專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動電壓降低且發(fā)光效率提高的顯示裝置。
背景技術(shù)：
等離子體顯示屏(PDP)是一種利用放電顯示圖像的平板顯示裝置。由于其優(yōu)越的亮度和寬視角，PDP普及很廣。將直流(DC)或交流(AC)電壓施加到其間具有氣體的電極上，通過這一過程PDP發(fā)出可見光。電壓差激勵氣體并使其發(fā)出紫外線。紫外線又激勵磷光材料，使其發(fā)出可見光。
最常見的兩種PDP電極結(jié)構(gòu)是面對放電結(jié)構(gòu)和表面放電結(jié)構(gòu)。在面對放電結(jié)構(gòu)中，一對維持電極分別設(shè)置在上基板和下基板上，放電垂直于基板產(chǎn)生。在表面放電結(jié)構(gòu)中，一對維持電極設(shè)置在同一基板上，而放電則平行于基板發(fā)生。
圖1示出了常規(guī)AC表面放電PDP的分解透視圖。圖2A和圖2B為沿著圖1的水平線和垂直線的截面圖。
參考圖1、圖2A和圖2B，下基板10和上基板20彼此相對設(shè)置，其間具有放電空間。多個尋址電極11形成于下基板10上并被第一介電層12覆蓋。多個阻擋肋13形成于第一介電層12的上表面上。阻擋肋13分割放電空間，以界定多個放電室14并防止室14之間的電串擾和光串擾。紅、綠和藍色磷光體層15涂布在室14的內(nèi)壁上。放電氣體填充著室14，該放電氣體可以包括Xe。
上基板20是透明的并結(jié)合到下基板10。在每個室14的上基板20的下表面上垂直于尋址電極11形成一對維持電極21a和21b。維持電極21a和21b可以由也能透射可見光的導(dǎo)電材料形成，例如氧化銦錫(ITO)。在維持電極21a和21b的下表面上用金屬形成窄的匯流電極22a和22b，以降低維持電極21a和21b的線電阻。維持電極21a和21b以及匯流電極22a和22b被透明第二介電層23覆蓋。在第二介電層23的下表面上由MgO形成保護層24。保護層24通過濺射等離子體顆粒防止第二介電層23受損傷并通過發(fā)射二次電子降低所需的放電電壓。
必須要產(chǎn)生尋址放電和維持放電以驅(qū)動PDP。尋址放電發(fā)生在尋址電極11和一對維持電極21a和21b之一之間。維持放電由一對維持電極21a和21b之間的電勢差引起并激勵放電氣體，放電氣體發(fā)出紫外線，紫外線又激勵磷光體層15產(chǎn)生可見光?？梢姽馔ㄟ^上基板發(fā)射并形成由PDP所顯示的圖像。
等離子體放電也可以用在平板燈中，為液晶顯示器(LCD)產(chǎn)生背光。圖3示出了常規(guī)平板燈的透視圖，其具有AC電壓表面放電結(jié)構(gòu)。
參考圖3，下基板50和上基板60彼此相對設(shè)置，由隔塊53在它們之間形成恒定的距離。等離子體放電發(fā)生在下基板50和上基板60之間的等離子體放電空間中。多個隔塊53形成于下基板50和上基板60之間，以將放電空間分成多個放電室54并維持下基板50和上基板60之間的恒定距離。放電氣體填充著放電室，其可以包括Xe。放電氣體發(fā)出紫外線，紫外線激勵涂布于放電室54內(nèi)壁上的磷光體層55，產(chǎn)生可見光。
用于在每個放電室中產(chǎn)生等離子體放電的放電電極形成于下基板50和上基板60上。在每個放電室54中在下基板50的下表面上形成第一下電極51a和第二下電極51b。在每個放電室54中在上基板60的上表面上形成第一上電極61a和第二上電極61b。在第一下電極51a和第一上電極61a之間，或者在第二下電極51b和第二上電極61b之間不發(fā)生放電，因為它們處于相同的電勢。表面放電平行于下基板50和上基板60發(fā)生，因為在第一下電極51a和第二下電極51b之間以及在第一上電極61a和第二上電極61b之間存在電勢差。
常規(guī)等離子體顯示屏和平板燈的主要缺點在于，它們需要大量的能量使放電氣體離子化以產(chǎn)生紫外線。因此，常規(guī)的等離子體顯示屏和平板燈需要高驅(qū)動電壓且具有低的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種顯示裝置，該顯示裝置結(jié)合處于不同電壓的電極，利用電子加速層發(fā)射能量水平足以激勵氣體的電子束，氣體發(fā)射出紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層發(fā)射可見光。使用電子加速層使得能夠用較低驅(qū)動電壓激勵氣體并實現(xiàn)相比于常規(guī)顯示裝置所能獲得的發(fā)光效率改善的發(fā)光效率。
本發(fā)明的其他特征將在以下描述中說明，它們在一定程度上將從描述中明了，或者可以通過本發(fā)明的實踐得知。
本發(fā)明公開了一種顯示裝置，其包括彼此相對并在其間具有空間的第一基板和第二基板，設(shè)置在第一基板和第二基板之間的室，對應(yīng)于室設(shè)置的第一電極，對應(yīng)于室設(shè)置的第二電極，設(shè)置在第一電極上且能夠?qū)⒌谝浑娮邮l(fā)射到室中的第一電子加速層，在室內(nèi)部且在被第一電子束激勵時能夠生成紫外線的氣體，以及設(shè)置在室內(nèi)部且在被紫外線激勵時能夠生成可見光的發(fā)光層。
應(yīng)當理解，以上一般性說明和以下的詳細說明都是示范性的和說明性的，意在提供所主張的發(fā)明的進一步解釋。


本說明書所包括的附圖提供了對本發(fā)明的進一步理解，將其引入構(gòu)成了說明書的一部分，它們展示了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用以闡釋本發(fā)明的原理。
