專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板及其制造方法，尤其涉及這樣一種等離子體顯示面板及其制造方法，其中顯示區(qū)的透明電極圖案還形成于顯示區(qū)和非顯示區(qū)的邊界部分上。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是一種利用氣體放電現(xiàn)象顯示圖像的顯示裝置。PDP具有優(yōu)良的顯示特性，例如顯示容量、亮度、對(duì)比度、后像和視角。
當(dāng)將驅(qū)動(dòng)電壓施加到放電單元的電極時(shí)，PDP在放電單元內(nèi)的電極之間產(chǎn)生氣體放電。這導(dǎo)致形成真空紫外線并激勵(lì)磷光體，從而能夠發(fā)射可見(jiàn)光以實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。
PDP包括第一基板的內(nèi)表面上的顯示電極、第二基板的內(nèi)表面上的尋址電極和位于兩基板之間用以形成放電單元的阻擋肋。在PDP中，在放電單元之內(nèi)填充放電氣體。
顯示電極實(shí)際上是一對(duì)電極。成對(duì)的這兩個(gè)電極被稱為維持電極和掃描電極。維持電極和掃描電極位于每個(gè)放電單元中且用于產(chǎn)生維持放電。顯示電極和尋址電極定向?yàn)楸舜私徊娌⒐餐脕?lái)選擇放電單元。
維持電極和掃描電極的每一個(gè)都由用于在放電單元中產(chǎn)生表面放電的透明電極和用于向透明電極施加電壓的匯流電極組成。透明電極由ITO(氧化銦錫)制作，且位于第一基板上以增大開(kāi)口率(即，放電單元之內(nèi)產(chǎn)生的可見(jiàn)光的透射率)。匯流電極由高度導(dǎo)電的金屬制作。
為了在前基板上形成透明電極，可以使用光刻技術(shù)或激光燒蝕技術(shù)。光刻技術(shù)包括以下步驟通過(guò)濺射向第一基板涂布ITO材料；構(gòu)圖ITO材料以形成透明電極圖案；將金屬導(dǎo)電材料涂布到透明電極圖案上；以及構(gòu)圖金屬導(dǎo)電材料以形成匯流電極。由于光刻技術(shù)需要光致抗蝕劑涂布、光致抗蝕劑構(gòu)圖以及隨后的蝕刻過(guò)程，因此光刻技術(shù)非常耗時(shí)、復(fù)雜且昂貴。相反，激光燒蝕技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于，它可以減少工藝步驟的數(shù)量并減少在形成透明電極圖案時(shí)的處理時(shí)間。此外，激光燒蝕在構(gòu)圖ITO層時(shí)能夠提高所形成的透明電極圖案的端部的平直度。
在用激光燒蝕技術(shù)制作時(shí)，透明電極是通過(guò)在第一基板的內(nèi)表面上涂布ITO層并然后構(gòu)圖PDP的顯示區(qū)內(nèi)的ITO層形成的。由于在PDP的非顯示區(qū)中不發(fā)生氣體放電，因此在非顯示區(qū)中不形成匯流電極和透明電極，這樣就不需要構(gòu)圖淀積在非顯示區(qū)中的透明電極。因此，涂布到非顯示區(qū)的ITO材料通過(guò)激光燒蝕去除，從而增加了加工時(shí)間。需要一種PDP的改進(jìn)設(shè)計(jì)以及制造該P(yáng)DP的改進(jìn)的技術(shù)，該技術(shù)不太復(fù)雜且在上述激光燒蝕技術(shù)之外進(jìn)一步減少了加工時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的在于為PDP提供一種改進(jìn)的設(shè)計(jì)。
本發(fā)明的目的還在于提供一種制造PDP的改進(jìn)的技術(shù)，該技術(shù)不太復(fù)雜，需要更少的處理時(shí)間且不太昂貴。
這些和其他目的能夠通過(guò)一種等離子體顯示面板及其制造方法實(shí)現(xiàn)，其中，在通過(guò)激光燒蝕方法形成透明電極圖案時(shí)在顯示區(qū)和非顯示區(qū)之間的邊界部分上形成透明電極圖案。使用相同的圖案在同一ITO層中通過(guò)激光燒蝕同時(shí)形成用于的隨后的匯流電極圖案、透明電極和PDP的透明電極和非顯示區(qū)之間的連接斷開(kāi)線的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，制造等離子體顯示面板的方法包括在第一基板上淀積透明電極材料層；構(gòu)圖顯示區(qū)中的所述透明電極材料層以形成透明電極圖案；構(gòu)圖所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)之間的邊界部分中的所述透明電極材料層以形成邊界圖案；在所述顯示區(qū)中在所述透明電極圖案上淀積金屬導(dǎo)電層；構(gòu)圖所述金屬導(dǎo)電層以形成匯流電極；在第二基板上形成尋址電極和阻擋肋，并將包括所述第一基板的第一板對(duì)準(zhǔn)和組裝到包括所述第二基板的第二板，使得每個(gè)所述尋址電極和所述阻擋肋都與所述顯示區(qū)中的每個(gè)所述匯流電極和所述透明電極圖案交叉。
