專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板。更具體地講，本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，其包括這樣一種電極結(jié)構(gòu)，即，在該結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生尋址放電的尋址電極和掃描電極彼此相鄰地排列而使得穩(wěn)定的尋址電壓被保持在相當(dāng)?shù)偷碾娖剑瑥亩岣吡说入x子體顯示面板的發(fā)光效率。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板是指等離子體顯示裝置(一種平板顯示裝置)中使用的面板，當(dāng)注入到兩個(gè)面對(duì)的基底之間形成的放電空間中的放電氣體執(zhí)行氣體放電時(shí)引起等離子體產(chǎn)生紫外線，當(dāng)通過由等離子體產(chǎn)生的紫外線來激發(fā)熒光層時(shí)，等離子體顯示面板采用由熒光層發(fā)射的可見光來實(shí)現(xiàn)圖像。根據(jù)這種等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)原理，可將其分為DC型等離子體顯示面板、AC型等離子體顯示面板和AC-DC型等離子體顯示面板。此外，根據(jù)這種等離子體顯示面板的放電結(jié)構(gòu)，可將其分為表面放電型等離子體顯示面板和對(duì)向型等離子體顯示面板。近來，已廣泛地采用AC型三電極表面放電等離子體面板。
等離子體顯示面板包括前基底、與前基底相對(duì)布置的后基底和放電操作所需的電極。
前基底是厚度為大約2.8毫米(mm)的玻璃基底，該玻璃基底由透明的鈉玻璃制成，從而由熒光層產(chǎn)生的可見光可穿過前基底。在前基底的下表面設(shè)置一對(duì)透明的X-Y電極，以產(chǎn)生維持放電。這種透明電極可由ITO(氧化銦錫)制成。在透明電極的下部形成匯流電極。匯流電極的寬度小于透明電極的寬度，因而匯流電極補(bǔ)償了透明電極的線路電阻。前基底在其下表面設(shè)置有介電層，以覆蓋前基底中的透明電極，從而可防止使透明電極被暴露在外。此外，在介電層上形成鈍化層，以保護(hù)介電層。
在后基底的上表面形成有尋址電極，它以這樣一種方式形成尋址電極跨過在前基底的下表面上形成的透明電極。此外，與前基底相似，為了防止在后基底的上表面上形成的尋址電極被暴露在外，后基底在其上表面設(shè)置有介電層。在后基底的上表面形成障肋，以在保持放電距離的同時(shí)防止在放電室之間產(chǎn)生電-光串?dāng)_。在前后基底之間設(shè)置障肋，以形成用于產(chǎn)生等離子體放電的空間并限定放電室，其中，放電室是用作用來實(shí)現(xiàn)在等離子體顯示面板中顯示的圖像的基本單元的像素的元件。在形成放電室的障肋的兩個(gè)側(cè)壁上和在后基底的沒有形成障肋的介電層的上表面上涂覆紅色、綠色或藍(lán)色熒光層。
具有上面的結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板根據(jù)傳送到其的視頻數(shù)據(jù)來控制維持放電操作的數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)了用來顯示圖像所需的灰階。為了實(shí)現(xiàn)所述灰階，采用了ADS(尋址和顯示期分離的)方案，其中，在將一幀劃分為多個(gè)具有不同數(shù)量的放電操作的子場(chǎng)的同時(shí)驅(qū)動(dòng)該幀。根據(jù)ADS方案，各子場(chǎng)被劃分為重置期，用來均勻地產(chǎn)生放電；尋址期，用來選擇放電室；維持和擦除期，根據(jù)放電操作的數(shù)量來表現(xiàn)灰階。
在子場(chǎng)的尋址期期間，由于施加到在被選擇以產(chǎn)生放電的放電室的下部排列的尋址電極的尋址電壓和施加到掃描電極(Y電極)的地電壓之間的電壓差而產(chǎn)生尋址放電。此外，當(dāng)具有正極性的尋址電壓被施加到在被選擇以發(fā)光的放電室的下部排列的尋址電極時(shí)，地電壓被施加到其它的尋址電極。因此，如果具有正極性的尋址電壓的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到尋址電極，而地電壓被施加到掃描電極，則由于尋址放電而導(dǎo)致在相應(yīng)的放電室內(nèi)形成壁電荷，但在其它的放電室內(nèi)沒有形成壁電荷。為了在尋址期期間有效地產(chǎn)生尋址放電，維持電極(X電極)被保持有預(yù)定的電壓。光學(xué)效率及對(duì)于顯示面板的結(jié)構(gòu)和材料的選擇可取決于尋址放電所需的尋址電壓的數(shù)值。隨著尋址電壓的數(shù)值增大，功耗會(huì)增加，從而降低了光學(xué)效率，由后基底和前基底的介電層逐漸產(chǎn)生濺射影響，并且放電粒子經(jīng)過障肋而運(yùn)動(dòng)到相鄰放電室的數(shù)目會(huì)增多(即串?dāng)_會(huì)增大)。因此，通常，如果尋址點(diǎn)火電壓低則是有利的。
