專(zhuān)利名稱(chēng)：加熱裝置及等離子體加工設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于真空技術(shù)領(lǐng)域，涉及ー種加熱裝置及等離子體加工設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，生產(chǎn)企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈，這就要求生產(chǎn)企業(yè)不斷地提高其產(chǎn)品質(zhì)量以應(yīng)對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。眾所周知，生產(chǎn)設(shè)備的加工性能是影響產(chǎn)品質(zhì)量的主要因素之一。例如，LED(發(fā)光二極管)刻蝕機(jī)的加工性能就影響著LED光源的質(zhì)量。LED刻蝕機(jī)在進(jìn)行刻蝕的エ藝過(guò)程中，其反應(yīng)腔室內(nèi)會(huì)產(chǎn)生很多副產(chǎn)物，這些副產(chǎn)物對(duì)襯底的刻蝕質(zhì)量和刻蝕機(jī)的壽命都會(huì)產(chǎn)生不利影響。為此，人們?cè)诜磻?yīng)腔室內(nèi)設(shè)置了 內(nèi)襯以及加熱裝置，加熱裝置用于加熱內(nèi)襯以提高反應(yīng)腔室內(nèi)部的溫度，并使反應(yīng)腔室內(nèi)部溫度達(dá)到刻蝕エ藝所產(chǎn)生的副產(chǎn)物的沸點(diǎn)以上，從而使副產(chǎn)物轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，然后由分子泵將其抽出反應(yīng)腔室。圖I為目前常采用的加熱裝置包括電阻絲和熱電偶(圖中未示出)以及包裹電阻絲和熱電偶的殼體11。這種加熱裝置是通過(guò)以下方式獲得，即，首先將電阻絲固定在ー模具支架上，再用澆鑄的方式在電阻絲和熱電偶的表面制作殼體11，從而使殼體11包裹電阻絲和熱電偶。在澆鑄殼體11的過(guò)程中，電阻絲容易受澆鑄液體的沖擊而偏離模具支架，導(dǎo)致電阻絲分布不均勻，而且，由于電阻絲與殼體11成型在一起而不能對(duì)電阻絲在殼體11內(nèi)的位置根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整，從而導(dǎo)致加熱裝置的加熱不均勻，這不僅影響加熱裝置的使用壽命，而且會(huì)影響LED刻蝕機(jī)的加工質(zhì)量。另外，的熱電偶(由于電阻絲和熱電偶需要與設(shè)置在反應(yīng)腔室外部的其它部件連接。因此，加熱裝置共設(shè)有四根引線(xiàn)孔，對(duì)應(yīng)地在反應(yīng)腔室的室壁上對(duì)應(yīng)的設(shè)置四個(gè)接線(xiàn)孔12。為了使反應(yīng)腔室密封，需對(duì)四個(gè)接線(xiàn)孔12分別作密封處理，這不僅增加密封處理的成本，而密封過(guò)程繁瑣。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種加熱裝置，其內(nèi)的電阻絲布置均勻，不僅可以提高加熱裝置的加熱均勻性，而且可以提高加熱裝置的使用壽命。本發(fā)明還提供了一種等離子體加工設(shè)備，其內(nèi)的加熱裝置能夠?qū)Ψ磻?yīng)腔室進(jìn)行均勻加熱，從而使反應(yīng)腔室內(nèi)部的溫度保持均勻，進(jìn)而提高等離子體加工設(shè)備的加工質(zhì)量。為此，本發(fā)明提供了一種加熱裝置，包括電阻絲以及第一底座，還包括固定件，所述電阻絲借助所述固定件固定在所述第一底座上。其中，所述固定件為與所述第一底座的周向相對(duì)應(yīng)的凹槽，所述電阻絲設(shè)置在所述凹槽內(nèi)，且所述凹槽扣設(shè)在所述第一底座上。其中，所述凹槽沿所述第一底座的徑向?qū)訉舆f進(jìn)分布。其中，在過(guò)所述第一底座軸線(xiàn)的截面上，所述凹槽的形狀為圓弧形。
