專利名稱：用于在等離子體處理裝置中平衡返回電流的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于處理例如半導(dǎo)體晶片等襯底的設(shè)備。更具體而言，本發(fā)明涉及一種產(chǎn)生等離子體的半導(dǎo)體處理裝置。
背景技術(shù)：
氣體等離子體廣泛用于眾多種集成電路制造工藝中，包括等離子體蝕刻及等離子體沉積應(yīng)用中。一般而言，氣體等離子體是通過如下方式形成于一處理腔內(nèi)將一低壓氣體引入腔中并隨后向腔中引入電能以產(chǎn)生一電場(chǎng)。所述電場(chǎng)在腔內(nèi)產(chǎn)生電子流，所述電子流通過借助各個(gè)電子-氣體分子碰撞而轉(zhuǎn)移動(dòng)能來電離各個(gè)氣體分子。電子在電場(chǎng)內(nèi)加速，從而產(chǎn)生氣體分子的有效電離。氣體的離子化粒子與自由電子共同形成所謂氣體等離子體。
氣體等離子體適用于眾多種不同的集成電路制造工藝中。一種常用的等離子體工藝是其中將一材料層從一襯底的表面移除或“蝕刻掉”的等離子體蝕刻工藝。等離子體的離子化氣體粒子通常帶正電荷。在一蝕刻工藝內(nèi)，對(duì)襯底施加負(fù)偏壓，以便將正的離子化等離子體粒子吸引至襯底表面，以轟擊所述表面并從而蝕所述襯底表面。
電感耦合的等離子體蝕刻系統(tǒng)可用于半導(dǎo)體器件的處理和制造。一相對(duì)于處理腔定位的成形線圈或天線將能量以電感方式耦合至腔中且因此在腔中產(chǎn)生并維持一高密度等離子體。電感耦合的等離子體蝕刻系統(tǒng)通常包括一為等離子體腔內(nèi)的卡盤提供RF功率的RF功率產(chǎn)生器。
不過，在某些電感耦合的等離子體蝕刻系統(tǒng)中，RF返回電流可能不在正處理的晶片上沿徑向方向均勻流動(dòng)。圖1圖解說明一電感耦合的等離子體蝕刻系統(tǒng)100，其中RF返回電流不在正處理的晶片上沿徑向方向均勻流動(dòng)。一等離子體腔102容納一定位于一支撐臂106上的靜電卡盤(ESC)104。一絕緣體108使ESC 104與支撐臂106電絕緣。ESC 104接納并支撐一要處理的晶片110。通過連接至一端壁(例如底腔102)中的大出口端口124的適當(dāng)真空泵122，在腔102的內(nèi)部120中保持真空。一沿與支撐臂106對(duì)置的側(cè)壁的晶片輸送件126使晶片能夠進(jìn)入及離開處理腔102。可通過一外部RF天線(例如一位于介電窗口130外的平面線圈128)為真空處理腔102提供RF功率。介電窗口130充當(dāng)一端壁，例如腔102的頂部。
支撐臂106通過等離子體腔102的一側(cè)壁中的開口以可移開方式安裝至等離子體腔102。-RF電源產(chǎn)生器114通過一匹配網(wǎng)絡(luò)電路116為ESC 104提供RF功率。RF電源產(chǎn)生器114所發(fā)生的輸入RF電流流過一RF饋電棒118。因支撐臂106的非軸對(duì)稱性，返回至產(chǎn)生器114的RF返回電流并非軸對(duì)稱，并具有一最小路徑長度及一最大路徑長度。腔內(nèi)壁上、通過該等離子體的RF電流的最小返回路徑由標(biāo)記為“A”的箭頭表示。該RF電流的最大返回路徑由標(biāo)記為“B”的箭頭表示。因該等返回電流路徑的非軸對(duì)稱性，晶片的蝕刻速率圖案在整個(gè)晶片上可能是不均勻的。
通常，金屬元件(例如晶片支撐臂106及真空腔102)由鋁合金制成，而鋁合金在低頻情況下具有相當(dāng)高的導(dǎo)電率。在變高的頻率情況下，這些金屬元件的阻抗變得越來越重要。因此，當(dāng)自RF功率產(chǎn)生器114經(jīng)由晶片110并返回的RF返回電流路徑不是軸對(duì)稱時(shí)，RF電流會(huì)在某一方位角位置處遇到比在其他方位角位置處更高的阻抗，從而導(dǎo)致處理的不均勻性。根據(jù)具體情況而定，可能會(huì)在整個(gè)晶片表面上出現(xiàn)不可接受的處理不均勻性。
為了保持等離子體處理腔的始終如一的結(jié)果，需要一種用于平衡RF返回電流以使晶片上的RF返回電流均勻從而能夠均勻處理的方法及裝置。本發(fā)明的一個(gè)主要目的是解決這些需求并提供進(jìn)一步的相關(guān)優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