然而，根據(jù)三電極型表面放電方案，由于掃描電極和尋址電極之間的距離大，所以需要相當(dāng)大的放電電壓。此外，放電在兩個(gè)電極之間的距離為最短的區(qū)域(即，放電室的中心區(qū)域)處開始。然后，在電極的外圍區(qū)域處產(chǎn)生放電。即，由于在放電室的中心需要低點(diǎn)火電壓，所以在放電室的中心產(chǎn)生放電。一旦產(chǎn)生放電，就產(chǎn)生空間電荷。因此，可以以低于點(diǎn)火電壓的預(yù)定電壓保持放電操作，并且施加到兩個(gè)電極之間的電壓隨著時(shí)間逐漸減小。放電操作開始，離子和電子積聚在放電室的中心，使得在放電室中心的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)變?nèi)?，因而在放電室中心的放電?huì)消失。由于施加到兩個(gè)電極之間的電壓隨著時(shí)間減小，所以在發(fā)射效率低的放電室的中心有強(qiáng)放電，并且在發(fā)射效率高的放電室的外圍區(qū)域有弱放電。這樣，采用三電極型表面放電方案的等離子體顯示面板使用了較少量的用來加熱電子的輸入能量，從而會(huì)降低等離子體顯示面板的發(fā)光效率。
近來，為了解決在采用上面的三電極型表面放電方案的等離子體顯示面板中發(fā)生的問題，已開發(fā)了一種采用對(duì)向放電方案的等離子體顯示面板。根據(jù)對(duì)向放電方案，在前基底和后基底之間形成的空間內(nèi)的彼此面對(duì)的障肋中形成X電極和Y電極，尋址電極與X電極和Y電極交替排列。在采用對(duì)向放電方案的等離子體顯示面板中，掃描電極和尋址電極之間的距離比采用表面放電方案的等離子體顯示面板的掃描電極和尋址電極之間的距離短，從而需要相當(dāng)?shù)偷膶ぶ冯妷骸４送?，根?jù)對(duì)向放電方案，在放電室的整個(gè)區(qū)域的上方產(chǎn)生放電，使得放電空間被擴(kuò)大，從而提高了放電效率。然而，根據(jù)對(duì)向放電方案，在障肋中形成電極，所以障肋之間的距離，即用來產(chǎn)生放電的電極之間的距離可根據(jù)室間距而改變，從而尋址電壓也可改變。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在解決一個(gè)或多個(gè)在采用對(duì)向放電方案的等離子體顯示面板中發(fā)生的上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體顯示面板，其包括這樣一種電極結(jié)構(gòu)，即，在該結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生尋址放電的尋址電極和掃描電極彼此相鄰地排列，使得穩(wěn)定的尋址電壓保持在相當(dāng)?shù)偷碾娖?，從而提高了等離子體顯示面板的發(fā)光效率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種等離子體顯示面板，其包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)地排列；障肋，形成在第一基底和第二基底之間，限定多個(gè)放電室并包括彼此平行排列的第一障肋；第一電極和第二電極，交替地形成在第一基底和第二基底之間，第一障肋包括第一電極或第二電極；多個(gè)尋址電極，排列在第一基底的上表面上同時(shí)與第一電極和第二電極交叉；輔助尋址電極，從尋址電極突出，輔助尋址電極從尋址電極向放電室延伸，輔助尋址電極與第一電極合作產(chǎn)生尋址放電。障肋還包括第二障肋，第二障肋垂直于第一障肋來排列并在其內(nèi)部形成有尋址電極。障肋包括介電層。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，熒光層形成在第一基底和第二基底的至少一個(gè)上。熒光層包括第一熒光層，形成在第二基底的在放電室中的下表面上；第二熒光層，形成在第一基底的在放電室中的上表面上。第一電極和第二電極包括金屬電極。在豎直剖視圖中，第一電極和第二電極的寬度小于第一電極和第二電極的高度。
