專利名稱：水崩解性a1復(fù)合材料、該材料形成的a1膜、a1粉及它們的制造方法、和成膜室用構(gòu)成部件 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及水崩解性鋁(以下，稱Al)復(fù)合材料、該水崩解性Al復(fù)合材料形成的Al膜，Al粉及它們的制造方法，和使用該水崩解性Al膜的成膜室用構(gòu)成部件及使用該構(gòu)成部件的成膜材料的回收方法。
背景技術(shù)：
采用濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法等在半導(dǎo)體或有關(guān)電子設(shè)備等上形成薄膜用的成膜裝置中，在成膜工藝中成膜材料形成的金屬或金屬化合物的膜不可避免地會粘附在設(shè)于該裝置內(nèi)的成膜室用構(gòu)成部件上。因此，該成膜室用構(gòu)成部件，例如包含防止除基板以外的真空容器內(nèi)粘附膜用的防粘板或只在基板的設(shè)定部位進(jìn)行成膜用的掩模、或傳遞基板用的托架或擋板等，在這些部件上粘附著與目的薄膜(擬在基板上形成的薄膜)相同組成的膜。
這些成膜室用構(gòu)成部件上不可避免地粘附的膜隨作業(yè)時(shí)間而增厚。另外，通常這些部件除去粘附膜反復(fù)使用。這樣的粘附膜受其內(nèi)部應(yīng)力或反復(fù)熱過程形成的應(yīng)力作用從成膜室用構(gòu)成部件上剝離成顆粒粘附在基板上，成為產(chǎn)生膜缺陷的原因。因此，成膜室用構(gòu)成部件在不產(chǎn)生粘附膜剝離的階段便從成膜裝置中取出，洗滌除去粘附膜，然后進(jìn)行表面修整后，定期地進(jìn)行再使用的這種循環(huán)。
作為成膜材料，例如，使用Al、Mo、Co、W、Pd、Nd、In、Ta、Re、Ta、Au、Pt、Se、Ag等的有價(jià)值金屬場合，要求抑制這些金屬不供給成膜工藝便廢棄的量，同時(shí)要求確立回收、循環(huán)處理技術(shù)。
例如，目前成膜裝置中，為了防止向除基板以外的裝置內(nèi)壁或各成膜室用構(gòu)成部件等上粘附成膜材料而使用的防粘板，剝離成膜時(shí)粘上的粘附物進(jìn)行再利用。作為這種粘附物的剝離法，一般是噴丸清理法或使用酸或堿的濕蝕刻法，或利用過氧化氧等導(dǎo)致的氫脆性的剝離法，還有利用電解的剝離法。該場合實(shí)施粘附物的剝離處理時(shí)，由于防粘板也常常溶解受到損傷，故再利用次數(shù)有限。
上述噴丸清理法中產(chǎn)生的碎屑、或酸或堿處理等的藥液處理時(shí)產(chǎn)生的廢液中剝離掉的粘附膜的濃度低，由于其再循環(huán)費(fèi)用增高，故目前作為廢棄物處理。
上述藥液處理不僅藥液本身的費(fèi)用高，而且由于用完藥液的處理費(fèi)用也高，而且從防止環(huán)境污染方面考慮希望盡量減少藥液的使用量。此外，若進(jìn)行如上述的藥液處理，則因從防粘板上剝下的成膜材料變成新的物質(zhì)故從剝下的粘附物只回收成膜材料還要增加費(fèi)用。因此，目前只是與回收成本相稱的單價(jià)的成膜材料為回收對象。
另外，迄今作為發(fā)生氫氣的方法已開發(fā)了種種的方法。例如，已知使用天然氣或石油的部分氧化法或重整法，NaCl水溶液或水的電解法，使用氫生成合金材料的方法(例如，參照特許文獻(xiàn)1)等。然而，目前還沒有令人滿意的方法。
