專利名稱：等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDPPlasma Display Pannel)和等離子體顯示裝置，尤其涉及一種適于高亮度、高效率和高品質(zhì)化的等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置。
背景技術(shù)：
以前，作為平面型圖像顯示裝置，實用化使用執(zhí)行面放電的交流型等離子體顯示面板(AC面放電型PDP)之等離子體顯示裝置，作為電腦或工作站等圖像顯示裝置、平面型壁掛電視、或顯示廣告或信息等用的裝置而被廣泛使用。另外，近年來，期望提供一種等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置，改良等離子體顯示面板的電極構(gòu)造，可以高亮度和高發(fā)光效率充分確保驅(qū)動余裕，另外，可以低電壓穩(wěn)定驅(qū)動。
以前，實用化使用AC面放電型PDP的等離子體顯示裝置，對應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)，使畫面上的全部像素同時發(fā)光。AC面放電型PDP是在兩個玻璃基板間設(shè)置多個密閉的微小放電空間(放電單元)的顯示器件。利用封入上述放電單元內(nèi)的惰性氣體(放電氣體)的放電，形成等離子體，利用來自該等離子體的紫外線，激勵熒光體，由來自各熒光體的可視光，構(gòu)成等離子體畫面。另外，還有直接利用來自等離子體的發(fā)光的方式。
圖1是表示等離子體顯示面板(PDP)的構(gòu)造一部分的分解斜視圖。另外，在以下的


中，具有相同功能的部分附加相同符號，省略其重復(fù)說明。
圖1示出反射型PDP，該反射型PDP使由玻璃基板構(gòu)成的前面基板21與背面基板28貼合，一體化，在背面基板28側(cè)設(shè)置作為3原色的紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的各熒光體層32。
前面基板21具有間隔規(guī)定距離平行形成于與背面基板28相對面上的一對維持放電電極(也稱為顯示電極)。該一對維持放電電極由透明的共同電極(下面簡稱為X電極)22-1、22-2、…、和透明的獨立電極(下面簡稱為Y電極或掃描電極)23-1、23-2、…構(gòu)成。
分別沿圖2中的箭頭方向D2(行方向)，在X電極22-1、22-2、…中延伸設(shè)置由用于彌補透明電極導(dǎo)電性的金屬等構(gòu)成的不透明X總線電極24-1、24-2、…，另外，在Y電極23-1、23-2、…中延伸設(shè)置由用于彌補透明電極導(dǎo)電性的金屬等構(gòu)成的不透明Y總線電極25-1、25-2、…。
這里，為了交流驅(qū)動，使X電極22-1、22-2、…、Y電極23-1、23-2、…、X總線電極24-1、24-2、…、Y總線電極25-1、25-2、…與放電絕緣。即，這些電極一般由低熔點玻璃(例如鉛玻璃例如介電常數(shù)比εr為12-14)構(gòu)成的電介質(zhì)層26覆蓋，該電介質(zhì)層26由保護(hù)膜27覆蓋。
背面基板28在與前面基板21的相對面上，具有與前面基板21的X電極22-1、22-2、…和Y電極23-1、23-2、…立體交叉成直角的地址電極(下面簡稱為A電極。)29，該A電極29由電介質(zhì)層30覆蓋。A電極29沿圖2中的箭頭方向D1(列方向)延伸設(shè)置，為了防止放電擴散(規(guī)定放電的區(qū)域)，在電介質(zhì)30上，設(shè)置分隔A電極29間的隔壁(肋)31。以覆蓋該隔壁31間的溝面的形式，將發(fā)紅、綠、藍(lán)光的各熒光體層32依次涂布成條帶狀。
圖2是從圖1的分解斜視圖中的方向D2看的等離子體顯示面板的主要部分截面圖，示出作為像素最小單位的一個放電單元。圖2中，放電單元的邊界是大致由虛線表示的位置。
圖2中，參照符號33表示放電空間，填充用于產(chǎn)生等離子體10的放電氣體。若向電極間施加電壓，則通過放電氣體的電離，產(chǎn)生等離子體10。圖2模式示出產(chǎn)生等離子體10的狀態(tài)。來自該等離子體10的紫外線激勵熒光體32，產(chǎn)生熒光，來自熒光體32的發(fā)光透過前面基板21，由來自各個放電單元的發(fā)光，構(gòu)成顯示畫面。
圖3是表示從圖1的分解斜視圖中的方向D3看的電極形狀一例的等離子體顯示面板的平面圖。圖3中，用虛線包圍的部分表示大致一個放電單元CE。
圖3中的透明電極的形狀是一般稱為直線電極的形狀，此外，為了實現(xiàn)PDP的高性能化，還知圖4和圖5所示的形狀的電極。
即，以前，作為即便大型化顯示器尺寸、也可以較小的功耗來進(jìn)行放電發(fā)光顯示的面放電型等離子體顯示裝置，提議行電極對中的至少一個行電極具有沿水平方向伸長的主體部、和沿垂直于每個像素單元的方向從主體部向另一行電極突出的突出部，將該突出部的長度設(shè)為400-1000微米(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
另外，以前，為了能制造具有介電常數(shù)比小的均質(zhì)電介質(zhì)層之氣體放電顯示器件，提議在結(jié)束X和Y電極排列的階段以后的基板構(gòu)造表面上，通過等離子體氣相生長法，形成等方地覆蓋成膜的基底面的層，作為電介質(zhì)層(例如參照專利文獻(xiàn)2)。
并且，以前，為了抑制放電向列方向擴散，提高分辯率，提議將X和Y電極形成由沿行方向在畫面整個長度上延伸的1條帶狀基部、和每列中從基部向鄰接的另一行電極伸出的突出部構(gòu)成的形狀(例如參照專利文獻(xiàn)3)。
另外，以前，為了防止亮度下降和放電單元中的誤放電，實現(xiàn)畫面的高精細(xì)化，提議構(gòu)成行電極對的各個X和Y電極在每個放電單元中、具備從沿行方向延伸的總線電極向分別成對的另一行電極的方向伸出、經(jīng)所需的放電間隙相互面對的透明電極(例如參照專利文獻(xiàn)4)。