其中，所述電阻絲的軸線(xiàn)在水平面上的投影與所述凹槽的軸線(xiàn)在水平面上的投影重合。其中，所述凹槽為連續(xù)的結(jié)構(gòu)或包括n個(gè)凹槽段，其中n為大于I的整數(shù)，所述n個(gè)凹槽段均勻設(shè)置在所述第一底座上。其中，固定在所述凹槽內(nèi)的所述電阻絲延展系數(shù)相同。其中，還包括第二底座，所述第一底座和所述第二底座相對(duì)設(shè)置，并且在所述第一底座和所述第二底座的相對(duì)面，所述第一底座和所述第二底座中至少一個(gè)設(shè)有凹部，借助所述凹部使得所述第一底座和所述第二底座的相對(duì)位置形成中空空間，所述固定件設(shè) 置在所述中空空間內(nèi)。 其中，所述第一底座和第二底座采用不銹鋼材料制成,且所述第一底座和第二底座以可拆卸方式固定在一起，以便于后續(xù)調(diào)整所述電阻絲在所述固定件內(nèi)的分布。其中，在所述第二底座上設(shè)有出線(xiàn)孔，用于將連接所述電阻絲兩端的引線(xiàn)從所述中空空間內(nèi)引出，或者用于將電阻絲的兩端從所述中空空間內(nèi)引出。其中，在所述第一底座上還設(shè)有熱電偶，所述熱電偶用于測(cè)量加熱裝置的溫度。本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室以及設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi)的加熱裝置，所述加熱裝置采用本發(fā)明提供的加熱裝置。其中，所述加熱裝置借助支撐柱固定在所述反應(yīng)腔室內(nèi)的室壁上，在所述加熱裝置和所述反應(yīng)腔室的室壁之間還設(shè)有反射板。其中，所述反射板將所述加熱裝置與所述反射腔室相對(duì)的面完全遮擋。其中，所述反射板采用不銹鋼材料制成，且所述反射板與所述加熱裝置相對(duì)的面為鏡面。其中，在所述反應(yīng)腔室的室壁上設(shè)有套管，所述加熱裝置的引線(xiàn)自所述套管伸出所述反應(yīng)腔室外，所述套管的外壁與所述反應(yīng)腔室的室壁保持密封，所述套管的內(nèi)壁與所述加熱裝置的引線(xiàn)之間保持密封。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明提供的加熱裝置，其借助固定件將電阻絲固定在第一底座上，固定件不僅可以避免電阻絲偏離預(yù)先設(shè)置的位置，確保電阻絲始終在第一底座均勻分布，而且可以使電阻絲保持相同的伸展系數(shù)，從而提高加熱裝置加熱的均勻性以及使用壽命。本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，在反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置本發(fā)明提供的加熱裝置，該加熱裝置不僅能夠?qū)Ψ磻?yīng)腔室進(jìn)行均勻加熱，從而提高反應(yīng)腔室內(nèi)部溫度的均勻性，進(jìn)而提高等離子體加工設(shè)備的加工質(zhì)量；而且可以減少因加熱裝置損壞而導(dǎo)致的設(shè)備維修時(shí)間，從而提高等離子體加工設(shè)備的使用效率，降低設(shè)備的運(yùn)行成本。作為本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在加熱裝置與反應(yīng)腔室的室壁之間設(shè)置反射板，借助反射板可以減少熱量的損失，提高熱量的利用率；而且可以提高加熱的均勻性，從而提高等離子體加工設(shè)備的加工質(zhì)量。作為本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在反應(yīng)腔室的室壁上還設(shè)有套管，加熱裝置的引線(xiàn)自該套管伸出反應(yīng)腔室，這不僅可以減少密封處理的成本，簡(jiǎn)化密封過(guò)程；而且借助套管可以使加熱裝置的引線(xiàn)與反應(yīng)腔室的密封位置遠(yuǎn)離電阻絲，從而降低密封位置的溫度，進(jìn)而降低密封成本。


圖I為本發(fā)明提供的加熱裝置的剖視圖；
