專利名稱：隔離膜的形成方法及電極膜的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成膜方法，特別涉及形成半導(dǎo)體裝置的隔離膜的方法。
背景技術(shù)：
一直以來作為在采取雙重機(jī)械結(jié)構(gòu)的器件上作成電極膜和插頭的方法，有在器件表面形成隔離膜，在隔離膜表面形成導(dǎo)電膜，用導(dǎo)電膜填埋器件上的溝槽后采用CMP(Chemical Mechanical Polishing)法研磨導(dǎo)電膜，分離殘存在溝槽內(nèi)的導(dǎo)電膜從而得到電極膜的方法。
作為隔離膜的構(gòu)成材料，使用氮化鎢或氮化鉭。構(gòu)成Cu布線用的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電材料，并不是與隔離膜的構(gòu)成材料化學(xué)性性結(jié)合，由于隔離膜與導(dǎo)電膜(特別是Cu)的密合性低，因此在形成導(dǎo)電膜后的CMP工序中有時在導(dǎo)電膜和隔離膜的界面發(fā)生剝離，導(dǎo)電膜從器件剝離。
專利文獻(xiàn)1特開2001-23930號公報專利文獻(xiàn)2特開平11-54459號公報專利文獻(xiàn)3專利第3415207號公報專利文獻(xiàn)4特開平6-89873號公報專利文獻(xiàn)5特開2000-212749號公報專利文獻(xiàn)6特開2001-319930號公報專利文獻(xiàn)7特開平7-252660號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不良情況而創(chuàng)作的，其目的是形成與電極膜的密合性高的隔離膜。
為解決上述課題，本發(fā)明是將處理對象物置于真空氣氛中，在上述處理對象物表面形成隔離膜的隔離膜形成方法，其具有在上述處理對象物表面形成氮化鎢膜的氮化鎢膜形成工序、和在上述氮化鎢膜表面形成硅化鎢膜的硅化鎢膜形成工序。上述硅化鎢膜形成工序具有向上述真空氣氛中供給含有鎢化合物氣體的含鎢氣體后，從上述真空氣氛排出上述含鎢氣體的鎢供給工序；和向上述真空氣氛中供給含有硅化合物氣體的含硅氣體后，從上述真空氣氛排出上述含硅氣體的硅供給工序。
本發(fā)明是隔離膜的形成方法，上述硅化鎢膜形成工序交替地進(jìn)行上述鎢供給工序和上述硅供給工序。
本發(fā)明是隔離膜的形成方法，上述氮化鎢膜形成工序具有向上述真空氣氛中供給含有鎢化合物的氣體的第一原料氣體后，從上述真空氣氛排出上述第一原料氣體的第一原料氣體供給工序；向上述真空氣氛中供給還原上述鎢化合物的還原氣體后，從上述真空氣氛排出上述還原氣體的還原工序；向上述真空氣氛中供給含有鎢化合物的氣體的第二原料氣體后，從上述真空氣氛排出上述第二原料氣體的第二原料氣體供給工序；向上述真空氣氛中供給在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氮、并與鎢反應(yīng)生成氮化鎢的氮化氣體后，從上述真空氣氛排出上述氮化氣體的氮化工序。
本發(fā)明是隔離膜的形成方法，其具有使上述第一原料氣體工序和上述還原工序的任1工序在先、另一工序在后，連續(xù)進(jìn)行上述第一原料氣體供給工序和上述還原工序，析出鎢化合物的還原物的還原物析出工序；和使上述第二原料氣體工序和上述氮化氣體工序的任1工序在先、另一工序在后，連續(xù)進(jìn)行上述第二原料氣體供給工序和上述氮工序，析出氮化鎢的氮化鎢析出工序；交替地反復(fù)進(jìn)行上述還原物析出工序和上述氮化鎢析出工序。
本發(fā)明是隔離膜的形成方法，是在相同真空槽內(nèi)進(jìn)行上述氮化鎢膜形成工序、和上述硅化鎢膜形成工序的隔離膜的形成方法。
一種電極膜的形成方法，其為將處理對象物置于真空氣氛中，在上述處理對象物表面形成隔離膜后，在上述隔離膜表面形成電極膜的電極膜的形成方法。上述隔離膜的形成工序具有在上述處理對象物表面形成氮化鎢膜的氮化鎢膜形成工序、和在上述氮化鎢膜表面形成硅化鎢膜的硅化鎢膜形成工序；上述硅化鎢膜的形成工序具有向上述真空氣氛中供給含有鎢化合物氣體的含鎢氣體后，從上述真空氣氛排出上述含鎢氣體的鎢供給工序、和向上述真空氣氛中供給含有硅化合物氣體的含硅氣體后，從上述真空氣氛排出上述含硅氣體的硅供給工序；上述電極膜的形成工序是在上述隔離膜的表面配置以銅為主成分的導(dǎo)電層的電極膜形成方法。
本發(fā)明是電極膜的形成方法，是濺射以銅為主成分的導(dǎo)電材料，在上述隔離膜表面配置以銅為主成分的上述導(dǎo)電層的電極膜的形成方法。
發(fā)明效果含有硅原子的硅化鎢膜與氮化鎢、鎢單質(zhì)等其他隔離膜材料相比，與構(gòu)成電極膜的導(dǎo)電材料的密合性高，因此電極膜難從隔離膜上被剝離。


圖1所示為一例用于隔離膜成膜的成膜裝置的剖面圖。
圖2所示為一例用于電極膜成膜的濺射裝置的剖面圖。
圖3(a)～(d)是說明電極膜形成工序的前半部分的剖面圖。
圖4(e)、(f)是說明電極膜形成工序的后半部分的剖面圖。
圖5(a)～(g)是說明氮化鎢膜形成工序的放大剖面圖。
圖6(a)～(c)是說明硅化鎢膜形成工序的放大剖面圖。
圖7是表示在實(shí)施例5中形成的硅化鎢膜進(jìn)行AES分析的結(jié)果的曲線圖。
圖8是表示在實(shí)施例6中形成的硅化鎢膜進(jìn)行AES分析的結(jié)果的曲線圖。
圖9是表示在實(shí)施例4中形成的隔離膜進(jìn)行AES分析的結(jié)果的曲線圖。
圖10是表示在比較例6中形成的隔離膜進(jìn)行AES分析的結(jié)果的曲線圖。
圖11是用于說明在剝離試驗(yàn)中設(shè)置的傷痕部分和判定區(qū)域的平面圖。
圖12(a)～(e)是用于說明剝離試驗(yàn)的評價分的圖。
