專利名稱：研磨裝置的管理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種研磨裝置的管理方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著半導(dǎo)體裝置的高集成化，在半導(dǎo)體制造工序中，通過高精度地研磨半導(dǎo)體元件使其平坦化的技術(shù)越來越重要。在平坦化技術(shù)中，CMP化學(xué)機械研磨(Chemical Mechanical Polish)技術(shù)為實現(xiàn)平坦化的最優(yōu)方法，被應(yīng)用在進行層間絕緣膜的平坦化及元件分離形成時在半導(dǎo)體襯底上留下的殘留氧化膜的研磨等。在CMP中，通過并用機械研磨和化學(xué)作用，來對半導(dǎo)體襯底的表面進行研磨。由于CMP中的研磨狀態(tài)非常依存于研磨布和半導(dǎo)體襯底的機械接觸狀態(tài)，因此為了將半導(dǎo)體襯底進行全面高精度的研磨，必須要對研磨時施加在半導(dǎo)體襯底的壓力(研磨壓力)進行控制。
以下，參照圖9及

圖10對進行研磨壓力的控制的現(xiàn)有晶片研磨裝置加以說明。
圖9為剖面圖，表示現(xiàn)有晶片研磨裝置的結(jié)構(gòu)。
圖9所示的以往的晶片研磨裝置，包括與被支持架100支持的軸承構(gòu)件101連接的、旋轉(zhuǎn)自由的擁有大約700kg的重量的上研磨臺102；及與該上研磨臺102面對面設(shè)置的、進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的下研磨臺103。并且，在支持架100與軸承構(gòu)件101之間，設(shè)置有為檢測出施加在被研磨材的晶片104上的壓力的壓力檢測器的測力器100A。并且，在上研磨臺102的上面，設(shè)置有能夠裝下大約150kg的純凈水的液體填充槽105，該液體填充槽105與用來提供液體的液體提供器連接。這里，液體提供器包括安裝在支持架100的多個固定噴管106；安裝在液體填充槽105的、與該液體填充槽105一起轉(zhuǎn)動的多個旋轉(zhuǎn)噴管107；以及連接在該旋轉(zhuǎn)噴管107的、一邊轉(zhuǎn)動從固定噴管106滴下的液體一邊接住該液體的環(huán)狀液體接受器108。
并且，在固定噴管107、與圖中沒有表示的液體提供源之間的配管中途，例如設(shè)置有由流量計109、及閥門110構(gòu)成的流量調(diào)整器，且設(shè)置有連接在測力器100A的控制器。根據(jù)由測力器100A檢測出的施加在晶片104上的研磨壓力值，使液體提供器運轉(zhuǎn)，來控制對液體填充槽105進行的液體的提供。
這樣一來，在現(xiàn)有晶片研磨裝置中，研磨壓力的控制是通過控制給設(shè)置在上研磨臺102上的液體填充槽105填充的液體的量來進行的。
圖10表示現(xiàn)有的晶片研磨裝置中的研磨壓力的時間變化。
如圖10所示，在研磨開始后的1分鐘之內(nèi)施加大約100kg(大約20g/cm2)的輕壓力，然后，逐漸增加壓力直到達到所規(guī)定的壓力，例如650kg(大約120g/cm2)，將所規(guī)定的壓力保持7分鐘。此時，測力器100A不斷地檢測施加在晶片104上的壓力，當查出檢測出的壓力低于所規(guī)定的壓力時，控制流量計109及閥門110，不斷地向設(shè)置在上研磨臺102上的液體填充槽105提供相當于不足的壓力的重量的液體量(例如，參照專利文獻1)。
如上所述，現(xiàn)有的晶片研磨裝置通過進行研磨壓力的控制，來進行現(xiàn)有的晶片研磨裝置的管理。
《專利文獻1》日本專利文獻09-183059號公報但是，由于在所述現(xiàn)有晶片研磨裝置中，利用液體的量控制研磨壓力，因此作為裝置必須具備液體填充槽105。
