技術(shù)編號：3402701
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及成膜方法，特別涉及形成半導(dǎo)體裝置的隔離膜的方法。背景技術(shù) 一直以來作為在采取雙重機(jī)械結(jié)構(gòu)的器件上作成電極膜和插頭的方法，有在器件表面形成隔離膜，在隔離膜表面形成導(dǎo)電膜，用導(dǎo)電膜填埋器件上的溝槽后采用CMP(Chemical Mechanical Polishing)法研磨導(dǎo)電膜，分離殘存在溝槽內(nèi)的導(dǎo)電膜從而得到電極膜的方法。作為隔離膜的構(gòu)成材料，使用氮化鎢或氮化鉭。構(gòu)成Cu布線用的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電材料，并不是與隔離膜的構(gòu)成材料化學(xué)性性結(jié)合，由于隔離膜...
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