所述邊界部分中的邊界圖案可以具有和所述顯示區(qū)中的所述透明電極圖案相同的圖案。
所述邊界部分中的所述透明電極圖案可以包括多個(gè)連接斷開(kāi)線。
所述方法可以進(jìn)一步包括在所述顯示區(qū)的一側(cè)在所述非顯示區(qū)中通過(guò)激光燒蝕所述透明電極材料層形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
在形成所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記期間，可以在所述第一基板的上端和下端在所述非顯示區(qū)中在所述透明電極材料層中形成單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記具有與形成于所述顯示區(qū)中的所述透明電極圖案相同的圖案。
在形成所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記期間，可以在所述第一基板的上端和下端在所述非顯示區(qū)中在所述透明電極材料層中形成一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述一對(duì)中的每一個(gè)都具有與形成于所述顯示區(qū)中的所述透明電極圖案相同的圖案。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，等離子體顯示面板包括包括透明導(dǎo)電材料的透明電極，所述透明電極具有第一圖案且設(shè)置在第一基板的顯示區(qū)中；包括所述透明導(dǎo)電材料的邊界圖案，所述邊界圖案設(shè)置在所述第一基板的所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)之間的邊界部分中；設(shè)置在所述透明電極上的匯流電極；設(shè)置在第二基板上的尋址電極，所述尋址電極沿著與所述透明電極和所述匯流電極交叉的方向延伸；以及設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間的阻擋肋，所述阻擋肋在所述第一基板和所述第二基板之間界定放電單元。
所述邊界圖案可以具有與所述第一圖案相同的圖案。
所述邊界圖案可以包括多個(gè)連接斷開(kāi)線。
所述等離子體顯示面板可以進(jìn)一步包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其包括所述透明導(dǎo)電材料并設(shè)置在所述第一基板的所述非顯示區(qū)中。
所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以設(shè)置為與所述第一圖案相同的圖案，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置在所述第一基板的上端和下端，每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記都設(shè)置在所述非顯示區(qū)中。
所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以是一對(duì)標(biāo)記，每個(gè)標(biāo)記都具有與所述第一圖案相同的圖案，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置在所述第一基板的上端和下端，每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記都設(shè)置在所述非顯示區(qū)中。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，參考以下的詳細(xì)說(shuō)明對(duì)本發(fā)明做出更好理解后，本發(fā)明的更完全的評(píng)價(jià)及其許多隨帶的優(yōu)點(diǎn)將容易顯見(jiàn)，在附圖中類似的參考符號(hào)指示相同或相似的元件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的示意性部分分解透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的制造方法的流程圖；圖3A到3E是一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的第一基板的橫截面圖