電池。所得電池的V。。 為0.33￥，1。為33.1811^/〇11 2，填充因子為41.53%并且效率為4.49%。
[0234] 〈實施例 37>
[0235] 制誥薄臘太陽能電池
[0236] 使CdS緩沖層沉積在根據(jù)實施例31獲得的Cl (G) S薄膜上，然后使ZnO和AlZnO 相繼沉積在其上。然后，使用電子束將Al電極布置在沉積膜上，得到電池。所得電池的V。。 為0.37￥，上。為28.2311^/〇112，填充因子為40.57%并且效率為4.28%。
[0237] 〈實施例 38>
[0238] 制誥薄臘太陽能電池
[0239] 使CdS緩沖層沉積在根據(jù)實施例32獲得的Cl (G) S薄膜上，然后使ZnO和AlZnO 相繼沉積在其上。之后，使用電子束將Al電極布置在沉積膜上，得到電池。所得電池的V。。 為0.26￥，上。為32.8511^/〇11 2，填充因子為34.54%并且效率為2.95%。
[0240] 〈實施例 39>
[0241] 制誥薄臘太陽能電池
[0242] 使CdS緩沖層沉積在根據(jù)實施例33獲得的Cl (G) S薄膜上，然后使ZnO和AlZnO 相繼沉積在其上。之后，使用電子束將Al電極布置在沉積膜上，得到電池。所得電池的V。。 為0.23￥，上。為31.9711^/〇11 2，填充因子為30.96%并且效率為2.27%。
[0243] 〈比較例7>
[0244] 制誥薄臘太陽能電池
[0245] 使CdS緩沖層沉積在根據(jù)比較例6獲得的Cl (G) S薄膜上，然后使ZnO和AlZnO相 繼沉積在其上。之后，使用電子束將Al電極布置在沉積膜上，得到電池。所得電池的V。。為 0.13￥，上。為19.9411^/〇11 2，填充因子為30.64%并且效率為0.79%。
[0246] 〈實驗實施例1>
[0247] 測量根據(jù)實施例35至39和比較例7制造的Cl (G) S基薄膜太陽能電池的光電效 率。結果匯總于下表1中。
[0248] [表 1]
[0249]
【主權項】
1. 一種用于制造光吸收層的墨組合物，其包含分散在溶劑中的富銅（Cu)的Cu-In雙金 屬性金屬納米顆粒和含S或Se的第IIIA族金屬顆粒。
2. 根據(jù)權利要求1所述的墨組合物，其中所述富銅（Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆 粒是選自以下的至少一者：CunIn 9、Cu16In4、Cu2In、Cu7InjP Cu 4In。
3. 根據(jù)權利要求2所述的墨組合物，其中所述富銅（Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆 粒是Cu2In。
4. 根據(jù)權利要求1所述的墨組合物，其中所述含S或Se的第IIIA族金屬顆粒由下式 1表示： (InxGah)m(SySehy)n (1) 其中0彡x彡1，0彡y彡1并且0 < (n/m)彡10。
5. 根據(jù)權利要求4所述的墨組合物，其中式1中S和Se的量相對于In和Ga的量之比 (n/m)為 0? 5 < (n/m) < 3。
6. 根據(jù)權利要求4所述的墨組合物，其中所述含S或Se的第IIIA族金屬顆粒是選自以 下的至少一種化合物：InS、InSe、In 4S3、In4Se3、In2S 3、In2Se3、GaS、GaSe、Ga2S3、Ga 2Se3、（In， Ga)S、（In，Ga)Se、（In，Ga)2Se 3和（In，Ga) 2S3。
7. 根據(jù)權利要求1所述的墨組合物，其中所述富銅（Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆 粒與所述含S或Se的第IIIA族金屬顆粒在0. 5 < CuAln+Ga) < 1. 5的范圍中混合。
8. 根據(jù)權利要求1所述的墨組合物，其中所述溶劑是選自以下的至少一種有機溶劑： 烷烴、烯烴、炔烴、芳族化合物、酮、腈、醚、酯、有機鹵化物、醇、胺、硫醇、羧酸、膦、磷酸酯、亞 諷和酰胺。
9. 根據(jù)權利要求1所述的墨組合物，其中所述墨組合物還包含添加劑。