另外，以前，為了能制造具有介電常數(shù)比小的均質(zhì)電介質(zhì)層之氣體放電顯示器件，提議在結(jié)束X和Y電極排列的階段以后的基板構(gòu)造表面，通過等離子體氣相生長法，形成等方地覆蓋成膜的基底面、且由具有壓縮應(yīng)力的硅化合物構(gòu)成的層，作為電介質(zhì)層(例如參照專利文獻(xiàn)5)。
專利文獻(xiàn)1特許第3352821號說明書(特開平08-022772號公報)專利文獻(xiàn)2特許第3481142號說明書(特開2000-021304號公報)專利文獻(xiàn)3特開2000-113828號公報專利文獻(xiàn)4特許第3334874號說明書(特開2002-163990號公報)專利文獻(xiàn)5特開2004-006426號公報圖4是表示圖3所示電極形狀變形例的等離子體顯示面板的平面圖，圖5是表示圖3所示電極形狀另一變形例的等離子體顯示面板的平面圖。
如圖4和圖5所示，現(xiàn)有PDP例如具有從沿行方向延伸的電極部主體(例如圖4或圖5中的24-1、25-1；24-2、25-2)沿列方向延伸的突出部(圖4中的62-1、63-1；62-2、63-2或圖5中的64-1、65-1；64-2、65-2)，與沿列方向鄰接的(相對的)其它突出部(圖4中的63-1、62-1；63-2、62-2或圖5中的65-1、64-1；65-2、64-2)形成放電間隙DG。
這里，圖4和圖5所示的電極構(gòu)造為如下形狀，即便在具有突出部的電極中，放電間隙DG附近的電極面積也大(寬度寬)，另外，在離開放電間隙的部位，電極面積小(寬度窄)。下面，將圖4所示的顯示電極(X或Y電極7)稱為T字電極，另外，將圖5所示的顯示電極稱為梯形電極。
圖4所示的T字電極和圖5所示的梯形電極由于放電間隙DG附近的電極面積大，所以可降低放電開始電壓，并且，由于作為電極整體，面積小，所以可抑制放電電流。因此，這些電極具有可在降低放電開始電壓的同時、降低放電電流的特征。
另外，圖2所示的電介質(zhì)層26是構(gòu)成PDP的材料之一，用于為了AC驅(qū)動而使導(dǎo)電性的電極絕緣于放電空間。在該電介質(zhì)層26中，通常使用厚度為30-40微米左右的低熔點玻璃。并且，例如所述專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)5所述，以前確立使用等離子體氣相生長法來薄地形成電介質(zhì)層的技術(shù)。
但是，就現(xiàn)有的T字電極和梯形電極而言，若比以前更薄地形成電介質(zhì)層26的厚度，則產(chǎn)生不能取得驅(qū)動余裕的問題。即，若電介質(zhì)層的厚度變薄，則放電開始電壓不太取決于電極形狀地降低，但由于維持放電電壓基本上不降低，所以不能降低驅(qū)動電壓，驅(qū)動余裕也變小，不能穩(wěn)定驅(qū)動。
具體而言，參照使用圖4所示的T字電極的PDP來概念性(強調(diào))說明該問題。例如，若在制造時電介質(zhì)層的膜厚等在面板的各部位參差不齊，則某個放電單元CE1中僅相對的T字電極前端(圖6中的寬度寬的突出部71)之間維持放電DA1，其它放電單元CE2中，不僅相對的T字電極前端，還包含至總線電極(圖6中的電極部主體70)之間也維持放電DA2。這樣，由于面板內(nèi)存在以不同的強度放電的放電單元，所以發(fā)光亮度在不同部位不同。
這種情況下，例如，必需將維持放電單元的電壓設(shè)定為全部放電單元產(chǎn)生相同強度放電、即能產(chǎn)生包含圖6的電極主體部70的放電之電壓，其設(shè)定范圍受限，驅(qū)動余裕下降，不能穩(wěn)定驅(qū)動。結(jié)果，不能降低驅(qū)動電壓，另外，對批量生產(chǎn)工序中的面板特定變動敏感，不能穩(wěn)定提供PDP。
并且，由于不能降低驅(qū)動電壓，所以不能穩(wěn)定驅(qū)動，不能使用更有效地放出紫外線并實現(xiàn)高亮度和高發(fā)光效率用的放電氣體。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種等離子體顯示面板，在充分確保驅(qū)動余裕的同時，可以低電壓穩(wěn)定驅(qū)動。并且，本發(fā)明的目的在于通過使用在充分確保該驅(qū)動余裕的同時、可以低電壓穩(wěn)定驅(qū)動的等離子體顯示面板，提供一種高亮度和高發(fā)光效率的等離子體顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明第一方式，提供一種等離子體顯示面板，至少具有顯示電極、覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、隔壁和放電空間，在該放電空間內(nèi)封入放電氣體，構(gòu)成多個放電單元，所述各放電單元中，所述顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，其中，所述突出部具備沿行方向具有兩種寬度的第一突出部和第二突出部，當(dāng)將所述放電間隙側(cè)的所述第二突出部與所述電極部主體側(cè)的所述第一突出部的寬度比設(shè)為Y、將所述電介質(zhì)層的厚度設(shè)為X[微米]時，滿足Y≤0.2·X、X≤20、且Y≤0.5。
根據(jù)本發(fā)明第二方式，提供一種等離子體顯示面板，至少具有顯示電極、覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、隔壁和放電空間，在該放電空間內(nèi)封入放電氣體，所述各放電單元中，所述顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，其中，所述突出部具備大致梯形形狀部，當(dāng)將所述突出部的梯形形狀部的上底與下底的比設(shè)為Y、將所述電介質(zhì)層的厚度設(shè)為X[微米]時，滿足Y≤(0.4×X)1/2、X≤20、且Y≤0.5。