，依次展示了根據(jù)本發(fā)明通過(guò)激光燒蝕在第一基板上形成透明電極圖案；圖4是等離子體顯示面板的第一基板的示意性平面圖，展示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)等離子體顯示面板的制造方法的實(shí)施例通過(guò)激光燒蝕在第一基板上形成透明電極圖案；圖5是圖4的部分詳視圖；圖6是形成于顯示區(qū)和非顯示區(qū)之間的邊界部分中的透明電極圖案的詳視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)參考附圖，圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)的示意性部分分解透視圖。參考圖1，該顯示面板包括第一基板1(以下“前基板”)，在其內(nèi)表面上具有維持電極3和掃描電極5以起到顯示電極的作用；第二基板7(以下“后基板”)，在其內(nèi)表面上具有尋址電極9；以及位于這兩個(gè)基板1和7之間的阻擋肋11。維持電極3和掃描電極5形成一對(duì)，當(dāng)PDP工作時(shí)在維持電極3和掃描電極5之間發(fā)生維持放電。維持電極3和掃描電極5以及尋址電極9分別在前基板1和后基板7的內(nèi)表面上形成條形。當(dāng)把后基板7組裝到前基板1時(shí)，尋址電極9在維持電極3和掃描電極5的下方與之交叉。介質(zhì)層12和MgO保護(hù)層13覆蓋維持電極3和掃描電極5并依次堆疊在前基板1的內(nèi)表面上。此外，在后基板7上，阻擋肋11形成于覆蓋尋址電極9的介質(zhì)層15的表面的上方。阻擋肋11界定并形成了放電單元17。在放電單元17內(nèi)部填充例如Ne-Xe混合氣體的惰性氣體。此外，將磷光體19涂布在放電單元17內(nèi)部的阻擋肋11的內(nèi)側(cè)表面上和介質(zhì)層15的表面上。維持電極3和掃描電極5包括在放電單元17中產(chǎn)生表面放電的透明電極3a和5a以及將電壓施加到透明電極3a和5a的匯流電極3b和5b。盡管在圖1的PDP中，維持電極3和掃描電極5包括突出的透明電極3a和5a且尋址電極9具有條形，本發(fā)明決不限于這樣的形狀。此外，形成放電單元17的阻擋肋11不限于條形，而可以具有格子形狀，這仍然在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
現(xiàn)在參考圖2和圖3A到3E，圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的PDP的制造方法的流程圖，而圖3A到3E是在圖1的PDP的前基板1上的處理的橫截面圖，依次展示了根據(jù)本發(fā)明通過(guò)激光燒蝕技術(shù)在前基板1上形成透明電極圖案。參考圖2，該P(yáng)DP的制造方法包括以下步驟在前基板1上形成顯示電極(即維持電極3和掃描電極5)(ST100)；在后基板7上形成尋址電極9和阻擋肋11(ST200)；以及將包括前基板1的前板組裝到包括后基板7的后板以完成PDP(ST300)。
形成顯示電極的步驟(ST100)包括以下步驟在玻璃前基板1的內(nèi)表面上平行地形成維持電極3和掃描電極5；以及在維持電極3和掃描電極5上堆疊介質(zhì)層12和MgO保護(hù)層13以完成前板。
形成顯示電極的步驟(ST100)，即形成維持電極3和掃描電極5的步驟包括以下步驟形成透明電極3a和5a(參見(jiàn)圖3A到3C)以及在透明電極3a和5a上形成匯流電極3b和5b(參見(jiàn)圖3D到3E)。形成透明電極3a和5a的步驟包括以下步驟在前基板1的內(nèi)表面上涂布透明電極材料層(ITO層)25(參見(jiàn)圖3A)；以及通過(guò)激光燒蝕構(gòu)圖ITO層25(參見(jiàn)圖3B到3C)以形成透明電極3a和5a。形成匯流電極3b和5b的步驟包括以下步驟在透明電極3a和5a上涂布金屬導(dǎo)電層(參見(jiàn)圖3D)；干燥金屬導(dǎo)電層并隨之通過(guò)曝光和顯影構(gòu)圖(參見(jiàn)圖3E)，以形成匯流電極3b和5b。透明電極材料層優(yōu)選為ITO(氧化銦錫)。
參考圖4到6，圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的前基板的示意性平面圖，展示了通過(guò)激光燒蝕在第一基板上形成透明電極圖案(P)，圖5是圖4的部分詳視圖；而圖6是形成于顯示區(qū)(D)和非顯示區(qū)(ND)之間的邊界部分中的透明電極圖案(邊界圖案)的詳視圖。如圖4所示，ITO層25的構(gòu)圖包括以下步驟在PDP的顯示區(qū)(D)中形成透明電極圖案(P)以及在位于PDP的顯示區(qū)(D)和非顯示區(qū)(ND)之間的邊界部分(bd1、bd2)中形成相同的透明電極圖案(P)。