圖2為本發(fā)明提供的加熱裝置去掉第二底座后的仰視圖；圖3為圖I中I位置的局部放大圖；以及圖4為本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明提供的加熱裝置以及等離子體加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)闡明。需要指出的是，下文提及的第一底座的下表面是指第一底座水平放置時(shí)向下的面，對(duì)應(yīng)地，第一底座的上表面是指第一底座水平放置時(shí)向上的面。圖I為本發(fā)明提供的加熱裝置的剖視圖，圖2為本發(fā)明提供的加熱裝置去掉第二底座的仰視圖。請(qǐng)ー并參閱圖I和圖2，本發(fā)明提供的加熱裝置包括第一底座I、第二底座2以及電阻絲4，其中，第一底座I和第二底座2相對(duì)設(shè)置，且在第一底座I和第二底座2的相對(duì)面分別設(shè)有向各自的另一面凹進(jìn)的凹部，使得第一底座I和第二底座2相對(duì)面位置形成中空空間?？梢岳斫獾氖?，凹部也可以?xún)H設(shè)置在第一底座I或第二底座2上，只要能夠在第一底座I和第二底座2的相對(duì)面位置形成中空空間即可。也就是說(shuō)，在第一底座I和第ニ底座2的相對(duì)面，第一底座I和第二底座2中至少ー個(gè)設(shè)有凹部，以使得第一底座I和第ニ底座2的相對(duì)位置形成中空空間。電阻絲4設(shè)置在該中空空間內(nèi)，借助中空空間不僅可以使電阻絲4與外界隔離，避免電阻絲4被環(huán)境氣體腐蝕，延長(zhǎng)電阻絲4的使用壽命；而且，可以根據(jù)需要將電阻絲布置在中空空間的任意位置，以使加熱裝置滿(mǎn)足不同的加熱需求。在第二底座2的下表面設(shè)有出線(xiàn)孔21，用于將電阻絲4的兩端自中空空間內(nèi)引出，或者將用于連接電阻絲4兩端的引線(xiàn)從上述中空空間內(nèi)引出。當(dāng)然，也可以?xún)H在第一底座I或第二底座2上設(shè)置凹部，只要在第一底座I和第二底座2的相對(duì)位置形成容納電阻絲4的中空空間即為本發(fā)明的保護(hù)范圍。優(yōu)選地，第一底座I和第二底座2均采用不銹鋼的材料制成，以提高加熱裝置的防銹防腐蝕能力，從而延長(zhǎng)加熱裝置的壽命。然而這并不表示第一底座I和第二底座2只能采用不銹鋼材料制作，相反，第一底座I和第二底座2也可以采用其它材料制作。在本實(shí)施例中，第一底座I和第二底座2以可拆卸方式固定在一起，如螺紋連接，以便于后續(xù)根據(jù)實(shí)際需要調(diào)整電阻絲4在固定件內(nèi)的分布。事實(shí)上，第一底座I和第二底座2也可以焊接方式固定在一起。圖3為圖I中I位置的局部放大圖。請(qǐng)ー并參閱圖I和圖3，電阻絲4是借助固定件3固定在第一底座I和第二底座2所形成的中空空間內(nèi)。固定件3為與第一底座I的周向相對(duì)應(yīng)的凹槽，也就是說(shuō)，固定件3為凹槽，凹槽根據(jù)第一底座I的外輪廓設(shè)置，而且，凹槽在第一底座I上的投影的形狀與第一底座I的外輪廓相似。凹槽扣設(shè)在第一底座I上，即，凹槽的開(kāi)ロ朝向第一底座1，從而使電阻絲4設(shè)置在凹槽和第一底座I之間。當(dāng)然，凹槽的開(kāi)ロ也可以背向第一底座1，同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。本實(shí)施例中，凹槽沿第一底座I的徑向?qū)訉舆f進(jìn)分布，也就是說(shuō)，凹槽以螺旋方式設(shè)置在第一底座I上，且在第一底座I的徑向方向，兩個(gè)相鄰的凹槽之間的距離相等，即，凹槽在第一底座I的投影為多個(gè)等距的非閉合的同心圓環(huán)。在穿過(guò)第一底座I軸線(xiàn)的截面上，凹槽的形狀為圓弧形，電阻絲4設(shè)置在圓弧形的凹槽內(nèi)。當(dāng)然，凹槽2的橫截面的形狀也可以為矩形、三角形、梯形等其它形狀。本實(shí)施例中，借助凹槽可以使電阻絲保持相同的伸展系數(shù)，同時(shí)可以避免電阻絲4偏離預(yù)先設(shè)置的位置，確保電阻絲始終在第一底座均勻分布，從而提高加熱裝置加熱的均勻性以及使用壽命。優(yōu)選地，電阻絲4的軸線(xiàn)在水平面上的投影與凹槽的軸線(xiàn)在水平面上的投影重合，從而使電阻絲4同樣以等距的同心圓均勻地分布在第一底座I的下表面，進(jìn)而提高加熱裝置的加熱均勻性。