本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法及裝置。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，芯片的集成度越來(lái)越高，而對(duì)應(yīng)的芯片尺寸越來(lái)越小。在半導(dǎo)體制程中，需要將晶圓切割成一個(gè)個(gè)芯片，然后將這些芯片做成不同的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。晶圓切割作為半導(dǎo)體封裝工藝的關(guān)鍵制程，使得整個(gè)工藝的成本主要通過(guò)晶圓切割時(shí)間來(lái)核算，而且成本核算要求較高的精準(zhǔn)度。

現(xiàn)有技術(shù)中，晶圓切割不僅是半導(dǎo)體封裝工藝的關(guān)鍵制程，同時(shí)也是整個(gè)半導(dǎo)體封裝流程中的產(chǎn)能瓶頸工藝，目前主要通過(guò)記錄實(shí)際晶圓切割過(guò)程中的作業(yè)時(shí)間作為成本和產(chǎn)能核算的依據(jù)。由于缺少通用的晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法，而以實(shí)際的晶圓切割作業(yè)時(shí)間作為核算依據(jù)，會(huì)存在一定的核算滯后性，無(wú)法對(duì)不同封裝尺寸的產(chǎn)品在做新產(chǎn)品前期評(píng)估時(shí)做精準(zhǔn)核算。同時(shí)，新產(chǎn)品晶圓切割實(shí)際作業(yè)記錄的時(shí)間會(huì)被調(diào)試過(guò)程中發(fā)生的一些異常事件所干擾，如調(diào)試過(guò)程中的異常報(bào)警時(shí)間、操作人員的異常操作時(shí)間和程序調(diào)試時(shí)間等，會(huì)存在很大的誤差，往往無(wú)法得到十分精準(zhǔn)的產(chǎn)能核算數(shù)據(jù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中因缺少通用的晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法從而使晶圓切割成本和產(chǎn)能核算的精準(zhǔn)度較低的缺陷。

本發(fā)明提供一種晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法，包括：

獲取晶圓的參數(shù)信息、芯片的參數(shù)信息和晶圓切割速度；

根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度；

根據(jù)所述晶圓的總切割長(zhǎng)度和所述晶圓切割速度，計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間。

優(yōu)選地，所述根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度，包括：

確定四分之一晶圓切割長(zhǎng)度；

根據(jù)所述四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度。

優(yōu)選地，所述晶圓的參數(shù)信息包括晶圓直徑，所述芯片的參數(shù)信息包括芯片長(zhǎng)度、芯片寬度，所述確定四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，包括：

根據(jù)四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的芯片個(gè)數(shù)、從晶圓直徑沿芯片長(zhǎng)度方向的多個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，確定四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的切割長(zhǎng)度；

根據(jù)四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的芯片個(gè)數(shù)、從晶圓直徑沿芯片寬度方向的多個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，確定四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的切割長(zhǎng)度；

根據(jù)所述四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的切割長(zhǎng)度和所述四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的切割長(zhǎng)度，確定四分之一晶圓切割長(zhǎng)度。

優(yōu)選地，根據(jù)式(1)確定四分之一晶圓切割長(zhǎng)度：

式(1)中，n為四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的芯片個(gè)數(shù)，d1x為從晶圓直徑沿芯片長(zhǎng)度方向的一個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，d2x為從晶圓直徑沿芯片長(zhǎng)度方向的兩個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，dnx為從晶圓直徑沿芯片長(zhǎng)度方向的n個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度；m為四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的芯片個(gè)數(shù)，d1y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的一個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，d2y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的兩個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，dmy為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的m個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度。

優(yōu)選地，所述晶圓的參數(shù)信息還包括晶圓切割外切單邊長(zhǎng)度，根據(jù)式(2)確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度：

式(2)中，l為所述晶圓的總切割長(zhǎng)度，d為晶圓直徑，e為晶圓切割外切單邊長(zhǎng)度。

優(yōu)選地，根據(jù)式(3)計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間：

t＝l/s(3)

式(3)中，t為晶圓切割時(shí)間，s為晶圓切割速度。

本發(fā)明還提供一種晶圓切割時(shí)間計(jì)算裝置，包括：

至少一個(gè)處理器；以及

與所述至少一個(gè)處理器通信連接的存儲(chǔ)器；

其中，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行的指令，所述指令被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行，以使所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行以下方法：