在邊界部分(bd1、bd2)中形成透明電極圖案(P)的步驟獲得了如圖4所示的設(shè)計(jì)。這一在邊界部分(bd1、bd2)中形成透明電極圖案(P)的步驟在邊界部分中形成了與形成于顯示區(qū)(D)上的透明電極圖案(P)相同的圖案(P)。由于形成于邊界部分(bd1、bd2)中的這一ITO層的圖案與形成于顯示區(qū)(D)中的圖案相同，因此不需要獨(dú)立的掩模來(lái)構(gòu)圖邊界部分(bd1、bd2)中的ITO層。
形成于邊界部分(bd1、bd2)中的透明電極圖案(P)將PDP的顯示區(qū)(D)從PDP的非顯示區(qū)(ND)分開(kāi)，并用來(lái)斷開(kāi)邊界部分(bd1、bd2)兩側(cè)的ITO層的連接?？梢酝ㄟ^(guò)蝕刻ITO層25同時(shí)移動(dòng)激光頭來(lái)形成連接斷開(kāi)線21，具有附著的預(yù)定的激光掩模(LM)，沿x軸方向所附著的激光掩模(LM)具有中心部分的切口(參考圖6)。形成于邊界部分(bd1、bd2)中的連接斷開(kāi)線21可以將顯示區(qū)(D)中的ITO電極和非顯示區(qū)中的ITO電極電絕緣。如果連接斷開(kāi)線21形成超過(guò)二次(在圖4和圖5中分別形成兩次)，可以進(jìn)一步增強(qiáng)連接斷開(kāi)效果。形成于邊界部分(bd1、bd2)中的連接斷開(kāi)線21將涂布在非顯示區(qū)(ND)上的ITO層與顯示區(qū)(D)的透明電極3a和5a斷開(kāi)。結(jié)果，現(xiàn)在就不再需要從非顯示區(qū)(ND)除去ITO層，從而能夠進(jìn)一步減少用于形成透明電極的加工時(shí)間。
在構(gòu)圖ITO層25之后，僅在顯示區(qū)(D)中形成匯流電極3b和5b。顯示區(qū)(D)中的匯流電極3b和5b必需與下方的圖案化透明電極3a和5a對(duì)準(zhǔn)，從而匯流電極3b和5b能夠?qū)㈦妷菏┘拥较鄳?yīng)的透明電極3a和5a，以在施加維持電壓的時(shí)候在PDP之內(nèi)的放電單元17中產(chǎn)生表面放電。
匯流電極3b和5b通過(guò)以下步驟構(gòu)圖將具有匯流電極圖案的光致抗蝕掩模(未示出)對(duì)準(zhǔn)形成于高度導(dǎo)電金屬的覆蓋層之下的透明電極圖案，執(zhí)行曝光、顯影和蝕刻，以構(gòu)圖高度導(dǎo)電金屬層。光致抗蝕掩模的對(duì)準(zhǔn)是基于形成于前基板1上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23。因此，優(yōu)選使得用于形成匯流電極3b和5b的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23與透明電極圖案(P)相關(guān)，以精確對(duì)準(zhǔn)匯流電極圖案和透明電極圖案(P)。
為了促進(jìn)對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，形成透明電極的步驟可以包括形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23的步驟。亦即，在處理匯流電極3b和5b之前，在通過(guò)激光燒蝕在前基板1的顯示區(qū)(D)中構(gòu)圖透明電極3a和5a時(shí)，可以通過(guò)激光燒蝕ITO層25在PDP的顯示區(qū)(D)的一側(cè)上形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23。此后，可以將匯流電極3b和5b形成為與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23對(duì)準(zhǔn)。
對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23可以具有與顯示區(qū)(D)中的ITO層和邊界部分中所用的圖案(P)相同的圖案。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23也位于ITO層中，但是出現(xiàn)在前基板1的上端和下端在非顯示區(qū)(ND)中。此外，形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23的步驟可能必需要在第一基板1的上端和第一基板1的下端在非顯示區(qū)(ND)中在顯示區(qū)(D)的兩側(cè)形成具有透明電極圖案(P)的一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23，如圖4所示。