即，使用天然氣或石油的場合，不能得到高純度的氫氣，存在必須在1000～1500℃左右的高溫下實(shí)施，另外，原料是天然資源而且是擔(dān)心枯竭的化石燃料等的問題。電解法的場合，由于耗用大量的電力故生產(chǎn)成本升高，為了降低生產(chǎn)成本即使使用太陽能，也存在效率差，而且設(shè)備費(fèi)用高的問題。另外，使用氫生成合金材料的場合，也有不能得到令人滿意的電位低及穩(wěn)定性的問題。
另外，由于水溶液中自然電位越低的材料適于陽極防腐的范圍越寬，并且其防腐效果越大，故過去Al-In合金便著眼于該合金的電位低及電位的穩(wěn)定性。然而，還沒開發(fā)出令人滿意的Al-In合金，要求電位更低而且持續(xù)穩(wěn)定的反應(yīng)材料。
特許文獻(xiàn)1特開2002-161325號公報(bào)(權(quán)利要求書)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的課題在于解決上述以往技術(shù)的問題，提供在水分存在下的環(huán)境氣氛中可以崩解的Al復(fù)合材料，由該Al復(fù)合材料形成的Al膜，Al粉及這些的制造方法，和成膜室用構(gòu)成部件及成膜材料的回收方法。
本發(fā)明的水崩解性Al復(fù)合材料，其特征在于由Al或Al合金的單一或多個結(jié)晶粒子構(gòu)成的小塊或粉體的外表面被銦(以下，稱In)，錫(以下，稱Sn)，In與Sn，或這些合金的低熔點(diǎn)金屬的被膜所覆蓋。Al復(fù)合材料通過呈現(xiàn)這樣的組織、形態(tài)，在水分存在的環(huán)境氣氛中容易放出氫而進(jìn)行崩解。
前述In、Sn、In與Sn或這些的合金相對于前述復(fù)合材料的總重量的含量，其特征是0.1～20重量％。In、Sn、In與Sn或這些合金的含量低于0.1重量％時(shí)，由于逆偏析量少故不形成逆偏析層的范圍寬，在水分存在的環(huán)境氣氛中難高效地崩解。另外，其含量的上限太多時(shí)導(dǎo)致自然電位上升，而且只要逆偏析層增厚，故水分解性能不發(fā)生變化，又導(dǎo)致成本高，故優(yōu)選是20重量％左右，以下對逆偏析(層)詳細(xì)地說明。
本發(fā)明的水崩解性Al復(fù)合材料的制造方法，其特征在于把Al或Al合金中加有0.1～20重量％的In、Sn、In與Sn、或這些合金的低熔點(diǎn)金屬的材料熔融或溶解使組成均勻，在非氧化性環(huán)境氣氛中使該材料急冷凝固，通過使In、Sn、In與Sn或這些的合金在Al或Al合金的單一或多個的晶粒構(gòu)成的小塊或粉體的外表面上發(fā)生逆偏析，被In、Sn、In與Sn或這些合金的低熔點(diǎn)金屬的被膜覆蓋該外表面。根據(jù)上述的理由，使該場合的In等的低熔點(diǎn)金屬的添加量為0.1～20重量％。
本發(fā)明的水崩解性Al膜，其特征在于由前述水崩解性Al復(fù)合材料構(gòu)成。該水崩解性Al膜也可以是采用熔融噴鍍成膜的水崩解性Al熔融噴鍍膜。
本發(fā)明的水崩解性熔融噴鍍膜的制造方法，其特征在于將Al或Al合金中加有0.1～20重量％的In、Sn、In與Sn或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的材料熔融使組成均勻，通過在非氧化性環(huán)境氣氛中對基板表面熔融噴鍍該材料，使該材料急冷凝固進(jìn)行成膜。
本發(fā)明的水崩解性Al粉，其特征在于由前述崩解性Al復(fù)合材料構(gòu)成。
本發(fā)明的水崩解性Al粉的制造方法，其特征在于將Al或Al合金中加有0.1～20重量％的In、Sn、In與Sn或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的材料熔融使組成均勻，通過在非氧化環(huán)境氣氛中將該材料噴霧使該材料急冷凝固形成Al粉。根據(jù)上述的理由，該場合的In等的低熔點(diǎn)金屬的添加量為0.1～20重量％。
