/分鐘的速度使搖動筒搖動60分鐘，在塑料制框體的表面形成Ni-P被膜。
通過如上所述進(jìn)行無電鍍，可以不經(jīng)過事先的催化劑處理工序，而形成沒有粘合強(qiáng)度和析出不均的問題的膜厚約6.0μm的Ni-P鍍膜。上述形成鍍膜的塑料制框體適合用作電磁波屏蔽材料。
實施例3作為非導(dǎo)電性被鍍物，準(zhǔn)備100個直徑約3.0mm的Al2O3球體。
另一方面，準(zhǔn)備作為市場上銷售的Ni-B合金浴的奧野制藥制“トツプケミアロイB-1”作為鍍浴，pH設(shè)定為6.7，浴溫設(shè)定為60℃。
接著，在內(nèi)容積為1.90×104m3的旋轉(zhuǎn)筒中投入上述100個Al2O3球體，同時投入7.9g(約1500個)直徑約0.7mm的Ni球，將該旋轉(zhuǎn)筒浸漬到上述鍍浴中，一邊進(jìn)行空氣攪拌，一邊以0.05s-1(＝3rpm)的旋轉(zhuǎn)速度使旋轉(zhuǎn)筒旋轉(zhuǎn)40分鐘，在Al2O3球體的表面形成Ni-B被膜。
通過如上所述進(jìn)行無電鍍，可以不經(jīng)過事先的催化劑處理工序，而形成沒有粘合強(qiáng)度和析出不均的問題的膜厚約1.5μm的Ni-B鍍膜。上述形成鍍膜的Al2O3球體適合用作低溫發(fā)熱體。
權(quán)利要求
1.無電鍍方法，它是使用添加了形成鍍膜的金屬離子和使所述金屬離子析出的還原劑的鍍浴、在非導(dǎo)電性被鍍物上通過無電鍍形成鍍膜的無電鍍方法，其特征在于，具備準(zhǔn)備對所述還原劑的氧化反應(yīng)表現(xiàn)出催化活性的導(dǎo)電性介質(zhì)的工序；以及為了在所述非導(dǎo)電性被鍍物上形成所述鍍膜，使所述導(dǎo)電性介質(zhì)與所述非導(dǎo)電性被鍍物接觸的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的無電鍍方法，其特征還在于，還具備準(zhǔn)備允許構(gòu)成所述鍍浴的鍍液通過的容器的工序與在所述容器內(nèi)投入所述非導(dǎo)電性被鍍物和所述導(dǎo)電性介質(zhì)的工序，所述使導(dǎo)電性介質(zhì)與非導(dǎo)電性被鍍物接觸的工序具備將投入了所述非導(dǎo)電性被鍍物和所述導(dǎo)電性介質(zhì)的所述容器在所述鍍浴內(nèi)旋轉(zhuǎn)、搖動或振動的同時，使所述非導(dǎo)電性被鍍物和所述導(dǎo)電性介質(zhì)接觸的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的無電鍍方法，其特征還在于，使所述導(dǎo)電性介質(zhì)與非導(dǎo)電性被鍍物接觸的工序具備以下步驟通過使所述金屬離子在所述導(dǎo)電性介質(zhì)上析出，使析出金屬附著在所述導(dǎo)電性介質(zhì)上的步驟；通過使所述導(dǎo)電性介質(zhì)與所述非導(dǎo)電性被鍍物接觸，將附著在所述導(dǎo)電性介質(zhì)上的所述析出金屬轉(zhuǎn)移到所述非導(dǎo)電性被鍍物上的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的無電鍍方法，其特征還在于，所述鍍膜的主要成分由Ni、Co、Au或Pt或者它們的合金構(gòu)成，所述還原劑含有磷酸類化合物，所述導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面含有Ni、Co、Au和Pt中的至少1種。
5.如權(quán)利要求1所述的無電鍍方法，其特征還在于，所述鍍膜的主要成分由Ni、Co、Au或Pt或者它們的合金構(gòu)成，所述還原劑含有硼類化合物，所述導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面含有Ni、Co、Au和Pt中的至少1種。
6.如權(quán)利要求1所述的無電鍍方法，其特征還在于，所述鍍膜的主要成分由Ni、Co或Pt或者它們的合金構(gòu)成，所述還原劑含有氮類化合物，所述導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面含有Ni、Co和Pt中的至少1種。
7.如權(quán)利要求1所述的無電鍍方法，其特征還在于，所述鍍膜的主要成分由Cu、Ag或Au或者它們的合金構(gòu)成，所述還原劑含有醛類化合物，所述導(dǎo)電性介質(zhì)至少表面含有Cu、Ag和Au中的至少1種。
8.非導(dǎo)電性被鍍物，它是形成了以選自Ni、Co、Cu、Ag、Au和Pt中的至少1種金屬或它們的合金為主要成分的鍍膜的非導(dǎo)電性被鍍物，其特征在于，所述鍍膜通過權(quán)利要求1～7中的任一項所述的無電鍍方法形成，且所述鍍膜處于不通過由對所述還原劑的還原作用表現(xiàn)出催化活性的物質(zhì)構(gòu)成的層而直接與所述非導(dǎo)電性被鍍物粘合的狀態(tài)。
全文摘要
使得不需要事先的催化劑賦予工序，而在非導(dǎo)電性被鍍物上通過無電鍍經(jīng)濟(jì)地形成粘合力高的鍍膜。在添加形成鍍膜(5)的金屬離子(M+)和使金屬離子析出的還原劑(R)的鍍浴(1)中投入對還原劑(R)的氧化反應(yīng)表現(xiàn)出催化活性的導(dǎo)電性介質(zhì)(2)。金屬離子接受由還原劑的氧化反應(yīng)產(chǎn)生的電子而被還原，在介質(zhì)(2)的表面析出，由此產(chǎn)生的析出金屬(3)附著在介質(zhì)(2)的表面。析出金屬(3)通過在介質(zhì)(2)撞擊被鍍物(4)時壓附在被鍍物(4)的表面而轉(zhuǎn)移到被鍍物(4)的表面，以該析出金屬(3)作為核，形成鍍膜(5)。
文檔編號C23C18/31GK1842615SQ200580000819
公開日2006年10月4日 申請日期2005年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日
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