同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的PDP的制造方法包括如圖3A到3E所示的形成顯示電極的步驟。形成顯示電極的步驟包括以下步驟將ITO層25涂布到前基板1；通過(guò)激光燒蝕ITO層25形成透明電極圖案(P)；以及涂布匯流電極材料并對(duì)準(zhǔn)和形成匯流電極圖案。由于ITO層25可以通過(guò)很多方法涂布，因此將省略其細(xì)節(jié)，以下的描述將集中在激光燒蝕構(gòu)圖ITO層25上。
通過(guò)激光燒蝕方法在前基板1上(圖3B到3C)將ITO層25構(gòu)圖為具有透明電極圖案(P)的突出的透明電極3a和5a(圖4到圖6)。具體而言，激光燒蝕方法在前基板1的上側(cè)沿圖4的x軸正向以一個(gè)掃描寬度前進(jìn)，沿著圖4的y軸負(fù)向移動(dòng)一條線，沿著圖4的x軸負(fù)向以一個(gè)掃描寬度前進(jìn)，再次沿著圖4的y軸負(fù)向移動(dòng)一條線，然后重復(fù)沿著圖4的x軸正向以一個(gè)掃描寬度前進(jìn)的過(guò)程，以一次形成一行來(lái)形成透明電極圖案(P)。
或者，激光燒蝕方法可以沿著y軸形成對(duì)應(yīng)于一個(gè)掃描寬度的透明電極圖案(P)，沿著x軸移動(dòng)一個(gè)掃描寬度，然后重復(fù)上述過(guò)程，以在前基板1的顯示區(qū)(D)的ITO層25中實(shí)現(xiàn)透明電極圖案(P)的形成。因此，獲得了多個(gè)掃描列(P、...、P)。
在圖4中，當(dāng)透明電極圖案(P)沿著x軸掃描時(shí)，界定了掃描列(P、...、P)，在完成這些掃描列時(shí)完成掃描。圖4只顯示了沿著x軸的四個(gè)掃描列，省略了其余的。掃描寬度由圖6所示的激光掩模(LM)的繼續(xù)組成。
當(dāng)將ITO層25構(gòu)圖成透明電極圖案(P)時(shí)，在形成顯示圖像的地方以外的非顯示區(qū)(ND)中雕刻或蝕刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23。因?yàn)閷?duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圖案與透明電極的圖案(P)相同，而且因?yàn)閷?duì)準(zhǔn)標(biāo)記和透明電極都形成于同一ITO層內(nèi)，所以可以在構(gòu)圖ITO層25以形成透明電極3a和5a的時(shí)候進(jìn)行形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23的步驟。結(jié)果，透明電極、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和邊界斷線(disconnection)的均可以在同一激光燒蝕步驟中利用同樣的圖案(P)在同一ITO層中形成。這實(shí)現(xiàn)了時(shí)間的節(jié)省并降低了成本，減小了工藝復(fù)雜性。
對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23的形成可以用很多方式實(shí)現(xiàn)。例如，如果通過(guò)列(P、...、P)在前基板1上重復(fù)掃描構(gòu)圖透明電極圖案(P)，優(yōu)選地，分別在掃描第一掃描列(Ps)和掃描最后掃描列(Pf)期間形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。如果透明電極圖案(P)是通過(guò)激光燒蝕形成的，則透明電極圖案(P)的精度和平直度受到激光頭(LH)的精度和平直度的影響。類似地，由激光燒蝕形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23的精度和平直度也受到激光頭(LH)的精度和平直度的影響。因此，如果對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23分別在第一掃描列(Ps)和最后掃描列(Pf)中形成，則可以有效地利用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23來(lái)對(duì)準(zhǔn)匯流電極圖案。