圖1示出了常規(guī)PDP的分解透視圖；圖2A和圖2B示出了分別沿圖1的橫線和縱線的截面圖；圖3示出了常規(guī)平板燈的透視圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖；圖5示出了Xe的能級圖；圖6A、圖6B、圖6C和圖6D示出了能夠施加到根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的平板顯示裝置中的電極的波形；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的平板顯示裝置的改進版的截面圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明第二示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖；圖9A和圖9B示出了能夠施加到根據(jù)本發(fā)明第二示范性實施例的平板顯示裝置中的電極的波形；圖10示出了根據(jù)本發(fā)明第三示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖；圖11示出了根據(jù)本發(fā)明第四示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖；圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第五示范性實施例的平板燈的截面圖；圖13示出了根據(jù)本發(fā)明第六示范性實施例的平板燈的截面圖；
圖14示出了根據(jù)本發(fā)明第七示范性實施例的平板燈的截面圖；圖15示出了根據(jù)本發(fā)明第八示范性實施例的平板燈的截面圖；圖16示出了根據(jù)本發(fā)明第九示范性實施例的平板燈的截面圖；圖17示出了根據(jù)本發(fā)明第十示范性實施例的平板燈的截面圖；圖18示出了根據(jù)本發(fā)明第十一示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖。
具體實施例方式
在下文中參考附圖更完全地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的實施例。不過，本發(fā)明可以用很多不同形式實現(xiàn)，不應(yīng)被理解為受限于這里所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本公開徹底，并將本發(fā)明的范圍完整地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。將平板顯示裝置和平板燈描述為根據(jù)本發(fā)明的示范性顯示裝置，但是本發(fā)明不受限于此。在附圖中，為清晰起見可能放大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
要理解的是，當稱一元件，例如層、膜、區(qū)域或基板在另一元件“上”時，它可以直接在另一元件上，或者也可能存在中間元件。相反，當稱一元件“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖。
參考圖4，第一基板110用作下基板，第二基板120用作上基板?；蛘撸谝换?10可以為上基板，第二基板120可以為下基板。第一基板110和第二基板120彼此相對地設(shè)置，它們之間有一恒定距離。第一基板110和第二基板120可以由透明玻璃形成。
多個阻擋肋113形成于第一基板110和第二基板120之間，以形成多個室114并防止室114之間的電串擾和光串擾。紅、綠和藍發(fā)光層115可以涂布在室114的內(nèi)壁上。根據(jù)所用的材料，發(fā)光層115在被UV線或電子激勵時產(chǎn)生可見光。可以包括Xe的氣體填充著室114。該氣體可以是被諸如電子束的外部能量激勵時產(chǎn)生紫外線的放電氣體。
在第一基板110的上表面上在每個室114內(nèi)形成第一電極131，在第二基板120的下表面上在每個室114內(nèi)形成第二電極132，第二電極132與第一電極131交叉。在這一示范性實施例中，第一電極131和第二電極132分別為陰極電極和陽極電極。第二電極132可以由透明導(dǎo)電材料，例如ITO形成，以透射可見光。介電層(未示出)可以形成于第二電極132上。
電子加速層140形成于第一電極131的上表面上。第三電極133為柵格電極，形成于電子加速層140上。電子加速層140可以由通過加速電子而能夠產(chǎn)生電子束(E束)的任何材料形成。此類材料的一個例子是氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當將電壓施加到第一電極131和第三電極133(和/或第二電極132)時，電子加速層140通過加速來自第一電極131的電子，穿過第三電極133將E束發(fā)射到室114中。E束激勵氣體，氣體在穩(wěn)定時產(chǎn)生紫外線。紫外線又激勵發(fā)光層115，發(fā)光層產(chǎn)生可見光，當光通過第二基板120時形成圖像。
E束可能具有比激勵氣體所需的能量高但比使氣體離子化所需的能量低的能量。向第一電極131和第三電極133(和/或第二電極132)施加激勵氣體所需的用于最佳電子能量的電壓。
圖5示出了Xe的能級圖。可以用Xe作為放電氣體產(chǎn)生紫外線。
參考圖5，需要12.12eV的能量離子化Xe，需要超過8.28eV的能量激勵Xe。分別需要8.28eV、8.45eV和9.57eV以將Xe激勵到1S5、1S4和1S2狀態(tài)。被激勵的Xe*在穩(wěn)定時產(chǎn)生波長約為147nm的紫外線。通過受激Xe*與基態(tài)的Xe碰撞產(chǎn)生受激準分子Xe2*。Xe2*在穩(wěn)定時產(chǎn)生大約173nm的紫外線。