圖13是在200℃加熱實(shí)施例2的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖14是在250℃加熱實(shí)施例2的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖15是在300℃加熱實(shí)施例2的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖16是在300℃加熱實(shí)施例3的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖17是在200℃加熱比較例2的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖18是在250℃加熱比較例2的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖19是在300℃加熱比較例2的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖20是在200℃加熱比較例3的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖21是在250℃加熱比較例3的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖22是在300℃加熱比較例3的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖23是在200℃加熱比較例4的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖24是在250℃加熱比較例4的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖25是在300℃加熱比較例4的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖26是在200℃加熱比較例5的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖27是在250℃加熱比較例5的電極膜時的電子顯微鏡照片。
圖28是在300℃加熱比較例5的電極膜時的電子顯微鏡照片。
符號說明1…成膜裝置；2…真空槽；5…氣體供給系統(tǒng)；11…半導(dǎo)體襯底；12…第一電極膜；13…處理襯底；15…處理對象物；16…絕緣膜；17…溝槽；18…孔；19…絕緣性薄膜；20…隔離膜；21…氮化鎢膜；22…硅化鎢膜；25’…第二電極膜；50…濺射裝置具體實(shí)施方式
圖3(a)的符號15表示本發(fā)明中使用的處理對象物，該處理對象物15有處理襯底13。處理襯底13具有為硅襯底的半導(dǎo)體襯底11，在半導(dǎo)體襯底11的表面形成了為氧化硅膜的絕緣性薄膜19。
在處理襯底13的形成了絕緣性薄膜19的一側(cè)的面上配置數(shù)片圖形化為細(xì)長的第一電極膜12，在處理襯底13的配置了第一電極膜12的一側(cè)的面上形成了絕緣膜16。在絕緣膜16表面形成數(shù)條比絕緣膜16的膜厚淺的溝槽17，在各溝槽17的底面絕緣膜16露出。
各溝槽17為細(xì)長，其位置與第一電極膜12交叉，溝槽17與第一電極膜12交叉的區(qū)域之中，在規(guī)定區(qū)域的溝槽17的底面形成孔18，在孔18的底面第一電極膜12的表面露出。
為在該處理對象物15上形成隔離膜和電極膜，首先向未圖示出的處理裝置內(nèi)部搬入處理對象物15，在該處理裝置內(nèi)部形成真空氣氛后，向該處理裝置內(nèi)部供給清洗氣，使得發(fā)生清洗氣的等離子體，則附著于處理對象物15上的有機(jī)物被等離子體分解、去除，在孔18的底面上，凈化的第一電極膜12表面露出(前處理工序)。
圖1的符號1表示成膜裝置，成膜裝置1有真空槽2。在真空槽2上連接著真空排氣系統(tǒng)9，起動真空排氣系統(tǒng)9，在真空槽2內(nèi)部形成規(guī)定壓力的真空氣氛。
在真空槽2內(nèi)部配置著襯底座7，繼續(xù)真空排氣并在維持該真空氣氛原封不動的狀態(tài)下，將前處理工序后的處理對象物15搬入到真空槽2內(nèi)部，使之保持在襯底座7上，將處理對象物15配置在真空氣氛中。
襯底座7有未圖示出的加熱裝置，襯底座7通過加熱裝置被預(yù)先加熱，因此當(dāng)使處理對象物15保持在襯底座7上時，通過熱傳導(dǎo)使得處理對象物15升溫。在與處理對象物15相向的真空槽2的壁面安裝著噴頭3，在真空槽2外部配置氣體供給系統(tǒng)5，噴頭3與氣體供給系統(tǒng)5連接。
在噴頭3的與處理對象物15相向的面上設(shè)置數(shù)個噴出孔4，處理對象物15升溫至規(guī)定的成膜溫度時，一邊維持該溫度，一邊從氣體供給系統(tǒng)5向噴頭3供給由鎢化合物氣體組成的第一原料氣體，供給到噴頭3的內(nèi)部的第一原料氣體從各噴出孔4噴出到真空槽2內(nèi)部。
處理對象物15在形成了絕緣膜16的面朝向噴頭3的狀態(tài)下，被保持在襯底座7上，第一原料氣體從各噴出孔4噴吹到處理對象物15的形成了絕緣膜16的面上。
在供給第一原料氣體的同時繼續(xù)真空排氣，在處理對象物15的配置了絕緣膜16的一側(cè)的面上露出的表面、即絕緣膜16的表面，溝槽17的內(nèi)壁，孔18的內(nèi)壁，和在孔18底面露出的第一電極膜12表面上吸附構(gòu)成第一原料氣體的鎢化合物分子，形成第一原料氣體的分子層。
供給規(guī)定時間的第一原料氣體后，將處理對象物15維持在成膜溫度的狀態(tài)下，一邊繼續(xù)真空排氣一邊停止供給第一原料氣體，第一原料氣體被排出，真空槽2內(nèi)部的壓力降低(第一原料氣體工序)。
