專利名稱：一種電路工藝中的等離子體技術(shù)的制作方法
一種電路工藝中的等離子體技術(shù)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路工藝中的等離子體技術(shù)，尤其是等離子體沉積成膜工藝和等離子體刻蝕加工中，正離子在鞘層中的運(yùn)動(dòng)對(duì)于加工過程有很大的影響。我們?cè)贚ieberman的無碰撞等離子體鞘層模型的基礎(chǔ)上提出了一種更加合理的模型，在此新模型的基礎(chǔ)上，我們對(duì)離子的能量分布作了計(jì)算機(jī)模擬計(jì)算。
背景技術(shù)：
集成成千上萬個(gè)電子器件到幾個(gè)平方厘米的硅片上的技術(shù)把我們帶進(jìn)了信息時(shí)代。近年來國外及臺(tái)灣許多著名的半導(dǎo)體廠家，如Motorola、Intel,臺(tái)積電等,紛紛在國內(nèi)投資建廠，加上中國也建造了自己的現(xiàn)代化晶園廠，如中芯國際。這些要求我們培養(yǎng)出更多 高層次的人才以適應(yīng)市場的需要。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布的報(bào)告透露，我國的電子設(shè)備生產(chǎn)預(yù)計(jì)將在4年內(nèi)翻番，由2002年的1300億美元增加到2005年的2520億美元。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種電路工藝中的等離子體技術(shù)，它等離子體技術(shù)廣泛應(yīng)用于集成電路工藝制作中的薄膜鍍淀及刻蝕。然而，在低溫等離子體應(yīng)用中，存在著過程機(jī)理不清楚，參量選取盲目等一系列問題，嚴(yán)重地影響了低溫等離子體技術(shù)應(yīng)用向廣度和深度發(fā)展。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用技術(shù)方案是把磁場引進(jìn)等離子體中是工業(yè)界廣泛用于改進(jìn)工藝的一種技術(shù)。而磁場對(duì)等離子體的影響是我們要解決的問題。由于磁場的引入，電子和離子的運(yùn)動(dòng)除了受電場的影響，還會(huì)受到磁場的作用，有效地控制磁場將有效地控制電子和離子的運(yùn)動(dòng)，從而達(dá)到控制加工工藝的目的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是將提高集成電路工藝制作的效率及成本，并且會(huì)加快新一代生產(chǎn)線的引進(jìn)，將會(huì)有巨大的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效應(yīng)。
具體實(shí)施方式建立理論模型及計(jì)算機(jī)模擬計(jì)算的方式進(jìn)行研究。我們首先對(duì)模擬計(jì)算的程序進(jìn)行調(diào)試及改進(jìn)。然后對(duì)理論模型的構(gòu)造進(jìn)行研究，具體分析求解Poisson方程而得到電場分布，應(yīng)用Boltzmann方程及Monte-Carlo模擬而得到低氣壓射頻放電等離子體中電子能量分布、電離系數(shù)、激發(fā)系數(shù)、電子動(dòng)力學(xué)溫度以及它們與放電氣壓、功率、頻率及電離度之間的關(guān)系。同時(shí)我們對(duì)等離子體鞘層理論模型進(jìn)行改進(jìn)，及討論磁場對(duì)工藝加工的影響。
權(quán)利要求
1.一種電路工藝中的等離子體技術(shù)
2.低溫等離子體動(dòng)力學(xué)規(guī)律
3.等離子體鞘層理論與計(jì)算機(jī)模擬。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電路工藝中的等離子體技術(shù)。其主要內(nèi)容為低溫放電等離子體理論、等離子體的整體均勻性及穩(wěn)定性的理論研究及模擬計(jì)算、帶電粒子在鞘層中的輸運(yùn)性質(zhì)及等離子體加工工藝的過程控制。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102789511SQ20111013263
公開日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2011年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月20日
發(fā)明者張靈芝 申請(qǐng)人:張靈芝