獲取晶圓的參數(shù)信息、芯片的參數(shù)信息和晶圓切割速度；

根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度；

根據(jù)所述晶圓的總切割長(zhǎng)度和所述晶圓切割速度，計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間。

本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法及裝置，通過(guò)獲取晶圓的參數(shù)信息、芯片的參數(shù)信息和晶圓切割速度，根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度，再根據(jù)所述晶圓的總切割長(zhǎng)度和所述晶圓切割速度，計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間。本發(fā)明提供了一種通用的晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法及裝置，通過(guò)晶圓和芯片的參數(shù)信息換算出晶圓切割的整體長(zhǎng)度，經(jīng)過(guò)與晶圓切割速度做換算，即可精準(zhǔn)得到晶圓切割時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體新產(chǎn)品前期評(píng)估時(shí)和晶圓實(shí)際切割作業(yè)前，能夠預(yù)先得到精準(zhǔn)的晶圓切割時(shí)間，進(jìn)而完成精準(zhǔn)度較高的成本及產(chǎn)能的核算，同時(shí)避免了按照晶圓切割的實(shí)際作業(yè)時(shí)間做產(chǎn)能核算時(shí)的一些異常因素干擾導(dǎo)致核算精準(zhǔn)度較低的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為一種晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法的流程圖；

圖2為圖1所示的晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法的示意圖；

圖3為一種晶圓切割時(shí)間計(jì)算裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法，該方法的流程圖如圖1所示，包括如下步驟：

s1：獲取晶圓的參數(shù)信息、芯片的參數(shù)信息和晶圓切割速度。具體地，可以通過(guò)將晶圓的基礎(chǔ)資料信息、所需切割芯片的尺寸以及晶圓切割設(shè)備的切割速度輸入電子設(shè)備從而讀取出晶圓的參數(shù)信息、芯片的參數(shù)信息和晶圓切割速度。從晶圓的基礎(chǔ)資料信息中，可得到晶圓直徑等晶圓的參數(shù)信息；根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)品信息，可得到所需切割芯片的尺寸，即芯片長(zhǎng)度和芯片寬度，所述芯片長(zhǎng)度和芯片寬度均包含切割道寬度；根據(jù)晶圓的參數(shù)信息以及所需切割芯片的尺寸，可進(jìn)一步得到芯片個(gè)數(shù)等與晶圓切割時(shí)間計(jì)算的相關(guān)信息。晶圓切割速度為切割設(shè)備上設(shè)置的通用數(shù)值，一般為20mm/s到60mm/s范圍之間，具體可參照半導(dǎo)體產(chǎn)品及晶圓切割設(shè)備的實(shí)際狀況來(lái)設(shè)定。

s2：根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度。在晶圓上根據(jù)芯片尺寸切割出所需的多個(gè)芯片，需分別在晶圓的橫向和縱向往復(fù)運(yùn)動(dòng)，通過(guò)對(duì)往復(fù)運(yùn)動(dòng)中切割路徑的總長(zhǎng)度進(jìn)行計(jì)算，可得所述晶圓的總切割長(zhǎng)度。

作為一個(gè)具體的實(shí)施方式，上述步驟s2還包括如下子步驟：

s21：確定四分之一晶圓切割長(zhǎng)度。根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息，可知在四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)分別沿芯片長(zhǎng)度方向和芯片寬度方向的切割路徑，從而確定出四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)的晶圓切割長(zhǎng)度。

s22：根據(jù)所述四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度。具體地，分別將四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向和芯片寬度方向的切割路徑乘以四，可得所述晶圓的總切割長(zhǎng)度。

s3：根據(jù)所述晶圓的總切割長(zhǎng)度和所述晶圓切割速度，計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間。