輔助尋址電極從尋址電極以這樣一種方式延伸輔助尋址電極與輔助尋址電極沒有從其突出的其它尋址電極隔開。在豎直剖視圖中，輔助尋址電極的寬度大于輔助尋址電極的高度。當(dāng)從頂部看時(shí)，輔助尋址電極以預(yù)定的距離布置在第一電極旁邊。當(dāng)再從頂部看時(shí)，輔助尋址電極以預(yù)定的距離布置在包括第一電極的第一障肋的旁邊。所述預(yù)定的距離大于或等于零。在側(cè)視圖中，輔助尋址電極布置在第一電極的下方。此外，輔助尋址電極布置得離第一電極比離第二電極近。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，輔助尋址電極同時(shí)形成在彼此相鄰且共用第一電極的放電室內(nèi)。輔助尋址電極關(guān)于第一電極對(duì)稱地排列。
輔助尋址電極在其外表面形成有輔助電極介電層。輔助電極介電層與包括輔助尋址電極沒有從其突出的其它尋址電極的其它第二障肋隔開，其中，輔助電極介電層形成在輔助尋址電極上。作為選擇，輔助電極介電層與其它第二障肋連接。


通過結(jié)合附圖的以下的詳細(xì)描述，對(duì)本發(fā)明的更徹底的理解和本發(fā)明的許多伴隨優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更加顯而易見，同時(shí)變得更加明白，在附圖中相同的標(biāo)號(hào)表示相同或相似的元件，其中圖1是示出如本發(fā)明第一實(shí)施例構(gòu)造的等離子體顯示面板的局部分解透視圖；圖2是沿著圖1中示出的A-A線截取的水平剖視圖；圖3是沿著圖1中示出的B-B線截取的水平剖視圖；圖4是圖1中示出的等離子體顯示面板的豎直剖視圖；圖5是如本發(fā)明第二實(shí)施例構(gòu)造的等離子體顯示面板的水平剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的實(shí)施例。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的局部分解透視圖，圖2是沿著圖1中示出的A-A線截取的水平剖視圖，圖3是沿著圖1中示出的B-B線截取的水平剖視圖，圖4是圖1中示出的等離子體顯示面板的豎直剖視圖。
參照?qǐng)D1至圖4，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板包括第一基底(以下稱作后基底)10、第二基底(以下稱作前基底)20、障肋30、第一電極40和第二電極50。后基底10和前基底20彼此面對(duì)并在其間形成預(yù)定的間隔，通過障肋30在后基底10和前基底20之間形成的空間中限定多個(gè)放電室80。放電室80包括用來吸收紫外線和放出可見光的熒光層70。放電室80填充有用來通過等離子體放電產(chǎn)生紫外線的放電氣體。
后基底10由玻璃制成，并與前基底20一起形成等離子體顯示面板。前基底20由透明材料例如鈉玻璃制成，并面對(duì)后基底10來放置。此外，前障肋35形成在面對(duì)后基底10的前基底20的下表面。在以下的描述中，沿著圖1中的z軸正方向面對(duì)前基底20的元件表面稱作“上表面”，沿著圖1中的z軸負(fù)方向面對(duì)后基底10的元件表面稱作“下表面”。
障肋30包括第一障肋30a，在一個(gè)方向上(沿著圖1中的y軸)彼此平行地排列；第二障肋30b，(沿著圖1中的x軸)垂直于第一障肋30a來排列。此外，通過障肋30與后基底10和前基底20一起圍成的空間被定義為產(chǎn)生放電的放電室80。第一障肋30a包括在后基底10和前基底20之間的空間上交替排列的第一電極40或第二電極50。此外，第二障肋30b在其內(nèi)部設(shè)置有尋址電極60。
障肋30由包含組分例如鉛、硼、硅、鋁和氧的玻璃物質(zhì)制成。優(yōu)選地，通過使用包括填充物和顏料的介電物質(zhì)來形成障肋30，填充物例如為二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)或鋁氧化物(Al2O3)，顏料例如為鉻、銅、鈷或鐵。然而，本發(fā)明不限制用于障肋30的材料，可使用各種介電物質(zhì)來形成障肋30。障肋30促進(jìn)了在其內(nèi)形成的電極的放電，同時(shí)防止了電極受到由于在放電操作期間加速的放電粒子的碰撞而引起的損害。