從真空槽2內(nèi)部排出第一原料氣體時，鎢化合物分子的一部分從第一原料氣體的分子層脫離，但殘留的分子以被處理對象物15吸附的狀態(tài)殘留，其分子層被維持。
圖5(a)所示為剛剛進(jìn)行了第一原料氣體供給工序之后的、處理對象物15的配置了絕緣膜16的一側(cè)的表面(在此為絕緣膜16表面)的放大剖面圖，該圖的符號31表示第一原料氣體的分子層。
在此，構(gòu)成第一原料氣體的鎢化合物的氣體是WF6氣體(六氟化鎢)，第一原料氣體的分子層31由該鎢化合物分子的單分子層、或者重疊了2個以上鎢化合物分子的多分子層構(gòu)成。
然后，將處理對象物15維持在成膜溫度的狀態(tài)下，一邊繼續(xù)真空排氣一邊從氣體供給系統(tǒng)5向真空槽2內(nèi)部供給由還原性化合物的氣體組成的還原氣體，提高配置了處理對象物15的真空氣氛的壓力，在第一原料氣體的分子層31表面上吸附有構(gòu)成還原氣體的還原性化合物的分子，形成還原氣體的分子層。
供給規(guī)定時間的還原氣體后，將處理對象物15維持在成膜溫度的狀態(tài)下，一邊繼續(xù)真空排氣一邊停止供給還原氣體，還原氣體被排出，真空槽2內(nèi)部的壓力降低。
從真空槽2內(nèi)部排出還原氣體時，還原性化合物分子的一部分從還原氣體的分子層脫離，但殘留的分子以被第一原料氣體的分子層31表面吸附的狀態(tài)殘留，其分子層被維持。
圖5(b)的符號32表示維持在第一原料氣體的分子層31表面的還原氣體的分子層，該分子層32由還原性化合物分子的單分子層、或者重疊了2個以上還原性化合物分子的多分子層構(gòu)成。
在此，構(gòu)成還原氣體的還原性化合物是單硅烷(SiH4)，如果在形成了還原氣體的分子層32的狀態(tài)下將處理對象物15維持在成膜溫度，則進(jìn)行第一原料氣體的分子層31的鎢化合物分子與還原氣體的分子層32的還原性化合物分子發(fā)生反應(yīng)而被還原的還原反應(yīng)，為硅化鎢(WSix；x為任意的整數(shù))的鎢化合物的還原物析出，如圖5(c)所示，形成還原物的膜35(還原工序)。
然后，一邊繼續(xù)真空排氣一邊從氣體供給系統(tǒng)5供給由鎢化合物的氣體組成的第二原料氣體，提高真空槽2內(nèi)部的壓力，在還原物的膜35表面上吸附有構(gòu)成第二原料氣體的鎢化合物的分子，形成第二原料氣體的分子層。
供給規(guī)定時間的第二原料氣體后，將處理對象物15維持在成膜溫度的狀態(tài)下，一邊繼續(xù)真空排氣一邊停止供給第二原料氣體，第二原料氣體被排出，真空槽2內(nèi)部的壓力降低。
在排出第二原料氣體時，鎢化合物分子的一部分從第二原料氣體的分子層脫離，但殘留的分子以被還原物的膜35吸附的狀態(tài)殘留，其分子層被維持。
圖5(d)的符號33表示殘留在還原物的膜35表面的第二原料氣體的分子層，該分子層33由鎢化合物分子(在此為WF6)的單分子層或者重疊了2個以上鎢化合物的多分子層構(gòu)成。
在該狀態(tài)下將處理對象物15維持在成膜溫度放置時，則進(jìn)行構(gòu)成第二原料氣體的分子層33的鎢化合物、與構(gòu)成還原物的膜35的硅化鎢的反應(yīng)，硅化鎢中的硅與鎢化合物的氟結(jié)合，變成氟代硅烷，從還原物的膜35脫離到真空槽2內(nèi)部并被排出，同時，硅化鎢的鎢、和鎢化合物的鎢在處理對象物15表面析出，如圖5(e)所示形成了鎢的原子層36(第二原料氣體供給工序)。
然后，將處理對象物15維持在成膜溫度的狀態(tài)下，一邊繼續(xù)真空排氣一邊從氣體供給系統(tǒng)5向真空槽2內(nèi)部供給使鎢氮化的氮化合物的氣體(氮化氣體)，提高真空槽2內(nèi)部的壓力，在原子層36的表面吸附有氮化合物的分子，形成氮化氣體的分子層。
供給規(guī)定時間的氮化氣體后，將處理對象物15的溫度維持在成膜溫度的狀態(tài)下，一邊繼續(xù)真空排氣一邊停止供給氮化氣體，氮化氣體被排出，真空槽2內(nèi)部的壓力降低。
在排出氮化氣體時，氮化合物分子的一部分從氮化氣體的分子層脫離，但殘留的分子以被原子層36吸附的狀態(tài)殘留，其分子層被維持。
圖5(f)的符號34表示在原子層36表面殘留的氮化合物分子的分子層，該分子層34由氮化合物分子(在此為NH3)的單分子層或者重疊了2個以上氮化合物分子的多分子層構(gòu)成。
在形成了氮化合物分子的分子層34的狀態(tài)下將處理對象物15維持在成膜溫度，則原子層36的鎢原子被氮化合物氮化，如圖5(g)所示，形成氮化鎢膜21。
供給規(guī)定時間的氮化氣體后，一邊繼續(xù)真空排氣一邊停止供給氮化氣體，氮化氣體被排出，真空槽2內(nèi)部的壓力降低(氮化工序)。
當(dāng)由第一原料氣體供給工序、和還原工序構(gòu)成還原物析出工序，由第二原料氣體供給工序、和氮化工序構(gòu)成氮化鎢析出工序時，如果交替地反復(fù)進(jìn)行還原物析出工序和氮化鎢析出工序，則氮化鎢膜成長，形成膜厚厚的氮化鎢膜21。
圖3(b)表示重復(fù)鎢析出工序和氮化鎢析出工序，使得氮化鎢膜21達(dá)到規(guī)定膜厚后的狀態(tài)。如上述，第一原料氣體的鎢化合物分子吸附在絕緣膜16的表面、溝槽17的內(nèi)壁、孔18的內(nèi)壁、和在孔18底面露出的第一電極膜`12的表面上，由于在各個表面發(fā)生鎢化合物分子與還原性化合物反應(yīng)、生成還原物的反應(yīng)，該還原物與第二原料氣體的鎢化合物反應(yīng)、析出鎢原子的反應(yīng)，和鎢原子與氮化合物反應(yīng)、生成氮化鎢的反應(yīng)，因此氮化鎢膜21在絕緣膜16的表面、溝槽17的內(nèi)壁、孔18的內(nèi)壁、和在孔18底面露出的第一電極膜`12的表面上連續(xù)地形成。