并且，雖然在所述現(xiàn)有晶片研磨裝置中，使用由測力器100A檢測出的研磨中的壓力值，來進行研磨壓力的控制，但是在晶片之間產(chǎn)生研磨量的不均勻，難以高精度地將晶片研磨。

發(fā)明內(nèi)容
如前述問題所鑒，本發(fā)明的目的在于提供一種管理研磨裝置的方法，該方法能夠降低在晶片之間產(chǎn)生的研磨量的不均勻、高精度地進行研磨。
為了解決所述課題，本案發(fā)明者們進行了各種研究，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)由于在現(xiàn)有晶片研磨裝置中的研磨壓力的控制，為沒有考慮研磨待機時的壓力值僅考慮了研磨中的壓力值而進行的控制，而在研磨待機時壓力值存在高低不同，因此造成在晶片之間產(chǎn)生研磨量的不均勻。故，本發(fā)明為依據(jù)所述發(fā)現(xiàn)的發(fā)明，具體地說，本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法，為具備檢測出施加在被研磨對象的晶片上的壓力的壓力檢測器的研磨裝置的管理方法，其包括將在等待研磨晶片的第1時間由壓力檢測器檢測出的第1壓力值、和在進行晶片研磨的第2時間由所述壓力檢測器檢測出的第2壓力值的差值計算出來，來作為在所述第2時間實際施加在晶片上的實際壓力值的步驟；以及監(jiān)測實際壓力值的步驟。
根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法，由于研磨時的實際壓力值為用研磨時的第2壓力值減去研磨待機時的第1壓力值而求得的值，該研磨時的實際壓力值考慮了研磨待機時壓力值的不同，故擁有與研磨時的研磨速度較密切的相關(guān)關(guān)系(幾乎成比例關(guān)系)，因此通過監(jiān)測該實際壓力值，能夠管理研磨裝置，使其能夠降低在晶片之間產(chǎn)生的研磨量的不均勻、高精度地進行研磨。
在本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法中，最好監(jiān)測實際壓力值的步驟包括根據(jù)實際壓力值算出晶片的研磨速度，且監(jiān)測算出的研磨速度的步驟。
這樣一來，由于根據(jù)能夠用實時監(jiān)測的實際壓力值算出研磨速度，因此能夠用實時管理研磨速度。所以，能夠管理研磨裝置，能夠使其降低在晶片之間產(chǎn)生的研磨量的不均勻，進行高精度地研磨。
在本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法中，最好監(jiān)測實際壓力值的步驟包括根據(jù)研磨速度和第2時間算出晶片的研磨量，且監(jiān)測用研磨晶片前的膜厚減去所算出的晶片的研磨量而求得的研磨晶片后的殘留膜厚的值的步驟。
這樣一來，由于可以利用能夠用實時監(jiān)測的研磨速度算出研磨量，因此能夠不測定研磨后的殘留膜厚的值，根據(jù)研磨速度和研磨時間算出該值，故，能夠在研磨結(jié)束時獲得研磨后的殘留膜厚的值。
在本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法中，最好監(jiān)測實際壓力值的步驟包括當實際壓力值不在所希望的值的范圍內(nèi)時，檢測出在該研磨裝置發(fā)生異常的步驟。
這樣一來，由于研磨速度與實際壓力值有很密切的相關(guān)關(guān)系，因此通過利用實際壓力值進行研磨速度的管理，能夠檢測出研磨裝置的異常的發(fā)生。所以，能夠管理研磨裝置，能夠使其減少在晶片之間產(chǎn)生的研磨量的不均勻，進行高精度地研磨。并且，由于利用能夠用實時監(jiān)測的實際壓力值進行管理，因此能夠在短時間內(nèi)檢測出異常，故能夠大幅度地降低在解決發(fā)生異常時所需的時間。
在本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法中，最好監(jiān)測實際壓力值的步驟包括當檢測出異常時，發(fā)出警告的步驟。