根據(jù)本發(fā)明第三方式，提供一種等離子體顯示面板，至少具有顯示電極、覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、隔壁和放電空間，在該放電空間內(nèi)封入放電氣體，構(gòu)成多個放電單元，所述各放電單元中，所述顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，其中，所述顯示電極構(gòu)成長方形形狀，在由介電常數(shù)比為10以下的電介質(zhì)形成所述電介質(zhì)層的同時，將該電介質(zhì)層的膜厚設(shè)為10微米以下。
根據(jù)本發(fā)明第四方式，提供一種等離子體顯示面板，至少具有顯示電極、覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、隔壁和放電空間，在該放電空間內(nèi)封入放電氣體，構(gòu)成多個放電單元，所述各放電單元中，所述顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，其中，當(dāng)將所述各放電單元中、放電有效擴散的區(qū)域的從所述等離子體顯示面板正面看的面積設(shè)為有效放電面積，將所述各放電單元中、放電有效擴散、且電極存在的區(qū)域面積設(shè)為有效電極面積時，當(dāng)設(shè)所述有效電極面積與所述有效放電面板的比為Z，設(shè)所述電介質(zhì)的介電常數(shù)比為εr時，滿足3≤εr≤14、0.15≤Z≤0.8、且-0.0614·εr+0.47≤Z≤-0.0614·εr+1.46。
根據(jù)本發(fā)明第五方式，提供一種等離子體顯示裝置，具備等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路，其中，所述等離子體顯示面板具備上述本發(fā)明第一-第四方式之一的構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明，可提供一種等離子體顯示面板，在充分確保驅(qū)動余裕的同時，可以低電壓穩(wěn)定驅(qū)動。并且，根據(jù)本發(fā)明，通過使用在充分確保該驅(qū)動余裕的同時、可以低電壓穩(wěn)定驅(qū)動的等離子體顯示面板，提供一種高亮度和高發(fā)光效率的等離子體顯示裝置。

圖1是表示等離子體顯示面板的構(gòu)造的部分的分解斜視圖。
圖2是從圖1的分解斜視圖中的方向D2看的等離子體顯示面板的主要部分截面圖。
圖3是表示從圖1的分解斜視圖的方向D3看的電極形狀一例之等離子體顯示面板的平面圖。
圖4是表示圖3所示電極形狀變形例的等離子體顯示面板的平面圖。
圖5是表示圖3所示電極形狀另一變形例的等離子體顯示面板的平面圖。
圖6是表示本發(fā)明的等離子體顯示面板一實施例中的一個單元的電極形狀示例的圖。
圖7是表示適用本發(fā)明的等離子體顯示面板中、使電介質(zhì)層厚度變化時的放電開始電壓與維持放電電壓的測定結(jié)果的圖。
圖8是表示在X＝10微米、Y＝3的條件下的T字電極在保護(hù)膜表面上的電位分布之模擬結(jié)果圖。
圖9是表示在X＝35微米、Y＝3的條件下的T字電極在保護(hù)膜表面上的電位分布之模擬結(jié)果圖。
圖10是表示在X＝10微米、Y＝1的條件下的長方形電極在保護(hù)膜表面上的電位分布之模擬結(jié)果圖。
圖11是表示對本發(fā)明的等離子體顯示面板中電極部分所要求的條件的圖。
圖12是表示本發(fā)明的等離子體顯示面板中的顯示電極一變形例的圖。
圖13是表示圖12所示的顯示電極中、使X和Y變化來測定放電開始電壓與維持放電電壓的結(jié)果的圖。
圖14是表示圖12所示的顯示電極中的X和Y的關(guān)系的圖。
圖15表示本發(fā)明的等離子體顯示面板的變形例，是表示從圖1的分解斜視圖的方向D3看的等離子體顯示面板的電極形狀的平面圖。
圖16表示本發(fā)明的等離子體顯示面板的另一變形例，是表示從圖1的分解斜視圖的方向D3看的等離子體顯示面板的電極形狀的平面圖。
圖17是表示圖12所示的顯示電極另一變形例的圖(之一)。
圖18是表示圖12所示的顯示電極另一變形例的圖(之二)。
圖19是表示圖12所示的顯示電極另一變形例的圖(之三)。
圖20是表示作為本發(fā)明的等離子體顯示面板一實施例中的Xe組成比函數(shù)而測定了驅(qū)動電壓和發(fā)光效率的結(jié)果的圖。
圖21是示意表示本發(fā)明的等離子體顯示裝置一例的整體構(gòu)成的框圖。
圖22是表示圖4所示的等離子體顯示面板的一個放電單元中的有效放電面積和有效電極面積的圖。
圖23是表示圖22的放電單元中、使有效電極面積與有效放電面積的比變化時的亮度、放電電流和發(fā)光效率的測定結(jié)果的圖。
圖24是表示與圖22不同的放電單元另一例中的有效放電面積的圖。
圖25是表示各放電單元中的電介質(zhì)層的介電常數(shù)比與有效電極面積對有效放電面積的比的關(guān)系的圖。
圖26是表示與圖22不同的放電單元再一例中的有效放電面積的圖。
圖27是表示適用本發(fā)明的等離子體顯示面板中必需的電介質(zhì)層的介電常數(shù)比和有效電極面積與有效放電面積的比的條件的圖。
符號說明10等離子體；21前面玻璃基板；22-1、22-2X電極；23-1、23-2Y電極；24-1、24-2X總線電極；25-1、25-2Y總線電極；26電介質(zhì)層或電介質(zhì)膜；27保護(hù)膜；28背面玻璃基板；29A電極；30電介質(zhì)層；31、31-2隔壁(肋)；32熒光體；33放電空間；62-1、62-2X電極(突出部)；63-1、63-2Y電極(突出部)；64-1、64-2X電極(突出部)；65-1、65-2Y電極(突出部)；66-1、66-2總線電極；67-1、67-2X電極(突出部)；68-1、68-2Y電極(突出部)；7顯示電極；70電極部主體；71突出部B；72突出部A；73上底；74下底；100等離子體顯示裝置；110等離子體顯示面板(PDP)；131控制電路(邏輯部)；132X側(cè)共同驅(qū)動器；133Y側(cè)共同驅(qū)動器；134Y側(cè)掃描驅(qū)動器；135地址驅(qū)動器；CE、CE0、CE1、CE2放電單元；S1有效電極面積；S2有效放電面積；X電介質(zhì)層的厚度；Y突出部B與突出部A的寬度比(突出部B/突出部A)；Z有效電極面積S1與有效放電面積S2的比(S1/S2)；εr介電常數(shù)比。
