專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，特別涉及通過在上板上包括熒光物質(zhì)而可以防止永久余像形成的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
一般情況下，等離子體顯示面板(PDP)使用氣體放電顯示圖像。PDP目前正日益流行，因?yàn)樗鼈兙哂袃?yōu)異的顯示特性，如亮度、視角等。在PDP中，通過給電極施加DC或AC電壓而在電極之間發(fā)生氣體放電，并且通過由氣體放電產(chǎn)生的紫外線輻射來激勵熒光物質(zhì)，因此發(fā)射可見光線。
常規(guī)表面放電PDP的例子示于圖1和圖2中。在圖2中，前基板旋轉(zhuǎn)90度，以便更容易地顯示PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
參見圖1和圖2，常規(guī)表面放電PDP包括彼此面對的前基板10和后基板20。
多個條形尋址電極11設(shè)置在后基板10的上表面上，并且下介電層12覆蓋尋址電極11。多個間隔壁13以預(yù)定間隔形成在下介電層12上，以便防止放電室之間的電和光學(xué)干擾。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)熒光層15以預(yù)定厚度分別施加于被間隔壁13隔開的放電室的內(nèi)表面上。將放電氣體如Ne、Xe和其混合物注入到放電室中。
前基板20是透射可見光線的透明基板，一般可以由玻璃制成，并且它耦合到后基板10上。成對的條形維持電極21a和21b在垂直于尋址電極11的方向上設(shè)置在前基板10的下表面上。維持電極21a和21b可以由透明導(dǎo)電材料制成，如氧化銦錫(ITO)，用于透射可見光線。由金屬制成并比維持電極21a和21b更窄的匯流電極22a和22b設(shè)置在維持電極21a和21b的下表面上，以便減小維持電極的線電阻。透明上介電層23覆蓋維持電極21a和21b和匯流電極22a和22b。保護(hù)層24覆蓋上介電層23。
在這種結(jié)構(gòu)中，脊型介電層可以形成在包括前基板20、維持電極21a和21b、上介電層23和保護(hù)層24的上板中，用于低電壓驅(qū)動和改進(jìn)效率。具體地說，在放電室內(nèi)部的維持電極對21a和21b之間的空間中設(shè)置的一部分上介電層23可以通過刻蝕除去，由此在一個放電室中的維持電極21a和21b之間形成間隙30。因而，前基板20的下表面暴露于間隙30。
然而，在這種結(jié)構(gòu)中，由于熒光層15形成在被間隔壁13圍繞的放電室內(nèi)部，就是說，在包括后基板10的下板上，因此在尋址或維持放電期間熒光層15可能由于離子撞擊而退化。
此外，由于熒光層15形成在下板上，可能在PDP中形成永久余像。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種脊結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板，通過在上介電層中形成的間隙中設(shè)置熒光層，可以防止永久余像并提高亮度和效率。
本發(fā)明的附加特征將在下面說明中提及，并且部分地從說明中可以明顯看出，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明而獲知。
本發(fā)明公開了一種PDP，其包括后基板、設(shè)置在后基板上并在第一方向延伸的尋址電極、覆蓋尋址電極的下介電層、設(shè)置在下介電層上從而限定放電室的間隔壁、基本上與后基板平行設(shè)置的前基板、設(shè)置在前基板上并在與第一方向交叉的第二方向延伸的成對的維持電極、覆蓋維持電極的上介電層、覆蓋上介電層的保護(hù)層、以及放電室中的放電氣體。上介電層包括在放電室內(nèi)成對維持電極之間的間隙，并且熒光層設(shè)置在該間隙內(nèi)。
本發(fā)明還公開了一種PDP，其包括后基板、與后基板耦合的前基板、以及在前基板和后基板之間的多個放電室。放電室包括尋址電極、維持電極對和熒光層。熒光層設(shè)置在前基板上。
應(yīng)該理解，前面的一般性說明和下面的詳細(xì)說明都是示意性的并趨于進(jìn)一步解釋所要求保護(hù)的發(fā)明。


包括并提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解的附圖結(jié)合并構(gòu)成本說明書的一部分，表示本發(fā)明的實(shí)施例，并與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是包括具有脊結(jié)構(gòu)的上板的常規(guī)PDP的分解透視圖。
圖2是圖1的PDP的分解剖面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的示意實(shí)施例，包括具有脊結(jié)構(gòu)的上板的PDP的分解透視圖。
圖4是圖3的PDP的分解剖面圖。
圖5是沿著圖4的線I-I’的上板的透視圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一示意實(shí)施例，包括具有脊結(jié)構(gòu)的上板的PDP的分解透視圖。
圖7是沿著圖6的線II-II’的上板的透視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖更詳細(xì)地介紹本發(fā)明，其中本發(fā)明的實(shí)施例示于附圖中。然而，本發(fā)明可以以很多形式來體現(xiàn)，不應(yīng)該限于這里所述的實(shí)施例。此外，提供這些實(shí)施例，以便于使本公開更完整，并全面地將本發(fā)明的范圍告之本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚表示，放大了層和區(qū)域和尺寸和相關(guān)尺寸。
