專利名稱：印刷電路基板及其制造方法,以及制造等離子顯示板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及印刷電路基板(green sheet)及其制造方法，以及制造等離子顯示板的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的等離子顯示板是一種發(fā)光設(shè)備，使用兩個玻璃襯底板間的電極間氣體放電現(xiàn)象，顯示圖像。通用等離子顯示板不需要用于驅(qū)動每個單元的有源元件。因此，等離子顯示板具有簡單的制造工藝以及快速響應(yīng)速度以及還具有大尺寸屏幕。
現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示板包括前襯底和后襯底。在前襯底中，形成掃描電極和用于維持放電的維持電極。在后襯底中，形成用于地址放電的地址電極。在現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示板的制造工藝中，非常多地采用絲網(wǎng)印刷方法來在前襯底或后襯底中形成電極。然而，目前已經(jīng)提出了使用干膜來形成電極的方法，代替絲網(wǎng)印刷方法。
在使用干膜形成電極的方法中，能使電極的厚度均勻，便于大尺寸屏幕和不要求干燥過程。使用干膜形成電極的方法有利之處在于由于使用層合機(laminator)，過程費用和設(shè)備維護(hù)費用低。
圖1表示制造現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示板的方法。如圖1所示，在制造現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示板的方法中，使用光敏光致抗蝕劑，在淀積在襯底100上的透明電極材料中，形成預(yù)定圖形。沿該圖形蝕刻透明電極材料以便形成透明電極101。
通過層壓或絲網(wǎng)印刷黑矩陣膜或光敏黑糊(black paste)，在透明電極101上形成黑矩陣(黑矩陣)層102。此時，在黑矩陣膜是印刷電路基板的一部分的情況下，去除印刷電路基板的覆蓋膜和基薄膜，以便層壓黑矩陣膜。
在使用黑矩陣掩膜20，沿預(yù)定圖形曝光黑矩陣層102后，通過層壓或絲網(wǎng)印刷電極膜或光敏電極糊，電極層103形成在曝光的黑矩陣層102上。在這種情況下，在電極膜是印刷電路基板的一部分的情況下，去除印刷電路基板的覆蓋膜和基薄膜，以便層壓電極膜。
在使用電極掩膜30，沿電極圖形曝光電極層103后，通過相同的顯影劑，同時顯影電極層103和黑矩陣層102，從而形成電極103’和黑矩陣102’。在燒結(jié)爐中，用高溫?zé)Y(jié)電極103’和黑矩陣102’。
即，通過層壓或絲網(wǎng)印刷，將黑矩陣膜或光敏黑糊涂在透明電極上，然后，沿期望圖形，曝光黑矩陣膜或光敏黑糊。通過層壓或絲網(wǎng)印刷，沿期望圖形，在黑矩陣膜或光敏黑糊上曝光電極膜或光敏電極糊。此后，同時顯影黑矩陣膜或光敏黑糊，或電極膜或光敏電極糊，形成黑矩陣102’和電極103’。
在使用干膜，諸如現(xiàn)有技術(shù)中的電極膜或黑矩陣膜形成電極或黑矩陣的情況下，然而，必須執(zhí)行兩次層壓過程，以便層壓黑矩陣膜和電極膜。這增加了制造工藝的數(shù)量。
此外，由于執(zhí)行兩次層壓過程，在層壓過程期間發(fā)生故障的可能性增加。
此外，由于層壓過程必須執(zhí)行兩次，增加去除的基薄膜和覆蓋膜的數(shù)量，導(dǎo)致增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是至少解決現(xiàn)有技術(shù)的問題和缺點。
本發(fā)明提供一種印刷電路基板及其制造方法，以及制造等離子顯示板的方法，其中，能降低層壓過程的數(shù)量。
本發(fā)明提供一種印刷電路基板及其制造方法，以及制造等離子顯示面板的方法，其中，在層壓過程期間，能減少故障。
發(fā)明提供一種印刷電路基板及其制造方法，以及制造等離子顯示面板的方法，其中，能減少在層壓過程中，消耗的基薄膜和覆蓋膜的數(shù)量。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，制造等離子顯示板的方法包括步驟在襯底上，層壓包括黑矩陣層和層疊在黑矩陣上的電極層的薄膜；通過使用第一顯影劑，沿第一圖形，顯影電極層，形成電極；沿第二圖形曝光黑矩陣層；以及通過使用第二顯影劑，沿第二圖形顯影黑矩陣層，從而形成黑矩陣。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種印刷電路基板包括第一薄膜；曝光、層壓在第一薄膜上的第一層；層壓在第一層上的第二層，以及層壓在第二層上的第二薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種制造印刷電路基板的方法包括步驟修補第一薄膜；在第一薄膜上層疊第一層；曝光第一層；在第一層上層疊第二層；以及在第二層上層疊第二薄膜。