這樣一來，能夠管理研磨裝置，且能夠大幅度地降低在解決發(fā)生異常時所需的時間，使其能夠減少在晶片之間產(chǎn)生的研磨量的不均勻，進行高精度地研磨。
在本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法中，最好監(jiān)測實際壓力值的步驟包括當檢測出發(fā)生異常時，進行以測力器作為壓力檢測器的原點校正的步驟。
在本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法中，最好監(jiān)測實際壓力值的步驟包括一旦發(fā)出警告，就停止研磨裝置的步驟。
(發(fā)明的效果)根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法，由于研磨時的實際壓力值為從研磨時的第2壓力值中減去研磨待機時的第1壓力值而求得的值，該研磨時的實際壓力值考慮了研磨待機時的壓力值的不同，因此與研磨時的研磨速度具有很密切的相關(guān)關(guān)系(幾乎成比例關(guān)系)，所以通過監(jiān)測該實際壓力值，能夠管理研磨裝置，使其能夠減少在晶片之間產(chǎn)生的研磨量的不均勻，進行高精度地研磨。
附圖的簡單說明圖1為表示在本發(fā)明的第1實施例所涉及的研磨裝置的管理方法的說明中所使用的研磨裝置的概要圖。
圖2為表示本發(fā)明的第1實施例所涉及的研磨裝置的管理方法的流程圖。
圖3為表示在本發(fā)明的第1實施例中，在等待對晶片進行研磨時、和在進行研磨時的壓力值的圖。
圖4(a)為壓力值的平均值與研磨速度的關(guān)系圖；圖4(b)為實際壓力值與研磨速度的關(guān)系圖。
圖5為實際壓力值與研磨速度的關(guān)系圖。
圖6是為了決定PM的實施時期而進行傾向管理的圖，為實際壓力值的變化經(jīng)過與時間的關(guān)系圖。
圖7(a)及圖7(b)為本發(fā)明的第2實施例所涉及的研磨裝置的控制電路圖。
圖8(a)及圖8(b)為表示在本發(fā)明的第2實施例中，在等待對晶片進行研磨時、和在進行研磨時的壓力值的圖。
圖9為表示現(xiàn)有研磨裝置的概要圖。
圖10為在現(xiàn)有研磨裝置中，進行研磨時的研磨壓力與時間的關(guān)系圖。
(符號的說明)1-滾筒；2-研磨墊；3-研磨頭；4-半導(dǎo)體襯底；5-研磨臺；6-懸浮液噴管；7-測力器；10-伺服閥；11-主計算機；12-第1放大器；13-第2放大器；14-控制信號線；15-信號線；16-數(shù)據(jù)記錄器；17-數(shù)據(jù)處理部；18-數(shù)據(jù)存儲部；19-數(shù)據(jù)判斷部；100-支持架；100A-測力器；101-軸承構(gòu)件；102-上研磨臺；103-下研磨臺；104-晶片；105-液體填充槽；106-固定噴管；107-旋轉(zhuǎn)噴管；108-環(huán)狀液體接受器；109-閥門；110-流量計。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的各個實施例加以說明。
(第1實施例)以下，參照圖1～圖6對本發(fā)明的第1實施例所涉及的研磨裝置的管理方法加以說明。
首先，參照圖1對在本發(fā)明的第1實施例所涉及的研磨裝置的管理方法的說明中使用的研磨裝置的一個例子加以說明。
如圖1所示，由于滾筒1旋轉(zhuǎn)，使研磨墊2一直朝前移動。被研磨頭3支持的、擁有為被研磨對象的被研磨膜的半導(dǎo)體襯底(晶片)4，被固定成需研磨的面與研磨墊2面對面的狀態(tài)。在夾著研磨墊2的半導(dǎo)體襯底4的相反一側(cè)設(shè)置有研磨臺5。一邊由懸浮液噴管6提供作為研磨劑的懸浮液，一邊對半導(dǎo)體襯底4進行研磨。并且，測力器(壓力檢測器)7檢測出在等待對半導(dǎo)體襯底4進行研磨的期間(以下，稱為第1時間)、以及在對半導(dǎo)體襯底4進行研磨的期間(以下，稱為第2時間)施加在研磨頭3和研磨臺5之間的壓力值。另外，等待研磨的第1時間通常為例如交換為研磨對象的半導(dǎo)體襯底4的時間等、研磨裝置空運轉(zhuǎn)的時間等。并且，進行研磨的第2時間通常為例如研磨一塊半導(dǎo)體襯底4的時間等。
