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蒸發(fā)物體涂層材料的裝置的制作方法

文檔序號:3249414閱讀:162來源:國知局
專利名稱:蒸發(fā)物體涂層材料的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及通過物理方法使用低壓電弧蒸發(fā)物體涂層材料的裝置,這樣的裝置配備有磁場源和電弧的陽極和陰極。
背景技術(shù)
使用物理方法用于硬涂層沉淀,即物理汽相淀積(PVD)的各種裝置是公知的。
使用低壓電弧用于粒子的蒸發(fā)的技術(shù)是公知的,這些粒子在氣體環(huán)境下在待被涂覆的襯底/物體上建立涂層。產(chǎn)生的涂層可以是TiN型。在這樣的情況下,大量涂層通過使用低壓電弧蒸發(fā)從例如由鈦制成的金屬目標(biāo)的表面去除。
在使用dc低壓電弧作為材料蒸發(fā)的源的情況下,電弧的燃燒可能是無法控制的,或者它能夠通過磁場被控制。在這兩種情況下,材料的蒸發(fā)發(fā)生在陰極點的位置,該陰極點移動經(jīng)過該低壓電弧的陰極表面。在陰極點的區(qū)域中建立微型槽,達(dá)到1000℃的標(biāo)準(zhǔn)溫度。在微型槽的區(qū)域中可以看見陰極材料的強(qiáng)烈蒸發(fā)和分離。蒸發(fā)的材料以原子或分子的形式沉積在待被涂覆的物體的表面,同時材料的分離部分以大粒子的形式沉積。大量的大粒子發(fā)生在應(yīng)用未控制的低壓電弧的情況下,這樣的解決方法被描述在例如Otdelnyj ottisk,Kiev-1070的Tom24,No4,Ukrainskii fiziceskii zurnal的文章Pokrytiapolucennye kondenzaciei plazmennykh potokov v vakuume中。
此種解決方案的缺點尤其在于大粒子消弱了涂層的物理和化學(xué)特性。
參見例如WO 85/03954和US 4,637,477,在電弧由磁場控制的情況下,陰極點的運動能夠被充分地加速。這造成陰極點的區(qū)域中微型槽的直徑降低并使產(chǎn)生的大粒子的數(shù)量降低。電弧特別在高磁場強(qiáng)度的區(qū)域中移動,即在與磁場的磁力線垂直的方向上移動。由于這一原因,在電極表面上會產(chǎn)生具有更明顯的腐蝕的區(qū)域。在其腐蝕區(qū)域中的電極,即陰極的厚度降低的過程中,電弧運動的區(qū)域達(dá)到磁場源,其導(dǎo)致在該給定區(qū)域中的磁場強(qiáng)度的增長。因此,陰極點的運動越來越多地聚集在一受限制的區(qū)域中,直到電弧將打斷一個單個軌跡。這將相當(dāng)大地降低陰極的壽命。
打斷電弧的問題部分地可以通過使用多個磁場源來控制電弧運動的技術(shù),比如電磁線圈來解決,參見公開的國際申請WO95/06954的例子。移動最高強(qiáng)度的磁場區(qū)域會造成陰極表面的更均勻的腐蝕。
該目的能夠通過例如在不同位置的兩個電磁線圈來滿足。通過改變當(dāng)前應(yīng)用于單個線圈的強(qiáng)度,電極表面的最大磁場強(qiáng)度的位置能夠被改變。該技術(shù)的一個缺點是磁場運動不能在整個陰極表面被足夠均勻地控制,因此只會延遲電極不規(guī)則磨損的時刻。因此,只有電極材料的有限的部分能夠被利用來沉淀涂層。