優(yōu)選地，氧化鎂(MgO)保護(hù)層38形成在障肋30的與第一電極40和第二電極50對(duì)應(yīng)的側(cè)壁。氧化鎂(MgO)保護(hù)層38(在圖4中示出)由包含氧化鎂(MgO)的材料制成，用來保護(hù)等離子體顯示面板中的介電物質(zhì)。氧化鎂(MgO)保護(hù)層38防止電極在放電操作期間受到損害，并發(fā)射二次電子以降低放電電壓。氧化鎂(MgO)保護(hù)層38是通過濺射方案或電子束蒸發(fā)方案而形成的薄膜。
前障肋35的形狀和高度被設(shè)計(jì)成與障肋30的水平剖面的形狀和高度相匹配，并形成在前基底20的下表面即形成在障肋30和前基底20之間。因此，當(dāng)后基底10與前基底20結(jié)合時(shí)，前障肋35可與障肋30匹配，從而限定放電室80。因此，當(dāng)熒光層70形成在前基底20的下表面上時(shí)，前障肋35使得熒光層70具有預(yù)定的厚度。同時(shí)，因?yàn)橄噜彽姆烹娛?0會(huì)需要不同顏色的熒光層，所以前障肋35防止涂覆在放電室上的熒光層被涂覆在相鄰的放電室80上。然而，也有可能，如果熒光層70能以預(yù)定的厚度形成在前基底20的下表面上，則本發(fā)明的等離子體顯示面板可不具有前障肋，并且具有不同顏色的熒光層可分別涂覆在沒有前障肋35的各放電室80上?？赏ㄟ^蝕刻前基底20在前基底20上一體地形成前障肋35，或者可用不同的材料在前基底20上單獨(dú)形成前障肋35。與障肋30相似，可使用介電物質(zhì)來形成前障肋35。在這種情況下，氧化鎂(MgO)保護(hù)層形成在前障肋35的外表面。
第一電極40和第二電極50與障肋30的第一障肋30a平行地形成，并且關(guān)于放電室80交替地布置，從而第一電極40或第二電極50被兩個(gè)附近的放電室80共享。此外，第一電極40和第二電極50形成在第一障肋30a的內(nèi)部。優(yōu)選地，第一電極40和第二電極50的位置偏上(沿著圖1中的z軸正方向)，如圖4中所示。因此，第一電極40放置在放電室80的一側(cè)，第二電極50放置在放電室80的相對(duì)側(cè)，從而可通過成對(duì)的第一電極40和第二電極50來實(shí)現(xiàn)放電操作。此外，優(yōu)選地，在如圖4中所示的第一電極40和第二電極50的剖視圖(沿著y軸的視圖)中，第一電極40和第二電極50的寬度(電極沿著x軸的長(zhǎng)度)小于第一電極40和第二電極50的高度(電極沿著z軸的長(zhǎng)度)。因此，位于放電室80兩側(cè)的第一電極40和第二電極50可在相當(dāng)大的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生放電，從而產(chǎn)生強(qiáng)的紫外線。強(qiáng)的紫外線可在放電室80的相當(dāng)大的區(qū)域的上方激發(fā)熒光層70，從而增加了由熒光層70產(chǎn)生的可見光的量。此外，第一電極40可通過對(duì)向放電方案與尋址電極60一起產(chǎn)生尋址放電，從而可有效地執(zhí)行尋址放電。第一電極也可被稱作“掃描電極”并用來與尋址電極合作產(chǎn)生尋址放電，第二電極50也可被稱作“維持電極”。雖然第一電極40被設(shè)為掃描電極，第二電極50被設(shè)為維持電極，但是也可將第一電極40設(shè)為維持電極，將第二電極50設(shè)為掃描電極。
由于第一電極40和第二電極50位于第一障肋30a中，所以第一電極40和第二電極50不必具有透明的特征。因此，能以由導(dǎo)電金屬制成的金屬電極的形式來設(shè)置第一電極40和第二電極50。優(yōu)選地，第一電極40和第二電極50由具有優(yōu)良導(dǎo)電性和低電阻的金屬制成，例如由銀、鋁或銅制成。在這種情況下，第一電極40和第二電極50在防止信號(hào)失真并降低維持放電所需的功耗的同時(shí)，可具有相對(duì)于放電的快速響應(yīng)速度。然而，如果材料具有優(yōu)良的導(dǎo)電性和低電阻，則在本發(fā)明中不限制用于第一電極40和第二電極50的材料。
尋址電極60形成在第二障肋30b的內(nèi)部，并與第二障肋30b平行地排列。尋址電極60設(shè)置在第二障肋30b偏下(沿著圖1中的z軸負(fù)方向)的下部，使得尋址電極60位于放電室80的平行兩側(cè)。此外，尋址電極60具有從尋址電極突出并從尋址電極60向放電室80延伸的輔助尋址電極64，以與第一電極40一起產(chǎn)生尋址放電(參照?qǐng)D2)。