本發(fā)明的成膜裝置的成膜室用構(gòu)成部件，其特征在于表面有前述水崩解性Al膜。
本發(fā)明的成膜材料的回收方法，其特征在于作為對被處理物進(jìn)行成膜處理的成膜裝置的成膜室用構(gòu)成部件，使用表面上有前述水崩解性Al膜的成膜室用構(gòu)成部件，從成膜裝置中取出在長時(shí)間的成膜處理中其表面厚厚粘附成膜材料的前述成膜室用構(gòu)成部件，通過暴露在水、水蒸氣、水溶液等存在下的環(huán)境氣氛中，使水崩解性Al膜崩解，從前述成膜室用構(gòu)成部件的表面上只剝離回收由成膜材料形成的粘附膜。
本發(fā)明的水崩解性復(fù)合材料，由于由Al或Al合成的單一或多個晶粒構(gòu)成的小塊或粉體的外表面被In、Sn、In與Sn或這些合金的低熔點(diǎn)金屬的被膜所覆蓋，故該Al復(fù)合材料具有在水分存在的環(huán)境氣氛中呈現(xiàn)可高效地崩解的性質(zhì)的這種效果。因此，由這種Al復(fù)合材料形成的膜等，由于在水分的存在下邊放出氫邊高效地進(jìn)行分解，故成膜裝置的成膜室用構(gòu)成部件(例如，防粘板等)使用這種膜，則可以通過該Al膜的崩解將成膜工藝中粘附在防粘板上的成膜材料形成的不可避免的粘附膜進(jìn)行剝離、分離，呈現(xiàn)可容易地由該剝落的粘附膜回收成膜材料的有價(jià)值金屬的效果。另外，該水崩解性Al復(fù)合材料，及由該材料形成的Al膜、Al熔融噴鍍膜和Al粉，有采用簡單的工藝可以低成本地容易制造的效果。
附圖簡單說明

圖1表示本發(fā)明的Al-In復(fù)合材料的組織、形態(tài)的狀態(tài)的模式圖。
圖2是表示Al-In熔融噴鍍膜對水的溶解性的圖，(a)表示有關(guān)Al-1％In熔融噴鍍膜在各溫水中的溶解性、(b)表示有關(guān)Al-5％In熔融噴鍍膜在各溫水中的溶解性。
圖3是實(shí)施例1制得的Al-In熔融噴鍍的SEM照片，(a)是Al-1％In的情況，(b)是Al-5％In的情況。
圖4是表示有關(guān)實(shí)施例1制得的Al-In熔融噴鍍膜，在膜斷裂表面的EPMA像的照片，(a)是Al-1％In的情況，(b)是Al-5％In的情況。
圖5表示被實(shí)施例1制得的Al-1％In合金熔融噴鍍膜被覆的基板上，合金熔融噴鍍膜從基板上的剝離過程的照片。
符號說明l Al結(jié)晶粒2 In結(jié)晶粒3 逆偏折層具體實(shí)施方式
本發(fā)明的水崩解性Al復(fù)合材料，由于由Al或Al合金的單一或多個的晶粒構(gòu)成的小塊或粉體的外表面被In、Sn、In與Sn或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的被膜覆蓋，故在水、水蒸氣、水溶液等之類水分的存在的環(huán)境氣氛中容易崩解。本發(fā)明使用的Al可以是有雜質(zhì)混入的鋁、但優(yōu)選純鋁。以下，以Al-In為代表例對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行說明，同時(shí)根據(jù)情況也對Al-In和/或Sn的情況進(jìn)行說明。