另一個已知技術(shù)在于一相當(dāng)小的永久磁鐵或在該電極,即低壓電弧的陰極后面的電磁鐵的機(jī)械運動,如在國際申請WO85/03954中公開的那樣。該技術(shù)的缺點是只有小部分電極表面由磁場覆蓋。在低壓電弧中的電流較高的情況下,該電弧能夠向下穿透到具有低磁場強(qiáng)度的區(qū)域,這再次提高了大粒子的數(shù)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是創(chuàng)建一種允許更好地充分利用蒸發(fā)電極材料,同時保持襯底上的涂層質(zhì)量的解決方案,尤其通過產(chǎn)生非常少量的大粒子來實現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的解決方案可除去現(xiàn)有解決方案的缺點,本解決方案的精髓在于至少一個陰極和至少一個磁場源在涂層腔中關(guān)于彼此在樞軸上旋轉(zhuǎn)。
磁場源包括至少一個磁性線圈或至少一個永久磁鐵也是本發(fā)明的基本。
在優(yōu)選實施例中該陰極是圓柱形的。
對于陰極表面上的陰極點的有效和規(guī)則運動,有實際上另一個實施例,其中磁場源位于該旋轉(zhuǎn)陰極內(nèi),磁場源被安排為是固定的。
考慮到設(shè)計的簡化,最好使提供在陰極內(nèi)部的磁場源繞軸旋轉(zhuǎn),使陰極固定。
在蒸發(fā)裝置位于該腔的中心的情況下,將陽極放置為接近于陰極,大約與提供在陰極內(nèi)部的磁場源相對很重要。
在蒸發(fā)裝置位于該腔的中心的情況下,為了有可能蒸發(fā)多種材料,最好對稱的排列兩個陰極與陽極相對。
根據(jù)本發(fā)明,為了容易地處理待被涂覆的物體,最好將蒸發(fā)設(shè)備放在沉淀腔的壁上,即將陰極離心地提供在涂層腔的壁和將被涂覆的物體之間。
最好將磁場源直接指向涂層腔的中心。
如果蒸發(fā)裝置已經(jīng)被離心地排列在涂層腔的壁上,最好將陽極分為排列在陰極側(cè)的至少兩個部分。這允許至少兩個陰極被提供在陽極的單個部分之間。
根據(jù)本發(fā)明的解決方案的優(yōu)勢在于磁場關(guān)于被蒸發(fā)的陰極表面的均勻機(jī)械運動會大大地延長陰極的壽命。
另一個優(yōu)勢在于圓柱形的中空陰極具有比占用涂層腔中同樣空間的平面電極大得多的表面積。這在需要同時蒸發(fā)兩種材料和需要生長層在被沉淀的層的各個位置具有非常規(guī)則的組成的情況下尤其有好處。這需要陰極的直徑盡可能的小。
另一個優(yōu)勢在于磁場源的長度近似等于中空陰極的長度。磁場相當(dāng)大的情況可防止電弧擴(kuò)展到具有低磁場強(qiáng)度的位置,盡管能夠獲得高的低壓電流值。即使在高速度生長涂層的條件下,這也能夠產(chǎn)生可接受的少量的大粒子。
再一個優(yōu)勢在于由更強(qiáng)的源簡單替換磁場源和由用于磁控管粉碎(magnetron pulverisation)的源替換低壓電弧源使該裝置也能夠在磁控管粉末涂層的模式下操作。


本發(fā)明的進(jìn)一步的優(yōu)勢和特點將在通過隨后的基于附圖的說明中進(jìn)行描述,其中圖1示出了本發(fā)明第一實施例的概略的正視圖;圖2是第一實施例的局部的概略的設(shè)計圖;圖3是第二實施例的概略的正視圖;圖4第二實施例局部的示意性設(shè)計圖;圖5是第三實施例的概略的正視圖;圖6是第三實施例的局部的示意性設(shè)計圖;圖7是第四實施例的概略的正視圖;以及圖8是第四實施例的局部的示意性設(shè)計圖。
具體實施例方式
各實施例的描述對相同的部分,或有可能以相同的方式執(zhí)行的部分提供有相同的附圖標(biāo)記。在一些情況下,重復(fù)使用的相同部分有帶有不同的附加字母的相同的附圖標(biāo)記。