其次，參照圖2對本發(fā)明的第1實施例所涉及的研磨裝置的管理方法的概要加以說明。
如圖2所示，首先，在步驟ST1中，檢測出由測力器7測出的實際壓力值。具體地說，測定了在第1時間由測力器7測出的壓力值(以下，稱為第1壓力值)后，測定在第2時間由測力器7測出的壓力值(以下，稱為第2壓力值)。并且，算出所測定的第1壓力值和第2壓力值的差值部分，該值為在第2時間對半導(dǎo)體襯底4實際施加的實際壓力值。
其次，在步驟ST2中，算出研磨速度。也就是說，根據(jù)在步驟ST1中算出的實際壓力值算出研磨速度。
其次，在步驟ST3中，算出殘留膜的值。也就是說，利用研磨時間、和在步驟ST2中算出的研磨速度，算出半導(dǎo)體襯底4上的被研磨膜的殘留膜厚的值。
這樣一來，在本實施例所涉及的研磨裝置的管理方法中，如以下所要詳細說明的一樣，通過算出實際壓力值、研磨速度、或者殘留膜厚的值，且監(jiān)測這些值，能夠管理研磨裝置，使其能夠防止在研磨每個半導(dǎo)體襯底4時所產(chǎn)生的研磨量的不均勻，高精度地進行研磨。
以下，對圖2所示的所述各個步驟ST1～ST3加以詳細的說明。
<步驟ST1(實際壓力值的測定)>
如圖3所示，在等待對半導(dǎo)體襯底4進行研磨的第1時間1a，施加第1壓力值，圖3具體地表示在第1時間1a施加的第1壓力值的平均值D1。而且，在對半導(dǎo)體襯底4進行研磨的第2時間1b，施加第2壓力值，圖3具體地表示在第2時間1b施加的第2壓力值的平均值D2。
這里，參照圖4(a)，對在進行研磨的第2時間1b的第2壓力值與研磨速度的關(guān)系加以說明。在圖4(a)中，橫軸表示在第2時間1b的第2壓力值的平均值D2，縱軸表示在第2時間1b的研磨速度。
如圖4(a)所明確示出的，在第2時間1b的第2壓力值的平均值D2，在4.3～4.5(PSi)的范圍內(nèi)，研磨速度分布在350～500(nm/min)的范圍內(nèi)。也就是說，第2壓力值的平均值D2的差值為3σ，其大小較小，大約為0.11(PSi)，大部分研磨速度在450±50(nm/min)之間大幅度變動。因此，得知研磨速度并不依存于第2壓力值的平均值D2。
故，本發(fā)明所涉及的本實施例，測定在第1時間1a的第1壓力值(具體地說，第1壓力值的平均值D1)后，測定在第2時間1b的第2壓力值(具體地說，第2壓力值的平均值D2)。然后，計算出所測定的第1壓力值(具體地說，第1壓力值的平均值D1)、和第2壓力值(具體地說，第2壓力值的平均值D2)的差值(D2-D1)，作為在第2時間1b對半導(dǎo)體襯底4實際施加的實際壓力值D3。
這里，參照圖4(b)對在第2時間1b的實際壓力值D3與研磨速度的關(guān)系加以說明。在圖4(b)中，橫軸表示實際壓力值D3，縱軸表示在第2時間1b的研磨速度。
從圖4(b)明顯得知研磨速度與實際壓力值D3幾乎成比例，如直線L1所示。由此得出通過監(jiān)測實際施加在半導(dǎo)體襯底4上的實際壓力值D3，能夠監(jiān)測在第2時間1b的研磨速度，如以下所要說明的。因此，能夠管理研磨裝置，使其能夠防止研磨量的不均勻，高精度地進行研磨。
<步驟ST2(研磨速度的算出)>
圖5為表示將所述圖4(b)所示的實際壓力值D3與研磨速度的關(guān)系圖的分度改變的圖。以下，對根據(jù)實際壓力值D3求出研磨速度的方法加以具體地說明。