因此，在本發(fā)明中，由電子加速層140發(fā)射到室114中的E束可以具有大約8.28eV到大約12.13eV的能量，優(yōu)選大約8.28eV到大約9.57eV，更優(yōu)選大約8.28eV到大約8.45eV?；蛘撸珽束可以具有大約8.45eV到大約9.57eV的能量。
圖6A、圖6B、圖6C和圖6D示出了能夠施加到圖4中的平板顯示裝置中的電極的波形。
參考圖6A，將不同的脈沖電壓施加到第一電極131、第二電極132和第三電極133。當V1、V2和V3表示分別施加到第一電極131、第二電極132和第三電極133的電壓時，那么V1＜V3＜V2。
通過施加到第一電極131和第三電極133的電壓，穿過電子加速層140將E束發(fā)射到室114中。通過施加到第三電極133和第二電極132的電壓，向著第二電極132加速所發(fā)射的E束。在這一過程中氣體受到激勵。通過調(diào)節(jié)第二電極132的電壓能夠?qū)怏w控制到放電狀態(tài)?；蛘?，第二電極132可以接地，如圖6B所示。如果第二電極接地，抵達第二電極132的電子能夠被釋放到外界。
參考圖6C，如果施加到第一電極131、第二電極132和第三電極133的電壓分別是V1、V2和V3，那么V1＜V3＝V2。當上述電壓被施加到電極時，通過施加到第一電極131和第三電極133的電壓，穿過電子加速層140將E束發(fā)射到室114中?；蛘撸诙姌O132和第三電極133可以接地，如圖6D所示。如果第二和第三電極接地，抵達第二電極132的電子能夠被釋放到外界。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的平板顯示裝置的改進版的截面圖。
參考圖7，第二電極132′形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得從室114產(chǎn)生的可見光能夠透射。第三電極133’也形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被電子加速層140加速的電子能夠容易地發(fā)射到室114中。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明第二示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖。
參考圖8，第一基板210和第二基板220彼此相對設(shè)置，它們之間具有恒定距離。多個阻擋肋213形成于第一基板210和第二基板220之間，以界定多個室214。紅、綠和藍發(fā)光層215涂布在室214的內(nèi)壁上，可以包括Xe的氣體填充著室214。
在第一基板210的上表面上在每個室214內(nèi)形成第一電極231，在第二基板220的下表面上在每個室214內(nèi)形成第二電極232，第二電極232與第一電極231交叉。第一電子加速層241和第二電子加速層242分別形成于第一電極231和第二電極232上。第三電極233和第四電極234分別形成于第一電子加速層241和第二電子加速層242上。第一電子加速層241和第二電子加速層242可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當將電壓施加到第一電極231和第三電極233(和/或第二電極232)時，電子經(jīng)第一電極231流至第一電子加速層241。第一電子加速層241加速電子，以將第一電子束E1束經(jīng)過第三電極233發(fā)射到室214中。當將電壓施加到第二電極232和第四電極234(和/或第一電極231)時，第二電子加速層242加速從第二電極232流入的電子，并穿過第四電極234將第二電子束E2束發(fā)射到室214中。交變電流導(dǎo)致第一電子加速層241和第二電子加速層242交替將電子束發(fā)射到室214中。第一和第二電子束激勵氣體，該氣體又產(chǎn)生紫外線，紫外線激勵發(fā)光層215。第一和第二電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量。
第二電極232和第四電極234可以由透明導(dǎo)電材料，例如ITO形成，以透射可見光。第三電極233和第四電極234可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被第一和第二電子加速層241和242加速的電子能夠容易地射入室214中。多個尋址電極(未示出)可以形成于第一基板210或第二基板220上。
圖9A和圖9B示出了能夠施加到根據(jù)本發(fā)明第二示范性實施例的平板顯示裝置中的電極的電壓波形。
參考圖9A，不同的脈沖電壓被施加到第一電極231、第二電極232、第三電極233和第四電極234中的每一個。如果施加到第一電極231、第二電極232、第三電極233和第四電極234的電壓分別是V1、V2、V3和V4，那么V1＜V3且V2＜V4。當將上述電壓施加到電極時，由于施加到第一電極231和第三電極233(和/或第二電極232)的電壓，穿過第一電子加速層241將第一電子束E1束發(fā)射到室214中，由于施加到第二電極232和第四電極234(和/或第一電極231)的電壓，穿過第二電子加速層242將第二電子束E2束發(fā)射到室214中。交流電被施加到第一電極231和第二電極232之間，導(dǎo)致第一和第二電子束交替發(fā)射到室214中。如圖9B所示，第三電極233和第四電極234能夠接地。
圖10示出了根據(jù)本發(fā)明第三示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖。
參考圖10，第一基板310和第二基板320彼此相對設(shè)置，它們之間具有恒定距離。多個室314形成于第一基板310和第二基板320之間。多個尋址電極311形成于第一基板310的上表面上。介電層312覆蓋尋址電極311。紅、綠和藍發(fā)光層315涂布在室314的內(nèi)壁上，可以包括Xe的氣體填充著室314。