在形成了氮化鎢膜21的狀態(tài)下繼續(xù)真空排氣，從真空槽2內(nèi)部排出第一、第二原料氣體、還原氣體、氮化氣體的時候，一邊繼續(xù)真空排氣，一邊從氣體供給系統(tǒng)5供給由鎢化合物組成的含鎢氣體，提高真空槽2內(nèi)部的壓力，則鎢化合物的分子吸附在氮化鎢膜21的表面上，形成含鎢氣體的分子層。
供給規(guī)定時間的含鎢氣體后，一邊繼續(xù)真空排氣，一邊停止供給含鎢氣體，含鎢氣體被排出，真空槽2內(nèi)部的壓力降低。
此時，鎢化合物分子的一部分從含鎢氣體的分子層脫離，但與上述的第一原料氣體供給工序同樣，殘留的分子以被氮化鎢膜21吸附的狀態(tài)殘留，其分子層殘留(鎢供給工序)。
圖6(a)的符號41表示殘留在氮化鎢膜21表面的含鎢氣體分子層。在此，含鎢氣體由與上述的第一、第二原料氣體相同的氣體(WF6氣體)構(gòu)成，含鎢氣體的分子層41由鎢化合物分子的單分子層、或者重疊了2個以上鎢化合物分子的多分子層構(gòu)成。
然后，一邊繼續(xù)真空排氣，一邊供給由硅化合物氣體組成的含硅氣體，提高真空槽2內(nèi)部的壓力，在含鎢氣體的分子層41表面吸附有含硅氣體的硅化合物分子，形成含硅氣體的分子層。
供給規(guī)定時間的含硅氣體后，一邊繼續(xù)真空排氣，一邊停止供給含硅氣體，含硅氣體被排出，真空槽2內(nèi)部的壓力降低。此時，硅化合物分子的一部分從含硅氣體的分子層脫離，但殘留的分子以被含鎢氣體的分子層41吸附的狀態(tài)殘留，分子層被維持(硅供給工序)。
圖6(b)的符號42表示殘留在含鎢氣體的分子層41表面的含硅氣體的分子層。在此，含硅氣體由與上述的還原氣體相同的氣體(SiHx4氣體)構(gòu)成，含硅氣體的分子層42由硅化合物分子的單分子層、或者重疊了2個以上硅化合物分子的多分子層構(gòu)成。
在形成了含硅氣體的分子層42的狀態(tài)下將處理對象物15維持在成膜溫度，含鎢氣體的鎢化合物與含硅氣體的分子層42的硅化合物反應(yīng)而被還原，如圖6(c)所示，在氮化鎢膜21的表面上形成由WSix(x為1以上的整數(shù))組成的硅化鎢膜22。
不供給氮化氣體，并只交替地反復(fù)進(jìn)行鎢供給工序、硅供給工序，，則鎢不被氮化，硅化鎢膜22成長。
圖3(c)表示反復(fù)進(jìn)行鎢供給工序和硅供給工序直到成長出所要求膜厚的硅化鎢膜22之后的狀態(tài)。該圖的符號20表示由氮化鎢膜21和硅化鎢膜22構(gòu)成的隔離膜。
如上述，氮化鎢膜21在絕緣膜16的表面、溝槽17的內(nèi)壁、孔18的內(nèi)壁、和在孔18底面露出的第一電極膜`12的表面上連續(xù)地形成，由于形成的硅化鎢膜22覆蓋了氮化鎢膜21的表面全部，因此硅化鎢膜22在絕緣膜16的表面上、溝槽17的內(nèi)壁上、孔18的內(nèi)壁上、和在孔18底面露出的第一電極膜`12的表面上連續(xù)地形成圖2的符號50表示濺射裝置，此濺射裝置50有真空槽51。起動連接在真空槽51上的真空排氣系統(tǒng)58，在真空槽51內(nèi)部形成真空氣氛后，一邊維持該真空氣氛一邊將形成了隔離膜20的狀態(tài)的處理對象物15搬入濺射裝置50的真空槽51內(nèi)部，保持在襯底座52上。
接著，一邊繼續(xù)真空排氣，一邊從濺射氣體供給系統(tǒng)57供給濺射氣體，在真空槽51內(nèi)部形成規(guī)定壓力的濺射氣氛。在真空槽51內(nèi)部在與保持在襯底座52上的處理對象物15相向的位置上配置著由導(dǎo)電材料(在此為Cu)組成的靶55，起動電源56，對靶55外加電壓，靶55被濺射，放出濺射粒子。
處理對象物15在形成了隔離膜20的面朝向靶55的狀態(tài)下被保持在襯底座52上，從靶55放出的濺射粒子附著在隔離膜20的表面，如圖3(d)所示，在隔離膜20的表面形成由導(dǎo)電材料組成的第一導(dǎo)電層26。
由于第一導(dǎo)電層26不被分割而在絕緣膜16的表面上、溝槽17的內(nèi)壁上、孔18的內(nèi)壁上、和在位于孔18底面上的隔離膜20的表面上連續(xù)地形成，因此對第一導(dǎo)電層26的一部分外加電壓時，就在第一導(dǎo)電層26全體上外加了相同極性的電壓。
因此，將形成了第一導(dǎo)電層26的狀態(tài)的處理對象物15浸漬在電鍍液中，對浸漬在電鍍液中的電極外加正電壓，對第一導(dǎo)電層26外加負(fù)電壓，電鍍液中的金屬離子(在此為Cu離子)向第一導(dǎo)電層26表面泳動，在第一導(dǎo)電層26表面析出金屬，成長出第二導(dǎo)電層。
繼續(xù)對第一導(dǎo)電層26外加電壓，第二導(dǎo)電層成長，如圖4(e)所示，孔18和溝槽17變成被第二導(dǎo)電層27填充的狀態(tài)。圖4(e)的符號25表示由第一導(dǎo)電層26和第二導(dǎo)電層27組成的導(dǎo)電膜。
采用電鍍法成長的第二導(dǎo)電層27的致密性低，有時產(chǎn)生被稱為微孔的微細(xì)孔隙，微孔成為增加電極膜的電阻的原因。
將形成了導(dǎo)電膜25的狀態(tài)的處理對象物15從電鍍液提升出后，配置在加熱裝置內(nèi)部。加熱裝置的內(nèi)部通過在真空排氣的同時供給退火氣體，維持在預(yù)先規(guī)定的壓力，一邊繼續(xù)真空排氣和退火氣體的供給，一邊將處理對象物加熱至200℃以上，則導(dǎo)電膜25被燒成，微孔消失(退火化處理)。
通常，如導(dǎo)電膜25那樣的金屬膜與氮化鎢膜的密合性低，當(dāng)在氮化鎢膜21表面直接形成導(dǎo)電膜25時，有時在退火化時導(dǎo)電膜25的金屬凝聚，導(dǎo)電膜25的膜質(zhì)降低，或?qū)щ娔?5從氮化鎢膜21剝離。
特別是在用銅形成導(dǎo)電膜25的情況下，有時與氮化鎢膜的密合性發(fā)生問題。在用銅形成導(dǎo)電膜25時，優(yōu)選密合性好的隔離膜。