輔助尋址電極64形成在第一電極40和第二電極50之間，并與尋址電極60連接。輔助尋址電極64從尋址電極60向放電室80的內(nèi)部延伸。具體地講，輔助尋址電極64與用作掃描電極的第一電極40相鄰。因此，通過輔助尋址電極64在第一電極40和尋址電極60之間產(chǎn)生尋址放電。此外，輔助尋址電極64被設(shè)置得離第一電極40比離第二電極50近。換言之，第一電極40和輔助尋址電極64之間的距離短于第二電極50和輔助尋址電極64之間的距離。因此，在輔助尋址電極64和第一電極40之間產(chǎn)生尋址放電。此外，一個(gè)輔助尋址電極64位于一個(gè)放電室80內(nèi)。如圖2中所示，放電室80形成在第一電極40的兩側(cè)，并共享第一電極40，為各放電室80設(shè)置輔助尋址電極64。優(yōu)選地，形成在第一電極40兩側(cè)的輔助尋址電極64關(guān)于第一電極40對(duì)稱地布置，因而在輔助尋址電極64和第一電極40之間具有相同的距離。由于輔助尋址電極64的對(duì)稱布置可得到均勻的尋址放電。
在如圖4中所示的輔助尋址電極64的剖視圖(沿y軸的視圖)中，輔助尋址電極64的寬度(電極沿x軸的長(zhǎng)度)大于輔助尋址電極64的高度(電極沿z軸的長(zhǎng)度)。因此，通過對(duì)向放電方案，輔助尋址電極64可與第一電極40一起在相當(dāng)大的區(qū)域的上方產(chǎn)生尋址放電。
從尋址電極60延伸的輔助尋址電極64與位于放電室80的相對(duì)側(cè)的其它尋址電極隔開預(yù)定的距離。因此，在尋址電極60和位于放電室80的相對(duì)側(cè)的其它尋址電極之間沒有電連接。
輔助尋址電極64的外表面形成有絕緣層。優(yōu)選地，由介電物質(zhì)制成的輔助電極介電層34以預(yù)定的厚度形成在輔助尋址電極64的外表面上。輔助電極介電層34覆蓋輔助尋址電極64的整個(gè)區(qū)域。此外，輔助電極介電層34優(yōu)選地由與障肋30的材料相同的材料制成，并可與障肋30一體地形成。輔助電極介電層34與位于放電室80的相對(duì)側(cè)的其它第二障肋30b隔開預(yù)定的距離。因此，輔助電極介電層34可以不覆蓋放電室80的整個(gè)區(qū)域，使得熒光層可形成在后基底10的上表面的相當(dāng)大的區(qū)域上，從而提高了發(fā)光效率。
優(yōu)選地，輔助電極介電層34的外表面形成有用來保護(hù)介電層的氧化鎂(MgO)保護(hù)層39。氧化鎂(MgO)保護(hù)層39防止輔助電極64在放電操作期間受到損害，并發(fā)射二次電子以降低放電電壓。氧化鎂(MgO)保護(hù)層39是通過濺射方案或電子束蒸發(fā)方案形成的薄膜。
參照?qǐng)D4，關(guān)于沿著x軸的位置，輔助尋址電極64的側(cè)面部分64a的位置與第一電極40的側(cè)面部分40a的位置隔開預(yù)定的距離，或者與第一電極40的側(cè)面部分40a的位置相匹配。即，輔助尋址電極64的上表面64b不會(huì)直接面對(duì)第一電極40的下表面40b。因此，通過對(duì)向放電方案在由輔助尋址電極64的上表面64b和第一電極40的側(cè)面部分40a限定的相當(dāng)大的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生尋址放電，從而可有效地執(zhí)行尋址放電。
此外，關(guān)于沿著z軸的位置，輔助尋址電極64的上表面64b的水平面與第一電極40的下表面40b的水平面相同或低于第一電極40的下表面40b的水平面。輔助尋址電極64不會(huì)干擾第一電極40和第二電極50之間產(chǎn)生的維持放電，從而可穩(wěn)定地執(zhí)行維持放電。優(yōu)選地，在尋址電極64的上表面64b上形成的輔助電極介電層34的上表面34a的水平面不會(huì)超過第一電極40的下表面40b的水平面。即，輔助電極介電層34的水平面等于或低于第一電極40的下表面40b的水平面。因此，第一電極40使得壁電荷在尋址放電操作期間積聚在第一障肋30a的側(cè)面部分30aa的相當(dāng)大的區(qū)域上，從而可有效地執(zhí)行尋址放電。
此外，關(guān)于沿著x軸的位置，輔助尋址電極64以這樣一種方式排列輔助尋址電極64的側(cè)面部分64a的位置與第一障肋30a的側(cè)面部分30aa的位置相匹配。因此，輔助尋址電極64使得壁電荷積聚在相當(dāng)大的區(qū)域上，從而可有效地執(zhí)行尋址放電。