例1涂層腔1(圖1)的中心裝有根據(jù)本發(fā)明的用于蒸發(fā)材料的裝置,在進(jìn)一步的描述中稱為蒸發(fā)裝置。涂層腔1提供有用于氣體排出的出口1a。蒸發(fā)裝置的基礎(chǔ)部件是低壓電弧的陰極2a和2b,低壓電弧的陽極3和磁場源4a和4b(圖1和圖2)。陰極2a和2b是圓柱形的,即它們具有圓柱形或類似的形狀,它們是中空的并且至少它們的外表面由適于通過對涂層施加低壓電弧的方法蒸發(fā)的材料制成,涂層由物理蒸汽沉淀方法產(chǎn)生,比如鈦或鋁。陰極2a和2b在它們的軸承部件2c和2d上繞軸旋轉(zhuǎn),其中未示出軸承。陰極2a和2b的軸承部件2c和2d提供有皮帶輪5a和5b,它們與一未示出的驅(qū)動裝置連接。陰極2a和2b在它們的內(nèi)部提供有磁場源4a和4b,它們由極靴6a和6b和一起組成一個電磁體的電磁線圈7a和7b產(chǎn)生。極靴6a和6b由軟磁性材料制成,它們通過電磁線圈7a和7b連接并由載體8a和8b剛性固定在一未示出的框中,從而允許極靴6a和6b指向涂層腔1的中心。近似在涂層腔1的中心,在第一陰極2a和第二陰極2b之間,固定放置有低壓電弧的陽極3。
未描述的電磁線圈7a和7b的電流連接穿過載體8a和8b。陰極2a和2b通過來自涂層腔1的絕緣體9被電分離。低壓電弧源10a和10b被插入到陽極3和陰極2a、2b之間。電流通過未示出的電流總線帶到陰極2a和2b。陰極2a和2b都通過未示出的公知的冷卻系統(tǒng)被水冷卻。
根據(jù)實施例,蒸發(fā)裝置的部分的基礎(chǔ)尺寸如下陰極2a、2b的外徑是80mm,陰極的內(nèi)徑是60mm,陰極2a和2b的高度是300mm,陰極2a、2b之間的距離是50mm,水冷的電磁線圈7a和7b的特征在于100個螺紋和最大電流20A,電磁線圈7a和7b的總高度是250mm,并且陰極2a和2b距離襯底的距離是150mm。
在電弧由未示出的點火器點火后,其中,點火器連接到例如涂層腔1的底部或壁上,電弧在垂直于磁場的磁力線的最強(qiáng)的磁場區(qū)域內(nèi)沿著電磁體的磁極之間的延長的軌線11移動,軌線11指向涂層腔1的中心。這造成在陰極2a和2b的規(guī)則旋轉(zhuǎn)期間,在材料正從其上被蒸發(fā)的陰極2a和2b上的區(qū)域的逐步的變化。由于陰極2a和2b的規(guī)則的機(jī)械運動,陰極點能夠規(guī)則地行進(jìn)并且材料從陰極2a和2b的除去幾乎在它們的整個表面上都是均勻的。蒸發(fā)的粒子沿方向12(圖2)移動到未示出的在位于區(qū)域13內(nèi)的將被涂覆的襯底/物體。如圖1所示,來自dc源14的負(fù)電壓被施加至待被涂覆的物體,正電極與涂層腔1相連接。
例2未示出的涂層腔提供有通過凸緣16連接到腔體的門15(圖3和4)。門15位于未示出的涂層腔壁中,與后者導(dǎo)電的連接并與它建立封閉的空間。門15安裝有蒸發(fā)裝置。蒸發(fā)裝置的基本部件是低壓電弧的陰極2a和2b,低壓電弧的陽極3和磁場源4a和4b。陰極2a和2b與例1同樣地繞軸旋轉(zhuǎn),它們的旋轉(zhuǎn)運動由皮帶輪5a和5b驅(qū)動。陰極2a和2b在它們的內(nèi)部提供磁場源4a和4b,磁場由極靴6a和6b和電磁線圈7a和7b建立。極靴6a和6b由軟磁性材料制成,它們與例1中類似由電磁線圈7a和7b固定并由載體8a和8b剛性固定,從而可使極靴6a和6b被指向涂層腔1的中心。未示出的電磁線圈的電流連接穿過載體8a和8b。陰極2a和2b由涂層腔的絕緣體9電分離。低壓電弧的源10a和10b插在與門15導(dǎo)電連接的陽極3和陰極2a、2b之間。在由三部分組成的本例中陽極3有多個。電流通過未示出的電流總線被帶到陰極2a和2b。陰極2a和2b通過未示出的已知的冷卻系統(tǒng)被水冷卻。