根據(jù)本發(fā)明，制造等離子顯示板的方法能降低層壓過程的數(shù)量。
根據(jù)本發(fā)明，制造等離子顯示板的方法由于降低層壓過程的數(shù)量，能降低基薄膜和覆蓋膜的消耗。
根據(jù)本發(fā)明，制造等離子顯示板的方法由于降低層壓過程的數(shù)量，能降低在層壓過程期間產(chǎn)生故障的概率。


將參考附圖，詳細(xì)地描述本發(fā)明，其中，相同的標(biāo)記表示相同的元件。
圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中，制造等離子顯示板的方法；圖2表示根據(jù)本發(fā)明的實施例，制造等離子顯示板的方法；以及圖3表示根據(jù)本發(fā)明的實施例，制造印刷電路基板的方法。
具體實施例方式
將參考附圖，更詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，制造等離子顯示板的方法包括在襯底上層壓包括黑矩陣層和層疊在黑矩陣上的電極層的薄膜，通過使用第一顯影劑，沿第一圖形，顯影電極層，形成電極，沿第二圖形曝光黑矩陣層，以及使用第二顯影劑，沿第二圖形，顯影黑矩陣層，從而形成黑矩陣。
可以曝光薄膜的黑矩陣層。
薄膜的黑矩陣層可以預(yù)先曝光的光量大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2，以及沿第二圖形，可以曝光黑矩陣層的光量為大于300毫焦耳/cm2至小于400毫焦耳/cm2。
曝光薄膜的黑矩陣層的光量可以大于整個曝光量的20％至小于40％，以及沿第二圖形，可以曝光黑矩陣層的光量為大于整個曝光量的60％至小于80％。
第一顯影劑和第二顯影劑可以是碳酸鈉，以及第一顯影劑的濃度可以大于第二顯影劑的濃度的二倍至小于三倍。
包含在黑矩陣層中的粘合劑的分子量可以大于50,000g/mol至小于200,000g/mol，第一顯影劑和第二顯影劑可以是碳酸鈉，以及第一顯影劑的濃度可以大于0.3％至小于1％，以及第二顯影劑的濃度可以大于0.6％至小于3％。
該方法可以進(jìn)一步包括去除用于保護(hù)薄膜的覆蓋膜和基薄膜的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面的印刷電路基板包括第一薄膜，曝光、層壓在第一薄膜上的第一層，層壓在第一層上的第二層，以及層壓在第二層上的第二薄膜。
第一層可以是黑矩陣層。
第二層可以是電極層。
曝光第一層的光量可以大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2。
曝光第一層的光量可以是整個曝光量的大于20％至小于40％。
包含在黑矩陣層中的粘合劑的分子量可以大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。
制造根據(jù)本發(fā)明的一個方面的印刷電路基板的方法包括修補第一薄膜，在第一薄膜上層疊第一層，曝光第一層，在第一層上層疊第二層，以及在第二層上層疊第二薄膜。
第一層可以是黑矩陣層。
第二層可以是電極層。
曝光第一層的光量可以大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2。
曝光第一層的光量可以是整個曝光量的大于20％至小于40％。
包含在黑矩陣層中的粘合劑的分子量可以大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。
將參考附圖，描述本發(fā)明的詳細(xì)實施例。
圖2表示根據(jù)本發(fā)明的實施例，制造等離子顯示板的方法。
在第一步驟(ST1)中，將透明電極材料涂在襯底10上。然后，使用光敏抗蝕劑，沿透明電極圖形，曝光透明電極材料，然后顯影，從而形成透明電極1。
在第二步驟(ST2)中，通過一次層壓過程，將包括光敏黑矩陣層2和層疊在光敏黑矩陣層2上的光敏總線電極層3的干膜4層壓在透明電極1上。在該過程中，去除用于保護(hù)干膜4的覆蓋膜和基薄膜。光敏黑矩陣層2與透明電極1接觸，以及光敏總線電極層3位于光敏黑矩陣層2上。即，在制造等離子顯示板的傳統(tǒng)方法中，由于必須單獨地層壓電極膜和黑矩陣膜，必須執(zhí)行二次層壓過程。在根據(jù)本發(fā)明，制造等離子顯示板的方法中，然而，由于使用具有其中集成光敏總線電極層3和光敏黑矩陣層2的干膜4，僅需要執(zhí)行一次層壓過程。因此，能降低等離子顯示板的制造工藝的數(shù)量。