在本發(fā)明中，在氮化鎢膜21的表面形成了硅化鎢膜22后，在硅化鎢膜22的表面形成導(dǎo)電膜25，通過硅化鎢膜22中的Si與導(dǎo)電膜25中的金屬(在此為銅)化學(xué)性結(jié)合，硅化鎢膜22和導(dǎo)電膜25的密合性變得非常高。因此，在退火化時不引起導(dǎo)電膜25的金屬凝聚。
接下來，拋光處理對象物15的形成了導(dǎo)電膜25的一側(cè)的面，直到絕緣膜16的表面露出為止，將位于絕緣膜16上的導(dǎo)電膜25和隔離膜20去除，但位于各溝槽17和各孔18內(nèi)部的導(dǎo)電膜25及隔離膜20未被去除而殘留(拋光工序)。因此，殘留在各溝槽17內(nèi)部的導(dǎo)電膜25相互分離，得到圖4(f)所示的半導(dǎo)體裝置10。
圖4(f)的符號25’表示由相互分離的導(dǎo)電膜25組成的第二電極膜。由于導(dǎo)電膜25和隔離膜20的密合性高，因此在拋光工序時，不發(fā)生導(dǎo)電膜25的剝離，因此第二電極膜25’不產(chǎn)生缺損。在第二電極膜25’與絕緣膜16之間配置著隔離膜20，因此在絕緣膜16中不會注入構(gòu)成第二電極膜25’的金屬。
如上述，溝槽17的底面之中，在孔18以外的部分上配置著絕緣膜16，因此在孔18以外的部分上，第二電極膜25’通過絕緣膜16從第一電極膜12絕緣，但在孔18所處位置的部分未配置絕緣膜16，孔18內(nèi)部在拋光工序中被分離的第二導(dǎo)電膜26’填充著，因此在孔18所處位置的部分上，第一、第二電極膜12、25’相互連接著。
在第一電極膜12和半導(dǎo)體襯底11之間配置著絕緣性薄膜19，但絕緣性薄膜19中設(shè)置著連接與半導(dǎo)體襯底11的內(nèi)部電路和第一電極膜12相連接的接觸孔，第一電極膜12和半導(dǎo)體襯底11的內(nèi)部電路電連接。因此，如果將第二電極膜25’連接在外部電路上，則在半導(dǎo)體襯底11和外部電路之間能夠進(jìn)行電信號的輸入輸出。
實(shí)施例<實(shí)施例1>
將上述的第一原料氣體供給工序、還原工序、第二原料氣體供給工序、氮化工序按記載的順序各進(jìn)行1次，作為1次的第一成膜工序；將鎢供給、硅供給工序按記載的順序各進(jìn)行1次，作為第二成膜工序，將絕緣膜16未被圖形化狀態(tài)的硅襯底(覆蓋襯底)作為處理對象物15使用，進(jìn)行17次第一成膜工序，形成氮化鎢膜21后，進(jìn)行2次第二成膜工序，形成硅化鎢膜22，在絕緣膜16表面形成了隔離膜20后，在隔離膜20的表面采用濺射法形成膜厚400nm的銅膜，從而形成了電極膜。
在此，第一、第二原料氣體、含鎢氣體使用相同氣體(WF6氣體)，將各氣體的流量定為5sccm。還原氣體和含硅氣體使用相同氣體(SiH4氣體)，將各氣體的流量定為50sccm。氮化氣體(NH3氣體)的流量定為11sccm。
17次的第一成膜工序之中，最初的5次將第一、第二原料氣體的導(dǎo)入時間定為5秒鐘、將排氣時間定為2秒鐘，將還原氣體的導(dǎo)入時間定為10秒鐘、將排氣時間定為10秒鐘；在接續(xù)15次的第一成膜工序中，將第一、第二原料氣體的排氣時間定為10秒鐘，除此以外使各導(dǎo)入、排氣時間與最初5次的成膜工序相同。第二成膜工序?qū)⒑u氣體的導(dǎo)入時間定為5秒鐘、將排氣時間定為10秒鐘，將含硅氣體的導(dǎo)入時間定為10秒鐘、將排氣時間定為10秒鐘。
<比較例1>
使用與上述實(shí)施例1相同處理對象物，不進(jìn)行第二成膜工序，進(jìn)行19次第一成膜工序，形成由氮化鎢膜組成的隔離膜后，在與實(shí)施例1相同的條件下在隔離膜的表面形成電極膜。
在此，各氣體的種類和流量與實(shí)施例1相同，19次的第一成膜工序之中，最初的5次將第一、第二原料氣體的導(dǎo)入時間定為5秒鐘、將排氣時間定為2秒鐘，將還原氣體的導(dǎo)入時間定為10秒鐘、將排氣時間定為10秒鐘，將氮化氣體的導(dǎo)入時間定為20秒鐘、將排氣時間定為10秒鐘；在接續(xù)、的14次中將第一、第二原料氣體的排氣時間定為10秒鐘，除此以外使各導(dǎo)入、排氣時間與最初5次的第一成膜工序相同。
對于在上述實(shí)施例1、2中形成的隔離膜進(jìn)行了下面所示的剝離試驗(yàn)。
在電極膜表面用金剛石筆劃出格狀的傷痕，如圖11所示，在9個部位設(shè)置了具有4個被傷痕包圍的正方形判定區(qū)域62的傷痕部分61后，在電極膜的表面粘貼透明膠帶，剝離，觀察電極膜表面。
在判定區(qū)域62，將完全看不到電極膜的剝離的情況評價為4分(圖12(a))，將沿著直線狀的傷痕看到剝離的情況評價為3分(圖12(b))，將在判定區(qū)域62的角部分看到剝離的情況評價為2分(圖12(c))，將1個判定區(qū)域62全部剝離的情況評價為1分(圖12(d))，將4個剝離區(qū)域62全部剝離的情況評價為0分(圖12(e))，求出了9個部位的傷痕部分61的評價分的總分。評價分越大，表示銅膜(電極膜)與隔離膜的密合性越高，在9個部位的傷痕部分完全看不到剝離時，評價分的總分為36分。
對于在實(shí)施例1、比較例1中形成的電極膜進(jìn)行此剝離試驗(yàn)，結(jié)果實(shí)施例1的電極膜未看到剝離，評價分的總分是36分，與此相比，比較例1的電極膜的評價分的總分是27分。對比較例1的電極膜觀察了剝離部位，結(jié)果可知在剝離部位上露出氮化鎢膜，在氮化鎢膜和電極膜的界面發(fā)生了剝離。
<實(shí)施例2>