事實(shí)上，凹槽并不局限于按等距同心圓方式布置在第一底座I上，只要是能夠使設(shè)置在第一底座I上的電阻絲4按相同延展系數(shù)布置的凹槽，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中，固定件3為整體結(jié)構(gòu)，即凹槽是用整塊板材通過(guò)彎折或沖壓手段加工而成。然而，本發(fā)明并不局限于此，固定件3也可以由幾個(gè)部分組成，如可以包括n個(gè)凹 槽段，其中n為大于I的整數(shù)，n個(gè)凹槽段均勻地設(shè)置在第一底座I上。固定件3采用不銹鋼材料制成，并通過(guò)焊接的方式固定在第一底座I下表面上。另外，在中空空間內(nèi)還設(shè)有熱電偶(圖中未示出)，用于測(cè)量加熱裝置的溫度。通常熱電偶固定在第一底座I上，當(dāng)然，熱電偶也可以固定在第二底座2或固定件3上。需要說(shuō)明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，加熱裝置也可以?xún)H設(shè)置第一底座1，而不設(shè)置第二底座2，只要將電阻絲4均勻地設(shè)置在第一底座I上即可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的。本發(fā)明提供的加熱裝置借助固定件將電阻絲固定在第一底座上，固定件不僅可以避免電阻絲偏離預(yù)先設(shè)置的位置，確保電阻絲始終在第一底座均勻分布，而且可以使電阻絲保持相同的伸展系數(shù)，從而提高加熱裝置加熱的均勻性以及使用壽命。圖4為本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備的示意圖。如圖4所示，本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備包括反應(yīng)腔室5、腔室內(nèi)襯6、下電極13以及加熱裝置7。其中，腔室內(nèi)襯6沿反應(yīng)腔室5的室壁51設(shè)置，下電極13設(shè)置在反應(yīng)腔室5的底部，加熱裝置7設(shè)置在反應(yīng)腔室5內(nèi)部且環(huán)繞下電極13。加熱裝置7采用上述實(shí)施例中所提供的加熱裝置。本實(shí)施例中，加熱裝置7借助支撐柱9固定在反應(yīng)腔室5的底壁51上，而且可以通過(guò)調(diào)節(jié)支撐柱9的高度來(lái)調(diào)節(jié)加熱裝置7與反應(yīng)腔室5的底壁51的距離，從而可以降低底壁51的溫度。本實(shí)施例共設(shè)置了 6個(gè)支撐柱9，均勻布置在第二底座2上。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，也可以采用3個(gè)或3個(gè)以上的支撐柱9來(lái)固定加熱裝置7。支撐柱9可以通過(guò)螺紋連接或焊接或鉚接等方式與加熱裝置7、反應(yīng)腔室5的底壁51連接。需要說(shuō)明的是，由于加熱裝置7是用于加熱設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)的內(nèi)襯，然后再用內(nèi)襯來(lái)提高反應(yīng)腔室內(nèi)的溫度。因此，加熱裝置7也可以設(shè)置在反應(yīng)腔室的側(cè)壁或頂壁或反應(yīng)腔室的其它位置，也就是說(shuō)，加熱裝置7可以設(shè)置在反應(yīng)腔室的室壁上的不同位置。另外，作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，等離子體加工設(shè)備還設(shè)有反射板8，其借助設(shè)置在支撐柱9上的凸臺(tái)(圖中未示出)而固定在加熱裝置7與反應(yīng)腔室5的底壁51之間，而且反射板8的外徑大于加熱裝置7的外徑，其內(nèi)徑小于加熱裝置7的內(nèi)徑，從而將加熱裝置7與反應(yīng)腔室5相對(duì)的面完全遮擋。這樣可以將自加熱裝置7下方散發(fā)的熱量盡可能地反射至反應(yīng)腔室5內(nèi)，從而減少加熱裝置7的熱量損失，提高熱量的利用率。