一種等離子體處理反應(yīng)器包括一腔及一襯底支撐件。所述腔包括一貫穿所述腔的一側(cè)壁的開口。所述襯底支撐件以可移開方式安裝于所述腔內(nèi)。所述腔的開口大到足以使所述襯底支撐件能夠通過所述開口從所述腔中移除。所述腔內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁的一表面的一部分及所述襯底支撐件具有一涂層。所述涂層由一電阻材料制成。所述涂層沿所述內(nèi)側(cè)壁的所述表面的所述部分形成一阻抗，所述內(nèi)側(cè)壁的所述表面原本將比所述腔的對(duì)置面載送一更大部分的RF返回電流。所述涂層還沿所述襯底支撐件產(chǎn)生一阻抗，以使沿所述腔的所述內(nèi)壁的所述表面的RF返回電流的密度明顯地更加均勻。


并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分的附解說明本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，并且與詳細(xì)說明一起用以解釋本發(fā)明的原理和實(shí)施方法。
附圖中圖1為一示意性地圖解說明一根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體蝕刻系統(tǒng)的剖面圖。
圖2為一示意性地圖解說明一根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體蝕刻系統(tǒng)的剖面圖。
圖3為一根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一等離子體蝕刻系統(tǒng)的一襯底支撐件的透視示意圖。
圖4為一根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體蝕刻系統(tǒng)的真空處理腔的透視示意圖，其中沒有襯底支撐件及頂壁安裝的等離子體產(chǎn)生器件。圖5為一圖解說明一用于平衡根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體蝕刻系統(tǒng)中的RF返回電流的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本文就一等離子體蝕刻系統(tǒng)來說明本發(fā)明的各實(shí)施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，關(guān)于本發(fā)明的下列詳細(xì)說明僅是舉例說明性的，并無意于在任何意義上加以限制。本發(fā)明的其他實(shí)施例對(duì)于這些得益于本揭示內(nèi)容的技術(shù)人員將顯而易見?，F(xiàn)在將詳細(xì)參照附圖中圖解說明的本發(fā)明的實(shí)施方式。在所有附圖及下列詳細(xì)說明中將采用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或類似的部件。
為清晰起見，并未顯示及闡述本文所述實(shí)施形式的所有常規(guī)特征。當(dāng)然，應(yīng)了解，在任何實(shí)際實(shí)施形式的開發(fā)中，必須做出許多針對(duì)具體實(shí)施形式的決策以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如，符合與應(yīng)用及商業(yè)有關(guān)的限制條件，且這些特定目標(biāo)將因?qū)嵤┬问讲煌伴_發(fā)者不同而有所不同。而且，應(yīng)了解，此一開發(fā)工作可能既復(fù)雜又耗時(shí)，但對(duì)于受益于該揭示內(nèi)容的所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員而言仍是一項(xiàng)常規(guī)工程設(shè)計(jì)任務(wù)。
圖2圖解說明一根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體處理系統(tǒng)200。等離子體處理系統(tǒng)200可用于諸如蝕刻、沉積、抗蝕劑剝離等各種半導(dǎo)體等離子體處理步驟。圖2中顯示一具有一電感耦合的等離子體源的真空處理腔202的實(shí)例，其中處理氣體通過諸如氣體分配環(huán)、氣體分配板、噴嘴等適當(dāng)裝置(未顯示)提供給處理腔202。通過連接至一端壁(例如處理腔202的底部)中的大出口端口208的適當(dāng)真空泵裝置206在腔202的內(nèi)部204中保持真空。可經(jīng)由一外部RF天線(例如一位于介電窗口212外的平面線圈210)為真空處理腔202提供RF功率。介電窗口212可充當(dāng)一端壁，例如腔202的頂部。不過，所述等離子體產(chǎn)生源可為任一其他類型的等離子體產(chǎn)生設(shè)備，例如ECR反應(yīng)器、平行板反應(yīng)器、螺旋波反應(yīng)器、螺旋形諧振器等。