將處理對象物15暴露于由NH3氣體構(gòu)成的等離子體氣體中，進(jìn)行了前處理。將第一原料氣體供給工序、還原工序、第二原料氣體供給工序、氮化工序按記載的順序各進(jìn)行1次，作為1次的第一成膜工序；將含鎢氣體和含硅氣體按記載的順序各進(jìn)行1次，作為第二成膜工序。進(jìn)行16次第一工序，形成氮化鎢膜后，進(jìn)行4次第二工序，形成硅化鎢膜22，從而形成了由氮化鎢膜21和硅化鎢膜22組成的隔離膜20。而且，采用濺射法在隔離膜20表面形成膜厚10nm的銅膜，從而形成了由銅構(gòu)成的電極膜。
<實(shí)施例3>
在與實(shí)施例2相同的條件下進(jìn)行處理對象物15的前處理，在絕緣膜16表面采用濺射法形成了氮化鎢膜21后，在該氮化鎢膜21的表面采用與實(shí)施例2相同的條件形成硅化鎢膜22，形成了由氮化鎢膜21和硅化鎢膜22組成的隔離膜20后，在與實(shí)施例2相同的條件下形成電極膜。
<比較例2>
在不進(jìn)行第二成膜工序、進(jìn)行20次上述第一成膜工序的前處理后的絕緣膜16的表面上，形成由氮化鎢膜組成的隔離膜后，在該隔離膜表面上采用與實(shí)施例2相同的條件形成電極膜。
<比較例3>
將處理對象物15在氫氣氣氛中加熱，退火化處理后，采用SIS(SelfIonize Suputter自電離濺射)法在絕緣膜16表面形成膜厚7.5nm的TaN膜，之后在該TaN膜表面形成膜厚7.5nm的Ta膜，形成由Ta膜和TaN膜組成的隔離膜后，在該隔離膜表面采用與實(shí)施例2相同的條件形成電極膜。
<比較例4、5>
在與比較例3相同的條件下退火化處理處理對象物15，采用濺射法在絕緣膜16表面形成了由鎢或氮化鎢組成的隔離膜后，在各隔離膜表面上采用與實(shí)施例2相同的條件形成了電極膜。
在上述實(shí)施例2、比較例2～4中形成的隔離膜的表面上采用濺射法形成膜厚10nm的Cu膜，從而形成了由Cu構(gòu)成的電極膜。將形成了電極膜的狀態(tài)的各處理對象物15配置在加熱裝置內(nèi)部。一邊將加熱裝置內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，一邊供給為H2氣與N2氣的混合氣體(H250％)的退火氣體、將加熱裝置內(nèi)部的壓力維持在13.3Pa，一邊將各處理對象物15在200℃、250℃、300℃的各加熱溫度下進(jìn)行了電極膜的退火化。圖13～圖28表示出退火化處理后的電極膜的表面(中央部分)的電子顯微鏡照片。
圖13～圖15是將在實(shí)施例2中成膜的電極膜在200℃、250℃、300℃下進(jìn)行了退火化時的電子顯微鏡照片，電極膜的表面未看到銅的凝聚，即使是加熱至300℃時，也是平坦的原樣狀態(tài)。另外，圖16是將在實(shí)施例3中成膜的電極膜在300℃下進(jìn)行了退火化時的電子顯微鏡照片，此情況下在電極膜上也未看到銅的凝聚。
圖17～圖19是將在比較例2中成膜的電極膜在200℃、250℃、300℃下進(jìn)行了退火化時的電子顯微鏡照片，加熱溫度為250℃以上時，確認(rèn)了電極膜的凝聚。由此可知，即使是反復(fù)進(jìn)行還原物析出工序和氮化鎢析出工序形成氮化鎢膜時，如果不形成硅化鎢膜，則隔離膜與電極膜的密合性差。
圖20～圖22是將在比較例3中成膜的電極膜在200℃、250℃、300℃下進(jìn)行了退火化時的電子顯微鏡照片，代替氮化鎢膜和硅化鎢膜、形成了Ta膜和TaN膜時，在加熱溫度為250℃以上時也發(fā)生了電極膜的凝聚。
另外，圖23～圖25是將在比較例4中成膜的電極膜在200℃、250℃、300℃下進(jìn)行了退火化時的電子顯微鏡照片，另外，圖26～圖28是將在比較例5中成膜的電極膜在200℃、250℃、300℃下進(jìn)行了退火化的情況，可知比較例4、5當(dāng)加熱溫度變高時也發(fā)生電極膜的凝聚，特別在形成了由鎢膜構(gòu)成的隔離膜的比較例4中在250℃發(fā)生凝聚，可知鎢與氮化鎢相比，與電極膜(銅膜)的密合性低。
與比較例4相比，在隔離膜表面形成了硅化鎢膜的實(shí)施例2、3對電極膜的密合性格外高被推測是因?yàn)?，硅化鎢膜中的硅與電極膜的構(gòu)成材料(例如Cu)反應(yīng)的緣故。
<實(shí)施例4>
使用與在實(shí)施例1中使用的相同的處理對象物15，進(jìn)行46次上述第一成膜工序，在絕緣膜16表面形成了氮化鎢膜21后，進(jìn)行8次上述第二成膜工序，在氮化鎢膜21的表面形成硅化鎢膜22，從而得到隔離膜20。
在此，各成膜工序的氣體的種類和各氣體的流量與實(shí)施例1相同，第一、第二原料氣體、含鎢氣體的導(dǎo)入時間定為5秒鐘、排氣時間定為10秒鐘，還原氣體和含硅氣體的導(dǎo)入時間定為10秒鐘、排氣時間定為10秒鐘，氮化氣體的導(dǎo)入時間定為20秒鐘、排氣時間定為10秒鐘。
<比較例6>
使用與在實(shí)施例1中使用的相同的處理對象物15，不進(jìn)行第二成膜工序，只反復(fù)進(jìn)行50次第一成膜工序，得到由氮化鎢膜構(gòu)成的隔離膜。在此，各氣體的種類與實(shí)施例1相同。另外，第一、第二原料氣體的流量定為6.9sccm，還原氣體的流量定為112sccm，氮化氣體的流量定為11sccm，各氣體的導(dǎo)入時間和排氣時間分別定為15秒鐘。
圖9、圖10是表示將在比較例4、比較例6中成膜的隔離膜進(jìn)行了AES(Auger Electron Spectroscopy)分析的結(jié)果的曲線圖。圖9、圖10的縱坐標(biāo)表示原子濃度(％)，橫坐標(biāo)表示濺射時間(分)，濺射時間越長，表示距隔離膜20表面的深度越深。
由圖9可知，在實(shí)施例4中成膜的隔離膜，從表面到相當(dāng)于濺射時間s的深度，鎢(W)、硅(Si)的原子濃度變高，通過交替地供給含鎢氣體和含硅氣體，在鎢較多地析出的同時，在含硅氣體的還原反應(yīng)時沒有反應(yīng)的未反應(yīng)硅殘留在處理對象物15上，形成了硅化鎢膜22。
