本發(fā)明涉及一種光電技術領域濾光片等元件的加工，具體涉及藍膜切割工藝。

背景技術：

新型的激光切割屬于非接觸式加工，無應力，切邊平直整齊，無損壞；不存在道具磨損問題，不會損傷濾色片結構；切割速度快，切割深度極易控制，可以在維持速度不變的條件下，加大輸出功率來增加切割厚度。濾色片或濾光片在進行切割時需要覆有底膜，現有底膜為uv膜，uv膜在切割加工時需要進行解膠，工藝繁瑣，生產效率較低，且不利于節(jié)約成本。

技術實現要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷，提供一種藍膜切割工藝，該切割工藝中底膜選用藍膜，選用該藍膜的切割工藝無需解膠步驟，節(jié)約成本，生產效率也有所提高。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是：

一種藍膜切割工藝，包括步驟：

（1）在藍色靜電膜正面中部貼附至少一個中片，然后將第一晶圓環(huán)沿藍色靜電膜周緣貼于藍色靜電膜正面，形成片材組件；

（2）將片材組件放入激光切割機中，然后用激光束將中片切割成若干小片；

（3）取出片材組件，并將其放入擴膜機中擴膜；

（4）轉盤，將片材組件置于轉盤平臺上，用第二晶圓環(huán)更換第一晶圓環(huán)，所述第二晶圓環(huán)小于第一晶圓環(huán)的尺寸；

（5）檢驗，將片材組件置于顯微鏡下檢驗；

（6）倒膜，用保護貼膜替換藍色靜電膜。

優(yōu)選的，步驟（3）中擴膜時，擴膜溫度恒定在40-50℃，擴膜結束后降溫至室溫。

優(yōu)選的，步驟（4）中，轉盤后的小片與小片之間的距離大于0.15mm。

優(yōu)選的，步驟（4）中，轉盤后的小片與小片之間的距離為0.15mm---0.175mm。

優(yōu)選的，所述藍色靜電膜至少在正面涂有防靜電硅膠。

優(yōu)選的，所述防靜電硅膠包括以下組份：有機硅粘接劑、丙烯酸類聚合物和抗靜電微粒。

進一步優(yōu)選的，按重量份數計，有機硅粘接劑100份，丙烯酸類聚合物20-30份，抗靜電劑1-5份，進一步優(yōu)選的，有機硅粘接劑為聚二甲基硅氧烷或聚二苯基硅氧烷和硅酸酯樹脂的縮合物。抗靜電微粒為聚噻吩類或金屬類抗靜電微粒，微粒尺寸優(yōu)選為5nm-10μm。更進一步優(yōu)選的，丙烯酸類聚合物由包含甲基丙烯酸甲酯單體和含羥基的單體作為必要單體形成的，且甲基丙烯酸甲酯單體重量占合成丙烯酸類聚合物所有單體重量的10-30%。

優(yōu)選的，所涂有的防靜電硅膠厚度為5-500μm。

優(yōu)選的，步驟（3）中所用擴膜機結構為：

包括：

工作平臺，所述工作平臺上具有能夠相對所述工作平臺升降的擴膜基座；

蓋體，所述蓋體相對所述擴膜基座開合設置，所述蓋體包括蓋本體和子蓋體，所述蓋本體具有相對所述擴膜基座開設的通孔，子蓋體相對所述擴膜基座設置，且子蓋體能穿過所述通孔與所述擴膜基座接觸；

子環(huán)和母環(huán)，子環(huán)設于擴膜基座上，母環(huán)設于子蓋體上，且子環(huán)和母環(huán)接觸時能夠卡合在一起。

優(yōu)選的，所述擴膜基座連有加熱機構和溫度控制機構。

優(yōu)選的，所述子蓋體與所述蓋本體之間沿周向設有若干導向柱，所述子蓋體連有動力裝置。

優(yōu)選的，所述蓋體鉸接于工作平臺，所述蓋體還設有將蓋體固于所述工作平臺上的鎖定機構。

優(yōu)選的，所述擴膜基座、通孔基所述子蓋體均為圓形。

在使用擴膜機擴膜時，步驟（3）包括步驟：

（3-1）在擴膜基座上放置子環(huán)，在子蓋體上放置母環(huán)，然后將藍色靜電膜加熱至40-50℃，恒溫下置于擴膜基座上，藍色靜電膜正面朝上，且第一晶圓環(huán)置于工作平臺上；進一步優(yōu)選的溫度為45℃；

（3-2）合上蓋體，蓋本體壓住第一晶圓環(huán)，上升擴膜基座，此時擴膜基座抵住其上部的藍色靜電膜，使藍色靜電膜擴展，最終帶動小片與小片之間的距離擴大；

（3-3）下降子蓋體，使子蓋體上的母環(huán)與子環(huán)接觸并卡合；

（3-4）打開蓋體，取下帶有子環(huán)和母環(huán)的片材組件，冷卻。冷卻至室溫，能夠進一步保證藍色靜電膜的穩(wěn)定性，避免藍色靜電膜回縮，保證小片之間的間隙，同時也能夠避免切割后的小片在轉移過程中遺落，保證甚至提高粘接力。

本發(fā)明所達到的有益效果：

本發(fā)明的切割工藝較現有工藝提高了生產效率，節(jié)約了人工成本。本發(fā)明使用的藍膜（即藍色靜電膜）不用擔心曝光時間長短，覆膜后膜表面平整，無氣泡、褶皺等，擴膜后間隙穩(wěn)定，不會出現回縮，切割后倒膜不用解膠，避免了殘膠的出現。即使有溫度變化，放置時間超過12h，倒膜和轉盤時也無膠轉移臟污出現。