一襯底214在腔202內(nèi)支撐于一襯底支撐件216上，襯底支撐件216則由一模塊式安裝結(jié)構(gòu)(例如來自腔202的一側(cè)壁的支撐臂218)以可移開方式支撐。如圖2所示，襯底支撐件216位于一以懸壁方式安裝的支撐臂218的一端處，以便可通過使總成216/218穿過腔202的側(cè)壁中的開口而從腔202中移出整個(gè)襯底支撐件/支撐臂總成216/218。襯底支撐件216可包括位于介電窗口212下面所述腔的一中心部分中的一卡裝裝置(例如機(jī)械環(huán)狀?yuàn)A，未顯示)及一RF偏壓電極(未顯示)。或者，該卡裝裝置可包括任一適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，例如一包含水冷卻通道并接地至所述腔的一部分的由例如鋁等導(dǎo)電材料制成的靜電單極卡盤或一具有數(shù)個(gè)覆蓋有一層絕緣材料(例如氧化鋁)的導(dǎo)電電極的多極卡盤。
根據(jù)本發(fā)明的卡裝結(jié)構(gòu)可用于等離子體或非等離子體環(huán)境中。因此，雖然下文參照一用于在等離子體環(huán)境中固持半導(dǎo)體襯底的卡盤來說明本發(fā)明的一具體實(shí)施例，但根據(jù)本發(fā)明的襯底支撐總成216/218可用于其他處理腔中。此外，該卡裝結(jié)構(gòu)可包含(1)一機(jī)械夾；(2)一單極ESC或一雙極、多極或磁力線ESC，其用于在等離子體、非等離子體、真空或非真空環(huán)境中固持半導(dǎo)體晶片或介電襯底；或(3)一單極ESC，其用于在一等離子體環(huán)境中固持介電襯底(例如用于制造平板顯示器的玻璃面板)，其中等離子體不是用于向襯底表面提供離子來用于夾持目的，而是用于接通單極ESC與一接地表面(例如等離子體處理腔的壁的一部分)之間的電路。無論ESC是否提供襯底的下側(cè)氣體冷卻，該襯底均可由襯底支撐件216的一由水冷卻的部分來進(jìn)行溫度控制。襯底支撐件216可具有一矩形、正方形、圓形或其他適于夾持要夾持的特定襯底的形狀。
一絕緣體220使襯底支撐件216與支撐臂218電絕緣。一RF電源產(chǎn)生器222經(jīng)由一匹配網(wǎng)絡(luò)電路223向襯底支撐件216提供RF功率。一電導(dǎo)管224-即RF饋電棒-通過RF饋電棒224將RF電源產(chǎn)生器222耦合至襯底支撐件216。根據(jù)一實(shí)施例，處理腔202還包括一沿一與支撐臂218對(duì)置的側(cè)壁的晶片輸送開口226。晶片輸送開口226使晶片能夠進(jìn)入和離開處理腔202。
圖2根據(jù)等離子體腔的幾何形狀進(jìn)一步圖解說明RF返回電流的不對(duì)稱性。箭頭A表示較短的RF返回電流路徑。箭頭B表示較長的RF返回電流路徑。為了平衡等離子腔周圍的電流密度，可在等離子體腔202的內(nèi)壁表面的若干部分上涂布由電阻率低于或高于基底材料(例如在本實(shí)例中為鋁合金)的材料形成的薄膜228。所述薄膜會(huì)增加或減小較短RF返回電流路徑的阻抗，以便平衡因等離子體腔202的物理結(jié)構(gòu)所造成的不對(duì)稱性。對(duì)沿較短及較長路徑兩者的RF返回電流的平衡使RF返回電流在晶片214上更加均勻，從而能夠更加均勻地進(jìn)行處理。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種使腔周圍的RF電流密度均勻的方法是通過沿腔202的內(nèi)側(cè)壁表面在會(huì)影響較短RF電路返回路徑的所選位置上應(yīng)用一電阻率更高或更低的涂層(例如鍍鎳或鍍銅)來改變沿腔202的內(nèi)側(cè)壁的金屬表面阻抗。
腔202周圍的總RF返回電流也可受薄膜厚度、薄膜材料類型及薄膜的布局與形狀的影響。根據(jù)一實(shí)施例，對(duì)于一約13.56Mhz的RF頻率，所涂布的薄膜可包括一厚度約小于.003″的鍍鎳層。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，RF電流是在金屬的表面中流動(dòng)-所謂的集膚效應(yīng)，且使用更低RF頻率的實(shí)施例可利用比采用更高RF頻率的實(shí)施例更厚的薄膜。該涂層可沿較短返回路徑應(yīng)用于內(nèi)側(cè)壁的一表面的一區(qū)域上以增加阻抗。例如，處理腔202可如圖2所示包括沿支撐臂218的一內(nèi)側(cè)臂228沿RF電流的較短返回路徑的涂層228。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，毗鄰支撐臂218的內(nèi)側(cè)壁228的表面位于處理腔202內(nèi)的上內(nèi)側(cè)壁230的表面也可涂有薄膜。或者，若使用一阻抗更低的薄膜，則可在較長路徑內(nèi)側(cè)壁上應(yīng)用一涂層。