根據(jù)實施例2,蒸發(fā)裝置的各部分的基本尺寸如下陰極2a、2b的外徑是80mm,陰極的內(nèi)徑是60mm,陰極2a和2b的高度是300mm,陰極2a、2b之間的距離是50mm,水冷電磁線圈7a和7b的特征在于100個螺紋和最大電流20A,電磁線圈7a和7b的總高度是250mm,并且陰極2a和2b距離襯底的距離是150mm。因此,它們與例1相同。
在電弧由未示出的點火器點火后,其中,點火器連接到例如門15的底部,電弧在垂直于磁場的磁力線的最強(qiáng)的磁場區(qū)域內(nèi)沿著軌線11移動。因此在陰極2a和2b的旋轉(zhuǎn)期間,材料被從其上蒸發(fā)的陰極2a和2b上的區(qū)域逐步改變。由于陰極2a和2b的規(guī)則的機(jī)械運動,陰極點才能夠規(guī)則地行進(jìn)并且從陰極2a和2b的材料除去幾乎在它們的整個表面上都是均勻的。蒸發(fā)的粒子沿方向12移動到未示出的襯底。
例3門15(圖5和6),與例2中類似地放在一未示出的涂層腔的壁上,并與其導(dǎo)電連接,該門提供蒸發(fā)裝置。蒸發(fā)裝置的基本部件是低壓電弧的陰極2,低壓電弧的陽極3和磁場源4。陰極2是圓柱形和固定的,但是,它被可調(diào)整地或可移動地排列,從而可通過例如人工設(shè)定僅可被轉(zhuǎn)動或被轉(zhuǎn)動和調(diào)整。該排列允許由120°增量調(diào)整到三個位置。陽極3是固定的。
陰極2在其內(nèi)部安裝有磁場源4,其由軟磁性材料制成的極靴6和固定地與之連接的電磁線圈7構(gòu)成。該系統(tǒng),即磁場的整個源4,在陰極2內(nèi)部繞軸旋轉(zhuǎn)或具有通過安裝在載體8上的皮帶輪5繞陰極2的軸旋轉(zhuǎn)的可能性,其中載體8可旋轉(zhuǎn)地支撐在一未示出的框中。旋轉(zhuǎn)的角度必須允許在中心位置的兩側(cè)至少30°。通常磁場源4被指向涂層腔的中心。未示出的用于電磁線圈7的電源線通過載體8。陰極2由絕緣體9與涂層腔的門15電分離。低壓源10被插入到與門15導(dǎo)電連接的陽極3和陰極2之間。陰極2與前面的例子相同地被水冷。陰極和陽極的相關(guān)排列使陽極3被分為兩個部分,陰極2被提供在它們之間。可將多個陰極2排列在陽極3的這兩部分之間,或更普通的是至少兩個陰極2能夠被彼此靠近排列。
蒸發(fā)裝置的部件的基本尺寸與例1和例2中的相同。
在電弧由未示出的點火器點火后,點火器例如連接到門的底部,電弧在垂直于磁場的磁力線的最強(qiáng)的磁場區(qū)域內(nèi)沿著軌線11移動。通過從中心位置旋轉(zhuǎn)磁場源4到兩側(cè)30°,相應(yīng)地,陰極2的表面上的區(qū)域逐漸地變化,陰極2的材料從其表面蒸發(fā)。陰極已經(jīng)在給定位置磨損后,比如在30°處理后,陰極能夠被重新調(diào)整或人工設(shè)置到下一個位置。最好以120°的步長將其逐漸地重置到三個位置??梢岳斫庖粋€處理是在一批將被涂覆的物體上沉淀全部涂層的操作。顯然,根據(jù)操作條件,陰極2能夠只在處理之間被重新調(diào)整。
由于磁場的規(guī)則運動,陰極點才能夠均勻地運行并且材料從陰極2的去在陰極的給定位置上除幾乎都是均勻的,該磁場的規(guī)則運動是由磁場源4的規(guī)則的遞增的轉(zhuǎn)動產(chǎn)生的。蒸發(fā)的粒子沿方向12上移動到一未示出的襯底。
