專利名稱：綠色薄片、等離子顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及綠色薄片，等離子顯示面板(PDP)和制造PDP的方法。
背景技術(shù)：
總的來說，PDP包括每個都由堿石灰玻璃制造的前基片和后基片。在前和后基片之間形成的阻擋條分隔放電單元。注入放電單元的比如氦-氙(He-Xe)或氦-氖(He-Ne)的惰性氣體由高頻電壓產(chǎn)生放電。當發(fā)生放電時，產(chǎn)生真空紫外線以照亮在阻擋條之間形成的熒光材料以由此允許顯示圖像。
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的PDP的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的PDP包括前面板100和后面板110。前面板100包括前玻璃基片101，且后面板110包括后玻璃基片111。前面板100和后面板110平行聯(lián)接，且在其間具有確定距離。
在前玻璃基片101上形成由互相放電維持照射單元的一對維持電極102和103。該對維持電極102和103包括掃描電極102和維持電極103。掃描電極102和維持電極103分別包括由透明ITO(銦錫氧化物)材料制成的透明電極102-a和103-a，和由金屬材料制成的總線電極102-b和103-b。掃描電極102接收用于掃描的掃描信號和用于維持放電的維持信號。維持電極103主要接收維持信號。在維持電極102和103對的上部形成上介質(zhì)層104，其限制放電電流，且絕緣電極對。在介質(zhì)層104上形成保護層105，且其由氧化鎂(MgO)制成以促進放電條件。
尋址電極113被設(shè)置在后玻璃基片111上，交叉維持電極102和103對。下介質(zhì)層115形成在尋址電極113的上部，且絕緣尋址電極113。阻擋條112在下介質(zhì)層115上形成，且形成放電單元。R、G和B熒光材料層114被涂覆在阻擋條112之間，且發(fā)射用于顯示圖像的可見光。
由密封材料附著前和后玻璃基片101和111。在執(zhí)行耗盡過程以除去雜質(zhì)之后，將比如He、Ne或Xe的惰性氣體注入PDP。
PDP的制造過程包括預(yù)處理、后處理和模型處理。預(yù)處理指的是通過在玻璃基片上以印刷、曝光、生長(developing)、燒制等涂覆多種膜制造前和后面板的過程。后處理包括附著前和后面板、耗盡、注射放電氣體、反轉(zhuǎn)、老化和測試的過程。模型處理是用于完成PDP的最后過程，且能夠被劃分為電路安裝過程和裝置裝配過程。
圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)PDP的前面板的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，包括由IT材料制成的透明電極11a和由比如銀(Ag)的金屬材料制成的總線電極11b的維持電極11在前玻璃基片10上形成。
總的來說，用于形成總線電極11b的Ag不根據(jù)通過其的放電發(fā)光，而是反射外部光。由Ag制成的總線電極惡化對比度。因此，為了防止對比度的惡化，在透明電極11a和總線電極11b之間形成黑色電極層11c。
介質(zhì)層12限制放電電流且覆蓋維持電極11以絕緣維持電極。通過在介質(zhì)層12上沉積氧化鎂(MgO)形成保護層13以促進放電條件。
黑色基體14被布置在維持電極11之間。黑色基體14通過吸收從外部源產(chǎn)生的外部光而減少其的反射，且增強前基片10的純度和對比度。
圖3a到3g示出了制造現(xiàn)有PDP的順序過程。
如圖3a所示，在前玻璃基片10上形成由ITO制成的透明電極11a，在該前玻璃基片10上上通過絲網(wǎng)印刷方法印刷黑色軟膏12，且之后以大約120攝氏度的溫度烘干以形成黑色電極層。
參考圖3b，感光Ag軟膏13被通過絲網(wǎng)印刷方法印刷在黑色軟膏12上，以形成總線電極11b。之后以特定溫度烘干感光Ag軟膏13。
如圖3c所示，將感光Ag軟膏13的一些部分暴露給穿透遮光膜(P/M)30的紫外(UV)線，在遮光膜(P/W)30上形成總線電極的圖形。