這里，對半導(dǎo)體襯底4進行的研磨，設(shè)為在固定的時間進行，同時根據(jù)研磨量的標準將所希望的研磨速度的范圍5a設(shè)定為450±50(nm/min)。此時，如所述圖4(b)所示，考慮到研磨速度與實際壓力值D3的關(guān)系為直線L1所示的比例關(guān)系，為了用實際壓力值D3監(jiān)測研磨速度是否在范圍5a內(nèi)，將實際壓力值D3的標準范圍5b設(shè)定為3.45～4.20(PSi)的范圍。這樣一來，由于能夠用在步驟ST1中測定的實際壓力值D1監(jiān)測研磨速度，因此能夠用實時測定研磨速度。在此提一下，現(xiàn)有研磨速度的測定，通過測定研磨結(jié)束后的被研磨膜的膜厚，再測定與研磨前的膜厚的差值部分，來求得研磨速度。但是，根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨裝置的管理方法，由于能夠用實際壓力值D3監(jiān)測研磨速度，因此能夠檢測出在研磨中發(fā)生的研磨速度的異常。故，能夠管理研磨裝置，使其能夠防止研磨量的不均勻，高精度地進行研磨。
并且，當檢測出異常時，還能夠發(fā)出警報進行警告使裝置停止。并且，由于使用能夠用實時監(jiān)測的實際壓力值管理研磨速度，因此能夠在短時間檢測出異常，能夠大大地減少解決異常發(fā)生時所需要的時間。
這里，對當檢測出異常時的處理加以說明。
具體地說，根據(jù)在步驟ST1中測定出的實際壓力值D3的監(jiān)測結(jié)果，進行初期維護(PM，Preventive Maintenance)。
圖6為為了決定PM的實施時期而進行傾向管理的圖。另外，在圖6中，橫軸表示時間(日期)，縱軸表示實際壓力值D3。
如圖6所示，期間6a及6b為預(yù)先規(guī)定的PM周期，在期間6a及6b中，實際壓力值D3沒有超過所規(guī)定的范圍。但，在期間6c中，實際壓力值D3超過了所規(guī)定的范圍(3.45～4.20(PSi))，表示應(yīng)該實施PM。而由于在期間6d中，顯示出在比預(yù)先規(guī)定的PM周期(6a及6b)長的期間內(nèi)，實際壓力值D3都在規(guī)定的范圍內(nèi)，因此在期間6d中，能夠在比預(yù)先規(guī)定的PM周期后實施PM的期間長的期間，不進行PM使裝置不斷地運轉(zhuǎn)。象這樣，通過監(jiān)測實際壓力值D3進行傾向管理，能夠在最佳的時期實施PM。所以，由于能夠提高裝置的運轉(zhuǎn)效率，因此能夠提高生產(chǎn)性。
另外，在圖6中，雖然用日期作為橫軸進行管理，也可以不用日期管理，用小時為單位進行管理，并且使管理的時間越短，越能夠降低不良的發(fā)生率。
<步驟ST3(殘留膜的值的算出)>
其次，在步驟ST3，根據(jù)在步驟ST2中測定的研磨速度、和為研磨時間的第2時間1b，算出半導(dǎo)體襯底4中的被研磨膜的研磨量，然后，通過用在研磨前測定的被研磨膜的膜厚減去算出的研磨量，能夠算出研磨后的膜厚。這樣一來，在步驟ST3中，由于使用在步驟ST2中可用實時監(jiān)測的研磨速度，能夠算出研磨量，因此能夠不進行測定而根據(jù)研磨速度和研磨時間算出研磨后的殘留膜厚的值，故能夠在研磨結(jié)束時獲得研磨后的殘留膜厚的值。
(第2實施例)以下，參照圖7及圖8對本發(fā)明的第2實施例所涉及的研磨裝置的管理方法加以說明。
圖7(a)及(b)示出了該研磨裝置、及使用在本發(fā)明的第2實施例所涉及的研磨裝置的管理方法中的控制電路。
首先，對圖7(a)及(b)所示的研磨裝置加以說明。
由于滾筒1轉(zhuǎn)動，故研磨墊2一直朝前移動。被研磨頭3支持的、擁有為被研磨對象的被研磨膜的半導(dǎo)體襯底(晶片)4，被固定成需研磨的面與研磨墊2面對面的狀態(tài)。在夾著研磨墊2的半導(dǎo)體襯底4的相反一側(cè)設(shè)置有研磨臺5。一邊由懸浮液噴管6提供作為研磨劑的懸浮液，一邊進行半導(dǎo)體襯底4的研磨。并且，測力器(壓力檢測器)7檢測出在等待對半導(dǎo)體襯底4進行研磨的期間、以及在對半導(dǎo)體襯底4進行研磨的期間施加在研磨頭3和研磨臺5之間的壓力值。
其次，對由測力器7檢測出的壓力值進行控制的伺服閥10的驅(qū)動電路加以說明。