例4涂層腔1的中心裝有一蒸發(fā)部件,其具有很多部件,這些部件的排列與根據(jù)例1的實施例的類似。蒸發(fā)裝置的基礎(chǔ)部件是低壓電弧的電極2a和2b和磁場源4a和4b。電極2a和2b是圓柱形的,即它們具有圓柱形或相似的形狀,它們是中空的,并且至少它們的外表面由適于通過對涂層施加低壓電弧的方法蒸發(fā)的材料制成,涂層由物理汽相沉淀法(PVD)產(chǎn)生,比如鈦或鋁。電極2a和2b在它們的軸承部件2c和2d上旋轉(zhuǎn),其使用未示出的軸承。電極2a和2b的軸承部件2c和2d具有皮帶輪5a和5b,它們與一未示出的驅(qū)動裝置連接。陰極2a和2b在它們的內(nèi)部提供磁場源4a和4b,它們由極靴6a和6b和電磁線圈7a和7b產(chǎn)生。極靴6a和6b由軟磁性材料制成,其與電磁線圈7a和7b穩(wěn)固地連接并由載體8a和8b剛性固定在一未示出的框中,從而使極靴6a和6b能夠被指向涂層腔1的中心。用于電磁線圈7a和7b的未示出的電源線穿過載體8a和8b。通過絕緣體9電極2a和2b與涂層腔1電分離。低壓電弧的另外的電源10插入在電極2a和2b之間。
電極2a和2b從未示出的電流總線得到電源。電極2a和2b都通過未示出的已知的冷卻系統(tǒng)被水冷。
根據(jù)實施例蒸發(fā)裝置的各部分的基本尺寸如下電極2a、2b的外徑是80mm,電極的內(nèi)徑是60mm,電極2a和2b的高度是300mm,電極2a、2b之間的距離是50mm,水冷的電磁線圈7a和7b有100個螺紋且最大電流為20A,電磁線圈7a和7b的總高度是250mm,并且電極2a和2b距離襯底的距離是150mm。
低壓電弧的源10是交流的,即電極2a和2b在交變電壓下,例如具有2秒的脈沖周期。低壓電弧的脈沖形狀近似是矩形的。在每個脈沖周期的第一部分T1期間,第一電極2a作為低壓電弧的陰極而第二電極2b作為它的陽極來操作。在脈沖周期的第二部分T2期間,第二電極2b是低壓電弧的陰極而第一電極2a是陽極。T1/T2之比可被用于改變該層的化學(xué)計算。
實施例的描述幫助我們更好地理解以下事實至少一個陰極2a、2b、2和至少一個磁場源4a、4b、4被安排在涂層腔1中,從而關(guān)于彼此旋轉(zhuǎn)。具有相同排列,即能夠彼此旋轉(zhuǎn)的另外的陰極和磁場源也可提供在該涂層腔中。
蒸發(fā)材料的陰極2a、2b、2是近似圓柱形的中空電極。它通常被垂直放置并且它的長度大大地超過它的直徑。該電極能夠繞它的軸旋轉(zhuǎn),磁場源4a、4b、4是固定的或可能地,提供在陰極2a、2b、2中的磁場源4a、4b、4能夠繞固定的中空陰極2a、2b、2轉(zhuǎn)動或遞增地轉(zhuǎn)動。磁場源4a、4b、4的長度近似等于陰極2a、2b、2的長度。
包括陰極2a、2b、2,陽極3和磁場源4a、4b、4的蒸發(fā)裝置可被提供在涂層腔1的中心或接近于涂層腔1的壁,即在涂層腔1的壁和待被涂覆的物體之間。
