專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文件涉及顯示裝置，更具體地，涉及等離子體顯示裝置。
背景技術(shù)：
在顯示裝置中，等離子體顯示裝置通常包括等離子體顯示板和用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)器。
等離子體顯示板包括由鈉鈣玻璃制成的前板和后板。在前板和后板之間形成的障壁形成放電單元。每個(gè)放電單元由惰性氣體如He-Xe氣體混合物、He-Ne氣體混合物來(lái)填充。當(dāng)惰性氣體通過(guò)高頻電壓放電時(shí)，產(chǎn)生真空紫外線。真空紫外線激發(fā)形成于障壁之間的熒光體以在等離子體顯示板上顯示圖像。
前板包括透明電極和匯流電極。黑層形成于透明電極和匯流電極之間。黑層由導(dǎo)電材料形成，如氧化釕、氧化鉛、碳系(carbon series)。在保持電極對(duì)(maintenance electrode pair)之間形成的黑層和黑矩陣(black matrix)改善了放電單元之間的對(duì)比度。
由于形成匯流電極的Ag不透射由放電產(chǎn)生的光并且反射從等離子體顯示板外產(chǎn)生的光，對(duì)比度被降級(jí)。
能夠改善對(duì)比度的黑層插入在透明電極和匯流電極之間以克服上述問(wèn)題。
黑層執(zhí)行光阻擋功能以便通過(guò)吸收從前板的前玻璃基板外產(chǎn)生的外部光來(lái)減小反射度，并且改善前玻璃基板的對(duì)比度和色純度。
然而，由于相關(guān)技術(shù)黑層的寬度與匯流電極的寬度大約相等，在匯流電極的邊緣易于產(chǎn)生邊緣卷曲(edge curl)。在匯流電極接觸黑層的地方發(fā)生不良接觸。難以均勻地在放電單元中積累壁電荷。此外，黑層不充分地執(zhí)行光阻擋功能，并且不充分地改善色純度和對(duì)比度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是至少解決背景技術(shù)的問(wèn)題和缺陷。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了能夠容易地通過(guò)防止邊緣卷曲來(lái)均勻地積累壁電荷并通過(guò)減小黑亮度來(lái)改善對(duì)比度的等離子體顯示板。
本發(fā)明的實(shí)施例還提供了具有改善的對(duì)比度的等離子體顯示板，其可以以簡(jiǎn)化且成本降低的方式來(lái)制造。
根據(jù)一個(gè)方面，提供一種等離子體顯示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明電極；在所述透明電極的上部形成的黑層；以及在所述黑層的上部形成的匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度。
根據(jù)另一個(gè)方面，提供一種等離子體顯示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明電極；黑層，形成于所述透明電極的上部以及放電單元之間的非放電區(qū)；以及匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度，形成于所述透明電極上的所述黑層的上部。
根據(jù)又一個(gè)方面，提供一種等離子體顯示板，包括前玻璃基板；黑層，形成于所述前玻璃基板上；以及在所述黑層的上部形成的匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示板中，通過(guò)將匯流電極形成得比黑層的寬度窄，防止了邊緣卷曲，并且壁電荷得以均勻地積累。此外，通過(guò)減小黑亮度改善了對(duì)比度。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示板簡(jiǎn)化了制造過(guò)程并減少了制造成本。


將參照以下附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，其中，相似的數(shù)字指代相似的要素。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的示意橫截面視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的制造方法的流程圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的示意橫截面視圖；圖5a至圖5e是順序說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的制造方法中的每個(gè)階段的橫截面視圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的示意橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖以更詳細(xì)的方式說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示板包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明電極；在所述透明電極的上部形成的黑層；以及在所述黑層的上部形成的匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度。