事實(shí)上，反射板8的結(jié)構(gòu)和尺寸并不局限于此，只要能夠?qū)⒓訜嵫b置7產(chǎn)生的熱量盡可能地反射回反射腔室的反射板8，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。優(yōu)選地，反射板8與加熱裝置7相対的面為鏡面，這樣可以提高反射板8的反射效率，進(jìn)ー步減少熱量的損失。而且，為了避免反射板8被腐蝕，提高反射板8的使用壽命，反射板8采用不銹鋼材料制成。但這并不表示反射板8只能采用不銹鋼材料制作，相反，反射板8也可以采用其它材料制作。作為本發(fā)明另ー個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在反應(yīng)腔室5的底壁51上還設(shè)有套管10，連接加熱裝置7內(nèi)電阻絲的引線(xiàn)自套管10伸出反應(yīng)腔室5。使用時(shí)，套管10的外壁與底壁51之間設(shè)有密封圈(圖中未示出)，以使套管10的外壁與反應(yīng)腔室5的底壁51保持密封；同樣， 套管10的內(nèi)壁與加熱裝置7的引線(xiàn)之間也應(yīng)作密封處理，以使套管10的內(nèi)壁與引線(xiàn)之間保持密封。借助套管10可以簡(jiǎn)化引線(xiàn)與反應(yīng)腔室5之間密封過(guò)程，從而降低等離子體加工設(shè)備的制造成本。另外，當(dāng)加熱裝置7采用封閉結(jié)構(gòu)時(shí)，結(jié)合圖I和圖3所示，即第一底座I和第二底座2形成封閉的中空空間時(shí)，可將套管10的一端固定在第二底座2的出線(xiàn)孔21位置，并通過(guò)焊接方式使套管10與第二底座2的連接位置密封。由于加熱裝置7的中空空間與反應(yīng)腔室5相互獨(dú)立，即使中空空間與大氣相通，也不會(huì)對(duì)反應(yīng)腔室5內(nèi)的真空度造成影響。因此，將套管10的一端固定在第二底座2的出線(xiàn)孔21位置并保持連接處的密封可以減少套管10與引線(xiàn)之間的密封處理，從而降低設(shè)備的制造成本。綜上所述，本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，在反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置本發(fā)明提供的加熱裝置，該加熱裝置不僅能夠?qū)Ψ磻?yīng)腔室進(jìn)行均勻加熱，從而提高反應(yīng)腔室內(nèi)部溫度的均勻性，進(jìn)而提高等離子體加工設(shè)備的加工質(zhì)量；而且可以減少因加熱裝置損壞而導(dǎo)致的設(shè)備維修時(shí)間，從而提高等離子體加工設(shè)備的使用效率，降低設(shè)備的運(yùn)行成本?？梢岳斫獾氖?，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種加熱裝置，包括電阻絲以及第一底座，其特征在于，還包括固定件，所述電阻絲借助所述固定件固定在所述第一底座上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的加熱裝置，其特征在于，所述固定件為與所述第一底座的周向相對(duì)應(yīng)的凹槽，所述電阻絲設(shè)置在所述凹槽內(nèi)，且所述凹槽扣設(shè)在所述第一底座上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其特征在于，所述凹槽沿所述第一底座的徑向?qū)訉舆f進(jìn)分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其特征在于，在過(guò)所述第一底座軸線(xiàn)的截面上，所述凹槽的形狀為圓弧形。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其特征在于，所述電阻絲的軸線(xiàn)在水平面上的投影與所述凹槽的軸線(xiàn)在水平面上的投影重合。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其特征在于，所述凹槽為連續(xù)的結(jié)構(gòu)或包括n個(gè)凹槽段，其中n為大于I的整數(shù)，所述n個(gè)凹槽段均勻設(shè)置在所述第一底座上。