本發(fā)明提供的晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法，通過(guò)獲取晶圓的參數(shù)信息、芯片的參數(shù)信息和晶圓切割速度，根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度，再根據(jù)所述晶圓的總切割長(zhǎng)度和所述晶圓切割速度，計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間。本發(fā)明提供了一種通用的晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法及裝置，通過(guò)晶圓和芯片的參數(shù)信息換算出晶圓切割的整體長(zhǎng)度，經(jīng)過(guò)與晶圓切割速度做換算，即可精準(zhǔn)得到晶圓切割時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體新產(chǎn)品前期評(píng)估時(shí)和晶圓實(shí)際切割作業(yè)前，能夠預(yù)先得到精準(zhǔn)的晶圓切割時(shí)間，進(jìn)而完成精準(zhǔn)度較高的成本及產(chǎn)能的核算，同時(shí)避免了按照晶圓切割的實(shí)際作業(yè)時(shí)間做產(chǎn)能核算時(shí)的一些異常因素干擾導(dǎo)致核算精準(zhǔn)度較低的問(wèn)題。

作為一個(gè)具體的實(shí)施方式，所述晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法的示意圖如圖2所示，以四分之一晶圓為計(jì)算模型。所述晶圓的參數(shù)信息包括晶圓直徑d，晶圓半徑r。所述晶圓的參數(shù)信息還包括晶圓切割外切單邊長(zhǎng)度e，即晶圓切割實(shí)際外切的單邊長(zhǎng)度。在實(shí)際晶圓切割時(shí)，會(huì)在晶圓外形的基礎(chǔ)上向外擴(kuò)一個(gè)3mm～10mm左右的圓形，避免因貼膜偏移導(dǎo)致部分芯片切不到的狀況，因此對(duì)晶圓外擴(kuò)部分同樣也需算入晶圓切割長(zhǎng)度。所述芯片如圖中虛線框所示，芯片的參數(shù)信息包括芯片長(zhǎng)度ix(包含切割道寬度)、芯片寬度iy(包含切割道寬度)。根據(jù)晶圓的參數(shù)信息以及所需切割芯片的尺寸，可進(jìn)一步得到四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向y的芯片個(gè)數(shù)n以及四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向x的芯片個(gè)數(shù)m。

具體地，上述步驟s21還包括如下子步驟：

s211：根據(jù)四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的芯片個(gè)數(shù)、從晶圓直徑沿芯片長(zhǎng)度方向的多個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，確定四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的切割長(zhǎng)度。具體地，根據(jù)可確定四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的切割長(zhǎng)度。

s212：根據(jù)四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的芯片個(gè)數(shù)、從晶圓直徑沿芯片寬度方向的多個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，確定四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的切割長(zhǎng)度。具體地，根據(jù)可確定四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的切割長(zhǎng)度。

s213：根據(jù)所述四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的切割長(zhǎng)度和所述四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的切割長(zhǎng)度，確定四分之一晶圓切割長(zhǎng)度。具體地，根據(jù)式(1)確定四分之一晶圓切割長(zhǎng)度：

式(1)中，n為四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向的芯片個(gè)數(shù)，d1x為從晶圓直徑沿芯片長(zhǎng)度方向的一個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，d2x為從晶圓直徑沿芯片長(zhǎng)度方向的兩個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，dnx為從晶圓直徑沿芯片長(zhǎng)度方向的n個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度；m為四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向的芯片個(gè)數(shù)，d1y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的一個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，d2y為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的兩個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度，dmy為從晶圓直徑沿芯片寬度方向的m個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度。

具體地，如圖2所示，四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片長(zhǎng)度方向y的芯片個(gè)數(shù)n可由式(4)計(jì)算得到。

n＝r/ix(4)

根據(jù)勾股定理，可得出從直徑沿芯片長(zhǎng)度方向y的一個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度d1x如式(5)所示。

同理，可得出從直徑沿芯片長(zhǎng)度方向y的兩個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度d2x如式(6)所示。

同理，可得出從直徑沿芯片長(zhǎng)度方向y的n個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度dnx如式(7)所示。

具體地，根據(jù)上述計(jì)算方法，如圖2所示，四分之一晶圓區(qū)域內(nèi)沿芯片寬度方向x的芯片個(gè)數(shù)m可由式(8)計(jì)算得到。

m＝r/iy(8)

根據(jù)勾股定理，可得出從直徑沿芯片寬度方向x的一個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度d1y如式(9)所示。

同理，可得出從直徑沿芯片寬度方向x的兩個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度d2y如式(10)所示。