如果蒸發(fā)裝置位于涂層腔1的中心,在最簡單的情況下它可包括一個陰極,一個陽極和一個磁場源。陽極3被排列為近似地與磁場源4a、4b相對。陰極能夠被旋轉(zhuǎn)并且在根據(jù)本發(fā)明的裝置操作期間它旋轉(zhuǎn);在這樣的情況下磁場源是固定的并且永久地指向陽極。如果在處理期間陰極2是固定的,則具有一個可移動的磁場源4a、4b是必不可少的。一個優(yōu)選的解決方案包括在從兩側(cè)到中心位置的30°的范圍內(nèi)繞軸來回旋轉(zhuǎn)運動。在這樣的情況下,磁場源的中心位置指向陽極。因為電弧只在電極的一部分上燃燒,在處理期間陰極2是固定的情況下,這樣的陰極2能夠在處理之間被轉(zhuǎn)動。最好在陰極的某種磨損能夠在給定位置產(chǎn)生的情況下使其旋轉(zhuǎn)某一增量。最好排列蒸發(fā)裝置從而允許陰極可至少在兩個不同位置固定;最好確保在每個之間的步長為120°的三個位置可調(diào)整的可能性。排列在多個位置是可能的。如果蒸發(fā)裝置位于涂層腔的中心,這樣的源也可包括多個陰極。最適宜的是兩個陰極2a,2b,在這種情況下,最好使它們關(guān)于陽極3對稱。磁場源4a、4b的位置和電極或磁場源4a、4b的可能地旋轉(zhuǎn)與在一個陰極的情況相同。將被涂覆的襯底/物體位于蒸發(fā)裝置的周圍。
在本發(fā)明的所有實施例中,電磁線圈能夠由公知的具有與所述的電磁線圈的磁靴相同的磁場取向的永久磁鐵代替。也有可能合并電磁線圈和永久磁鐵。
如果蒸發(fā)裝置位于涂層腔的壁附近,或者可能在涂層腔的門中,在最簡單的情況下,它能夠包括一個陽極3,一個陰極2和磁場源。在這樣的情況下,陽極包括兩部分,它們對稱地連接到陰極2的兩側(cè),從而在陰極2和將被涂覆的物體之間留出空間,該物體位于涂層腔的中心和陰極2的中間。磁場指向腔的中心。陰極2能夠旋轉(zhuǎn),即在根據(jù)本發(fā)明的裝置的操作期間,它執(zhí)行旋轉(zhuǎn)運動,在這種情況下,磁場源4是固定的。在操作期間陽極和陰極均為固定的情況下,磁場源44必須運動。最佳運動是繞軸的來回旋轉(zhuǎn)的運動,比如在從中心位置到兩側(cè)的30°范圍內(nèi)。因為電弧只在電極的一部分燃燒,所以有可能在處理之間轉(zhuǎn)動陰極2,它在處理期間是固定的。如果在一現(xiàn)存位置被磨損,則遞增地轉(zhuǎn)動陰極2是有利的。排列蒸發(fā)裝置從而允許陰極2以120°的步長固定在三個位置是適當(dāng)?shù)?。如果蒸發(fā)裝置被提供在涂層腔的壁上,多個陰極可彼此相鄰地放置。陽極可以被安裝在這些陰極之間,但是這不是不可缺少的。低壓電弧的陽極或陰極能夠在原則上與涂層腔電連接,但這不是強(qiáng)制的。
在各個例子中描述的蒸發(fā)裝置可表示一個蒸發(fā)裝置單元,當(dāng)然,也可將多個這樣的裝置排列在涂層腔中,或者有可能環(huán)繞著涂層腔的周圍。
其他的解決方案有可能允許兩個電極彼此相對放置,或者可能彼此相鄰,在應(yīng)用低壓電弧交流電源的情況下,所述電極交替作為陰極和陽極。
工業(yè)應(yīng)用性根據(jù)本發(fā)明的裝置旨在通過低壓電弧從金屬目標(biāo)上的蒸發(fā)材料,并且是通過物理汽相蒸發(fā)方法PVD用于涂覆金屬和非金屬物體的單元的一部分。本發(fā)明尤其可用于提供具有硬的和非常硬的涂層的機(jī)械工具。
用更強(qiáng)的一個磁場源代替該磁場源和由用于磁電管粉碎的源代替低壓電弧源使根據(jù)本發(fā)明的裝置也能夠操作在待被涂覆的物體的磁電管粉末涂層的模式下。
權(quán)利要求