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其特征在于，固定在所述凹槽內(nèi)的所述電阻絲延展系數(shù)相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于，還包括第二底座，所述第一底座和所述第二底座相對(duì)設(shè)置，并且在所述第一底座和所述第二底座的相對(duì)面上所述第一底座和所述第二底座中至少一個(gè)設(shè)有凹部，借助所述凹部形成用于放置所述固定件的中空空間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱裝置，其特征在于，所述第一底座和第二底座采用不銹鋼材料制成，且所述第一底座和第二底座以可拆卸方式固定在一起，以便于后續(xù)調(diào)整所述電阻絲在所述固定件內(nèi)的分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的加熱裝置，其特征在于，在所述第二底座上設(shè)有出線(xiàn)孔，用于將連接所述電阻絲兩端的引線(xiàn)從所述中空空間內(nèi)引出，或者用于將電阻絲的兩端從所述< 中空空間內(nèi)引出。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱裝置，其特征在于，在所述第一底座上還設(shè)有熱電偶，所述熱電偶用于測(cè)量加熱裝置的溫度。
12.—種等離子體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室以及設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi)的加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置采用權(quán)利要求1-11任意一項(xiàng)所述的加熱裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置借助支撐柱固定在所述反應(yīng)腔室內(nèi)的室壁上，在所述加熱裝置和所述反應(yīng)腔室的室壁之間還設(shè)有反射板。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述反射板將所述加熱裝置與所述反射腔室相對(duì)的面完全遮擋。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，所述反射板采用不銹鋼材料制成，且所述反射板與所述加熱裝置相對(duì)的面為鏡面。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體加工設(shè)備，其特征在于，在所述反應(yīng)腔室的室壁上設(shè)有套管，所述加熱裝置的引線(xiàn)自所述套管伸出所述反應(yīng)腔室外，所述套管的外壁與所述反應(yīng)腔室的室壁保持密封，所述套管的內(nèi)壁與所述加熱裝置的引線(xiàn)之間保持密封。
全文摘要
本發(fā)明提供一種加熱裝置及等離子體加工設(shè)備，該加熱裝置包括電阻絲以及第一底座，還包括固定件，所述電阻絲通過(guò)借助所述固定件固定在所述第一底座上。所述固定件不僅可以避免電阻絲偏離預(yù)先設(shè)置的位置，確保電阻絲始終在第一底座均勻分布，而且可以使電阻絲保持相同的伸展系數(shù)，從而提高加熱裝置加熱的均勻性以及使用壽命。本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其反應(yīng)腔室內(nèi)部的溫度均勻，可以提高被加工工件的加工質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01J37/32GK102768932SQ20111011678
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2011年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月6日
發(fā)明者宋俊超 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司