具體實施例方式
本發(fā)明通過適當(dāng)設(shè)定電介質(zhì)層的厚度、電極形狀、放電氣體的組成以及電介質(zhì)的介電常數(shù)比、有效放電面積、有效電極面積等各要素，可在充分確保驅(qū)動余裕的同時，以低電壓穩(wěn)定驅(qū)動，提供高亮度和高發(fā)光效率的等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置。
首先，在詳細(xì)描述本發(fā)明的等離子體顯示面板和等離子體顯示的實施例之前，說明本發(fā)明的原理構(gòu)成。
圖6是表示本發(fā)明的等離子體顯示面板一實施例中的一個單元的電極形狀實例的圖，圖7是表示適用本發(fā)明的等離子體顯示面板中、使電介質(zhì)層26的厚度變化時的放電開始電壓與維持放電電壓的測定結(jié)果的圖。
如圖6所示，顯示電極(X或Y電極)7由從電極部主體70向相對的顯示電極側(cè)延伸的、具有兩種寬度的突出部71和72構(gòu)成。
圖7就放電間隙側(cè)的突出部71(突出部B)和電極部主體70側(cè)的突出部72(突出部A)而言，在將突出部71的寬度與突出部72的寬度比設(shè)為Y時，就突出部B(71)的寬度為150微米，突出部A(72)的寬度為50微米，即Y＝突出部B/突出部A＝150微米/50微米＝3的電極構(gòu)造而言，在40微米、20微米、10微米和5微米的電介質(zhì)層厚度(電介質(zhì)膜厚)下測定X電極與Y電極間的放電開始電壓和維持放電電壓的結(jié)果，與Y＝1(突出部A和突出部B的寬度相同為100微米)時一起示出。另外，將突出部A和突出部B的寬度相同為Y＝1的顯示電極(后述圖10所示的電極)稱為長方形電極。
這里，所謂放電開始電壓是產(chǎn)生單元內(nèi)的壁電荷為0V時的放電之電壓閾值，另外，所謂維持放電電壓是放電產(chǎn)生后穩(wěn)定持續(xù)放電的電壓閾值。將該放電開始電壓與維持放電電壓的差設(shè)為X電極與Y電極間的驅(qū)動余裕。
如圖7所示，就Y＝3的顯示電極而言，若電介質(zhì)層的厚度變薄，則放電開始電壓下降，但就維持放電電壓而言，即便電介質(zhì)層的厚度變薄，也不下降。
同樣，就突出部A和突出部B的寬度相同為100微米、即Y＝1的顯示電極而言，放電開始電壓與Y＝3的顯示電極一樣，隨著電介質(zhì)層的厚度變薄而減少，但維持放電電壓與Y＝3的顯示電極不同，隨著電介質(zhì)層的厚度變薄而減少。
通過以上的結(jié)果，當(dāng)Y＝3時，隨著電介質(zhì)層的厚度變薄，驅(qū)動余裕減少，所以不能穩(wěn)定驅(qū)動。并且，若將突出部A與突出部B的長度設(shè)為相同、即Y＝1，則即便電介質(zhì)層的厚度變薄，驅(qū)動余裕也不減少，可穩(wěn)定驅(qū)動。
利用上述顯示電極的形狀差異，與電介質(zhì)層26的厚度關(guān)聯(lián)，調(diào)查驅(qū)動余裕變化的原因，其結(jié)果如下。
圖8是表示在X＝10微米、Y＝3的條件下的在T字電極的保護(hù)膜表面上的電位分布之模擬結(jié)果圖，圖9是表示在X＝35微米、Y＝3的條件下的在T字電極保護(hù)膜表面上的電位分布之模擬結(jié)果圖，另外，圖10是表示在X＝10微米、Y＝1的條件下的長方形電極的保護(hù)膜表面上的電位分布之模擬結(jié)果圖。這里，X表示電介質(zhì)層的厚度(微米)，另外，Y表示突出部B(微米)/突出部A(微米)。
如圖8所示，在X＝10微米、Y＝3的T字電極中，電位分布強烈反映電極形狀。另外，由于形成于保護(hù)膜表面中的壁電荷反映電極形狀，所以維持放電變得不穩(wěn)定，維持放電不像放電開始電壓那樣降低。
另外，如圖9所示，在電介質(zhì)層的厚度厚(X＝35微米)的T字電極中，由于保護(hù)膜表面上的電位在空間上遲緩，所以可穩(wěn)定進(jìn)行維持放電。
并且，當(dāng)電介質(zhì)層的厚度薄(X＝10微米)時，若形成圖10所示的長方形形狀電極(長方形電極)，則可穩(wěn)定進(jìn)行維持放電。這里，若比較圖9和圖10的電位分布，則可知非常類似。結(jié)果，認(rèn)為放電的狀態(tài)也類似。
將上述電位分布的模擬(計算)計算為X和Y的函數(shù)的結(jié)果，當(dāng)滿足Y≤0.2·X、X≤20、且Y≤0.5時，實現(xiàn)是可確保驅(qū)動余裕的電位分布的結(jié)論。這如圖11所示。
即，圖11是表示對本發(fā)明的等離子體顯示面板中電極部分所要求的條件的圖，認(rèn)為圖11中的交叉陰影部分內(nèi)的區(qū)域是可穩(wěn)定驅(qū)動PDP的條件。
下面，參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置的實施例。
對于所述圖10所示的長方形電極、即突出部A和突出部B的寬度相同(Y＝1)的電極，例如若使用10微米的厚度(X＝10)的SiO2膜(介電常數(shù)比εr為3-5)作為電介質(zhì)層26，則充分滿足圖11所示的條件，可充分確保驅(qū)動余裕。另外，通過如下所述用SiO2膜將電介質(zhì)層26的厚度薄地形成為10微米，可在得到相同亮度的情況下，以低電壓驅(qū)動，或者，在以相同電壓驅(qū)動的情況下，可高亮度顯示。
圖12是表示本發(fā)明的等離子體顯示面板中的顯示電極一變形例的圖。如上所述，顯示電極(X或Y電極)可構(gòu)成為長方形電極，但如圖12所示，也可將突出部形成為梯形形狀。這里，所謂梯形是至少有一組平行對邊的四邊形。
如圖12所示，在將突出部形成為梯形形狀的情況下，關(guān)注上底73和下底74的寬度比，作為由上述突出部B/突出部A表示的Y，使用放電間隙側(cè)的行方向的寬度73、即上底的寬度與電極部主體70側(cè)的行方向的寬度74、即下底寬度之比，即上底(微米)/下底(微米)。