參考圖3d，使用生長劑(developer)(生長溶液)生長感光Ag軟膏13沒有暴露給紫外線的其它部分和黑色軟膏12，以形成黑色電極層11c和總線電極11b。之后，黑色電極層11c和總線電極11b被以大約550攝氏度的溫度加熱三個小時。
如圖3e所示，在黑色電極層11c和總線電極11b上通過絲網(wǎng)印刷方法印刷介質(zhì)軟膏14。之后以特定溫度烘干印刷的介質(zhì)軟膏14。
參考圖3f，通過絲網(wǎng)印刷方法在放電單元之間的非放電區(qū)域印刷黑色基體(BM)15，且之后烘干。
如圖3g所示，以大約550攝氏度或更高的溫度同時燒制介質(zhì)層14和黑色基體15三個小時。
參考圖3a到3g，在用于制造現(xiàn)有技術(shù)的PDP的方法中，通過絲網(wǎng)印刷方法形成電極。但是，在這個方面，當PDP的尺寸增加時，用于絲網(wǎng)印刷方法的印刷掩模必須相應(yīng)增大。
印刷掩模的大小的增加引起當印刷次數(shù)增加時印刷掩模變型。因此，使用印刷掩模的絲網(wǎng)印刷方法不適于PDP具有大屏幕的當前趨勢。另外，通過絲網(wǎng)印刷方法，難以形成精確的電極圖形，所以絲網(wǎng)印刷方法不適于制造支持完全高精確分辨率的PDP。
因為絲網(wǎng)印刷方法不適于制造大尺寸的等離子顯示面板D且不能形成精確的電極，通常使用綠色薄片(green sheet)形成電極?，F(xiàn)有技術(shù)的綠色薄片包括基膜(base film)、蓋膜(cover film)、電極膜和黑色層膜。
現(xiàn)有技術(shù)的綠色薄片的電極膜包括玻璃料(glass frit)。但是，因為玻璃料具有高電阻，通過使用包括玻璃料的電極膜形成電極不可避免地引起電極電阻增加的問題。
就是說，當通過使用包含玻璃料的電極膜形成電極時，電極的電阻增加，所以難以形成非常小(精細)的電極。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的實施例的目的是至少解決背景技術(shù)的問題和優(yōu)點。
本發(fā)明的實施例的一個目的是提供一種綠色薄片和使用該綠色薄片的等離子顯示面板(PDP)，其能夠允許以低電阻形成電極。
本發(fā)明的實施例的一個目的是提供一種綠色薄片和使用該綠色薄片的等離子顯示面板(PDP)，其能夠允許形成非常小的電極。
為實現(xiàn)上述目的，提供了一種用于等離子顯示面板(PDP)的綠色薄片，其包括基膜、在基膜上形成且含有納導(dǎo)電顆粒的電極膜、和在電極干膜上形成的蓋膜。
為實現(xiàn)上述目的，提供了一種用于制造等離子顯示面板(PDP)的方法，其包括在基片上層壓綠色薄片，該綠色薄片由包括燒結(jié)材料的黑色層膜和在黑色層膜上形成且包含納導(dǎo)電顆粒的電極膜組成；將綠色薄片暴露給穿透具有在其上形成的電極圖形的遮光膜的光線；根據(jù)電極圖形生長電極膜和黑色層膜；和燒制根據(jù)生長形成的電極和黑色電極。
為實現(xiàn)上述目的，還提供了一種等離子顯示面板(PDP)，其包括基片；黑色電極，其在基片上形成且包括燒結(jié)材料；和在黑色電極上形成且包括納導(dǎo)電顆粒的電極。
本發(fā)明能夠提供具有良好的燒結(jié)特性和接合特性的綠色薄片，使用該綠色薄片的等離子顯示面板(PDP)和用于制造PDP的方法。
本發(fā)明能夠提供允許形成具有低電阻的電極的綠色薄片，使用該綠色薄片的等離子顯示面板(PDP)和用于制造PDP的方法。
本發(fā)明能夠提供允許形成非常小的電極的綠色薄片，使用該綠色薄片的等離子顯示面板(PDP)和用于制造PDP的方法。


將參考其中相似的數(shù)字表示相似的元件的附圖詳細描述本發(fā)明的圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示面板(PDP)的結(jié)構(gòu)；圖2示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的PDP的前面板的結(jié)構(gòu)；圖3a到3g示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制造PDP的順序過程；