優(yōu)選地，匯流電極形成于所述黑層的中部。
優(yōu)選地，黑層的寬度范圍從20μm到100μm。
優(yōu)選地，黑層的寬度范圍從50μm到80μm。
優(yōu)選地，匯流電極的寬度范圍從所述黑層的寬度的50％到90％。
優(yōu)選地，所述黑層的寬度和所述匯流電極的寬度之間的差小于20μm 。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示板包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明電極；黑層，形成于所述透明電極的上部以及放電單元之間的非放電區(qū)上；以及匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度，形成于所述透明電極上的所述黑層的上部。
優(yōu)選地，匯流電極形成于所述透明電極上的所述黑層的中部。
優(yōu)選地，透明電極上的所述黑層的寬度范圍從20μm到100μm。
優(yōu)選地，透明電極上的所述黑層的寬度范圍從50μm到80μm。
優(yōu)選地，匯流電極的寬度范圍從所述透明電極上的所述黑層的寬度的50％到90％。
優(yōu)選地，透明電極上的所述黑層的寬度和所述匯流電極的寬度之間的差小于20μm。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示板包括前玻璃基板；黑層，形成于所述前玻璃基板上；以及在所述黑層的上部形成的匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度。
優(yōu)選地，匯流電極形成于所述黑層的中部。
優(yōu)選地，黑層的寬度范圍從20μm到100μm。
優(yōu)選地，黑層的寬度范圍從50μm到80μm。
優(yōu)選地，匯流電極的寬度范圍從所述黑層的寬度的50％到90％。
優(yōu)選地，黑層的寬度和所述匯流電極的寬度之間的差小于20μm。
以下將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明示范實(shí)施例。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板包括前板100和后板110，其平行耦合成以其間的給定距離彼此相對(duì)。
多個(gè)掃描電極102和多個(gè)維持電極(sustain electrode)103成對(duì)形成在前板100的前玻璃基板101上以形成多個(gè)保持電極對(duì)。
掃描電極102和維持電極103各包括由透明氧化銦錫(ITO)材料制成的透明電極102a和103a，和由金屬材料制成的匯流電極102b和103b。掃描電極102和維持電極103在一個(gè)放電單元中產(chǎn)生其間的互放電，并保持放電單元的光發(fā)射。
掃描電極102和維持電極103由一或多個(gè)上電介質(zhì)層104覆蓋以限制放電電流并提供保持電極對(duì)之間的絕緣。帶有MgO沉積物的保護(hù)層105形成在上電介質(zhì)層104的上表面上以利于放電條件。
多個(gè)條型(或井型)障壁112平行形成在后板110的后玻璃基板111上以形成多個(gè)放電空間，即，多個(gè)放電單元。
多個(gè)尋址電極113與障壁112平行設(shè)置以便執(zhí)行地址放電并產(chǎn)生真空紫外線。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)熒光體114涂覆后玻璃基板111的上表面以便在尋址放電產(chǎn)生期間發(fā)射用于顯示圖像的可見光。下電介質(zhì)層115形成于尋址電極113和熒光體114之間以保護(hù)尋址電極113。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的示意橫截面視圖。
如圖2所示，多個(gè)保持電極對(duì)平行設(shè)置在前板100的前玻璃基板101上。保持電極對(duì)包括由透明ITO材料制成的透明電極102a和103a，以及透明電極102a和103a上由諸如Ag的金屬材料制成的匯流電極102b和103b。
由導(dǎo)電材料制成的黑層106a和106b各形成于透明電極102a和103a以及匯流電極102b和103b之間。黑層106a和106b通過(guò)吸收從前玻璃基板101外產(chǎn)生的外部光來(lái)執(zhí)行光阻擋功能以便減小反射度，并改善前玻璃基板101的對(duì)比度和色純度。
形成于透明電極102a和103a以及匯流電極102b和103b之間的黑層106a和106b的寬度大于其上形成的匯流電極102b和103b的寬度。因而，黑亮度得以降低并且對(duì)比度得以改善。
對(duì)比度作為評(píng)估等離子體顯示板的圖像質(zhì)量的重要因素，與白峰成比例，并與黑亮度成反比?？傊?，黑亮度的增加減小了對(duì)比度。白峰是指基于等離子體顯示板整個(gè)屏幕的低于10％的區(qū)域，該低于10％的區(qū)域中最亮的屏幕的狀態(tài)。黑亮度是指數(shù)據(jù)輸入為0的狀態(tài)，即處于其最小亮度狀態(tài)的等離子體顯示板的亮度。