在第三步驟(ST3)中，沿電極掩膜30的電極圖形，曝光光敏總線電極層3。
在第四步驟(ST4)中，在光敏總線電極層3上，執(zhí)行使用顯影劑的顯影過程。通過顯影過程，在光敏黑矩陣層2上形成具有電極圖形的總線電極3’。
在第五步驟(ST5)中，沿黑矩陣掩膜20的黑矩陣圖形，使光敏黑矩陣層2暴露到光，諸如紫外光下。
在第六步驟(ST6)中，在光敏黑矩陣層2中執(zhí)行使用顯影劑的顯影過程。通過在光敏黑矩陣層2上的顯影過程，在襯底10上形成具有黑矩陣圖形的黑矩陣2’。
在第七步驟(ST7)中，將形成黑矩陣2’和總線電極3’的襯底10插入燒結(jié)爐，然后燒結(jié)。
同時，提出了兩種方法以便防止在第四步驟(ST4)中，同時形成光敏電極層3和光敏黑矩陣層2。
第一方法是使在第四步驟(ST4)中使用的電極顯影劑和在第六步驟(ST6)中使用的黑矩陣顯影劑的濃度彼此不同。即，電極顯影劑和黑矩陣顯影劑的大部分是溶液，其中，用純水溶解3％或更低的碳酸鈉(NaCO3)。通常使用具有從0.3％至1％的濃度范圍的碳酸鈉溶液。因此，用作電極顯影劑的碳酸鈉的濃度大于0.3至小于1％，以及用作黑矩陣顯影劑的碳酸鈉的濃度大于0.6％至小于3％，其是從用作電極顯影劑的碳酸鈉的濃度的二倍至三倍。
此時，包含在傳統(tǒng)的黑矩陣層中的粘合劑的分子量為大于10,000g/mol至小于30,000g/mol。用在本發(fā)明中的光敏黑矩陣層2的粘合劑的分子量為大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。如果粘合劑的分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol，通過具有大于0.3至小于1％的濃度的碳酸鈉，不顯影粘合劑。因此，在第四步驟(ST4)中，通過其濃度大于0.3至小于1％的碳酸鈉，不顯影包括分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol的粘合劑的光敏黑矩陣層2，而僅顯影光敏總線電極層3。
因此，通過控制構(gòu)成干膜4的光敏總線電極層3和光敏黑矩陣層2的顯影強度，解決該問題。
第二種方法是使用通過按一定程度曝光的光敏黑矩陣層。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明的實施例，制造印刷電路基板的方法。
如圖3(a)所示，在基薄膜上形成光敏黑矩陣層2。
如圖3(b)所示，在光敏黑矩陣層2上形成光敏總線電極層3之前，在光敏黑矩陣層2上執(zhí)行一定程度的曝光。因此，光敏黑矩陣層2內(nèi)的一些材料對用在曝光過程中的紫外線起作用。
如圖3(c)所示，在已經(jīng)執(zhí)行一定程度的曝光的光敏黑矩陣層2上形成光敏總線電極層3。在光敏總線電極層3上形成覆蓋膜，以便形成由光敏黑矩陣層2和光敏總線電極層3組成的干膜4。
因此，當(dāng)在圖2的第四步驟(ST4)中，用顯影劑顯影光敏總線電極層3時，先前已經(jīng)曝光的光敏黑矩陣層2能抗顯影劑。
例如，在顯示光敏黑矩陣層2所需的整個曝光量為500毫焦耳/cm2的情況下，如果在干膜的制造過程中，將對應(yīng)于大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2，其為總曝光量的大于20％至小于40％的紫外線照射在整個光敏黑矩陣層2上，在圖2的第四步驟中，光敏黑矩陣層2能抗顯影劑達(dá)預(yù)定時間，因為先前曝光過光敏黑矩陣層2的頂表面。此后，如果在光敏黑矩陣層2的曝光步驟(ST5)中，將對應(yīng)于大于300毫焦耳/cm2至小于400毫焦耳/cm2，其為總曝光量的大于60％至小于80％的紫外線照射在整個光敏黑矩陣層2上，在黑矩陣顯影步驟(ST6)中，顯影由于黑矩陣掩膜20，未曝光的一些光敏黑矩陣層2，以及已經(jīng)照射整個曝光量的光敏黑矩陣層2的其他部分仍然保持原樣。
在現(xiàn)有技術(shù)中，制造等離子顯示板的方法中，執(zhí)行用于執(zhí)行電極層和黑矩陣層的層壓過程二次。在根據(jù)本發(fā)明，制造等離子顯示板的方法中，然而，由于使用集成光敏總線電極層3和光敏黑矩陣層2的干膜4，僅執(zhí)行一次層壓過程。
因此，由于如上所述，使在層壓過程中消耗的基薄膜和覆蓋膜的數(shù)量減半，能節(jié)省制造成本。
此外，由于降低層壓數(shù)量，能相當(dāng)大地降低在層壓過程期間產(chǎn)生故障的概率。