熒光層70在放電室80內(nèi)可形成在后基底10和前基底20的至少一個(gè)上，并吸收紫外線以產(chǎn)生可見光。優(yōu)選地，熒光層70包括第一熒光層70a，形成在后基底10的在放電室80中的表面上；第二熒光層70b，形成在前基底20的在放電室80中的表面上。因此，形成在后基底10的表面上的第一熒光層70a吸收紫外線，產(chǎn)生可見光，并向前基底20反射可見光。因此，第一熒光層70a為反射熒光層。形成在前基底20的表面上的第二熒光層70b吸收紫外線，產(chǎn)生可見光，并使可見光穿過前基底20。此外，由第一熒光層70a反射的可見光也穿過第二熒光層70b。因此，為了提高可見光穿過前基底20的透射率，第二熒光層70b(為透射熒光層)的厚度優(yōu)選地小于第一熒光層70a(為反射熒光層)的厚度。由于可見光在第二熒光層70b的透過率基本上與熒光層的厚度成比例，所以通過鑒于放電室80的發(fā)光效率來適當(dāng)?shù)剡x擇第二熒光層70b的厚度。此外，也通過鑒于放電室80的發(fā)光效率來適當(dāng)?shù)剡x擇第一熒光層70a的厚度。同時(shí)，采用對(duì)向放電方案的電極結(jié)構(gòu)在放電室80的整個(gè)表面的上方可不具有別的電極，但在放電室80的整個(gè)表面的上方可具有第二熒光層70b，所以與采用表面放電方案的電極結(jié)構(gòu)的可見光的透射率和放電效率相比，可提高可見光的透射率和放電效率。
熒光層70具有能夠通過接收紫外線產(chǎn)生可見光的組分。形成在紅光發(fā)射放電室上的紅色熒光層可包括熒光物質(zhì)例如Y(V，P)O4:Eu，形成在綠光發(fā)射放電室上的綠色熒光層可包括熒光物質(zhì)例如Zn2SiO4:Mn，形成在藍(lán)光發(fā)射放電室上的藍(lán)色熒光層可包括熒光物質(zhì)例如BAM:Eu。即，熒光層被劃分為紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)射熒光層，并形成在相鄰的放電室80內(nèi)。形成有紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)射熒光層的相鄰的放電室80形成單位像素，從相鄰的放電室80透射的可見光被合并，用來實(shí)現(xiàn)彩色圖像。
通過后基底10、障肋30和前基底20來限定放電室80。放電室80填充有放電氣體(例如，包括氙、氖等的氣體的混合物)，以產(chǎn)生等離子體放電。此外，用于通過接收紫外線產(chǎn)生可見光的熒光層70設(shè)置在放電室80內(nèi)并與后基底10的上表面區(qū)域和障肋30的預(yù)定部分對(duì)應(yīng)。即，熒光層70涂覆在后基底10的上表面和障肋30上并與第一電極40和第二電極50的高度對(duì)應(yīng)。放電室80的寬度和長(zhǎng)度可根據(jù)各熒光物質(zhì)的發(fā)光效率而改變。
以下，將描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示面板。圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的水平剖視圖。根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示面板與圖1至圖4中示出的根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示面板基本相似。因此，為了避免冗余，以下的描述將集中在這兩者之間不同的部分。
參照?qǐng)D5，在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示面板中，輔助電極介電層134圍繞輔助尋址電極64。此外，輔助電極介電層134連接至與第二障肋30b關(guān)于放電室80相對(duì)設(shè)置的其它第二障肋30b。即，輔助電極介電層134形成在放電室80的一側(cè)的所有區(qū)域的上方。因此，與圖1中示出的放電室的結(jié)構(gòu)相比，可簡(jiǎn)化放電室80的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從而可易于形成輔助電極介電層134。由于輔助電極介電層134為絕緣層，所以輔助尋址電極64可和與輔助尋址電極64關(guān)于放電室80相對(duì)設(shè)置的其它尋址電極60電斷開。
以下，將進(jìn)行關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板的放電操作的描述。
以重置放電、尋址放電和維持放電的順序來順序地執(zhí)行等離子體顯示面板的放電操作。以下的描述將集中在尋址放電和維持放電。