1.通過物理方法使用低壓電弧蒸發(fā)用于物體涂層的材料的裝置,此種裝置配有一個磁場源和電弧的一個陽極和一個陰極,其特征在于至少一個陰極(2a,2b,2)和至少一個磁場源(4a,4b,4)可在一涂層腔(1)中關(guān)于彼此繞樞軸旋轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,其特征在于該磁場源(4a,4b,4)包括至少一個磁性線圈(7a,7b,7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,其特征在于該磁場源(4a,4b,4)包括至少一個永久磁鐵。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3的裝置,其特征在于陰極(2a,2b,2)是圓柱形的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3的裝置,其特征在于磁場源(4a,4b,4)安裝在陰極(2a,2b,2)內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一個的裝置,其特征在于陰極(2a,2b,2)被排列為能夠繞軸旋轉(zhuǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的裝置,其特征在于磁場源(4a,4b,4)被排列為固定的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一個的裝置,其特征在于磁場源(4a,4b,4)被安排為能夠繞軸旋轉(zhuǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的裝置,其特征在于陰極(2a,2b,2)被排列為固定的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一個的裝置,其特征在于陰極(2a,2b,2)被排列在涂層腔(1)的中心區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的裝置,其特征在于陽極(3)被連接到磁場源(4a,4b,4)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的裝置,其特征在于至少兩個陰極(2a,2b,2)被對稱于陽極(3)排列。
13.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一個的裝置,其特征在于陰極被提供在涂層腔(1)壁和待被涂覆的物體之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或13的裝置,其特征在于磁場源(4a,4b,4)指向涂層腔(1)的中心。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的裝置,其特征在于陽極(3)被分成至少兩部分,這兩部分位于陰極(2a,2b,2)的兩側(cè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的裝置,其特征在于陽極(3)的單個部分之間提供有至少兩個陰極(2,2a,2b)。
全文摘要
通過物理方法(PVD)使用低壓電弧蒸發(fā)物體涂層的材料的裝置,此裝置配有一個磁場源(4a,4b,4)和電弧的一個陽極(3)和一個陰極(2a,2b,2)。至少一個陰極(2a,2b,2)和至少一個磁場源(4a,4b,4)可在涂層腔(1)中旋轉(zhuǎn)。
文檔編號C23C14/35GK1404620SQ01805258
公開日2003年3月19日 申請日期2001年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月18日
發(fā)明者帕維爾·霍盧巴日, 幕伊米爾·伊列克 申請人:Shm公司
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