附圖說明

圖1是擴膜機的結構示意圖；

圖2是片材組件的結構示意圖（切割后，擴膜前）；

圖3是片材組件的結構示意圖（擴膜后）；其中：

1.第一晶圓環(huán)，2.藍膜，3.片材，4.水平基座，5.旋轉臺，6.工作平臺，7.擴膜基座，8.蓋體，81.蓋本體，82.子蓋體，83.鉸鏈，84.導向柱。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。

實施例1

一種藍膜切割工藝，包括步驟：

（1）在藍色靜電膜正面中部貼附四個中片，然后將第一晶圓環(huán)沿藍色靜電膜周緣貼于藍色靜電膜正面，形成片材組件；藍色靜電膜表面涂有防靜電硅膠；

（2）將片材組件放入激光切割機中，然后用激光束將中片切割成若干小片；

（3）取出片材組件，并將其放入擴膜機中擴膜，擴膜溫度恒定在45℃，擴膜結束后降溫至室溫；

（4）轉盤，將片材組件置于轉盤平臺上，用第二晶圓環(huán)更換第一晶圓環(huán)，第二晶圓環(huán)為8寸，第一晶圓環(huán)為10寸；

（5）檢驗，將片材組件置于顯微鏡下檢驗，具體是置于紅光顯微鏡下檢測

（6）倒膜，用保護貼膜替換藍色靜電膜，保護膜厚度小于藍色靜電膜厚度。

實施例2

如圖1所示，一種擴膜機，包括：

工作平臺，工作平臺上具有能夠相對該工作平臺升降的擴膜基座；具體的，擴膜基座連有氣缸等升降機構；

蓋體，蓋體相對擴膜基座開合設置，蓋體包括蓋本體和子蓋體，蓋本體具有相對擴膜基座開設的通孔，子蓋體相對擴膜基座設置，且子蓋體能穿過通孔與擴膜基座接觸；具體的，子蓋體與所述蓋本體之間沿周向設有若干導向柱，子蓋體連有動力裝置，本實施例中該動力裝置為升降氣缸。

子環(huán)和母環(huán)，子環(huán)設于擴膜基座上，母環(huán)設于子蓋體上，且子環(huán)和母環(huán)接觸時能夠卡合在一起。

在擴膜完成之前，子蓋體是位于蓋本體上方的，合上蓋體時，子蓋體是不與擴膜基座基待加工組件接觸的，擴膜完成后，啟動升降氣缸，子蓋體在導向柱配合下朝向待加工組件靠近，最終子蓋體上的母環(huán)與擴膜基座上的子環(huán)卡合，然后打開蓋體，取出加工組件，完成擴膜。

為了便于加工，擴膜基座連有加熱機構和溫度控制機構。

開合式的蓋體可以是這樣的實現方式：蓋體通過鉸鏈鉸接于工作平臺，蓋體還設有將蓋體固于所述工作平臺上的鎖定機構。還可以利用升降裝置帶動蓋體上下開合。

利用上述擴膜機進行藍膜切割工藝，包括步驟：

（1）在藍色靜電膜正面中部貼附四個中片，然后將第一晶圓環(huán)沿藍色靜電膜周緣貼于藍色靜電膜正面，形成片材組件；

（2）將片材組件放入激光切割機中，然后用激光束將中片切割成若干小片；如圖2所示；

（3）取出片材組件，并將其放入擴膜機中擴膜；如圖3所示。擴膜包括以下步驟：

（3-1）在擴膜基座上放置子環(huán)，在子蓋體上放置母環(huán)，然后將藍色靜電膜加熱至45℃，恒溫下置于擴膜基座上，藍色靜電膜正面朝上，且第一晶圓環(huán)置于工作平臺上；

（3-2）合上蓋體，蓋本體壓住第一晶圓環(huán)，上升擴膜基座，此時擴膜基座抵住其上部的藍色靜電膜，使藍色靜電膜擴展，最終帶動小片與小片之間的距離擴大；

（3-3）下降子蓋體，使子蓋體上的母環(huán)與子環(huán)接觸并卡合；

（3-4）打開蓋體，取下帶有子環(huán)和母環(huán)的片材組件，冷卻。冷卻至室溫，能夠進一步保證藍色靜電膜的穩(wěn)定性，避免膜回縮，保證小片之間的間隙，同時也能夠避免切割后的小片在轉移過程中遺落，保證甚至提高粘接力。

擴膜后的小片與小片之間的距離為0.15mm---0.175mm。

（4）轉盤，將片材組件置于轉盤平臺上，用第二晶圓環(huán)更換第一晶圓環(huán)，所述第二晶圓環(huán)小于第一晶圓環(huán)的尺寸；

（5）檢驗，將片材組件置于顯微鏡下檢驗；

（6）倒膜，用保護貼膜替換藍色靜電膜。

本實施例中，藍色靜電膜表面涂有100μm的防靜電硅膠。

該防靜電硅膠包括以下組份：按重量分數計，有機硅粘接劑100份、丙烯酸類聚合物25份，抗靜電微粒1.5份。

有機硅粘接劑為聚二甲基硅氧烷或聚二苯基硅氧烷和硅酸酯樹脂的縮合物?？轨o電微粒為聚噻吩類或金屬類抗靜電微粒，微粒尺寸為5nm-10μm。丙烯酸類聚合物由包含甲基丙烯酸甲酯單體和含羥基的單體作為必要單體形成的，且甲基丙烯酸甲酯單體重量占合成丙烯酸類聚合物所有單體重量的10-30%。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變形，這些改進和變形也應視為本發(fā)明的保護范圍。