另外可知，當(dāng)距表面的深度超過相當(dāng)于濺射時間s的深度時，氮(N)的濃度變高，相反鎢和硅的原子濃度變低，在硅化鎢膜22之下形成了氮化鎢膜。
如圖10所示，可知在比較例6中成膜的隔離膜，從表面到直到絕緣膜16露出為止的深度(濺射時間約13分)Si的原子濃度非常低，在反復(fù)進(jìn)行還原物析出工序和氮化鎢析出工序時，Si原子在還原反應(yīng)之時脫離，在膜中未殘留Si原子。
<實(shí)施例5、6>
在與實(shí)施例1～4中使用的相同的處理對象物15的絕緣膜16表面上，各進(jìn)行1次鎢供給工序和硅供給工序，形成硅化鎢膜22(實(shí)施例5)。另外，與此區(qū)別，對與實(shí)施例5相同的處理對象物按記載的順序各進(jìn)行1次鎢供給工序、硅供給工序、鎢供給工序，形成硅化鎢膜(實(shí)施例6)。
圖7、8是表示對在實(shí)施例5、6中形成的硅化鎢膜進(jìn)行了AES分析的結(jié)果的曲線圖。比較圖7、9明確可知，實(shí)施例6與實(shí)施例5相比，鎢的原子濃度高，如果增加鎢供給工序數(shù)，則形成鎢的原子濃度高的硅化鎢膜。
因此，通過改變鎢供給工序、硅供給工序的數(shù)量，能夠?qū)⒐杌u膜中含有的硅濃度和鎢濃度調(diào)整到所要求的值。
以上說明了作為半導(dǎo)體襯底11使用硅襯底的情況，但本發(fā)明不限定于此，可使用鎵砷襯底等種種半導(dǎo)體襯底。構(gòu)成第二電極膜25’的導(dǎo)電材料，只要是與硅化鎢膜的密合性高的導(dǎo)電材料即可，并不限定于銅。
以上說明了為形成第一導(dǎo)電層26而使用濺射法的情況，但本發(fā)明不限定于此，可使用蒸鍍法、CVD法(Chemical Vaopr Deposition化學(xué)氣相沉積)等種種成膜方法。
氮化鎢膜的成膜方法并不特別限定，如上述，也能夠使用濺射法等，但如實(shí)施例1、2那樣反復(fù)進(jìn)行還原物析出工序和氮化鎢析出工序而形成氮化鎢膜的方法，由于能夠在相同的真空槽內(nèi)進(jìn)行形成硅化鎢膜的工序，因此成膜工序簡易，制造成本也廉價。
形成電極膜后進(jìn)行退火化時，適合于本申請發(fā)明的加熱溫度是200℃以上，更優(yōu)選是250℃以上。
以上說明了用相同氣體構(gòu)成第一、第二原料氣體和含鎢氣體的情況，但本發(fā)明不限定于此，第一、第二原料氣體和含鎢氣體也可以使用相互不同種類的氣體，這3種氣體之中，還可以用相同種類的氣體構(gòu)成2種氣體，用不同種類的氣體構(gòu)成剩余的一種氣體，但如果用相同種類的氣體構(gòu)成第一、第二原料氣體和含鎢氣體，則在第一、第二原料氣體供給工序和鎢供給工序的各工序中可從相同的氣體瓶供給氣體，因此裝置結(jié)構(gòu)變得簡單。
作為在第一、第二原料氣體和含鎢氣體中使用的鎢化合物的氣體，除了六氟化鎢氣體、六氯化鎢(WCl6)氣體之類的鹵化鎢氣體之外，還有WOF2、WOF4、WOCl2和WOCl4之類的氧鹵化鎢氣體，W(OC2H5)5、和W(OC2H5)6之類的有機(jī)金屬化合物的氣體，W(CO)5、和W(CO)6之類的羰化鎢氣體等。
另外，第一、第二原料氣體和含鎢氣體可以用1種鎢化合物的氣體構(gòu)成，也能夠混合2種以上的鎢化合物的氣體而使用。
另外，向真空槽內(nèi)供給第一、第二原料氣體和含鎢氣體時，如果一起供給Ar氣之類的稀釋氣體，則通過用稀釋氣體稀釋第一、第二原料氣體和含鎢氣體，能夠控制吸附在處理對象物上的量。
另外，在供給還原氣體、氮化氣體及含硅氣體時也可通過一起供給氬氣之類的稀釋氣體，控制各氣體的濃度、調(diào)整吸附在處理對象物上的量。
另外，作為與還原氣體一起添加的氣體供給氧氣時，有提高析出的鎢與襯底的密合性的效果。
還原氣體或含硅氣體并不限定于單硅烷(SiH4)氣體，只要是還原鎢化合物，還能夠使用例如二硅烷氣體(Si2H6)、二氯硅烷氣體(SiH2Cl2)。
氮化氣體并不限定于氨氣，只要是氮化鎢的氣體，還能夠使用例如肼氣體(N2H4)、肼中的氫被取代成CxHy(x、y表示任意的整數(shù))的肼衍生物的氣體。
在前處理工序中使用的清洗氣的種類也不限定于氨氣，根據(jù)目的，還可選擇氬氣等種種氣體。另外，如果在襯底座7上設(shè)置轉(zhuǎn)軸，一邊通過轉(zhuǎn)軸在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)處理對象物15一邊進(jìn)行各成膜工序，則能夠在處理對象物15的表面形成膜厚均勻的氮化鎢膜。
供給各氣體時的到達(dá)壓力不特別限定，根據(jù)成膜目的，優(yōu)選設(shè)為10-2Pa以上小于102Pa、更優(yōu)選數(shù)Pa以下的范圍。
以上說明了在第一、第二原料氣體供給工序、還原工序、氮化工序、鎢供給工序和硅供給工序中將處理對象物15的溫度維持在相同的溫度的情況，但本發(fā)明不限定于此，也可在各工序中改變處理對象物15的溫度，但其加熱溫度優(yōu)選是200℃以上350℃以下。
以上說明了分別在相同真空槽2的內(nèi)部進(jìn)行第一、第二氣體供給工序、還原工序、氮化工序、鎢供給工序和硅供給工序的情況，但本發(fā)明不限定于此，也可在不同的真空槽內(nèi)部進(jìn)行各工序。
將第一原料氣體供給工序、還原工序、第二原料氣體供給工序和氮化工序作為1次的循環(huán)，將該循環(huán)反復(fù)進(jìn)行多次進(jìn)行成膜時，第一、第二原料氣體、還原氣體和氮化氣體可以在全部的循環(huán)中分別使用相同的氣體，還可以在每個循環(huán)中分別改變第一、第二原料氣體、還原氣體和氮化氣體的種類。