具體而言，圖13中示出就上底寬度為140微米、下底寬度為50微米、即Y＝2.8的顯示電極而言，以40微米、20微米、10微米和5微米的電介質(zhì)層厚度來測定X電極與Y電極間的放電開始電壓和維持放電電壓的結(jié)果。
即，在圖13和圖12所示的顯示電極中，使X和Y變化而測量放電開始電壓和維持放電電壓的結(jié)果的圖。
如圖13所示，當(dāng)Y＝2.8時，若電介質(zhì)層的厚度變薄，則放電開始電壓下降，但即便電介質(zhì)層的厚度變薄，維持放電電壓也基本不降低。尤其是在電介質(zhì)層的厚度為20微米以下的區(qū)域中，該傾向變強。另外，該梯形形狀的顯示電極與T字電極的情況不同，對電介質(zhì)層厚度的變化比例不是線性的。
圖13還表示上底和下底寬度相同、為120微米、即Y＝1的電極中、測定的放電開始電壓與維持放電電壓的結(jié)果。
如圖13所示，在Y＝1的情況下，與Y＝2.8的情況一樣，放電開始電壓隨著電介質(zhì)層的厚度變薄而減少，但維持放電電壓與Y＝2.8時不同，隨著電介質(zhì)層的厚度變薄而下降。
根據(jù)以上結(jié)果，當(dāng)Y＝2.8時，隨著電介質(zhì)層的厚度變薄，驅(qū)動余裕減少，不能穩(wěn)定驅(qū)動。但是，當(dāng)設(shè)突出部A與突出部B的長度相同、即上底與下底的寬度相同為Y＝1時，即便電介質(zhì)層的厚度變薄，驅(qū)動余裕也不減少，可穩(wěn)定驅(qū)動。
使電介質(zhì)層的厚度X和上底與下底的寬度比Y的值變化后計算保護(hù)膜表面上的電位分布的結(jié)果，該梯形形狀的顯示電極也與T字電極一樣，當(dāng)電介質(zhì)層的厚度厚時，由于保護(hù)膜表面上的電位在空間上遲緩，所以即便是Y大的電極，也可穩(wěn)定維持放電，但若電介質(zhì)層的厚度變薄，則當(dāng)未最佳化電極形狀時，不能穩(wěn)定維持放電。
如上可知，當(dāng)設(shè)電介質(zhì)層26的厚度為X(微米)、滿足Y≤(0.4×X)1/2、X≤20、且Y≤0.5時，是可確保驅(qū)動余裕的電位分布。這如圖11所示。
即，圖14是表示圖12所示的顯示電極中的X和Y的關(guān)系的圖，認(rèn)為圖14中的交叉陰影部分內(nèi)的區(qū)域是可穩(wěn)定驅(qū)動PDP的條件。
圖15表示本發(fā)明的等離子體顯示面板的變形例，是表示從圖1的分解斜視圖的方向D3看的等離子體顯示面板的電極形狀的平面圖。
如圖15所示，本變形例的等離子體顯示面板除沿列方向延伸的隔壁31外，還具備沿行方向延伸的隔壁31-2(也稱為橫隔壁)。該橫隔壁設(shè)置來防止在與放電間隙相反側(cè)的間隙的誤放電的同時，有效使用放電間隙側(cè)的區(qū)域。
在圖15所示的構(gòu)造中，使電介質(zhì)層的厚度和電極形狀變化，計算保護(hù)膜表面上的電位分布的結(jié)果，可得到與沒有隔壁31-2時一樣的結(jié)果。因此，即便存在隔壁31-2，所述電介質(zhì)層的厚度和電極形狀的關(guān)系也成立。
另外，就隔壁31和沿行方向延伸的隔壁31-2包圍的各個單元構(gòu)造而言，即便形成為鄰接隔壁31彼此間的寬度越沿列方向遠(yuǎn)離放電間隙的中心越窄，所述電介質(zhì)層的厚度和電極形狀的關(guān)系也成立。
圖16表示本發(fā)明的等離子體顯示面板的另一變形例，是表示從圖1的分解斜視圖的方向D3看的等離子體顯示面板的電極形狀的平面圖。
并且，如圖16所示，本變形例的等離子體顯示面板構(gòu)造成將X總線電極和Y總線電極共同利用為總線電極66-1、66-2、…，為夾持總線電極66-1、66-2、…，突出部的對(例如68-1和67-2)沿列方向延伸的形狀。
在該圖16所示的構(gòu)造中，使電介質(zhì)層的厚度和電極形狀變化，計算保護(hù)膜表面上的電位分布的結(jié)果，如圖16所示，即便是共同利用總線電極的構(gòu)造，也可得到與分別利用X總線電極和Y總線電極的構(gòu)造一樣的結(jié)果。因此，即便共同利用總線電極，所述電介質(zhì)層的厚度和電極形狀的關(guān)系也成立。
以上，在圖15和圖16所示的變形例中，作為實例，描述了T字電極，但梯形電極也可得到同樣的效果。
圖17-圖19是表示圖12所示的顯示電極另一變形例的圖。
圖17所示的顯示電極為削取電極一部分的形狀，削取放電間隙附近的一部分，作為整體形狀，構(gòu)成梯形形狀。保護(hù)膜表面上的電位分布也與梯形形狀的類似，圖14所示的電介質(zhì)層的厚度和電極形狀的關(guān)系成立。
圖18所示的顯示電極是使梯形與長方形(上底與下底的比為1)組合的形狀，放電間隙附近的面積大，效果與圖12所示的梯形形狀的類似。另外，調(diào)查維持放電電壓，圖12所示的梯形形狀與圖18所示的形狀若放電間隙相同，面積相同，則圖14所示的電介質(zhì)層的厚度和電極形狀的關(guān)系成立。
圖19所示的電極構(gòu)造是平滑連結(jié)電極邊緣的形狀。作為一例，示出將組合圖17與圖18的構(gòu)造后的形狀平滑的形狀，但通常無論其構(gòu)造如何，即便其邊緣由曲線平滑連結(jié)，圖14所示的電介質(zhì)層的厚度和電極形狀的關(guān)系也成立。
圖20是表示測定驅(qū)動電壓和發(fā)光效率來作為本發(fā)明的等離子體顯示面板一實施例中的Xe組成比函數(shù)的結(jié)果的圖。具體而言，圖20表示就突出部具有Y＝1的形狀的電極而言，作為放電氣體，使Xe組成比(％)變化，測定由放電開始電壓與維持放電電壓確定的驅(qū)動電壓(大致為放電開始電壓和維持放電電壓的中點)、以及以上述驅(qū)動電壓驅(qū)動時的發(fā)光效率的結(jié)果。另外，在電介質(zhì)層的厚度、即X(微米)為35微米和5微米下進(jìn)行測定。
如圖20所示，例如通過將所述SiO2膜用作電介質(zhì)層，可將電介質(zhì)層的厚度X從35微米減薄到5微米，并且，如上所述，通過最佳化電極形狀，可充分確保驅(qū)動余裕，所以在Xe組成比為4％(60kPa)的條件下，可知驅(qū)動電壓降低到60V。該效果如上所述，是最佳化電介質(zhì)層的厚度與電極形狀的結(jié)果。