更具體地，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23可以在一個(gè)掃描列的開(kāi)始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)形成。如圖4所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23分別形成于第一和最后掃描列Ps和Pf的開(kāi)始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23形成于前基板1的上端和下端處的ITO層25中和非顯示區(qū)(ND)中。此外，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以具有與顯示區(qū)(D)的被處理部分相同的圖案(P)。此外，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23可以形成于前基板1的非顯示區(qū)(ND)中上端的兩側(cè)以及非顯示區(qū)(ND)中下端的兩側(cè)，而且對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23均可以為一對(duì)圖案(P)，每個(gè)圖案(P)都和透明電極圖案(P)的被處理部分相同。當(dāng)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23如圖4和5所示形成對(duì)時(shí)，可以比對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23形成單個(gè)時(shí)更加精確地對(duì)準(zhǔn)匯流電極。
此外，優(yōu)選地，形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23使之具有與對(duì)應(yīng)于一個(gè)列(P)的透明電極圖案(P)的一次掃描的寬度相同的寬度，從而，激光頭(LH)能夠沿著y軸方向移動(dòng)，以像透明電極圖案(P)的激光燒蝕那樣形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
同時(shí)，可以通過(guò)與顯示區(qū)(D)的透明電極3a和5a相同的工藝，在PDP的顯示區(qū)(D)和非顯示區(qū)(ND)之間的邊界部分中形成在邊界部分(bd1、bd2)中形成的透明電極圖案(P)。然而，如果邊界部分(bd1、bd2)的透明電極圖案(P)形成單個(gè)連接斷開(kāi)線21，優(yōu)選地，形成該連接斷開(kāi)圖案的激光頭沿著圖4的x軸方向移動(dòng)。
金屬導(dǎo)電層27形成于透明電極3a和5a以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23上(參見(jiàn)圖3D)。這一金屬導(dǎo)電層27可以通過(guò)涂布預(yù)定厚度的光敏電極漿料或貼附光敏電極帶來(lái)形成。然后干燥金屬導(dǎo)電層27。然后將金屬導(dǎo)電層27曝光并蝕刻以形成匯流電極3b和5b。為了曝光，將具有匯流電極圖案的掩模(未示出)與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記23對(duì)準(zhǔn)。對(duì)準(zhǔn)掩模之后，曝光并蝕刻金屬導(dǎo)電層27，以形成匯流電極3b和5b的圖案(參見(jiàn)圖3E)。
如上所述，在前基板1上分別形成具有透明電極3a和5a以及匯流電極3b和5b的維持電極3和掃描電極5之后，介質(zhì)層12和MgO保護(hù)層13覆蓋這些電極以完成前板。此外，在后基板7上形成尋址電極9之后，形成介質(zhì)層15以覆蓋尋址電極9并在介質(zhì)層15上形成阻擋肋11。然后在阻擋肋11的側(cè)壁上以及在介質(zhì)層15的暴露部分上淀積磷光層17，以完成后板。前板和后板的處理完成后，將前板和后板組裝到一起并抽空其內(nèi)部的放電空間，形成高真空狀態(tài)。然后，充入放電氣體至預(yù)定壓強(qiáng)，完成PDP。
如上所述，本發(fā)明通過(guò)激光燒蝕方法在顯示區(qū)(D)和非顯示區(qū)(ND)之間制造了連接斷開(kāi)線并構(gòu)圖了前基板上的顯示電極的透明電極。使用同樣的圖案(P)構(gòu)圖顯示區(qū)(D)與顯示區(qū)(D)和非顯示區(qū)(ND)之間的邊界部分(bd1、bd2)中的以及非顯示區(qū)(ND)中的ITO層以形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。通過(guò)這樣做，不需要從非顯示區(qū)(ND)去除ITO層，而且也不再需要諸如工臺(tái)移動(dòng)(stage movement)、獨(dú)立掩模更換等用于形成連接斷開(kāi)線的過(guò)程。因此，在前基板上形成透明電極圖案期間的加工時(shí)間節(jié)省了。
盡管已經(jīng)展示并描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本發(fā)明的原理和精神的條件下可以在該實(shí)施例中做出變化，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同要件限定。