10. 根據(jù)權利要求9所述的墨組合物，其中所述添加劑是選自以下的至少一者： 聚乙稀吡略燒酮（PVP)、聚乙稀醇、Anti-terra 204、Anti-terra 205、乙基纖維素和 DispersBYK110〇
11. 一種制造根據(jù)權利要求1中所限定的富銅（Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆粒的 方法，所述方法包括： (i) 制備包含還原劑的第一溶液； (ii) 制備包含銅（Cu)鹽和銦（In)鹽的第二溶液； (iii) 通過將所述第二溶液逐滴添加到所述第一溶液中制造混合物；以及 (iv) 通過使所述混合物反應合成至少一種富銅（Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆粒， 然后純化所合成的富銅（Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆粒。
12. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述還原劑是有機還原劑和/或無機還原劑。
13. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述還原劑是選自以下的至少一者：LiBH4、 NaBH4、KBH 4、Ca (BH4) 2、Mg (BH4) 2、LiB (Et) 3H、NaBH3 (CN)、NaBH(OAc) 3、抗壞血酸和三乙醇胺。
14. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述第一溶液和所述第二溶液的溶劑是選自以 下的至少一者：水、異丙醇、二甘醇（DEG)、甲醇、乙醇、油胺、乙二醇、三甘醇、二甲亞砜、二 甲基甲酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮。
15. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述鹽是選自以下的至少一者：氯化物、溴化物、 碘化物、硝酸鹽、亞硝酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽、亞硫酸鹽、乙酰丙酮化物和氫氧化物。
16. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述第一溶液和/或第二溶液還包含封端劑。
17. 根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述封端劑是選自以下的至少一者：聚乙烯吡 咯烷酮（PVP)、聚乙烯醇、乙基纖維素、L-酒石酸二鈉二水合物、酒石酸鉀鈉、丙烯酸鈉、聚 (丙烯酸鈉鹽）、檸檬酸鈉、檸檬酸三鈉、檸檬酸二鈉、葡萄糖酸鈉、抗壞血酸鈉、山梨醇、磷 酸三乙酯、乙二胺、丙二胺、1，2-乙二硫醇、乙硫醇、抗壞血酸、檸檬酸、酒石酸、2-巰基乙醇 和2-氨基乙硫醇。
18. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中按摩爾比計，所述混合物中所述鹽與所述還原 劑的混合比為1 : 1至1 : 20。
19. 根據(jù)權利要求16所述的方法，其中按所述第一溶液和第二溶液的混合物中的每摩 爾金屬鹽計，所述第二溶液中所述封端劑的量為20摩爾或更少。
20. 富銅（Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆粒，其通過根據(jù)權利要求11至19中任一 項所述的方法制造。
21. -種制造根據(jù)權利要求1中所限定的含S或Se的第IIIA族金屬顆粒的方法，所述 方法包括： (i) 制備包含還原劑的第一溶液； (ii) 制備包含硫（S)化合物或硒（Se)化合物的第二溶液，以及包含銦（In)鹽、鎵（Ga) 鹽、或者銦（In)鹽和鎵（Ga)鹽的第三溶液； (iii) 使所述第一溶液與所述第二溶液混合以制造混合物；以及 (iv) 使第三溶液與經(jīng)混合的所述混合物混合并反應以合成含S或Se的第IIIA族金屬 顆粒。