一般，Al-In中，雖然Al與In之間的電化學(xué)電位差非常大，但如果存在Al的自然氧化被膜，Al的離子化就不進(jìn)行。然而，一旦自然氧化膜破壞，與In直接結(jié)合時(shí)，該電位差迅速地促進(jìn)Al的離子化。此時(shí)In沒有化學(xué)性變化，直接存在Al-In中。因此在Al表面不形成自然氧化膜，必須用In的被膜覆蓋。In由于熔點(diǎn)低(157℃)，并且不與Al固溶體化，故在Al-In凝固的容易引起逆偏析。對Al與In的密度差加以注意且熔融噴鍍法使用實(shí)現(xiàn)In的均勻分散的材料時(shí)，通過急冷凝固和其壓縮效果引起逆偏析，In的逆偏析層可覆蓋溶融噴鍍粒子的外表面。
因此，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，例如，制造Al熔融噴鍍膜時(shí)，使用In同樣地在Al中分散的Al-In，可以采用公知的熔融噴鍍法在非氧化性環(huán)境氣氛中在被處理基板的表面上進(jìn)行成膜。制得的Al-In熔融噴鍍膜，例如如圖1模式地所示，由Al結(jié)晶粒1中呈分散狀態(tài)含In晶粒2的至少1個Al-In粒子(圖1中，是例舉4個的Al-In粒子)，呈用作為In被膜的逆偏析層3被覆其周邊的狀態(tài)存在的Al-In復(fù)合材料構(gòu)成。
變成這樣的組織狀態(tài)估計(jì)是除了熔融噴鍍時(shí)的急冷效果和壓縮效果外，還由于Al的體積收縮，Al結(jié)晶粒中的In向結(jié)晶粒的表面滲出形成逆偏析層，覆蓋Al結(jié)晶粒集合物表面的緣故。因此，抑制Al表面的氧化，形成In與Al直接接觸的狀態(tài)。這樣，本發(fā)明的Al復(fù)合材料中的In逆偏析層，在水分的存在下邊促進(jìn)Al的離子化，邊自身枯萎而與新的Al持續(xù)直接結(jié)合，繼續(xù)Al的離子化。由于離子化的Al在水中的溶解度低，故立即形成AlOOH沉淀，不引起水中的離子飽和，這也有助于反應(yīng)的繼續(xù)。即，通過把這樣地得到的形成有Al熔融噴鍍膜的基板暴露在水或水蒸汽或水溶液等的水分存在的氣氛中，該熔融噴鍍膜由于與水分的接觸Al開始崩解，隨著Al的量減少，最后從基板表面上消失。
上述Al熔融噴鍍膜代表性地如下所述進(jìn)行制造，將Al和In和/或Sn、或In及Sn的合金進(jìn)行配合，相對于Al使In和/或Sn、或In及Sn的合金為0.1～20重量％，使In和/或Sn、或In及Sn的合金均勻地溶解在Al中，使用加工成捧或條形狀的物品作為熔融噴鍍材料，采用火焰熔融噴鍍法在非氧化性環(huán)境氣氛中，對成膜裝置的防粘板等的成膜室用構(gòu)成部件的表面噴鍍使其急冷凝固，進(jìn)行被覆可以制造具有所期望的水崩解性Al熔融噴鍍膜的成膜室用構(gòu)成部件。這樣制得的熔融噴鍍膜，如上述，呈用In和/或Sn、或In及Sn的合金的被膜-逆偏析層覆蓋Al結(jié)晶粒的1個和/或多個的周邊的狀態(tài)存在。
如上述把被覆有Al熔融噴鍍膜的基板浸漬在溫水中，或噴水蒸氣時(shí)，例如浸漬在溫水中的場合，剛浸漬后立即開始反應(yīng)，激烈地發(fā)生氫氣，再進(jìn)行反應(yīng)時(shí)由于析出的In和/或Sn、或In及Sn的合金而水變黑，最后熔融噴鍍膜全部崩解，AlOOH和In和/或Sn、或In及Sn的合金作為沉淀殘留在溫水中。水溫越高該反應(yīng)越激烈，作為逆偏析層的In和/或Sn、或In及Sn的合金越多，則越在低的溫度下進(jìn)行反應(yīng)。這可以由表示將膜厚100μm、200μm及300μm的Al-1％In熔融噴鍍膜、浸漬在50℃、60℃、80℃及100℃的溫水中時(shí)的，各溫度下熔融噴鍍膜的溶解性(完全溶解時(shí)間(分))的圖2(a)，及表示將膜厚100μm、200μm及300μm的Al-5％In熔融噴鍍膜浸漬在50℃、60℃、80℃及100℃的溫水中時(shí)的，各溫度下熔融噴鍍膜的溶解性(完全溶解時(shí)間(分))的圖2(b)看出。