權(quán)利要求
1.一種制造等離子體顯示面板的方法，包括在第一基板上淀積透明電極材料層；構(gòu)圖顯示區(qū)中的所述透明電極材料層以形成透明電極圖案；構(gòu)圖所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)之間的邊界部分中的所述透明電極材料層以形成邊界圖案；在所述顯示區(qū)中在所述透明電極圖案上淀積金屬導(dǎo)電層；構(gòu)圖所述金屬導(dǎo)電層以形成匯流電極；在第二基板上形成尋址電極和阻擋肋；以及將包括所述第一基板的第一板對(duì)準(zhǔn)并組裝到包括所述第二基板的第二板，使得每個(gè)所述尋址電極和所述阻擋肋都和所述顯示區(qū)中的每個(gè)所述匯流電極和所述透明電極圖案交叉。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述邊界部分中的所述邊界圖案為與所述顯示區(qū)中的所述透明電極圖案相同的圖案。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述邊界圖案包括多個(gè)連接斷開(kāi)線。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述顯示區(qū)的一側(cè)在所述非顯示區(qū)中通過(guò)激光燒蝕所述透明電極材料層來(lái)形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中在形成所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記期間，可以在所述第一基板的上端和下端在所述非顯示區(qū)中在所述透明電極材料層中形成單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記具有與形成于所述顯示區(qū)中的所述透明電極圖案相同的圖案。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中在形成所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記期間，可以在所述第一基板的上端和下端在所述非顯示區(qū)中在所述透明電極材料層中形成一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述一對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的每一個(gè)都具有與形成于所述顯示區(qū)中的所述透明電極圖案相同的圖案。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，形成所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、構(gòu)圖所述邊界部分中的所述透明電極材料層以及構(gòu)圖所述顯示區(qū)中的所述透明電極材料層都是同時(shí)完成的。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，構(gòu)圖所述邊界部分中的所述透明電極材料層以及構(gòu)圖所述顯示區(qū)中的所述透明電極材料層都是通過(guò)激光燒蝕制造的。
9.如權(quán)利要求4所述的方法，構(gòu)圖所述邊界部分中的所述透明電極材料層以及構(gòu)圖所述顯示區(qū)中的所述透明電極材料層都是通過(guò)激光燒蝕制造的。
10.如權(quán)利要求4所述的方法，構(gòu)圖所述金屬導(dǎo)電層是通過(guò)將用于所述匯流電極的圖案對(duì)準(zhǔn)在所述透明電極材料中制作的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而實(shí)現(xiàn)的。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法不從所述非顯示區(qū)去除任何額外的透明電極材料。
12.如權(quán)利要求4所述的方法，所述方法不從所述非顯示區(qū)去除任何額外的透明電極材料。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，所述透明電極材料層包括氧化銦錫。