這里，放電氣體中的組成比如下定義或測定。首先，當(dāng)將放電氣體中的某個成分設(shè)為#時，將#的組成比定義為#的組成比＝N#/Nt……(1)。
這里，N#是單位體積的放電氣體中的#成分粒子(原子、分子)的個數(shù)，單位例如由m-3表示。同樣，Nt是單位體積的放電氣體中的全部粒子(原子、分子)的個數(shù)，單位例如由m-3表示。
上述定義可根據(jù)物理法則如下表現(xiàn)并測定。
即，#的組成比＝P#/Pt……(2)，P#是放電氣體中的#成分氣體的分壓力，另外，Pt是放電氣體的全壓力。分壓力和全壓力例如由Pa單位表現(xiàn)。全壓力可由壓力計測定，各成分的分壓力和全壓力例如可利用質(zhì)量分析器分析氣體成分來測定。
如圖20所示，就Xe組成比為4％而言，通過降低驅(qū)動電壓，發(fā)光效率提高約1.2倍。并且，若Xe組成比增大，則驅(qū)動電壓上升，但發(fā)光效率也上升。與X＝35微米、Xe組成比為4％的條件相比，在X＝5微米、Xe組成比為50％的條件下，發(fā)光效率約為2倍。
若觀察Xe組成比的增大與驅(qū)動電壓上升的關(guān)系，則在X＝5微米、Xe組成比為50％的條件下，可以與X＝35微米、Xe組成比為4％的條件相等的電壓驅(qū)動。即，通過最佳化電介質(zhì)層的厚度與電極形狀，將驅(qū)動電壓下降的部分分配給Xe組成比的增加，由此可以與以前相同的驅(qū)動電壓來使發(fā)光效率顯著增加。
上述實驗在60kPa下進(jìn)行，作為放電氣體，除Xe氣體外，還將Ne氣體作為緩沖氣體封入。即便使上述氣體的壓力從40hPa變化到80hPa，或即便上述緩沖氣體中包含He或Kr、Ar等，通過上述本發(fā)明的電介質(zhì)層的厚度和電極形狀的最佳化，也可得到驅(qū)動電壓的降低效果，發(fā)光效率隨著Xe的組成比提高的效果不變。
這是因為若改變看法，則抑制驅(qū)動電壓的增加，在抑制驅(qū)動電路的耐壓增加、即驅(qū)動電路的生成成本增加的同時，使發(fā)光效率增加。另外，發(fā)光效率的提高、即相對亮度的放電效率的提高增加設(shè)計的自由度，進(jìn)而有助于亮度的提高。
這樣，就Xe組成比為4％-50％而言，通過所述電介質(zhì)層的厚度和電極形狀的最佳化，可以低價格來提供高亮度、即明亮絢麗的等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置。
圖21是示意表示等離子體顯示裝置一例的整體構(gòu)成的框圖。
等離子體顯示裝置100具備PDP110、驅(qū)動該PDP110的各單元之X側(cè)共同驅(qū)動器132、Y側(cè)共同驅(qū)動器133、Y側(cè)掃描驅(qū)動器134和地址驅(qū)動器135、與控制這些各驅(qū)動器的控制電路(邏輯部)131。從TV調(diào)諧器或計算機等外部裝置向控制電路131中輸入表示R、G、B的3色亮度等級的多值圖像數(shù)據(jù)、即輸入數(shù)據(jù)Din、點時鐘CLK和各種同步信號(水平同步信號Hsync、垂直同步信號Vsync等)，根據(jù)上述輸入數(shù)據(jù)Din、點時鐘CLK和各種同步信號，輸出適于各個驅(qū)動器132-135的控制信號，進(jìn)行規(guī)定的圖像顯示。
控制電路131具備執(zhí)行PDP110的亮度和功耗控制的亮度/功率控制部311；掃描/共同驅(qū)動器控制部312，經(jīng)Y側(cè)掃描驅(qū)動器134控制Y電極的掃描的同時經(jīng)X側(cè)共同驅(qū)動器132和Y側(cè)共同驅(qū)動器133等控制顯示電極(X電極和Y電極間)的維持放電；和經(jīng)地址驅(qū)動器135控制由PDP110顯示的數(shù)據(jù)的顯示數(shù)據(jù)控制部313。
另外，圖21所示的等離子體顯示裝置僅是一例，不用說，本發(fā)明可適用于其它各種等離子體顯示裝置中。
下面，根據(jù)形成電介質(zhì)層的材料之介電常數(shù)比εr與放電單元的有效電極面積S1與有效放電面積S2的比Z(＝S1/S2)的關(guān)系，詳細(xì)描述本發(fā)明。
在等離子體顯示面板中，由于放電單元的大小和電極的面積對亮度、放電電流和發(fā)光效率的影響大，所以在設(shè)計面板的情況下，放電單元中放電有效擴散的面積(有效放電面積S2)和電極的面積(有效電極面積S1)是重要的參數(shù)。
圖22是表示圖4所示的等離子體顯示面板的一個放電單元CE0中的有效放電面積S2與有效電極面積S1的圖。
首先，如圖22(a)所示，例如將在圖4所示的具有T字電極的放電單元CE0中，當(dāng)從面板正面看時，放電未被隔壁31等遮蔽而有效擴散，并且，電極存在的區(qū)域面積設(shè)為有效電極面積S1(S11+S12)。即，有效電極面積S1將X電極側(cè)和Y電極側(cè)的兩個電極的面積相加。
并且，如圖22(b)所示，例如將在圖4所示的具有T字電極的放電單元CE0中，當(dāng)從面板正面看時，放電未被隔壁31等遮蔽而有效產(chǎn)生的區(qū)域面積定義為有效放電面積S2。
這里，圖23中示出在圖22(a)中，使電極22-1和23-1的面積變化，即，使有效電極面積S1與有效放電面積S2的比變化，測定亮度、放電電流和發(fā)光效率的結(jié)果。另外，圖23所示的圖使用低熔點玻璃(例如鉛玻璃例如介電常數(shù)比εr為12-14)作為電介質(zhì)層，電介質(zhì)層的厚度X約為30微米。
圖23所示的測定結(jié)果是以頻率60kHz來維持放電的情況下的結(jié)果，基本顯示最高灰度等級，將亮度設(shè)計在1000cd/m2以上。另外，為了制作更明亮的顯示器，期望最高灰度等級最低為1000cd/m2以上。
從圖23可知，隨著有效電極面積與有效放電面積的比Z(＝S1/S2)變大，亮度上升。
但是，例如若通過等離子體氣相生長法形成介電常數(shù)比εr低的電介質(zhì)層，則產(chǎn)生亮度降低的問題。這里，一般若將真空介電常數(shù)(8.8542×10-12·C2·N-1·m-2)設(shè)為ε0，將表示電介質(zhì)的特征的介電常數(shù)設(shè)為ε，則介電常數(shù)比εr由ε/ε0來定義。即，由于由低介電常數(shù)比構(gòu)成的電介質(zhì)層所形成的放電單元之電介質(zhì)容量變小，所以當(dāng)產(chǎn)生放電時，流過的放電電流變少，產(chǎn)生亮度降低的問題。