上述熔融噴鍍膜雖然采用使用棒或條狀的材料的火焰熔融噴鍍形成，但也可采用使用粉末狀的材料的火焰熔融噴鍍，還可以采用電弧熔融噴鍍，等離子體熔融噴鍍。本發(fā)明采用這些的熔融噴鍍法，在公知的工藝條件下將上述的原材料熔融，噴鍍在基板表面上使其急冷凝固，形成熔融噴鍍膜。
因此，例如，如果在設(shè)于成膜裝置的成膜室內(nèi)的防粘板或檔板等的成膜室用構(gòu)成部件的表面上涂敷這種水崩解性Al膜，則可以簡單地從不可避免地粘附成膜材料的成膜室用構(gòu)成部件上剝離該粘附膜，可以容易地回收有價(jià)值的金屬。
該場合，由于作為剝離液不使用化學(xué)藥品，而簡單地使用純水等的水或水蒸氣或水溶液，故可以避免防粘板等的成膜室用構(gòu)成部件的溶解造成的損傷，這些部件的再利用次數(shù)與使用化學(xué)藥品的場合相比大幅度地增加。另外，由于不使用化學(xué)藥品，也有利于大幅度降低處理成本或環(huán)境保護(hù)。此外，由于粘附在防粘板等的成膜室用構(gòu)成部件上的大量的成膜材料不溶解于水，故有與成膜材料相同組成的材料可以作為相同形態(tài)的原固體回收的優(yōu)點(diǎn)。因此，由于還不僅大幅度降低回收成本，也簡化回收工序，故也有擴(kuò)寬可回收材料范圍的優(yōu)點(diǎn)。例如，成膜材料是類似貴金屬的昂貴物質(zhì)的場合，防粘板等的成膜室用構(gòu)成部件適合使用本發(fā)明的Al合金形成的膜時(shí)，因通過把成膜中不可避免地有粘性附的膜的成膜室用構(gòu)成部件浸漬在水中或噴水蒸氣等，可以剝離成膜材料構(gòu)成的粘附膜，故可回收不帶污染的成膜材料?；厥粘杀镜?，同時(shí)可回收高品質(zhì)的原樣成膜材料。
另外，本發(fā)明的水崩解性Al粉，可以利用感應(yīng)爐的攪拌效果，準(zhǔn)備0.1～20重量％的In和/或Sn、或In及Sn的合金同樣地溶于Al中的熔液，采用公知的霧化法在非氧化性環(huán)境氣氛中將該熔液進(jìn)行噴霧使其急冷凝固進(jìn)行制造。
以下，對氫氣的生成及電流防腐進(jìn)行說明。
以往的氫生成合金材料必須形成水溶液，但本發(fā)明的水崩解性Al復(fù)合材料，不論是用水還是用水蒸氣均可大量地產(chǎn)生氧。這種Al復(fù)合材料與水或水蒸汽進(jìn)行反應(yīng)。即，這種復(fù)合材料中，Al邊分解水發(fā)生氫，邊分離勃姆石(AlOOH)和In單質(zhì)進(jìn)行沉淀?？苫厥赵瓨拥腎n單質(zhì)再利用。該反應(yīng)由于通過控制In含量和In的分散狀態(tài)發(fā)生變化，故可以寬范圍地控制氫發(fā)生量。因此需要大量發(fā)生氫的場合或需要長期地發(fā)生氫的場合等，可以根據(jù)其目的適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)計(jì)。另外，發(fā)生氫時(shí)的副產(chǎn)物是勃姆石而不變成膠體狀，故反應(yīng)液容易處理。得到勃姆石，例如可作為沸石制造用原料使用。
另外，本發(fā)明的Al復(fù)合材料，與以往的Al-In合金的場合相比在水中顯示明顯的低電位特性，故與水的反應(yīng)激烈，并且可以持續(xù)穩(wěn)定的反應(yīng)故具有所謂的提高電流陽極效果的性能，陽極防腐的適用范圍擴(kuò)大的優(yōu)點(diǎn)。