圖3為一根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的等離子體蝕刻系統(tǒng)的一襯底支撐件的透視示意圖。圖3中顯示一具有襯底支撐件302的懸壁式卡盤總成300的一實(shí)例?？偝?00包括一襯底支撐件302、一支撐臂304及一安裝法蘭306。安裝法蘭306包括一配合于圖4所示處理腔400的側(cè)壁404中的開口402內(nèi)的部分308。在所示實(shí)施例中，支撐臂304的一端連接襯底支撐件302的一外表面，而支撐臂304的一對(duì)置端連接安裝法蘭306的所述部分308。此結(jié)構(gòu)可采用各種形式，例如一其中襯底支撐件、支撐臂及法蘭是由單件材料形成的單件式結(jié)構(gòu)或者可將復(fù)數(shù)個(gè)單獨(dú)部件附裝在一起形成該懸壁式卡盤總成。襯底支撐件302可包括一具有諸如一ESC、一個(gè)或多個(gè)RF偏壓電極、若干頂升銷孔、He背側(cè)冷卻氣體源等主動(dòng)組件的可移式頂蓋(未顯示)。
如圖4中所示，腔400包括一襯底傳送槽406，可由一適當(dāng)?shù)膫魉蜋C(jī)構(gòu)通過該槽沿一方向(例如水平方向)將例如半導(dǎo)體晶片、平板等襯底傳送進(jìn)和傳送出腔400的內(nèi)部408。在所示的實(shí)施例中，腔400的內(nèi)部408包括一圓柱形側(cè)壁表面410及一環(huán)繞出口端口414的環(huán)形底面412。安裝法蘭306的所述部分308包括一具有邊緣312的曲面310，當(dāng)安裝法蘭306安裝到腔400的外側(cè)上時(shí)，邊緣312會(huì)沿著圓柱形側(cè)壁表面410中的開口402的邊緣。支撐臂304包括一與襯底支撐件302的支撐表面垂直偏置的外周邊。支撐臂304在腔400的內(nèi)部408中支撐襯底支撐件302，以使襯底支撐件302的外周邊位于圓柱形表面410的內(nèi)側(cè)。此外，所述部分308與形成開口402的表面可以一不大于15度的角度漸縮。
總的RF返回電流沿腔400的內(nèi)側(cè)壁410的表面及沿總成300的曲面310移動(dòng)。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，可在等離子體蝕刻工藝前在總成300的曲面310上的所選位置處涂布復(fù)數(shù)個(gè)薄膜條帶314。因腔400的幾何結(jié)構(gòu)，RF返回電流也可受薄膜條帶的厚度、薄膜條帶的材料類型及薄膜條帶的布局與形狀的影響。可采用連續(xù)的薄膜以及條帶，并且可局部改變薄膜厚度或電阻率來影響腔內(nèi)側(cè)壁周圍所需的阻抗變化。根據(jù)一實(shí)施例，該涂布膜薄可包括(例如)一厚度約小于.003″的鍍鎳或鍍銅層?？裳刂^短返回路徑有選擇地將該涂層施加于總成300的曲面310上以增加阻抗。例如，圖3圖解說明一由數(shù)個(gè)具有矩形形狀的薄膜條帶314形成的涂層，所述矩形形狀的長邊垂直于襯底支撐件302的平面。各薄膜條帶314之間可具有間隙以允許RF返回電流流過。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，圖3中所示的薄膜條帶并非旨在加以限定，還可使用其他構(gòu)造，此并不背離本文所揭示的發(fā)明概念。例如，可應(yīng)用薄膜條帶的其他厚度、材料類型及布局與形狀，以沿較短返回路徑形成一會(huì)使RF返回電流路徑在腔周圍變得明顯更加均勻的阻抗。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，可將由一其阻抗低于下伏基底材料阻抗的薄膜314形成的涂層沿“較長的”RF返回路徑B涂布到腔400的內(nèi)側(cè)壁410上，以減少沿該路徑的阻抗。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，可將一由其阻抗高于下伏基底材料阻抗的薄膜314形成的涂層沿“較短的”RF返回路徑A涂布到腔400的內(nèi)側(cè)壁410上，以增加沿該路徑的阻抗。例如，圖4圖解說明一由數(shù)個(gè)具有矩形形狀的薄膜條帶416形成的涂層，所述矩形形狀的長邊垂直于襯底支撐件302的平面。各薄膜條帶416之間可具有間隙以允許RF返回電流流過。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，也可將薄膜條帶314涂布于支撐臂304的表面的若干部分上。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，也可將薄膜條帶314涂布于支撐臂304(未顯示)的外表面上。