在每個室314中，第一電極331和第二電極332形成于第一基板310和第二基板320之間。在這一示范性實施例中，第一電極331和第二電極332位于室314的任一側(cè)上。第一電子加速層341和第二電子加速層342分別形成于第一電極331和第二電極332的內(nèi)表面上。第三電極333和第四電極334分別形成于第一電子加速層341和第二電子加速層342上。第一電子加速層341和第二電子加速層342可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當把電壓施加到第一電極331和第三電極333(和/或第二電極332)時，第一電子加速層341將第一電子束E1束發(fā)射到室314中。當把電壓施加到第二電極332和第四電極334(和/或第一電極331)時，第二電子加速層342將第二電子束E2束發(fā)射到室314中。交流電被施加到第一電極331和第二電極332之間，導(dǎo)致第一和第二電子束交替發(fā)射到室314中。第一和第二電子束激勵氣體產(chǎn)生紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層315。第一和第二電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量。
第三電極333和第四電極334可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被第一和第二電子加速層341和342加速的電子能夠容易地射入室314中。第一電子加速層341和第二電子加速層342通過在第一基板310和第二基板320之間界定空間可用以形成室314。多個阻擋肋(未示出)可以進一步形成于第一基板310和第二基板320之間以界定室314。
圖9A和圖9B所示的電壓波形可以以與上述相同的方式施加到圖10所示的平板顯示裝置的電極。
圖11示出了根據(jù)本發(fā)明第四示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖。
參考圖11，第一基板410用作下基板，第二基板420用作上基板?；蛘?，第一基板410可以為上基板，第二基板420可以為下基板。第一基板410和第二基板420彼此相對設(shè)置，它們之間有一恒定距離。多個阻擋肋413形成于第一基板410和第二基板420之間，以界定多個室414。紅、綠和藍光發(fā)射層415可以涂布在室414的內(nèi)壁上。包括Xe的氣體填充著室414。
多個尋址電極411形成于第一基板410的上表面上。尋址電極411被介電層412覆蓋。第一電極431和第二電極432在每個室414中形成于第二基板420的下表面上。第一電極431和第二電極432形成為與尋址電極411交叉。第一電子加速層441和第二電子加速層442分別形成于第一電極431和第二電極432的下表面上。第三電極433和第四電極434分別形成于第一電子加速層441和第二電子加速層442的下表面上。第一電子加速層441和第二電子加速層442可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當把電壓施加到第一電極431和第三電極433(和/或第二電極432)時，第一電子加速層441將第一電子束E1束發(fā)射到室414中。當把電壓施加到第二電極432和第四電極434(和/或第一電極431)時，第二電子加速層442將第二電子束E2束發(fā)射到室414中。交流電被施加到第一電極431和第二電極432之間，導(dǎo)致第一電子束和第二電子束交替發(fā)射到室414中。第一電子束和第二電子束激勵氣體產(chǎn)生紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層415。第一電子束和第二電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量。
第一電極431、第二電極432、第三電極433和第四電極434可以由透明導(dǎo)電材料，例如ITO形成，以透射可見光。第三電極433和第四電極434可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被第一電子加速層441和第二電子加速層442加速的電子能夠容易地射入室414中。
圖9A和圖9B所示的電壓波形可以以與上述相同的方式施加到圖11所示的平板顯示裝置的電極。
圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的平板燈的截面圖。該平板燈可以用作LCD的背光源。
參考圖12，第一基板510用作下基板，第二基板520用作上基板?；蛘?，第一基板510可以為上基板，第二基板520可以為下基板。第一基板510和第二基板520彼此相對地設(shè)置，它們之間有一恒定距離。在第一基板510和第二基板520之間形成至少一個室514。第一基板510和第二基板520可以由透明玻璃形成。可以在第一基板510和第二基板520之間形成隔塊513以界定至少一個室514。發(fā)光層515涂布在室514的內(nèi)壁上，可以包括Xe的氣體填充著室514。
在第一基板510的上表面上在每個室514內(nèi)形成第一電極531，在第二基板520的下表面上在每個室514內(nèi)形成第二電極532，第二電極532與第一電極531平行。第一電極531和第二電極532分別是陰極電極和陽極電極。第二電極532可以由透明導(dǎo)電材料，例如ITO形成以透射可見光，且可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