另外，將鎢供給工序和硅供給工序作為1次的循環(huán)，將該循環(huán)反復(fù)進(jìn)行多次進(jìn)行硅化鎢膜成膜時，含鎢氣體和含硅氣體可以在全部的循環(huán)中分別使用相同的氣體，還可以在每個循環(huán)中改變各氣體的種類。
另外，沒有必要使第一原料氣體供給工序的數(shù)量、還原工序的數(shù)量、第二原料氣體供給工序的數(shù)量和氮化工序的數(shù)量在各循環(huán)中相同。
以上說明了還原物析出工序在第一原料氣體工序之后進(jìn)行還原工序的情況，但本發(fā)明并不限定于此，也可以在還原工序中使還原氣體吸附在處理對象物15表面上后，使在第一原料氣體供給工序中吸附于處理對象物15表面的還原氣體與第一原料氣體相接觸，從而析出還原物。
另外，氮化鎢形成工序也并不限定于在第二原料氣體供給工序之后進(jìn)行氮化工序的情況，首先在氮化工序中使氮化氣體吸附在處理對象物15上后，使在第二原料氣體供給工序中吸附于處理對象物15的氮化氣體與第二原料氣體相接觸，從而析出氮化鎢。另外，按記載的順序反復(fù)進(jìn)行氮化鎢析出工序和還原物析出工序，也能夠形成氮化鎢膜21。
以上對停止了第一、第二原料氣體、還原氣體、氮化氣體、含鎢氣體、含硅氣體的各氣體的供給后，將真空槽2內(nèi)部進(jìn)行真空排氣的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，也能夠在停止各氣體的供給后，一邊繼續(xù)真空排氣，一邊向真空槽2供給清除氣體，通過清除氣體從真空槽2內(nèi)部壓排出氣體。本發(fā)明中使用的清除氣體的種類不特別限定，但優(yōu)選不與第一、第二原料氣體、含鎢氣體、鎢、氮化鎢、硅化鎢及在處理對象物表面露出的半導(dǎo)體或金屬反應(yīng)的氣體，例如可使用氮、氬、氦等惰性氣體。
另外，在供給第一、第二原料氣體、還原氣體、氮化氣體、含鎢氣體、含硅氣體的各氣體時，也能夠?qū)⑸鲜龅那宄龤怏w作為稀釋氣體一起供給到真空槽2內(nèi)部。此情況下，在停止第一、第二原料氣體、還原氣體、氮化氣體的供給時，不需要停止清除氣體的供給。
權(quán)利要求
1.一種隔離膜的形成方法，是將處理對象物置于真空氣氛中，在上述處理對象物表面形成隔離膜的隔離膜形成方法，其具有在上述處理對象物表面形成氮化鎢膜的氮化鎢膜形成工序，和在上述氮化鎢膜表面形成硅化鎢膜的硅化鎢膜形成工序；上述硅化鎢膜形成工序具有向上述真空氣氛中供給含有鎢化合物氣體的含鎢氣體后，從上述真空氣氛排出上述含鎢氣體的鎢供給工序，和向上述真空氣氛中供給含有硅化合物氣體的含硅氣體后，從上述真空氣氛排出上述含硅氣體的硅供給工序。
2.如權(quán)利要求1所述的隔離膜的形成方法，其中，上述硅化鎢膜形成工序交替地進(jìn)行上述鎢供給工序、和上述硅供給工序。
3.如權(quán)利要求1或2的任1項(xiàng)所述的隔離膜的形成方法，其中，上述氮化鎢膜形成工序具有向上述真空氣氛中供給含有鎢化合物的氣體的第一原料氣體后，從上述真空氣氛排出上述第一原料氣體的第一原料氣體供給工序，向上述真空氣氛中供給還原上述鎢化合物的還原氣體后，從上述真空氣氛排出上述還原氣體的還原工序，向上述真空氣氛中供給含有鎢化合物的氣體的第二原料氣體后，從上述真空氣氛排出上述第二原料氣體的第二原料氣體供給工序，和向上述真空氣氛中供給在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氮、并與鎢反應(yīng)生成氮化鎢的氮化氣體后，從上述真空氣氛排出上述氮化氣體的氮化工序。
4.如權(quán)利要求3所述的隔離膜的形成方法，其具有使上述第一原料氣體工序和上述還原工序的任1工序在先、另一工序在后，連續(xù)進(jìn)行上述第一原料氣體供給工序和上述還原工序，析出鎢化合物的還原物的還原物析出工序，和使上述第二原料氣體工序和上述氮化氣體工序的任1工序在先、另一工序在后，連續(xù)進(jìn)行上述第二原料氣體供給工序和上述氮工序，析出氮化鎢的氮化鎢析出工序；交替地反復(fù)進(jìn)行上述還原物析出工序、和上述氮化鎢析出工序。
5.如權(quán)利要求1所述的隔離膜的形成方法，其中，在相同真空槽內(nèi)進(jìn)行上述氮化鎢膜形成工序、和上述硅化鎢膜形成工序。
6.一種電極膜的形成方法，是將處理對象物置于真空氣氛中，在上述處理對象物表面形成隔離膜后，在上述隔離膜表面形成電極膜的電極膜形成方法，上述隔離膜的形成工序具有在上述處理對象物表面形成氮化鎢膜的氮化鎢膜形成工序、和在上述氮化鎢膜表面形成硅化鎢膜的硅化鎢膜形成工序；上述硅化鎢膜形成工序具有向上述真空氣氛中供給含有鎢化合物氣體的含鎢氣體后，從上述真空氣氛排出上述含鎢氣體的鎢供給工序、和向上述真空氣氛中供給含有硅化合物氣體的含硅氣體后，從上述真空氣氛排出上述含硅氣體的硅供給工序；上述電極膜的形成工序在上述隔離膜的表面配置以銅為主成分的導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求6所述的電極膜的形成方法，其中，濺射以銅為主成分的導(dǎo)電材料，在上述隔離膜表面配置以銅為主成分的上述導(dǎo)電層。
全文摘要
在本發(fā)明中，形成氮化鎢膜21后，形成硅化鎢膜22，從而形成隔離膜20，在隔離膜20的表面硅化鎢膜22露出，電極膜25’與該硅化鎢膜22密合而形成。構(gòu)成電極膜25’的導(dǎo)電材料與硅化鎢膜22中的硅原子化學(xué)性結(jié)合，因此隔離膜20與電極膜25’的密合性高，電極膜25’難從隔離膜20剝離，另外，在退火化時難引起電極膜25’的凝聚。
文檔編號C23C16/42GK1788336SQ20058000043
公開日2006年6月14日 申請日期2005年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月12日
發(fā)明者加藤伸幸 申請人:株式會社愛發(fā)科