因此，黑層106a和106b的區(qū)域的增加在能夠確?？讖奖鹊姆秶鷥?nèi)減小了黑亮度，并且黑亮度的減小改善了對(duì)比度。
因此，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的黑層106a和106b的寬度大于匯流電極102b和103b的寬度。為此，黑層106a和106b的寬度可大于相關(guān)技術(shù)黑層的寬度?；蛘撸瑓R流電極102b和103b的寬度可小于相關(guān)技術(shù)匯流電極的寬度?；蛘撸稍黾雍趯?06a和106b的寬度并減小匯流電極102b和103b的寬度。
圖2中，l3標(biāo)示黑層106a的寬度，而l4標(biāo)示匯流電極102b和103b的寬度。由于匯流電極102b和103b的寬度l4小于黑層106a的寬度l3，通過(guò)黑層106a和106b的區(qū)域的增加而減小了黑亮度，并且改善了對(duì)比度。
由于在匯流電極102b和103b之下形成的黑層106a和106b的寬度大于匯流電極102b和103b的寬度，防止了在匯流電極102b和103b的邊緣的邊緣卷曲。
優(yōu)選地，匯流電極102b和103b形成于黑層106a和106b的中部。
優(yōu)選地，考慮到保證孔徑比或匯流電極102b和103b的阻抗，黑層106a和106b的寬度l3范圍從20μm到100μm。更優(yōu)選地，黑層106a和106b的寬度l3范圍從50μm到80μm。
優(yōu)選地，匯流電極102b和103b的寬度范圍從黑層106a和106b的寬度的50％到90％。當(dāng)匯流電極102b和103b的寬度范圍是從黑層106a和106b的寬度的50％到90％時(shí)，更優(yōu)選地，從黑層106a和106b的寬度減去匯流電極102b和103b的寬度的值小于20μm。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的制造方法的流程圖。
在步驟S100中，使用ITO材料在前玻璃基板101上形成透明電極102a和103a的ITO電極圖案。
在步驟S110中，印刷并干燥一黑材料，如黑漿，以覆蓋ITO電極圖案。
在步驟S120中，在黑材料的上部印刷并干燥一金屬材料，如銀漿。
在步驟S130中，使用第一掩模將金屬材料曝光并顯影，從而形成匯流電極102b和103b。然后，干燥和焙燒(fire)匯流電極102b和103b。
在步驟S140中，使用第二掩模將黑材料曝光并顯影，并然后在匯流電極102b和103b的下部形成寬度大于匯流電極102b和103b的寬度的黑層106a和106b。
在步驟S150中，在前玻璃基板101的上部印刷和干燥一電介質(zhì)材料以覆蓋從前玻璃基板101伸出的透明電極102a和103a、黑層106a、匯流電極102b和103b以及黑層106b。然后，形成了上電介質(zhì)層104。
圖3中，第一掩模和第二掩模用于制造等離子體顯示板。然而，可將附加的掩模用于制造等離子體顯示板。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的示意橫截面視圖。
如圖4所示，多個(gè)保持電極對(duì)平行設(shè)置在前板400的前玻璃基板401上。保持電極對(duì)包括由ITO材料制成的透明電極402a和403a，以及和透明電極402a和403a上由諸如Ag的金屬材料制成的匯流電極402b和403b。
由導(dǎo)電材料制成的黑層406a和406b各形成于透明電極402a和403a以及匯流電極402b和403b之間。
黑層406a和406b形成為從放電單元之間的非放電區(qū)延伸到透明電極402a和403a和匯流電極402b和403b之間的相鄰于所述非放電區(qū)的放電單元的區(qū)。黑層406a和406b通過(guò)吸收從前玻璃基板401外產(chǎn)生的外部光來(lái)執(zhí)行光阻擋功能以便減小反射度，并且改善前玻璃基板401的對(duì)比度和色純度。
不象根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的前板100，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的黑層406a和406b通過(guò)單個(gè)過(guò)程而形成。因此，前板400的制造過(guò)程比前板100簡(jiǎn)單，從而減少了等離子體顯示板的制造成本。
透明電極402a和403a上的黑層406a的寬度l3大于黑層406a上的匯流電極402b和403b的寬度l4。因而，減小了黑亮度，并通過(guò)黑亮度的減小改善了對(duì)比度。
對(duì)比度作為評(píng)估等離子體顯示板的圖像質(zhì)量的重要因素，與白峰成比例，并與黑亮度成反比?？傊?，黑亮度的增加減小了對(duì)比度。
因此，黑層406a的區(qū)域的增加在能夠確?？讖奖鹊姆秶鷥?nèi)減小了黑亮度，并且黑亮度的減小改善了對(duì)比度。
因此，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示板的透明電極402a和403a上的黑層406a的寬度l3大于其上的匯流電極402b和403b的寬度l4。為此，黑層406a的寬度l3可大于相關(guān)技術(shù)黑層的寬度?；蛘撸瑓R流電極402b和403b的寬度l4可小于相關(guān)技術(shù)匯流電極的寬度。或者，可增加黑層406a的寬度l3并減小匯流電極102b和103b的寬度l4。