因此，如圖23所示，必需使電極面積增大，使亮度提高。實際上，由于有效放電面積S2影響發(fā)光效率，所以有效電極面積S1與有效放電面積S2的比Z成為重要的參數(shù)。
另外，制作介電常數(shù)比εr為8.5與14的電介質(zhì)層。此時，按照電介質(zhì)容量恒定的方式制作分別使有效電極面積與有效放電面積的比Z(＝S1/S2)變化為0.77和0.43的電介質(zhì)層。結(jié)果，兩個測定的亮度相同。
圖24是表示與圖22不同的放電單元另一例的有效放電面積的圖，圖25是表示各放電單元中的電介質(zhì)層的介電常數(shù)比和有效電極面積與有效放電面積的比的關(guān)系圖。
示出使用圖24所示構(gòu)造的放電單元來測定的結(jié)果。電介質(zhì)層的介電常數(shù)比εr約為14，電介質(zhì)層的厚度X約為30微米。將有效電極面積與有效放電面積的比Z分為0.6和0.94來測定。
圖24中，有效電極面積與有效放電面積的比Z大，亮度增加，但發(fā)光效率下降。當(dāng)有效電極面積與有效放電面積的比Z為0.6時的發(fā)光效率為1.31m/W，若發(fā)光效率為1.31m/W以下，則導(dǎo)致性能下降。
制作介電常數(shù)比εr為8.5與14的電介質(zhì)層。此時，按照電介質(zhì)容量恒定的方式制作分別使有效電極面積與有效放電面積的比Z變化為0.56和0.94。結(jié)果，兩者的亮度相同，但有效電極面積與有效放電面積的比Z為0.94的電介質(zhì)層其放電縫隙非常窄，放電不穩(wěn)定。另外，詳細(xì)調(diào)查的結(jié)果，可知若有效電極面積與有效放電面積的比Z為0.80以下，則不能穩(wěn)定驅(qū)動。
并且，如上所述，若當(dāng)有效電極面積與有效放電面積的比Z為0.6時的發(fā)光效率比1.31m/W還低，則導(dǎo)致性能下降，所以必需是圖25所示的表示圖24的電介質(zhì)層的線L1以下。
圖26是表示與圖22不同的放電單元再一例的有效放電面積的圖，電介質(zhì)層通過等離子體氣相生長法，制作介電常數(shù)比εr為3、4.1和8.5的電介質(zhì)層。電介質(zhì)層的厚度X為10微米。將有效電極面積與有效放電面積的比Z分為0.51、0.43和0.16來測定。
介電常數(shù)比εr＝3的電介質(zhì)層是使用等離子體氣相生長法來高速形成電介質(zhì)層(膜)的結(jié)果的、混入氣泡等的低密度膜。若減小介電常數(shù)，則具有可變薄電介質(zhì)層的厚度的優(yōu)點。結(jié)果，亮度為圖25所示的直線狀恒定。
并且，在圖26的單元構(gòu)成中，如圖25所示，制作電介質(zhì)膜厚為5微米的電介質(zhì)層，并設(shè)介電常數(shù)比εr為3和4.1，將有效電極面積與有效放電面積的比Z分為0.29和0.215，確認(rèn)亮度恒定。
這里，當(dāng)使有效電極面積與有效放電面積的比Z進(jìn)一步減小時，必需去除透明電極，而僅為總線電極，并且，總線電極從制造上的界限看不能為50微米以下。根據(jù)該請求，有效電極面積與有效放電面積的比以0.15為下限(參照圖25中的線L2)。
另外，若設(shè)電介質(zhì)層的厚度為5微米以下，則產(chǎn)生會引導(dǎo)絕緣破壞的問題。因此，圖25所示的5微米是電介質(zhì)層的厚度界限。
綜上所述，介電常數(shù)比εr和有效電極面積與有效放電面積的比Z有效的范圍為圖27中斜線表示的區(qū)域RR，此時，可知可實現(xiàn)能以高亮度和高發(fā)光效率穩(wěn)定驅(qū)動的等離子體顯示面板。
圖27是表示適用本發(fā)明的等離子體顯示面板必需的電介質(zhì)層的介電常數(shù)比和有效電極面積與有效放電面積的比的條件圖。
因此，當(dāng)設(shè)有效電極面積S1與有效放電面積S2的比為Z(＝S1/S2)，形成電介質(zhì)層(圖2中的參照符號26)的電介質(zhì)之介電常數(shù)比為εr時，若滿足3≤εr≤14、O.15≤Z≤O.8、且-0.0614·εr+0.47≤Z≤-0.0614·εr+1.46，則可實現(xiàn)能以高亮度和高發(fā)光效率穩(wěn)定驅(qū)動的等離子體顯示面板。
另外，放電單元的種類不限于圖22、圖24和圖26所示的種類，若對任意形狀的放電單元(例如六邊形形狀的放電單元等)都可定義有效放電面積S2和有效電極面積S1，則通過滿足上述條件，可構(gòu)成能以高亮度和高發(fā)光效率穩(wěn)定驅(qū)動的等離子體顯示面板。
上面，作為介電常數(shù)比εr為4的電介質(zhì)，有SiO2(介電常數(shù)比εr為3-5)，由SiO2膜形成電介質(zhì)層26，根據(jù)上述條件，可由有效電極面積與有效放電面積的比Z來規(guī)定具有規(guī)定面積的顯示電極。這樣，若使用SiO2膜作為電介質(zhì)，則如上所述，可構(gòu)成在變薄電介質(zhì)層的厚度X并充分確保驅(qū)動余裕的同時、可以低電壓穩(wěn)定驅(qū)動的等離子體顯示面板，并且，與使用鉛玻璃作為現(xiàn)有的電介質(zhì)層相反，還可制造無鉛的不污染環(huán)境的等離子體顯示面板。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明可適用于以三電極面放電型等離子體顯示面板為主的各種等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置中，等離子體顯示裝置例如被用作電腦或工作站等顯示裝置、平面型壁掛電視或顯示廣告或信息等用的圖像顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，至少具有顯示電極、覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、隔壁和放電空間，在該放電空間內(nèi)封入放電氣體，構(gòu)成多個放電單元，所述各放電單元中，所述顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，其中，所述突出部具備沿行方向具有兩種寬度的第一突出部和第二突出部，當(dāng)將所述放電間隙側(cè)的所述第二突出部與所述電極部主體側(cè)的所述第一突出部的寬度比設(shè)為Y、將所述電介質(zhì)層的厚度設(shè)為X微米時，滿足Y≤0.2·X、X≤20、且Y≤0.5。