電子加速層540形成于第一電極531的上表面上，第三電極533形成于電子加速層540的上表面上，其為一柵格電極。電子加速層540可以由能夠通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當將電壓施加到第一電極531和第三電極533(和/或第二電極532)時，電子加速層540通過加速來自第一電極531的電子，穿過第三電極533將電子束E束發(fā)射到室514中。發(fā)射到室514中的電子束激勵氣體，其產(chǎn)生紫外線。紫外線又激勵發(fā)光層515，發(fā)光層向著第二基板520發(fā)射可見光。第三電極533可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被電子加速層540加速的電子能夠容易地發(fā)射到室514中。電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量。
圖6A、圖6B、圖6C和圖6D所示的波形能夠以與上述相同的方式施加到圖12所示的平板燈的電極。
圖13示出了根據(jù)本發(fā)明第六示范性實施例的平板燈的截面圖。
參考圖13，第一基板610和第二基板620彼此相對設(shè)置，它們之間具有恒定距離。在它們之間至少形成一個室614。可以在第一基板610和第二基板620之間形成隔塊613以界定至少一個室614。發(fā)光層615涂布在室614的內(nèi)壁上，可以包括Xe的氣體填充著室614。
在第一基板610的上表面上在每個室614內(nèi)形成第一電極631，在第二基板620的下表面上在每個室614內(nèi)形成第二電極632，第二電極632與第一電極631平行。第一電子加速層641和第二電子加速層642分別形成于第一電極631和第二電極632上。第三電極633和第四電極634分別形成于第一電子加速層641和第二電子加速層642上。第一電子加速層641和第二電子加速層642可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當將電壓施加到第一電極631和第三電極633(和/或第二電極632)時，第一電子加速層641通過加速穿過第一電極631而進入的電子，穿過第三電極633將第一電子束E1束發(fā)射到室614中。當將電壓施加到第二電極632和第四電極634(和/或第一電極631)時，第二電子加速層642通過加速穿過第二電極632而進入的電子，穿過第四電極634將第二電子束E2束發(fā)射到室614中。交流電被施加到第一電極631和第二電極632之間，導(dǎo)致第一電子束和第二電子束交替發(fā)射到室614中。第一電子束和第二電子束激勵氣體，該氣體產(chǎn)生紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層615。第一電子束和第二電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量。
第二電極632和第四電極634可以由透明導(dǎo)電材料，例如ITO形成，以透射可見光。第三電極633和第四電極634可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被第一電子加速層641和第二電子加速層642加速的電子能夠容易地射入室614中。
圖9A和圖9B所示的電壓波形可以以與上述相同的方式施加到圖13所示的平板燈的電極。
圖14示出了根據(jù)本發(fā)明第七示范性實施例的平板燈的截面圖。
參考圖14，第一基板710和第二基板720彼此相對設(shè)置，以在它們之間界定至少一個室714。發(fā)光層715涂布在室714的內(nèi)壁上，可以包括Xe的氣體填充著室714。
在每個室714中，第一電極731和第二電極732形成于第一基板710和第二基板720之間。第一電極731和第二電極732位于室714的任一側(cè)。第一電子加速層741和第二電子加速層742分別形成于第一電極731和第二電極732的內(nèi)壁上。第三電極733和第四電極734分別形成于第一電子加速層741和第二電子加速層742上。第一電子加速層741和第二電子加速層742可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當把電壓施加到第一電極731和第三電極733(和/或第二電極732)時，第一電子加速層741將第一電子束E1束發(fā)射到室714中。當把電壓施加到第二電極732和第四電極734(和/或第一電極731)時，第二電子加速層742將第二電子束E2束發(fā)射到室714中。交流電被施加到第一電極731和第二電極732之間，導(dǎo)致第一電子束和第二電子束交替發(fā)射到室714中。第一電子束和第二電子束激勵氣體，該氣體產(chǎn)生紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層715。第一電子束和第二電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量。
第三電極733和第四電極734可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被第一電子加速層741和第二電子加速層742加速的電子能夠容易地射入室714中。第一電子加速層741和第二電子加速層742通過在第一基板710和第二基板720之間界定空間可用以形成室714。在第一基板710和第二基板720之間可以進一步形成至少一個隔塊(未示出)。
圖9A和圖9B所示的電壓波形可以以與上述相同的方式施加到圖14所示的平板燈的電極。
圖15示出了根據(jù)本發(fā)明第八示范性實施例的平板燈的截面圖。
參考圖15，第一基板810用作下基板，第二基板820用作上基板?；蛘撸谝换?10可以為上基板，第二基板820可以為下基板。第一基板810和第二基板820彼此相對設(shè)置以在它們之間界定至少一個室814?？梢栽诘谝换?10和第二基板820之間形成隔塊813以界定至少一個室814。發(fā)光層815涂布在室814的內(nèi)壁上，可以包括Xe的氣體填充著室814。