由此描述了本發(fā)明，很顯然，可以用許多方式改變。這些改變不視為脫離本發(fā)明的精神和范圍，以及對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的所有這些改進(jìn)均包括在下述權(quán)利要求書的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種制造等離子顯示板的方法，包括步驟在襯底上，層壓包括黑矩陣層和層疊在黑矩陣上的電極層的薄膜；通過使用第一顯影劑，沿第一圖形顯影電極層，形成電極；沿第二圖形曝光黑矩陣層；以及通過使用第二顯影劑，沿第二圖形顯影黑矩陣層，從而形成黑矩陣。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，曝光該薄膜的黑矩陣層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，先前曝光該薄膜的黑矩陣層的光量為大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2，以及沿第二圖形，曝光黑矩陣層的光量為大于300毫焦耳/cm2至小于400毫焦耳/cm2。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，曝光薄膜的黑矩陣層的光量大于整個曝光量的20％至小于40％，以及沿第二圖形，曝光黑矩陣層的光量為大于整個曝光量的60％至小于80％。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一顯影劑和第二顯影劑是碳酸鈉，以及第一顯影劑的濃度是大于第二顯影劑的濃度的二倍至小于三倍。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，包含在黑矩陣層中的粘合劑的分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol，第一顯影劑和第二顯影劑是碳酸鈉，以及第一顯影劑的濃度大于0.3％至小于1％，以及第二顯影劑的濃度大于0.6％至小于3％。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括去除用于保護(hù)該薄膜的覆蓋膜和基薄膜的步驟。
8.一種印刷電路基板，包括第一薄膜；曝光、層壓在第一薄膜上的第一層；層壓在第一層上的第二層；以及層壓在第二層上的第二薄膜。
9.如權(quán)利要求8所述的印刷電路基板，其中，第一層是黑矩陣層。
10.如權(quán)利要求8所述的印刷電路基板，其中，第二層是電極層。
11.如權(quán)利要求8所述的印刷電路基板，其中，曝光第一層的光量大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2。
12.如權(quán)利要求8所述的印刷電路基板，其中，曝光第一層的光量大于整個曝光量的20％至小于40％。
13.如權(quán)利要求9所述的印刷電路基板，其中，包含在黑矩陣層中的粘合劑的分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。
14.一種制造印刷電路基板的方法，包括步驟定制第一薄膜；在第一薄膜上層疊第一層；曝光第一層；在第一層上層疊第二層；以及在第二層上層疊第二薄膜。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，第一層是黑矩陣層。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，第二層是電極層。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，曝光第一層的光量大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，曝光第一層的光量大于整個曝光量的20％至小于40％。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，包含在黑矩陣層中的粘合劑的分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。
全文摘要
本發(fā)明涉及印刷電路基板及其制造方法，以及制造等離子顯示板的方法。根據(jù)本發(fā)明，通過一次層壓薄膜形成黑矩陣層和電極層，在該薄膜上形成黑矩陣層和電極層。根據(jù)本發(fā)明的制造等離子顯示板的方法，能降低層壓過程的數(shù)量，能降低基薄膜和覆蓋膜的消耗，以及能降低在層壓過程期間產(chǎn)生故障的概率。
文檔編號H01J11/44GK1812039SQ20051013148
公開日2006年8月2日 申請日期2005年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月8日
發(fā)明者樸玟洙 申請人:Lg電子株式會社