實(shí)施例1使用按99∶1(重量％)及95∶5(重量％)的比例配合Al和In，使In均勻地熔解于Al中加工成棒狀的熔融噴鍍材料，采用熔棒式火焰熔融噴鍍，在非氧化環(huán)境氣氛中，對成膜裝置使用的防粘板的表面噴鍍形成熔融噴鍍膜。把這樣得到的各熔融噴鍍膜的SEM照片示于圖3。圖3(a)是有關(guān)用Al-1％In形成的熔融噴鍍膜場合的SEM照片，圖3(b)是有關(guān)由Al-5％In形成的熔融噴鍍膜場合的SEM照片。由圖3(a)及(b)可以看出，兩種熔融噴鍍膜均可以獲得如圖1所示的形狀的水晶解性Al-In復(fù)合材料。
另外，如圖4(a)～(b)所示，對于如上述地制得的Al熔融噴鍍膜，從膜的斷裂表面的EPMA像可以看出，該Al熔融噴鍍膜，其In的逆偏析層被覆了1個和/或多個的Al結(jié)晶粒的外表面。圖4(a)表示有關(guān)Al-1％In的反射電子像及In的特性X射線像，而，圖4(b)表示有關(guān)Al-5％In的反射電子像及In特性X射線像。
另外，使用Sn代替In，與上述同樣地制造Al-2％Sn熔融噴鍍膜。該熔融噴鍍膜也與Al-In熔融噴鍍膜的場合同樣地，由具有與上述同樣的形狀、組織的水崩解性Al-Sn復(fù)合材料構(gòu)成。
實(shí)施例2把被覆有實(shí)施例1制得的Al-1％In熔融噴鍍膜的基板浸漬在60℃的溫水中。如圖5(a)～(c)所示，由(a)從剛浸漬后開始反應(yīng)，激烈發(fā)生氫氣，(b)再進(jìn)行反應(yīng)時(shí)因析出的In水變黑，(c)最后合金膜從基板上剝落浮到水面上，可以看出該熔融噴鍍膜在水中崩解，不能粘附在基板上面剝落。所以，可以稱本發(fā)明的Al合金膜是水崩解性的。
實(shí)施例3使用設(shè)有表面被覆與實(shí)施例同樣地制得的Al-5％In熔融噴鍍膜(膜厚200μm)防粘板的濺射裝置，實(shí)施鉑(Pt)成膜后，取出粘附該P(yáng)t的防粘板，使用60℃的溫水處理的結(jié)果，熔融噴鍍膜10分鐘崩解，Pt的粘附膜從防粘板上剝落。因此，可容易地回收作為成膜材料的Pt。此時(shí)，AlOOH在溫水中沉淀。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性使用本發(fā)明的水崩解性Al復(fù)合材料，若被覆采用濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法等在半導(dǎo)體或有關(guān)電子設(shè)備等上形成金屬化合物薄膜用的真空成膜裝置內(nèi)的成膜室用構(gòu)成部件的表面，則可以在水分存在的環(huán)境氣氛中剝離、回收成膜工藝中不可避地粘附在該成膜室用構(gòu)成部件的表面上的粘附膜，所以本發(fā)明可適合在使用這些的成膜裝置的領(lǐng)域中回收成膜材料使用。
權(quán)利要求
1.水崩解性Al復(fù)合材料，其特征在于由Al或Al合金的單一或多個的結(jié)晶粒構(gòu)成的小塊或粉體的外表面被In、Sn、In及Sn、或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的被膜所覆蓋。
2.權(quán)利要求1所述的水崩解性Al復(fù)合材料，其特征在于前述In、Sn、In及Sn、或這些的合金相對于前述復(fù)合材料的總重量的含量是0.1～20重量％。