在第2放大器13中對表示由主計算機11輸入的所規(guī)定的壓力值的電壓信號、及表示通過第1放大器12輸入的由測力器7檢測出的壓力值的電壓信號加以比較，將表示其差的電壓信號輸入伺服閥10。在伺服閥10中，進行使所規(guī)定的壓力值、和由測力器7檢測出的壓力值的差為零的控制。
象這種反饋系的電路較易接受噪音的影響。也就是說，在圖7(a)所示的電路中，由于從第1放大器12出來的控制信號線14與數(shù)據(jù)記錄器16連接，因此一旦發(fā)生噪音等異常，進行壓力值的監(jiān)測的電路就受到很大的破壞，在研磨處理中發(fā)生故障。因此，如圖7(b)所示，最好設(shè)置與從第1放大器12出來的控制信號線14(參照圖7(a))不同的信號線15連接在數(shù)據(jù)記錄器16來構(gòu)成電路。
以下，參照圖8(a)及(b)對這樣做的理由加以說明。
圖8(a)及(b)表示在等待對半導(dǎo)體襯底4進行研磨的期間(以下，標為等待研磨時A1、A2)、及對半導(dǎo)體襯底4進行研磨的期間(以下，標為處理研磨時B1、B2)的壓力值的波形的時間變化。具體地說，圖8(a)表示在使用控制信號線14的圖7(a)所示的電路中監(jiān)測壓力值時的圖，圖8(b)表示在使用信號線15的圖7(b)所示的電路中監(jiān)測壓力值時的圖。
對圖8(a)及圖8(b)中的壓力值進行比較，在處理研磨時B1中的壓力值、及在處理研磨時B2中的壓力值相同，均為范圍4.3～4.4(PSi)內(nèi)的值，而在等待研磨時A1中的壓力值為1.0～3.0(PSi)，在等待研磨時A2中的壓力值為范圍0.4～0.5(PSi)內(nèi)的值，由此得出，在等待研磨時A1中的壓力值比在等待研磨時A2中的壓力值大兩倍以上。這是因為如圖7(a)所示，由于使用了控制信號線14，產(chǎn)生了測定端的接觸不良受到了噪音的影響之故。也就是說，由于為從圖8(a)所示的處理研磨時B1中的壓力值減去等待研磨時A1中的壓力值的值的實際壓力值，為用同樣的方法得到的圖8(b)所示的實際壓力值的30～75％的壓力值，因此很明顯利用設(shè)置控制信號線14的電路進行壓力值的監(jiān)測，會招致研磨速度的下降，發(fā)生研磨異常。所以，由于在監(jiān)測壓力值等時，如圖7(b)所示，將與從第1放大器12出來的控制信號線14不同的信號線15連接在數(shù)據(jù)記錄器16上，因此即使在測定時發(fā)生接觸不良的現(xiàn)象，也能夠在對研磨處理沒有影響的情況下監(jiān)測壓力值。
其次，對圖7(b)中的反饋電路加以說明。
數(shù)據(jù)記錄器16，將通過信號線15輸入的、表示由測力器7檢測出的實際壓力值的數(shù)據(jù)自動地傳送到數(shù)據(jù)存儲部17。然后，在數(shù)據(jù)處理部18中，進行有關(guān)實際壓力值的統(tǒng)計處理。之后，在數(shù)據(jù)判斷部19中，通過將進行統(tǒng)計處理的數(shù)據(jù)、和表示預(yù)先設(shè)定的實際壓力值的標準值的數(shù)據(jù)進行對照，來進行正?；蛘弋惓５呐袛?，且將該判斷結(jié)果傳送到主計算機11。另外，雖然也能夠用既存的裝置結(jié)構(gòu)實現(xiàn)實際壓力值是否正常的判斷功能，但這樣做的話，由于判斷功能、計算處理、及設(shè)定值的指示等均由主計算機11進行，有可能會產(chǎn)生裝置的各個動作中的誤動作、設(shè)定值的指示的誤動作、或者判斷出錯的現(xiàn)象，并且難以實現(xiàn)迅速的判斷。因此，在本實施例中，認為有必要設(shè)置專門用于判斷功能的數(shù)據(jù)處理部18、數(shù)據(jù)存儲部17及數(shù)據(jù)的判斷部19，設(shè)置圖7(b)所示的結(jié)構(gòu)的電路。