同理，可得出從直徑沿芯片寬度方向x的m個(gè)芯片的四分之一晶圓切割長(zhǎng)度dmy如式(11)所示。

由于按照n個(gè)/m個(gè)芯片尺寸計(jì)算出的晶圓切割長(zhǎng)度不包含n＝0/m＝0的晶圓直徑的情況，所以計(jì)算整體晶圓切割長(zhǎng)度時(shí)，需增加晶圓x/y兩個(gè)方向直徑的長(zhǎng)度即d×2。進(jìn)一步地，在實(shí)際晶圓切割時(shí)，會(huì)在晶圓外形的基礎(chǔ)上向外擴(kuò)一個(gè)3mm～10mm左右的圓形，避免因貼膜偏移導(dǎo)致部分芯片切不到的狀況，因此對(duì)晶圓外擴(kuò)部分同樣也需算入晶圓切割長(zhǎng)度。晶圓切割外切單邊長(zhǎng)度e，整片晶圓的外擴(kuò)的切割長(zhǎng)度為e×2×(2n+1+2m+1)。

因此，根據(jù)式(2)確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度：

式(2)中，l為所述晶圓的總切割長(zhǎng)度，d為晶圓直徑，e為晶圓切割外切單邊長(zhǎng)度。

進(jìn)一步地，根據(jù)式(3)計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間：

t＝l/s(3)

式(3)中，t為晶圓切割時(shí)間，s為晶圓切割速度。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供一種晶圓切割時(shí)間計(jì)算裝置，該裝置的硬件結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示，包括至少一個(gè)處理器31以及與所述至少一個(gè)處理器通信連接的存儲(chǔ)器32，圖3中以一個(gè)處理器31為例。該裝置還可以包括輸入設(shè)備33和輸出設(shè)備34。

處理器31、存儲(chǔ)器32、輸入設(shè)備33和輸出設(shè)備34可以通過(guò)總線或者其他方式連接，圖3中以通過(guò)總線連接為例。

處理器31可以為中央處理器(centralprocessingunit，cpu)。處理器31還可以為其他通用處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(digitalsignalprocessor，dsp)、專用集成電路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(field-programmablegatearray，fpga)或者其他可編程邏輯器件、分立門或者晶體管邏輯器件、分立硬件組件等芯片，或者上述各類芯片的組合。通用處理器可以是微處理器或者該處理器也可以是任何常規(guī)的處理器等。

輸入設(shè)備33可接收輸入的晶圓的基礎(chǔ)資料信息、所需切割芯片的尺寸以及晶圓切割設(shè)備的切割速度等。輸出設(shè)備34可包括顯示屏等顯示設(shè)備，用于輸出晶圓切割時(shí)間。

所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行的指令，所述指令被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行，以使所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行以下方法：

獲取晶圓的參數(shù)信息、芯片的參數(shù)信息和晶圓切割速度；

根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度；

根據(jù)所述晶圓的總切割長(zhǎng)度和所述晶圓切割速度，計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間。

本發(fā)明提供的晶圓切割時(shí)間計(jì)算裝置，通過(guò)獲取晶圓的參數(shù)信息、芯片的參數(shù)信息和晶圓切割速度，根據(jù)所述晶圓的參數(shù)信息和芯片的參數(shù)信息確定所述晶圓的總切割長(zhǎng)度，再根據(jù)所述晶圓的總切割長(zhǎng)度和所述晶圓切割速度，計(jì)算得到晶圓切割時(shí)間。本發(fā)明提供了一種通用的晶圓切割時(shí)間計(jì)算方法及裝置，通過(guò)晶圓和芯片的參數(shù)信息換算出晶圓切割的整體長(zhǎng)度，經(jīng)過(guò)與晶圓切割速度做換算，即可精準(zhǔn)得到晶圓切割時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體新產(chǎn)品前期評(píng)估時(shí)和晶圓實(shí)際切割作業(yè)前，能夠預(yù)先得到精準(zhǔn)的晶圓切割時(shí)間，進(jìn)而完成精準(zhǔn)度較高的成本及產(chǎn)能的核算，同時(shí)避免了按照晶圓切割的實(shí)際作業(yè)時(shí)間做產(chǎn)能核算時(shí)的一些異常因素干擾導(dǎo)致核算精準(zhǔn)度較低的問(wèn)題。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。