圖4說明了根據(jù)本發(fā)明的綠色薄片；圖5a到5c示出了根據(jù)本發(fā)明的使用綠色薄片制造PDP的順序過程。
具體實施例方式
將參考附圖以更加詳細的方式描述本發(fā)明的實施例。
根據(jù)本發(fā)明的用于等離子顯示面板(PDP)的綠色薄片包括基膜，在基膜上形成且包括納導(dǎo)電顆粒的電極膜，和在電極干膜上形成的蓋膜。
納導(dǎo)電顆粒是納Ag顆粒。
納導(dǎo)電顆粒的直徑是大于等于700nm到小于等于1100nm。
綠色薄片進一步包括在基膜和電極膜之間形成的、且包括燒結(jié)材料的黑色層膜。
燒結(jié)材料是玻璃料。
玻璃料的重量百分比是大于等于黑色層膜的15wt％到小于等于25wt％。
綠色薄片進一步包括在電極膜和蓋膜之間形成的光致抗蝕層。
電極膜包括感光材料。
根據(jù)本發(fā)明的用于制造等離子顯示面板(PDP)的方法包括在基片上層壓綠色薄片，其由包括燒結(jié)材料的黑色層膜和在黑色層膜上形成且包括納導(dǎo)電顆粒的電極膜組成；將綠色薄片暴露給穿透具有在其上形成的電極圖形的遮光膜的光線；根據(jù)電極圖形生長電極膜和黑色層膜；和燒制根據(jù)生長形成的電極和黑色電極。
納導(dǎo)電顆粒是納Ag顆粒。
納導(dǎo)電顆粒的直徑是大于等于700nm到小于等于1100nm。
燒結(jié)材料是玻璃料。
玻璃料的重量百分比是大于等于黑色層膜的15wt％到小于等于25wt％。
電極膜包括感光材料。
根據(jù)本發(fā)明的PDP包括基片，在基片上形成且包括燒結(jié)材料的黑色電極，和在黑色電極上形成且包括納導(dǎo)電顆粒的電極。
燒結(jié)材料是玻璃料。
納導(dǎo)電材料是納Ag顆粒。
納導(dǎo)電顆粒的直徑是大于等于700nm到小于等于1100nm。
將參考附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖4說明了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的綠色薄片。如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的綠色薄片包括基膜100，黑色層膜102，電極膜103和蓋膜104。
黑色層膜102用于形成黑色電極且在基膜100上形成。
電極膜103用于形成總線電極且在黑色層膜102上形成。
蓋膜104用于保護黑色層膜102和電極膜103，且在電極膜103上形成。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的綠色薄片可以另外包括用于光刻過程的光致抗蝕層。即，為了通過光刻過程形成電極，在電極膜103上形成光致抗蝕層。另外，綠色薄片的黑色層膜102和電極膜103可以包括用于光刻過程的感光材料。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的綠色薄片的電極膜103包括比如納Ag顆粒的納導(dǎo)電顆粒而不具有玻璃料。即，在其中電極膜103包括納導(dǎo)電顆粒的情況中，因為減少導(dǎo)電顆粒的直徑，能夠降低以電極膜103形成的電極的燒制溫度。因此，雖然電極膜103不包括玻璃料，電極膜103的燒結(jié)特性不惡化。
因為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的電極膜103不包括玻璃料，以電極膜103形成的電極的電阻小，且因此以電極膜103形成非常小的電極。
在綠色薄片的黑色層膜102中包括的玻璃料的量大于在現(xiàn)有技術(shù)的綠色薄片的黑色層膜中包括的。即，因為電極膜103不包括玻璃料，在以電極膜形成的電極和以黑色層膜形成的黑色層之間的結(jié)合特性惡化。因此，通過增加在黑色層膜102中包括的玻璃料的量，增強在電極和黑色層之間的接合特性。