2.一種等離子體顯示面板，至少具有顯示電極、覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、隔壁和放電空間，在該放電空間內(nèi)封入放電氣體，所述各放電單元中，所述顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，其中，所述突出部具備大致梯形形狀部，當(dāng)將所述突出部的梯形形狀部的上底與下底的比設(shè)為Y、將所述電介質(zhì)層的厚度設(shè)為X微米時，滿足Y≤(0.4×X)1/2、X≤20、且Y≤0.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于所述突出部的放電間隙側(cè)構(gòu)成電極的一部分被削取的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于所述突出部形成電極的邊緣平滑連結(jié)的形狀。
5.一種等離子體顯示面板，至少具有顯示電極、覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、隔壁和放電空間，在該放電空間內(nèi)封入放電氣體，構(gòu)成多個放電單元，所述各放電單元中，所述顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，其中，所述顯示電極構(gòu)成長方形形狀，在由介電常數(shù)比為10以下的電介質(zhì)形成所述電介質(zhì)層的同時，將該電介質(zhì)層的膜厚設(shè)為10微米以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于由介電常數(shù)比為3-5的電介質(zhì)形成所述電介質(zhì)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其特征在于由SiO2膜形成所述電介質(zhì)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于所述放電氣體至少包含Xe氣體，該Xe氣體的組成比為4％-50％。
9.一種等離子體顯示面板，至少具有顯示電極、覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、隔壁和放電空間，在該放電空間內(nèi)封入放電氣體，構(gòu)成多個放電單元，所述各放電單元中，所述顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，其中，當(dāng)將所述各放電單元中、放電有效擴散的區(qū)域之從所述等離子體顯示面板正面看的面積設(shè)為有效放電面積，將所述各放電單元中、放電有效擴散、且電極存在的區(qū)域面積設(shè)為有效電極面積時，當(dāng)設(shè)所述有效電極面積與所述有效放電面積的比為Z，設(shè)所述電介質(zhì)的介電常數(shù)比為εr時，滿足3≤εr≤14、0.15≤Z≤0.8、且-0.0614·εr+0.47≤Z≤-0.0614·εr+1.46。
10.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
11.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
12.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
13.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
14.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
15.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
16.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
17.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
18.一種等離子體顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板、驅(qū)動該等離子體顯示面板的所述各放電單元的驅(qū)動器、和控制該驅(qū)動器的控制電路。
全文摘要
以前，若使電極形狀原樣不變地薄地形成電介質(zhì)層的厚度，則驅(qū)動余裕變小，另外，不能穩(wěn)定驅(qū)動。為此，本發(fā)明提供一種等離子體顯示面板和等離子體顯示裝置，其顯示電極具備從在行方向延伸的電極部主體沿列方向延伸的突出部，該突出部與鄰接成對的其它顯示電極的突出部形成放電間隙，所述突出部具備沿行方向具有兩種寬度的第一突出部和第二突出部，當(dāng)將所述放電間隙側(cè)的所述第二突出部與所述電極部主體側(cè)的所述第一突出部的寬度比設(shè)為Y、將所述電介質(zhì)層的厚度設(shè)為X微米時，滿足Y≤0.2·X、X≤20、且Y≤0.5。
文檔編號H01J11/12GK1841628SQ20061006649
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者植村典弘, 柴田將之, 原田秀樹, 川浪義實, 豐田治 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司