如上所述，由于匯流電極402b和403b的寬度l4小于透明電極402a和403a上的黑層406a的寬度l3，通過(guò)黑層406a的區(qū)域的增加而減小了黑亮度，并且改善了對(duì)比度。
由于透明電極402a和403a上的黑層406a的寬度大于匯流電極402b和403b的寬度，防止了在匯流電極402b和403b的邊緣的邊緣卷曲。
優(yōu)選地，匯流電極402b和403b形成于透明電極402a和403a上的黑層406a的中部。
優(yōu)選地，考慮到保證孔徑比或匯流電極402b和403b的阻抗，透明電極402a和403a上的黑層406a的寬度l3范圍從20μm到100μm。更優(yōu)選地，透明電極402a和403a上的黑層406a的寬度l3范圍從50μm到80μm。
優(yōu)選地，匯流電極402b和403b的寬度范圍是從透明電極402a和403a上的黑層406a的寬度的50％到90％。當(dāng)匯流電極402b和403b的寬度范圍是從黑層406a的寬度的50％到90％時(shí)，更優(yōu)選地，從透明電極402a和403a上的黑層406a的寬度減去匯流電極402b和403b的寬度的值小于20μm。
圖5a至圖5e是順序說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的制造方法中的階段的橫截面視圖。
如圖5a所示，使用ITO材料在前玻璃基板401上形成透明電極402a和403a的ITO電極圖案。接著，印刷和干燥用于形成黑層406a和406b的黑材料，如黑漿，并然后使用第一掩模來(lái)曝光圖4中示出的黑層406a和406b的構(gòu)成部分。
如圖5b所示，在黑材料的上部印刷并干燥用于形成匯流電極402b和403b金屬材料，如銀漿。
如圖5c和圖5d所示，使用第二掩模通過(guò)紫外線將匯流電極402b和403b的構(gòu)成部分曝光和顯影，并然后使用焙燒爐(未示出)來(lái)焙燒。
如圖5e所示，印刷并干燥電介質(zhì)漿。然后，焙燒電介質(zhì)漿。
圖5中，第一掩模和第二掩模用于制造等離子體顯示板。然而，可將附加的掩模用于制造等離子體顯示板。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示板的前板的示意橫截面視圖。
如圖6所示，包括由諸如Ag的金屬材料制成的匯流電極602b和603b的多個(gè)保持電極對(duì)平行設(shè)置在前板600的前玻璃基板601上。
不象根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的前板100，由于在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示板的前板600上未形成昂貴的透明電極，等離子體顯示板的制造成本得以降低。
由導(dǎo)電材料制成的黑層606a和606b形成于前板600的前玻璃基板601上。黑層606a和606b通過(guò)吸收從前玻璃基板601外產(chǎn)生的外部光來(lái)執(zhí)行光阻擋功能以便減小反射度，并改善了前玻璃基板601的對(duì)比度和色純度。
匯流電極602b和603b之下的黑層606a和606b的寬度大于匯流電極602b和603b的寬度。因而，黑亮度得以降低，并且通過(guò)黑亮度的降低改善了對(duì)比度。
對(duì)比度作為評(píng)估等離子體顯示板的圖像質(zhì)量的重要因素，與白峰成比例，并與黑亮度成反比。總之，黑亮度的增加減小了對(duì)比度。
因此，黑層606a和606b的區(qū)域的增加在能夠確?？讖奖鹊姆秶鷥?nèi)減小了黑亮度，并且黑亮度的減小改善了對(duì)比度。
因此，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子體顯示板中的黑層606a和606b的寬度大于其上的匯流電極602b和603b的寬度。為此，黑層606a和606b的寬度可大于相關(guān)技術(shù)黑層的寬度?；蛘?，匯流電極602b和603b的寬度可小于相關(guān)技術(shù)匯流電極的寬度。或者，可增加黑層606a和606b的寬度并減小匯流電極602b和603b的寬度。
圖6中，l3標(biāo)示黑層606a和606b的寬度，而l4標(biāo)示匯流電極602b和603b的寬度。由于匯流電極602b和603b的寬度l4小于黑層606a和606b的寬度l3，通過(guò)黑層606a和606b的區(qū)域的增加而減小了黑亮度，并且改善了對(duì)比度。
由于在匯流電極602b和603b之下形成的黑層606a和606b的寬度大于匯流電極602b和603b的寬度，防止了在匯流電極602b和603b的邊緣的邊緣卷曲。
優(yōu)選地，匯流電極602b和603b形成于黑層606a和606b的中部。
優(yōu)選地，考慮到保證孔徑比或匯流電極602b和603b的阻抗，黑層606a和606b的寬度l3范圍從20μm到100μm。更優(yōu)選地，黑層606a和606b的寬度l3范圍是從50μm到80μm。