對(duì)腔內(nèi)側(cè)壁表面上薄膜條帶、薄膜涂層的數(shù)量及位置的確定必須是實(shí)驗(yàn)性的和反復(fù)性的。圖5圖解說明一種用于在一具有圖2-4所述幾何形狀的腔中平衡RF返回電流的方法。在502處，為了建立一基線，在一未對(duì)內(nèi)腔側(cè)壁進(jìn)行任何修改的腔中處理一晶片。在504處，在該晶片上測(cè)量蝕刻速率及/或其他性能指標(biāo)并對(duì)其進(jìn)行記錄。在506處，通過檢查該腔的幾何形狀來對(duì)該腔內(nèi)側(cè)壁周圍的RF電流返回路徑長度變化進(jìn)行初步估算。在508處，通過添加涂布于該內(nèi)腔壁周圍的具有更高(相對(duì)于基底腔材料而言)電阻率的薄膜條帶來增加沿較短RF電流返回路徑的阻抗。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，通過添加涂布于內(nèi)腔壁周圍的具有更低電阻率(相對(duì)于下伏基底材料而言)的薄膜條帶來減小沿較長RF電流返回路徑的阻抗。
在510處，在與在基線情形中所采用的條件相同的條件下處理另一晶片。在512處，以同樣的方式測(cè)量新處理的晶片并記錄數(shù)據(jù)。在514處，逐一部位地減去這些額外數(shù)據(jù)并在516處檢查一顯示這些差別的圖，以確定所已添加的阻抗是否過多或過少及方位角分布是否小于或大于最佳情形。在518處，然后通過添加或減去一薄膜涂層或若干薄膜條帶來修改腔內(nèi)壁，以便進(jìn)一步優(yōu)化阻抗分布。在510處，如在先前各情形中一樣對(duì)另一晶片重復(fù)該過程，并與所述額外數(shù)據(jù)集合進(jìn)行比較以確定是否已經(jīng)達(dá)到最佳條件。
所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員知道，在晶片處理過程中，可能存在若干并非由RF返回電流中的不均勻性所引起的方位角變化源，且通過仔細(xì)分析和輔助實(shí)驗(yàn)可將這些變化的源與由非均勻RF電流流動(dòng)所引起的變化源相區(qū)別。
雖然上文已對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例和應(yīng)用進(jìn)行了顯示和描述，但獲益于本發(fā)明揭示內(nèi)容的所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以明顯地看出，在不背離本文發(fā)明性概念的前提下可以有比上述更多的修改。因此，只要不超出隨附權(quán)利要求書的精神，本發(fā)明不會(huì)受到限制。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理反應(yīng)器，其包括一腔，其具有一可移開式襯底支撐件，所述可移開式襯底支撐件并不以所述腔的一豎直軸為中心軸對(duì)稱；一RF電源，其耦接至所述腔，所述RF電源適合于為所述腔的內(nèi)部提供RF功率且由此在其中形成一等離子體；由一薄膜形成的一涂層，其在一處理前有選擇地應(yīng)用至所述腔的一內(nèi)側(cè)壁的一表面的一部分，所述涂層包括一電阻材料，所述電阻材料具有一明顯不同于所述腔的一下層基底材料的RF阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其中所述薄膜以不同的成分應(yīng)用于所述腔的所述內(nèi)側(cè)壁周圍以便在方位角上改變所述RF阻抗。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其中所述薄膜以不同的厚度應(yīng)用于所述腔的所述內(nèi)側(cè)壁周圍以便在方位角上改變所述RF阻抗。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其中所述薄膜為各種在所述腔的所述內(nèi)側(cè)壁周圍提供局部覆蓋的形狀以便在方位角上改變所述RF阻抗。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其中所述涂層包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜條帶，所述復(fù)數(shù)個(gè)薄膜條帶的厚度沿所述側(cè)壁的所述表面的所述部分及沿所述襯底支撐件變化。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其中所述涂層包括復(fù)數(shù)個(gè)以方位角定位的薄膜條帶。