第一電極831和第二電極832形成于每個室814中的第一基板810的上表面上。第一電子加速層841和第二電子加速層842分別形成于第一電極831和第二電極832的上表面上。第三電極833和第四電極834分別形成于第一電子加速層841和第二電子加速層842上。第一電子加速層841和第二電子加速層842可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當把電壓施加到第一電極831和第三電極833(和/或第二電極832)時，第一電子加速層841將第一電子束E1束發(fā)射到室814中。當把電壓施加到第二電極832和第四電極834(和/或第一電極831)時，第二電子加速層842將第二電子束E2束發(fā)射到室814中。交流電被施加到第一電極831和第二電極832之間，導(dǎo)致第一電子束和第二電子束交替發(fā)射到室814中。第一電子束和第二電子束激勵氣體，該氣體產(chǎn)生紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層815。第一電子束和第二電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量。
第三電極833和第四電極834可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被第一電子加速層841和第二電子加速層842加速的電子能夠容易地射入室814中。
圖9A和圖9B所示的電壓波形可以以與上述相同的方式施加到圖15所示的平板燈的電極。
圖16示出了根據(jù)本發(fā)明第九示范性實施例的平板燈的截面圖。
參考圖16，在第一基板810上以及在第二基板820上形成電極。該示范性實施例和前述示范性實施例的不同之處將在下文描述。
第五電極931和第六電極932形成于每個室814中的第二基板820的下表面上。第五電極931和第六電極932形成得平行于第一電極831和第二電極832。第三電子加速層941和第四電子加速層942分別形成于第五電極931和第六電極932的下表面上。第七電極933和第八電極934分別形成于第三電子加速層941和第四電子加速層942的下表面上。第三電子加速層941和第四電子加速層942可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當把電壓施加到第五電極931和第七電極933(和/或第六電極932)時，第三電子加速層941將第三電子束E3束發(fā)射到室814中。當把電壓施加到第六電極932和第八電極934(和/或第五電極931)時，第四電子加速層942將第四電子束E4束發(fā)射到室814中。施加在第五電極931和第六電極932之間的AC電壓導(dǎo)致第三電子束和第四電子束交替發(fā)射到室814中。第七電極933和第八電極934可以形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使得被第三電子加速層941和第四電子加速層942加速的電子能夠容易地射入室914中。
圖17示出了根據(jù)本發(fā)明第十示范性實施例的平板燈的截面圖。
參考圖17，第一基板1010和第二基板1020彼此相對設(shè)置，它們之間具有恒定距離。在第一基板1010和第二基板1020之間形成至少一個室1014。發(fā)光層1015涂布在室1014的內(nèi)壁上，可以包括Xe的氣體填充著室1014。
一個第一電極1031和兩個第二電極1032形成于每個室1014中。第二電極1032設(shè)置在室1014的兩側(cè)上。第一電極1031設(shè)置在第一基板1010的上表面上。
第一電子加速層1041和第二電子加速層1042分別形成于第一電極1031和第二電極1032的內(nèi)表面上。第三電極1033和第四電極1034分別形成于第一電子加速層1041和第二電子加速層1042上。第一電子加速層1041和第二電子加速層1042可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當把預(yù)定電壓施加到第一電極1031和第三電極1033(和/或第二電極1032)時，第一電子加速層1041將第一電子束E1束發(fā)射到室1014中。當把預(yù)定電壓施加到第二電極1032和第四電極1034(和/或第一電極1031)時，第二電子加速層1042將第二電子束E2束發(fā)射到室1014中。交流電壓被施加到第一電極1031和第二電極1032之間，導(dǎo)致第一電子束和第二電子束交替發(fā)射到室1014中。第一電子束和第二電子束激勵氣體，該氣體產(chǎn)生紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層1015。第一和第二電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量水平。
第三電極1033和第四電極1034可以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，以允許被第一電子加速層1041和第二電子加速層1042加速的電子容易地發(fā)射到室1014中。第二電子加速層1042通過在第一基板1010和第二基板1020之間界定空間，用來形成室1014。在第一基板1010和第二基板1020之間可以進一步形成至少一個隔塊(未示出)。
圖9A和圖9B所示的電壓波形可以以與上述相同的方式施加到圖17所示的平板燈的電極。
圖18示出了根據(jù)本發(fā)明第十一示范性實施例的平板顯示裝置的截面圖。
參考圖18，第一基板1110和第二基板1120彼此相對設(shè)置，它們之間具有恒定距離。多個室1114形成于第一基板1110和第二基板1120之間。紅、綠和藍發(fā)光層1115涂布在室1114的內(nèi)壁上，可以包括Xe的氣體填充著室1114。