優(yōu)選地，匯流電極602b和603b的寬度范圍是從黑層606a和606b的寬度的50％到90％。當(dāng)匯流電極602b和603b的寬度范圍是從黑層606a和606b的寬度的50％到90％時(shí)，更優(yōu)選地，從黑層606a和606b的寬度減去匯流電極602b和603b的寬度的值小于20μm。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中，由于匯流電極的寬度小于黑層的寬度，防止了邊緣卷曲，并且得以均勻地積累壁電荷。此外，通過(guò)減小黑亮度改善了對(duì)比度。
此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示板的制造過(guò)程簡(jiǎn)單，并且因而，等離子體顯示板制造成本下降。
如此描述的本發(fā)明可以以很多種方式變化。不應(yīng)認(rèn)為此種變化脫離本發(fā)明的精神和范圍，并且意欲將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的所有此種修改包括在所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明電極；在所述透明電極的上部形成的黑層；以及在所述黑層的上部形成的匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述匯流電極形成于所述黑層的中部。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述黑層的寬度范圍是從20μm到100μm。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述黑層的寬度范圍是從50μm到80μm。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述匯流電極的寬度范圍是從所述黑層的寬度的50％到90％。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中所述黑層的寬度和所述匯流電極的寬度之間的差小于20μm。
7.一種等離子體顯示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明電極；黑層，形成于所述透明電極的上部以及放電單元之間的非放電區(qū)上；以及匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度，形成于所述透明電極上的所述黑層的上部。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示板，其中所述匯流電極形成于所述透明電極上的所述黑層的中部。
9.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示板，其中所述透明電極上的所述黑層的寬度范圍是從20μm到100μm。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示板，其中所述透明電極上的所述黑層的寬度范圍是從50μm到80μm。
11.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示板，其中所述匯流電極的寬度范圍是從所述透明電極上的所述黑層的寬度的50％到90％。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示板，其中所述透明電極上的所述黑層的寬度和所述匯流電極的寬度之間的差小于20μm。
13.一種等離子體顯示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的黑層；以及在所述黑層的上部形成的匯流電極，其寬度小于所述黑層的寬度。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中所述匯流電極形成于所述黑層的中部。
15.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中所述黑層的寬度范圍是從20μm到100μm。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示板，其中所述黑層的寬度范圍是從50μm到80μm。
17.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中所述匯流電極的寬度范圍是從所述黑層的寬度的50％到90％。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示板，其中所述黑層的寬度和所述匯流電極的寬度之間的差小于20μm。
全文摘要
提供了一種等離子體顯示板。所述等離子體顯示板包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明電極；在所述透明電極的上部形成的黑層；以及在所述黑層的上部形成的匯流電極。所述匯流電極的寬度小于所述黑層的寬度。
文檔編號(hào)H01J11/26GK1862753SQ20061006636
公開日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2006年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月11日
發(fā)明者鄭閔鞫 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社