14.一種等離子體顯示面板，包括包括透明導(dǎo)電材料的透明電極，所述透明電極具有第一圖案且設(shè)置在第一基板的顯示區(qū)中；包括所述透明導(dǎo)電材料的邊界圖案，所述邊界圖案設(shè)置在所述第一基板的所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)之間的邊界部分中；設(shè)置在所述透明電極上的匯流電極；設(shè)置在第二基板上的尋址電極，所述尋址電極沿著與所述透明電極和所述匯流電極交叉的方向延伸；以及設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間的阻擋肋，所述阻擋肋在所述第一基板和所述第二基板之間界定放電單元。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其中所述邊界圖案具有和所述第一圖案相同的圖案。
16.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其中所述邊界圖案包括多個(gè)連接斷開(kāi)線。
17.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，進(jìn)一步包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其包括所述透明導(dǎo)電材料并設(shè)置在所述第一基板上的所述非顯示區(qū)中。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其中所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置為與所述第一圖案相同的圖案，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置在所述第一基板的上端和下端。
19.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其中所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是一對(duì)標(biāo)記，所述一對(duì)標(biāo)記的每個(gè)標(biāo)記都具有與所述第一圖案相同的圖案，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置在所述第一基板的上端和下端。
20.一種制造等離子體顯示面板的方法，包括在第一基板上淀積透明電極材料層；通過(guò)激光燒蝕構(gòu)圖顯示區(qū)、非顯示區(qū)以及所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)之間的邊界部分中的所述透明電極材料層，以在所述顯示區(qū)中制作透明電極并在所述非顯示區(qū)中制作對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，構(gòu)圖使得所述非顯示區(qū)中保留的所述透明電極材料層與所述顯示區(qū)中的所述透明電極電絕緣；僅在所述顯示區(qū)中在所述透明電極圖案上淀積金屬導(dǎo)電層；通過(guò)將用于匯流電極的圖案和所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)從而構(gòu)圖所述金屬導(dǎo)電層以形成所述匯流電極；在第二基板上形成尋址電極和阻擋肋；以及將包括所述第一基板的第一板對(duì)準(zhǔn)并組裝到包括所述第二基板的第二板，使得每個(gè)所述尋址電極和所述阻擋肋都和每個(gè)所述匯流電極和所述透明電極交叉。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子體顯示面板及其制造方法。該方法在通過(guò)激光燒蝕方法形成透明電極圖案時(shí)在顯示區(qū)和非顯示區(qū)之間的邊界部分上形成透明電極圖案，且包括在第一基板上淀積透明電極材料層；構(gòu)圖顯示區(qū)中的所述透明電極材料層以形成透明電極圖案；構(gòu)圖邊界部分中的透明電極材料層以在設(shè)置于所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)之間的邊界部分中形成透明電極圖案；在所述顯示區(qū)中在所述透明電極圖案上淀積金屬導(dǎo)電層；構(gòu)圖所述金屬導(dǎo)電層以形成匯流電極；在第二基板上形成尋址電極和阻擋肋；以及將包括所述第一基板的第一板對(duì)準(zhǔn)并組裝到包括所述第二基板的第二板，使得每個(gè)所述尋址電極和所述阻擋肋與所述顯示區(qū)中的每個(gè)所述匯流電極和所述透明電極圖案交叉。
文檔編號(hào)H01J11/22GK1787153SQ200510131410
公開(kāi)日2006年6月14日 申請(qǐng)日期2005年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月10日
發(fā)明者崔仲爀, 陳永鎬, 盧昌錫 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社