電極膜103包括比如Ag的納導(dǎo)電顆粒，粘合劑和有機物質(zhì)。對于電極膜103的成分比率，納導(dǎo)電顆粒的重量百分比是大于等于50wt％到小于等于60wt％，且粘合劑和有機物質(zhì)的重量百分比是大于等于30wt％到小于等于45wt％。在現(xiàn)有技術(shù)的電極膜中包括的Ag顆粒的直徑是大于等于2μm到小于等于3μm。在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的電極膜中包括的比如Ag的納導(dǎo)電顆粒的直徑是大于等于700nm到小于等于1100nm。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的黑色層膜102包括金屬氧化物、玻璃料、粘合劑和有機物質(zhì)。對于黑色層膜102的成分比率，金屬氧化物的重量百分比是大于等于10wt％到小于等于25wt％，玻璃料的重量百分比是大于等于15wt％到小于等于25wt％，且粘合劑和有機物質(zhì)的重量百分比是小于等于50wt％。在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的黑色層膜102中包括的玻璃料的量大于在現(xiàn)有技術(shù)的黑色層膜中包括的玻璃料的量。特別的，現(xiàn)有技術(shù)的黑色層膜包括3wt％-10wt％的玻璃料，但是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的黑色層膜包括15wt％-25wt％的玻璃料。黑色層膜102的金屬氧化物顆粒的直徑是大于等于10nm到小于等于70nm，且黑色層膜102的玻璃料顆粒的直徑是大于等于600nm到小于等于900nm。
如上所述，因為在電極膜103中包括的導(dǎo)電顆粒的大小小于在現(xiàn)有技術(shù)的電極膜中包括的導(dǎo)電顆粒的大小，且因為在黑色層膜102中包括的玻璃料的量大于在現(xiàn)有技術(shù)的黑色層膜中包括的玻璃料的量，形成具有良好的燒結(jié)和結(jié)合特性以及低電阻的電極。另外，因為電極膜103具有小的電阻，其能夠形成非常小的電極。
圖5a到5c示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的使用綠色薄片制造PDP的順序過程。
如圖5a所示，將當除去基蓋(沒有示出)和膜蓋104而不具有基蓋和膜蓋的綠色薄片層壓在前玻璃基片10上形成的由IT制成的透明電極11a上。因此，在其上形成電極膜103的透明電極11a上形成黑色層膜102。黑色層膜102的成分和成分比率和如上參考圖4所示的本發(fā)明第一實施例的相同，所以省略其描述。而且，電極膜103的導(dǎo)電顆粒的成分、成分比率和直徑和如上參考圖4的本發(fā)明的第一實施例的相同，且因此省略其描述。根據(jù)本發(fā)明第二實施例的綠色薄片的黑色層膜102和電極膜103包括用于光刻過程的感光材料。
如圖5b所示，將電極膜103暴露給穿過具有在其上形成的總線電極的圖形的遮光膜30的紫外(UV)線。
參考圖5c，由生長劑(生長溶液)生長電極膜103和黑色層膜102。在該情況中，特別的，電極膜103沒有暴露給紫外線的一些部分不由生長劑生長，且其暴露給紫外線的其它部分由生長劑生長。因此，不生長黑色層膜102在沒有生長的電極膜103的部分下的相應(yīng)部分。同時，由生長劑生長黑色層膜102在生長的電極膜103下的相應(yīng)部分。因此，如圖5c所示，在透明電極11a上形成黑色電極102’，且在黑色電極102’上形成總線電極103’。以500到580攝氏度的溫度在其上執(zhí)行燒制過程。
當執(zhí)行燒制過程時，因為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的黑色層膜102包括比在現(xiàn)有技術(shù)的黑色層膜中包括的更多量的玻璃料，在總線電極103’和黑色電極102’之間的接合力強。
換句話說，在本發(fā)明的這個實施例中，雖然電極膜103不包括玻璃料以減少電阻，因為黑色層膜102包括大量玻璃料，在總線電極103’和黑色電極102’之間的接合力良好。