一個第一電極1131和兩個第二電極1132形成于第一基板1110和第二基板1120之間的每個室1114中。第一電極1131設(shè)置在第一基板1110的上表面上，第二電極1132設(shè)置在每個室1114的兩側(cè)上。第一電極1131和第二電極1132延伸以彼此交叉。
第一電子加速層1141和第二電子加速層1142分別形成于第一電極1131和第二電極1132的內(nèi)表面上。第三電極1133和第四電極1134分別形成于第一電子加速層1141和第二電子加速層1142上。第一電子加速層1141和第二電子加速層1142可以由能通過加速電子產(chǎn)生電子束的任何材料形成，例如氧化多孔硅。氧化多孔硅可以是，例如，氧化的多孔多晶硅或者氧化的多孔非晶硅。
當把電壓施加到第一電極1131和第三電極1133(和/或第二電極1132)時，第一電子加速層1141將第一電子束E1束發(fā)射到室1114中。當將電壓施加到第二電極1132和第四電極1134(或第一電極1131)時，第二電子加速層1142將兩個第二電子束E2束發(fā)射到室1114中。交流電壓被施加到第一電極1131和第二電極1132之間，導(dǎo)致第一電子束和第二電子束交替發(fā)射到室1114中。第一電子束和第二電子束激勵氣體，該氣體產(chǎn)生紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層1115。第一和第二電子束可以具有大于激勵氣體所需的能量但小于離子化氣體所需能量的能量水平。
第三電極1133和第四電極1134可以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，以允許被第一電子加速層1141和第二電子加速層1142加速的電子容易地發(fā)射到室1114中。第二電子加速層1142通過在第一基板1110和第二基板1120之間界定空間，用來形成室1114。多個阻擋肋(未示出)可以進一步形成于第一基板1110和第二基板1120之間。
圖9A和圖9B所示的電壓波形可以以與上述相同的方式施加到圖18所示的平板顯示裝置的電極。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以明了，在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以在本發(fā)明中做出多種改進和變化。因此，這里的意圖是，只要改進和變化落在權(quán)利要求及其等價要件的范圍內(nèi)，本發(fā)明將覆蓋這些改進和變化。
本發(fā)明要求于2004年12月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2004-0108412的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，這里引入其全部公開以作參考。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括彼此相對并在其間具有空間的第一基板和第二基板；設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間的室；對應(yīng)于所述室設(shè)置的第一電極；對應(yīng)于所述室設(shè)置的第二電極；設(shè)置在所述第一電極上且能夠?qū)⒌谝浑娮邮l(fā)射到所述室中的第一電子加速層；在所述室內(nèi)部且在被所述第一電子束激勵時能夠生成紫外線的氣體；及設(shè)置在所述室內(nèi)部且在被所述紫外線激勵時能夠生成可見光的發(fā)光層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括設(shè)置在所述第一電子加速層上的第三電極。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中V1＜V3＜V2，其中V1是施加到所述第一電極的電壓，V2是施加到所述第二電極的電壓，且V3是施加到所述第三電極的電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述第二電極接地。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中V1＜V2＝V3，其中V1是施加到所述第一電極的電壓，V2是施加到所述第二電極的電壓，且V3是施加到所述第三電極的電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述第二電極和所述第三電極接地。
7.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第二電極或所述第三電極中至少一個具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中沒有第一電極設(shè)置在與第二電極相同的室的內(nèi)表面上。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述第一電極設(shè)置在所述第一基板上，且所述第二電極設(shè)置在所述第二基板上。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一電極設(shè)置在與所述第二電極相同的室的內(nèi)表面上。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括第二電子加速層，設(shè)置在所述第二電極上且能夠?qū)⒌诙娮邮l(fā)射到所述室中。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述第一電極和所述第二電極由交流電壓驅(qū)動。