3.水崩解性Al復(fù)合材料的制造方法，其特征在于把Al或Al合金中加有0.1～20重量％的In、Sn、In及Sn、或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的材料熔融或溶解使組成均勻，通過在非氧化性環(huán)境氣氛中使該材料急冷凝固，使In、Sn、In及Sn、或這些的合金在由Al或Al合金的單一或多個的結(jié)晶粒構(gòu)成的小塊或粉體的外表面上發(fā)生逆偏析，被In、Sn、In及Sn、或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的被膜覆蓋該外表面。
4.水崩解性Al膜，其特征在于由權(quán)利要求1或2所述的水崩解性Al復(fù)合材料構(gòu)成。
5.水崩解性Al熔融噴鍍膜，其特征在于權(quán)利要求4所述的水崩解性Al膜采用熔融噴鍍成膜。
6.水崩解性Al熔融噴鍍膜的制造方法，其特征在于將Al或Al合金中加有0.1～20重量％的In、Sn、In及Sn、或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的材料熔融使組成均勻，通過在非氧化性環(huán)境氣氛中對基板表面熔融噴鍍該材料，使該材料急冷凝固進(jìn)行成膜。
7.水崩解性Al粉，其特征在于由權(quán)利要求1或2所述的水崩解性Al復(fù)合材料構(gòu)成。
8.水崩解性Al粉的制造方法，其特征在于將Al或Al合金中加有0.1～20重量％的In、Sn、In及Sn、或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的材料溶解使組成均勻，通過在非氧化環(huán)境氣氛中將該材料噴霧使該材料急冷凝固形成Al粉。
9.成膜裝置的成膜室用構(gòu)成部件，其特征在于表面具有權(quán)利要求4或5所述的水崩解性Al膜或采用權(quán)利要求6所述的制造方法獲得的水崩解性Al膜。
10.成膜材料的回收方法，其特征在于作為對被處理物進(jìn)行成膜處理的成膜裝置的成膜室用構(gòu)成部件，使用權(quán)利要求9所述的表面上有水解崩解性Al膜的成膜室用構(gòu)成部件，從成膜裝置中取出在長時(shí)間的成膜處理中其表面厚厚粘附成膜材料的前述成膜室用構(gòu)成部件，通過暴露在水、水蒸汽、水溶液等存在的環(huán)境氣氛中，使水崩解性Al膜崩解，從前述成膜室用構(gòu)成部件的表面上只剝離回收由成膜材料形成的粘附膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及Al或Al合金的單一或多個的結(jié)晶粒構(gòu)成的小塊或粉體的外表面、被In、Sn、In及Sn、或這些的合金的低熔點(diǎn)金屬的被膜覆蓋的可在水分存在下崩解的Al復(fù)合材料。低熔點(diǎn)金屬的含量按復(fù)合材料總重量基準(zhǔn)是0.1～20重量％。使在Al等中加入前述量的低熔點(diǎn)金屬進(jìn)行熔融、溶解的材料在非氧化性環(huán)境氣氛中急冷凝固制得Al復(fù)合材料。由前述Al復(fù)合材料制得Al膜、Al熔融噴鍍膜、Al粉。在表面有水崩解性Al膜的成膜室用構(gòu)成部件。使用有該水崩解性Al膜的成膜室用構(gòu)成部件進(jìn)行長時(shí)間成膜處理后，從粘附厚的成膜材料的構(gòu)成部件上回收成膜材料。
文檔編號B22F1/02GK1764735SQ20058000014
公開日2006年4月26日 申請日期2005年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月10日
發(fā)明者平田招佑, 磯田伸二, 門脇豐, 蟲明克彥 申請人:株式會社愛發(fā)科