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其進(jìn)一步包括由所述薄膜形成的所述涂層，由所述薄膜形成的所述涂層在所述處理前有選擇地應(yīng)用至所述腔內(nèi)所述可移開式襯底支撐件的一表面的一部分上。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其中所述電阻材料包括鎳。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其中所述電阻材料包括銅。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理反應(yīng)器，其中所述涂層電鍍到所述腔的所述內(nèi)側(cè)壁的所述表面的所述部分上。
11.一種等離子體處理反應(yīng)器，其包括一腔，其包括一貫穿所述腔的一內(nèi)側(cè)壁的開口；一以可移開方式安裝于其中的襯底支撐件，所述開口大到足以使所述襯底支撐件能夠通過所述開口從所述腔中移走；一由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜條帶形成的涂層，其應(yīng)用至所述腔內(nèi)所述內(nèi)側(cè)壁及所述襯底支撐件的一表面的一部分上，所述涂層包含一電阻材料，所述電阻材料具有一明顯不同于所述腔的下層基底材料的RF阻抗。
12.一種用于在一等離子體處理反應(yīng)器中平衡返回電流的方法，所述等離子體處理反應(yīng)器具有一腔，其包括一貫穿所述腔的一內(nèi)側(cè)壁的開口；一以可移開方式安裝于其中的襯底支撐件，所述開口大到足以使所述襯底支撐件能夠通過所述開口從所述腔中移走，所述方法包括有選擇地將一由一薄膜形成的涂層應(yīng)用至所述腔的所述內(nèi)壁的一表面的一部分上，所述涂層包含一電阻材料，所述電阻材料具有一明顯不同于所述腔的一下層基底材料的RF阻抗。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括有選擇地將由所述薄膜形成的所述涂層應(yīng)用至所述腔內(nèi)所述襯底支撐件的一表面的一部分上。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述應(yīng)用由所述薄膜形成的所述涂層進(jìn)一步包括電鍍由所述薄膜形成的所述涂層。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述涂層具有一可變厚度。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電阻材料包括鎳。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電阻材料包括銅。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述涂層包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜條帶。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括垂直定位所述復(fù)數(shù)個(gè)薄膜條帶。
20.如權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括水平定位所述復(fù)數(shù)個(gè)薄膜條帶。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種等離子體處理反應(yīng)器(200)，其包括一腔(202)及一襯底支撐件(216)。所述腔包括一貫穿所述腔的一側(cè)壁的開口。所述襯底支撐件以可移開方式安裝于所述腔內(nèi)。所述腔的開口大到足以使所述襯底支撐件能夠通過所述開口從所述腔中移除。所述腔內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁及所述襯底支撐件的一表面的一部分具有一涂層(228)。所述涂層由一電阻材料制成。所述涂層沿所述內(nèi)側(cè)壁的所述表面的所述部分形成一阻抗，所述內(nèi)側(cè)壁的所述表面的所述部分原本將比所述腔的對(duì)置面載送一更大部分的RF返回電流。所述涂層還沿所述襯底支撐件形成一阻抗，以使沿所述腔的所述內(nèi)壁的所述表面的RF返回電流的密度明顯地更加均勻。
文檔編號(hào)C23C16/44GK1846293SQ200480025466
公開日2006年10月11日 申請(qǐng)日期2004年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月29日
發(fā)明者羅伯特·J·斯蒂格 申請(qǐng)人:藍(lán)姆研究公司