22. 根據(jù)權利要求21所述的方法，其中所述還原劑是有機還原劑和/或無機還原劑。
23. 根據(jù)權利要求22所述的方法，其中所述還原劑是選自以下的至少一者：LiBH4、 NaBH4、KBH 4、Ca (BH4) 2、Mg (BH4) 2、LiB (Et) 3H2、NaBH3 (CN)、NaBH (OAc) 3、抗壞血酸和三乙醇胺。
24. -種制造根據(jù)權利要求1中所限定的含S或Se的第IIIA族金屬顆粒的方法，所述 方法包括： (i) 制備包含硫（S)化合物或硒（Se)化合物的第一溶液，以及包含銦（In)鹽、鎵（Ga) 鹽、或者銦（In)鹽和鎵（Ga)鹽的第二溶液；以及 (ii) 使所述第一溶液與所述第二溶液混合并反應以合成含S或Se的第IIIA族金屬顆 粒。
25. 根據(jù)權利要求21或權利要求24所述的制造含S或Se的第IIIA族金屬顆粒 的方法，其中所述硒（Se)化合物是選自以下的至少一者：Se粉，H 2Se、Na2Se、K2Se、CaSe、 (CH3) 2Se、Se02、SeCl4、H2Se0 3、H2Se04、及其水合物，和硒脲。
26. 根據(jù)權利要求21或權利要求24所述的制造含S或Se的第IIIA族金屬顆粒的方 法，其中所述硫（S)化合物是選自以下的至少一者：S粉，H 2S、Na2S、K2S、CaS、（CH3)2S、H 2S04、 及其水合物、硫脲、和硫代乙酰胺。
27. 含S或Se的第IIIA族金屬顆粒，其通過根據(jù)權利要求21或權利要求24所述的方 法制造。
28. -種使用根據(jù)權利要求1所述的用于制造光吸收層的墨組合物制造薄膜的方法， 所述方法包括： (i) 使富銅（Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆粒和含S或Se的第IIIA族金屬顆粒與 洛劑混合以制造墨； (ii) 將所述墨涂布在基底上；以及 (iii) 干燥并隨后熱處理涂布在所述基底上的所述墨。
29. 根據(jù)權利要求28所述的方法，其中所述涂布通過以下工藝進行：濕涂、噴涂、旋涂、 刮刀涂、接觸印刷、頂部進料反轉(zhuǎn)印刷、底部進料反轉(zhuǎn)印刷、噴嘴進料反轉(zhuǎn)印刷、照相凹版印 刷、微型照相凹版印刷、反轉(zhuǎn)微型凹版印刷、輥涂、狹縫模頭涂布、毛細涂布、噴墨印刷、噴射 沉積或噴霧沉積。
30. 根據(jù)權利要求28所述的方法，其中所述熱處理在包含S或Se的氣體氣氛下分別或 相繼進行。
31. 根據(jù)權利要求30所述的方法，其中所述包含S或Se的氣體選自H2S、S蒸氣、H2Se、 Se蒸氣、它們與惰性氣體的混合物。
32. 根據(jù)權利要求28所述的方法，其中步驟（iii)的所述熱處理在400°C至900°C的溫 度下進行。
33. 根據(jù)權利要求28所述的方法，其中在步驟（ii)之后還包括在所述涂布后層積S或 Se〇
34. -種薄膜，其使用根據(jù)權利要求28至33中任一項所述的方法制造。
35. -種太陽能電池，其包括根據(jù)權利要求34所述的薄膜。
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含金屬納米顆粒的用于制造光吸收層的墨組合物以及使用其制造薄膜的方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種用于制造光吸收層的墨組合物以及使用其制造薄膜的方法，其中含S或Se的第IIIA族金屬顆粒和具有過量銅(Cu)的Cu-In雙金屬性金屬納米顆粒分散在溶劑中。
【IPC分類】C09D11-03, H01L31-042
【公開號】CN104662106
【申請?zhí)枴緾N201480001949
【發(fā)明人】尹錫喜, 尹錫炫, 尹泰勛
【申請人】Lg化學株式會社
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2014年7月11日
【公告號】US20150122335, WO2015008975A1