通過將尋址電壓施加在形成于第二障肋30b上的尋址電極60和用作掃描電極的第一電極40之間來執(zhí)行尋址放電。詳細(xì)地講，尋址放電發(fā)生在第一電極40和輔助尋址電極64之間，其中，輔助尋址電極64從尋址電極60向放電室80延伸并位于第一電極40和第二電極50之間，從而對(duì)執(zhí)行維持放電的放電室80尋址。此時(shí)，由于第一電極40和輔助尋址電極64之間的距離非常短，所以通過施加低的尋址電壓可執(zhí)行尋址放電。此外，無論第一電極40和第二電極50之間的距離及放電室的間距為何值，第一電極40和輔助尋址電極64之間的距離可保持為常數(shù)，從而尋址電壓可保持在低電平。由于用低的尋址電壓執(zhí)行尋址放電，所以通過施加到第一電極40和輔助尋址電極64的電位在放電室中形成的電場(chǎng)的強(qiáng)度可增大，在放電室80中產(chǎn)生的帶電粒子被加速，使得帶電粒子具有相當(dāng)高的能量。因此，可易于執(zhí)行尋址放電。即，根據(jù)采用對(duì)向放電方案的等離子體顯示面板，在放電室80中形成的電場(chǎng)的強(qiáng)度可增大，從而能夠降低用于期望的尋址放電的施加到尋址電極60的電位。因此，能夠降低用來控制施加到尋址電極60的電信號(hào)的IC芯片的成本，帶來用于等離子體顯示面板的制造成本的降低。同時(shí)，第一電極40被沿著x軸彼此相鄰的兩個(gè)放電室80共用，尋址電極60被沿著y軸彼此相鄰的放電室80共用。因而，在沿著x軸彼此相鄰的兩個(gè)放電室80內(nèi)可同時(shí)執(zhí)行尋址放電。
通過將預(yù)定的維持電壓施加到形成在被尋址的放電室80的彼此面對(duì)的兩側(cè)的第一電極40和第二電極50上來執(zhí)行維持放電。此時(shí)，第一電極40被相鄰的放電室80共用，第二電極50跨過放電室80面對(duì)第一電極40排列。因此，通過將維持電壓施加到跨過產(chǎn)生維持放電的放電室80而彼此面對(duì)的第一電極40和第二電極50上來執(zhí)行維持放電。僅在一個(gè)位于第一電極40和第二電極50之間的放電室80內(nèi)執(zhí)行維持放電。此外，因?yàn)檩o助尋址電極64設(shè)置在第一電極40和第二電極50的下方，所以輔助尋址電極64在維持放電操作期間不會(huì)干擾第一電極40和第二電極50。通過在彼此面對(duì)并保持其間跨過放電室80的大間隙的第一電極40和第二電極50之間的對(duì)向放電方案執(zhí)行維持放電，可提高放電效率和放電的均勻性。此外，通過將維持電壓施加到形成在共享第一電極40的相鄰放電室80的相對(duì)側(cè)上的兩個(gè)第二電極50，可在兩個(gè)相鄰的放電室80內(nèi)同時(shí)執(zhí)行維持放電。因此，可更有效地執(zhí)行維持放電。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板，輔助尋址電極鄰近于掃描電極排列，所以能以相當(dāng)?shù)偷膶ぶ冯妷簛韴?zhí)行尋址放電。
此外，根據(jù)本發(fā)明，不管放電室80為何種設(shè)計(jì)，產(chǎn)生尋址放電的輔助尋址電極和掃描電極之間的距離可保持為常數(shù)。因此，即使改變掃描電極和維持電極之間的距離，也可同樣保持尋址電壓。
根據(jù)本發(fā)明，產(chǎn)生尋址放電和維持放電的電極排列在后基底的障肋中，所以可在前基底內(nèi)形成熒光層，從而提高了等離子體顯示面板的發(fā)光效率。
雖然為了示例的目的已經(jīng)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員要明白，在不脫離如權(quán)利要求披露的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，能夠進(jìn)行各種修改、添加和取代。
本申請(qǐng)要求于2005年4月18日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2005-0032104號(hào)申請(qǐng)的所有權(quán)益，該申請(qǐng)參考并包含于此。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)地排列；障肋，形成在所述第一基底和所述第二基底之間，所述障肋限定多個(gè)放電室并包括第一障肋；第一電極和第二電極，交替地形成在所述第一基底和所述第二基底之間，所述第一障肋包括所述第一電極或所述第二電極；尋址電極，形成在所述第一基底的內(nèi)表面上，所述尋址電極與所述第一電極和所述第二電極相交叉；輔助尋址電極，從所述尋址電極突出，所述輔助尋址電極從所述尋址電極向所述放電室延伸，所述輔助尋址電極與所述第一電極合作產(chǎn)生尋址放電。