13.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，還包括設(shè)置在所述第一電子加速層上的第三電極；以及設(shè)置在所述第二電子加速層上的第四電極。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中V1＜V3且V2＜V4，其中V1是施加到所述第一電極的電壓，V2是施加到所述第二電極的電壓，V3是施加到所述第三電極的電壓，且V4是施加到所述第四電極的電壓。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第三電極和所述第四電極接地。
16.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述第三電極和所述第四電極具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中沒有第一電極設(shè)置在與第二電極相同的室的內(nèi)表面上。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第一電極設(shè)置在所述第一基板上，且所述第二電極設(shè)置在所述第二基板上。
19.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第一電極或所述第二電極設(shè)置在所述第一基板或所述第二基板上，以及其中未設(shè)置在所述第一基板或所述第二基板上的所述第一電極或所述第二電極的任一個設(shè)置在所述室的至少一個側(cè)壁上。
20.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第一電極和所述第二電極設(shè)置在所述室的側(cè)壁的相對側(cè)上。
21.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述第一電極設(shè)置在與所述第二電極相同的室的內(nèi)表面上。
22.如權(quán)利要求21所述的顯示裝置，還包括第五電極，設(shè)置在所述室與所述第一電極和所述第二電極相對的內(nèi)表面上；第六電極，設(shè)置在與所述第五電極相同的表面上；第三電子加速層，設(shè)置在所述第五電極上且能夠?qū)⒌谌娮邮l(fā)射到所述室中；第四電子加速層，設(shè)置在所述第六電極上且能夠?qū)⒌谒碾娮邮l(fā)射到所述室中；第七電極，設(shè)置在所述第三電子加速層上；以及第八電極，設(shè)置在所述第四電子加速層上。
23.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，還包括尋址電極，延伸而與所述第一電極和所述第二電極交叉。
24.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置，還包括覆蓋所述尋址電極的介電層。
25.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一電子束的能量水平大于激勵所述氣體所需的能量而小于離子化所述氣體所需的能量。
26.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一電子加速層包括氧化多孔硅。
27.如權(quán)利要求26所述的顯示裝置，其中所述氧化多孔硅是氧化多孔多晶硅或氧化多孔非晶硅。
28.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括覆蓋所述第二電極的介電層。
29.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述氣體包括Xe。
30.如權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其中所述第一電子束的能量水平為大約8.28eV到大約12.13eV。
31.如權(quán)利要求30所述的顯示裝置，其中所述第一電子束的能量水平為大約8.28eV到大約9.57eV。
32.如權(quán)利要求31所述的顯示裝置，其中所述第一電子束的能量水平為大約8.28eV到大約8.45eV。
33.如權(quán)利要求31所述的顯示裝置，其中所述第一電子束的能量水平為大約8.45eV到大約9.57eV。
34.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一電極和所述第二電極延伸而彼此交叉。
全文摘要
一種顯示裝置，結(jié)合使用了電子加速層和處在不同電壓的電極以發(fā)射能量水平足以激勵氣體的電子束，該氣體發(fā)射紫外線，紫外線又激勵發(fā)光層以發(fā)出可見光。該顯示裝置包括彼此相對并在其間具有空間的第一基板和第二基板；設(shè)置在第一基板和第二基板之間的室；對應(yīng)于室設(shè)置的第一電極；對應(yīng)于室設(shè)置的第二電極；設(shè)置在第一電極上且能夠?qū)⒌谝浑娮邮l(fā)射到室中的第一電子加速層；在室內(nèi)部且在被第一電子束激勵時能夠生成紫外線的氣體；及設(shè)置在室內(nèi)部且在被紫外線激勵時能夠生成可見光的發(fā)光層。使用電子加速層使得能夠用較低的驅(qū)動電壓激勵氣體并實現(xiàn)提高的發(fā)光效率。
文檔編號H01J11/12GK1790596SQ20051013173
公開日2006年6月21日 申請日期2005年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月18日
發(fā)明者畑中秀和, 孫承賢, 金永模, 李圣儀, 李鎬年, 藏尚勛, 金起永, 樸亨彬 申請人:三星Sdi株式會社