另外，因為在電極膜103中包括的導(dǎo)電顆粒的直徑小于在現(xiàn)有技術(shù)的電極膜中包括的導(dǎo)電膜的，降低燒制溫度。即，當以相同溫度燒制根據(jù)本發(fā)明第二實施例的以電極膜103形成的電極和以現(xiàn)有技術(shù)的電極膜形成的電極時，以根據(jù)本發(fā)明的電極膜103形成的電極具有比以現(xiàn)有技術(shù)的電極膜形成的電極更好的燒結(jié)特性。因此，雖然根據(jù)本發(fā)明的電極膜103不包括玻璃料，電極膜103的燒結(jié)特性不惡化。
這樣描述了本發(fā)明，很明顯可以做出多種修改。這種修改不應(yīng)該被認為脫離本發(fā)明的精神和范圍，并且所有對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說很明顯的改變都意在被包括在下面權(quán)利要求的范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種用于等離子顯示面板的綠色薄片，其包括基膜，電極膜，其在基膜上形成且包括納導(dǎo)電顆粒，和蓋膜，其在電極干膜上形成。
2.如權(quán)利要求1所述的綠色薄片，其中，該納導(dǎo)電顆粒是納Ag顆粒。
3.如權(quán)利要求1所述的綠色薄片，其中，該納導(dǎo)電顆粒的直徑是大于等于700nm到小于等于1100nm。
4.如權(quán)利要求1所述的綠色薄片，其進一步包括黑色層膜，其在基膜和電極膜之間形成，且包括燒結(jié)材料。
5.如權(quán)利要求4所述的綠色薄片，其中，該燒結(jié)材料是玻璃料。
6.如權(quán)利要求5所述的綠色薄片，其中，該玻璃料的重量百分比是大于等于黑色層膜的15wt％到小于等于25wt％。
7.如權(quán)利要求1所述的綠色薄片，其進一步包括光致抗蝕層，其在電極膜和蓋膜之間形成。
8.如權(quán)利要求1所述的綠色薄片，其中，該電極膜包括感光材料。
9.一種用于制造等離子顯示面板的方法，其包括在基片上層壓綠色薄片，該綠色薄片由包括燒結(jié)材料的黑色層膜和在黑色層膜上形成且包括納導(dǎo)電顆粒的電極膜組成；將綠色薄片暴露給穿透具有在其上形成的電極圖形的遮光膜的光線；根據(jù)電極圖形生長電極膜和黑色層膜；和燒制根據(jù)生長形成的電極和黑色電極。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該納導(dǎo)電顆粒是納Ag顆粒。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該納導(dǎo)電顆粒的直徑是大于等于700nm到小于等于1100nm。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該燒結(jié)材料是玻璃料。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該玻璃料的重量百分比是大于等于黑色層膜的15wt％到小于等于25wt％。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該電極膜包括感光材料。
15.一種等離子顯示面板，其包括基片；黑色電極，其在基片上形成且包括燒結(jié)材料；和電極，其在黑色電極上形成且包括納導(dǎo)電顆粒。
16.如權(quán)利要求15所述的面板，其中，該燒結(jié)材料是玻璃料。
17.如權(quán)利要求15所述的面板，其中，該納導(dǎo)電材料是納Ag顆粒。
18.如權(quán)利要求15所述的面板，其中，該納導(dǎo)電顆粒的直徑是大于等于700nm到小于等于1100nm。
全文摘要
公開了綠色薄片，等離子顯示面板和用于制造等離子顯示面板的方法。通過使用綠色薄片制造等離子顯示面板，該綠色薄片由包括納導(dǎo)電顆粒的電極膜和包括燒結(jié)材料的黑色層膜組成。綠色薄片具有良好的結(jié)合和燒結(jié)特性，且允許形成具有低電阻的非常小的電極，且等離子顯示面板和用于制造等離子顯示面板的方法使用該綠色薄片。
文檔編號H01J11/24GK1797662SQ200510131788
公開日2006年7月5日 申請日期2005年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月14日
發(fā)明者樸大鉉 申請人:Lg電子株式會社