具體地說，若用在所述圖3中所示的例子進行說明的話，在數(shù)據(jù)判斷部19中，通過將預(yù)先設(shè)定的實際壓力值D3的標準值(3.45～4.20(PSi))與從數(shù)據(jù)處理部18獲得的實際壓力值D3進行對照，檢測出所獲得的實際壓力值D3是否正常。其次，將數(shù)據(jù)判斷部19中的判斷結(jié)果傳送到主計算機11。并且，為了反映該判斷結(jié)果，將其反饋到測定器7。
如上所述，通過用實時檢測出隨時間變化的實際壓力值，并將恰當?shù)膶嶋H壓力值反饋，由于能夠?qū)嶋H壓力值進行嚴密地控制，因此能夠使被研磨膜的膜厚保持一定。所以，能夠防止研磨量的不均勻，實現(xiàn)高精度的研磨。
權(quán)利要求
1.一種研磨裝置的管理方法，其包括檢測施加在為被研磨對象的晶片上的壓力的壓力檢測器，其特征在于包括將在等待研磨所述晶片的第1時間由所述壓力檢測器檢測出的第1壓力值、和在進行所述晶片研磨的第2時間由所述壓力檢測器檢測出的第2壓力值的差值計算出來，作為在所述第2時間實際施加在所述晶片上的實際壓力值的步驟；以及監(jiān)測所述實際壓力值的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的研磨裝置的管理方法，其特征在于所述監(jiān)測實際壓力值的步驟，包括根據(jù)所述實際壓力值算出所述晶片的研磨速度，且監(jiān)測算出的所述研磨速度的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求第2項所述的研磨裝置的管理方法，其特征在于所述監(jiān)測實際壓力值的步驟，包括根據(jù)所述研磨速度和所述第2時間算出所述晶片的研磨量，且監(jiān)測用研磨所述晶片前的膜厚減去所算出的所述晶片的研磨量而求得的研磨所述晶片后的殘留膜厚的值的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的研磨裝置的管理方法，其特征在于所述監(jiān)測實際壓力值的步驟，包括當所述實際壓力值不在所希望的值的范圍內(nèi)時，檢測出在該研磨裝置發(fā)生了異常的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求第4項所述的研磨裝置的管理方法，其特征在于所述監(jiān)測實際壓力值的步驟，包括當檢測出發(fā)生所述異常時，發(fā)出警告的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求第4項所述的研磨裝置的管理方法，其特征在于所述監(jiān)測實際壓力值的步驟，包括當檢測出發(fā)生所述異常時，以測力器作為所述壓力檢測器，進行原點校正的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求第5項所述的研磨裝置的管理方法，其特征在于所述監(jiān)測實際壓力值的步驟，包括一旦發(fā)出所述警告，就停止該研磨裝置的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種研磨裝置的管理方法。本發(fā)明的目的在于提供一種管理研磨裝置的方法，使其能夠減少在晶片之間產(chǎn)生的研磨量的不均勻，進行高精度地研磨。具備檢測施加在為被研磨對象的晶片上的壓力的壓力檢測器的研磨裝置的管理方法，包括將在等待晶片的研磨的第1時間由壓力檢測器檢測出的第1壓力值、和在進行晶片的研磨的第2時間由壓力檢測器檢測出的第2壓力值的差值計算出來，作為在第2時間實際施加在晶片上的實際壓力值的步驟；以及監(jiān)測實際壓力值的步驟。
文檔編號B24B49/16GK1577759SQ200410063679
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月15日
發(fā)明者宮坂幸太郎, 今井伸一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社