2.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，所述障肋還包括垂直于所述第一障肋排列的第二障肋，所述第二障肋包括所述尋址電極。
3.如權(quán)利要求2中所述的等離子體顯示面板，其中，所述障肋包括介電層。
4.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第一基底和所述第二基底的至少一個(gè)上的熒光層。
5.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，還包括熒光層，所述熒光層包括第一熒光層，形成在所述第二基底的在所述放電室中的內(nèi)表面上；第二熒光層，形成在所述第一基底的在所述放電室中的內(nèi)表面上。
6.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極包括金屬電極。
7.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極的寬度小于所述第一電極和所述第二電極的高度。
8.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，包括的所述輔助尋址電極與其它尋址電極隔開。
9.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助尋址電極的寬度大于所述輔助尋址電極的高度。
10.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，所述輔助尋址電極布置在與所述第一基底平行的平面上并與所述第一電極隔開預(yù)定的距離。
11.如權(quán)利要求10中所述的等離子體顯示面板，包括的所述輔助尋址電極布置在與所述第一基底平行的平面上并與包括所述第一電極的所述第一障肋隔開預(yù)定的距離，所述預(yù)定的距離大于或等于零。
12.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，包括的所述輔助尋址電極布置在所述第一電極之下。
13.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，包括的所述輔助尋址電極布置得離所述第一電極比離所述第二電極近。
14.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助尋址電極形成在彼此相鄰以共用對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述第一電極的放電室內(nèi)。
15.如權(quán)利要求14中所述的等離子體顯示面板，其中，所述輔助尋址電極關(guān)于所述第一電極對(duì)稱地排列。
16.如權(quán)利要求2中所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述輔助尋址電極的外表面上的輔助電極介電層。
17.如權(quán)利要求16中所述的等離子體顯示面板，包括的所述輔助電極介電層與包括所述輔助尋址電極沒有從其突出的其它尋址電極的其它第二障肋隔開，其中，所述輔助電極介電層形成在所述輔助尋址電極上。
18.如權(quán)利要求16中所述的等離子體顯示面板，包括的所述輔助電極介電層與其它第二障肋連接。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板具有這樣一種電極結(jié)構(gòu)，即，在該結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生尋址放電的尋址電極和掃描電極彼此相鄰地排列，使得尋址電壓穩(wěn)定地保持在相當(dāng)?shù)偷碾娖?，從而提高了該等離子體顯示面板的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01J11/16GK1855348SQ20061006673
公開日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2006年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月18日
發(fā)明者許民, 崔榮鍍 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社