應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件如層、膜、區(qū)域或基板被稱為“在”另一元件“上”時，它可能直接位于另一元件上或者也可能存在插入的元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接”位于另一元件上時，則不存在插入的元件。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一示意實(shí)施例的包括具有脊結(jié)構(gòu)的上板的PDP的分解剖面圖，圖4是圖3的PDP的分解剖面圖。在圖4中，示出了前基板旋轉(zhuǎn)了90度，以便更好地表示PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP包括后基板110、設(shè)置在后基板110上的多個尋址電極111、和覆蓋尋址電極111的下介電層112。此外，間隔壁113設(shè)置在下介電層112上。間隔壁113將放電空間劃分成放電室，并且可以它們可以防止放電室之間的電和光學(xué)干擾。
前基板120與后基板110耦合以形成放電空間，并且一對維持電極121a和121b設(shè)置在前基板120的下表面上。維持電極121a和121b形成在與尋址電極111交叉的方向上設(shè)置的條中。因此，一對維持電極121a和121b和尋址電極111設(shè)置在每個放電室中。
維持電極121a和121b可以由透明材料制成，如氧化銦錫(ITO)，用于透射可見光線。但是，由于透明材料如ITO通常具有高電阻，因此在維持電極121a和121b的下表面上形成金屬匯流電極122a和122b。匯流電極122a和122b比維持電極121a和121b窄。上透明介電層123覆蓋維持電極121a和121b和匯流電極122a和122b。因此，維持電極121a和121b以及匯流電極122a和122b不直接暴露于放電空間。
由于可以通過刻蝕除去一部分上介電層123，因此最終表面具有脊結(jié)構(gòu)。更具體地說，可以刻蝕維持電極對121a和121b之間的一部分上介電層123，以便形成間隙130。因而，可以露出前基板120的一部分下表面。無需垂直刻蝕上介電層123。換言之，該間隙無需露出前基板120。對于未刻蝕表面來說，比被刻蝕表面相對地伸出更遠(yuǎn)并形成脊形狀就足夠了。
R、G和B熒光層115可以獨(dú)立地設(shè)置在其中除去了一部分上介電層123的前基板120的下表面上。特別是，暴露于間隙130的前基板120的下表面可以形成為溝槽132的形狀。溝槽132可以形成為具有基本上矩形或正方形形狀。
溝槽132可以比放電室小并位于放電室內(nèi)。此外，溝槽132形成有預(yù)定深度，使得預(yù)定厚度的熒光層115可以施加于溝槽132的內(nèi)表面。還優(yōu)選，在熒光層115施加于溝槽132的下表面和側(cè)表面的情況下，溝槽132的尺寸使得施加于溝槽132的側(cè)表面的熒光層115具有預(yù)定高度。此外，優(yōu)選形成在溝槽132的內(nèi)部下表面上的熒光層115和形成在溝槽132的側(cè)表面上的熒光層115彼此整體地形成。
保護(hù)層124覆蓋上介電層123。在這種情況下，保護(hù)層124覆蓋上介電層123面對后基板110的表面，以及形成間隙130的上介電層123的表面。保護(hù)層124防止上介電層123由于等離子體顆粒的濺射而損傷，并通過發(fā)射二次電子而減小放電電壓和維持電壓。保護(hù)層124可以由氧化鎂(MgO)制成。
被間隔壁113圍繞并包括間隙130的空間變?yōu)榉烹娛?，向該放電室中注入放電氣體，包括Xe、Ne或其混合物。
圖5是沿著圖4的線I-I’截取的透視圖。這里，圖5是只相對于一個放電室從上面看到的透視圖。
參見圖5，維持電極121a和121b彼此平行地延伸，并設(shè)置在被間隔壁113圍繞的放電室中。匯流電極122a和122b在維持電極121a和121b的下表面上設(shè)置成平行的條。圖4的間隙130形成在維持電極121a和121b之間。熒光層115施加于在前基板120的下表面上形成的溝槽132的內(nèi)表面上，其暴露于間隙130。
熒光層115在受到紫外線輻射時輻射可見光線。形成在發(fā)射紅光的子像素中的熒光層115由例如Y(V，P)O4:Eu等熒光物質(zhì)制成，形成在發(fā)射綠光的子像素中的熒光層115可以由如Zn2SiO4:Mn、YBO3:Tb等熒光物質(zhì)制成，并且形成在發(fā)射藍(lán)光的子像素中的熒光層115可以由如BAM:Eu等熒光物質(zhì)制成。
在根據(jù)本發(fā)明示意實(shí)施例的具有上述結(jié)構(gòu)的顯示面板中，地址電壓施加于尋址電極111和Y電極之間，其是維持電極121a和121b其中之一，從而產(chǎn)生尋址放電。尋址放電在多個放電室當(dāng)中選擇在其中將要發(fā)生維持放電的放電室。
然后，維持電壓施加于所選放電室的X電極和Y電極之間，從而在X電極和Y電極之間產(chǎn)生維持放電。維持放電激勵放電氣體，其隨著其能級減小而發(fā)射紫外線。紫外線激勵施加于在放電室的間隙130中形成的溝槽132的內(nèi)表面上的熒光層115，并且熒光層115隨著其能級減小而發(fā)射可見光線，由此在PDP上形成圖像。
圖6和圖7表示根據(jù)本發(fā)明第二示意實(shí)施例的PDP，其中維持電極具有“T”形狀，而不是條形。根據(jù)第二實(shí)施例的PDP的一般結(jié)構(gòu)與圖3、圖4和圖5的PDP的結(jié)構(gòu)相類似。在圖6中，示出了旋轉(zhuǎn)了90度的前基板，以便更好地顯示PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
根據(jù)第二實(shí)施例的PDP包括后基板210、設(shè)置在后基板210上的多個尋址電極211、和覆蓋尋址電極211的下介電層212。此外，間隔壁213設(shè)置在下介電層212上，從而將放電空間分隔成放電室。
前基板220與后基板210耦合形成放電空間，并且一對維持電極221a和221b設(shè)置在前基板220的下表面上。維持電極221a和221b形成為與尋址電極211交叉的“T”形狀。
維持電極211a和211b可以由透明材料制成，如ITO，用于透射可見光線。金屬匯流電極222a和222b形成在維持電極221a和221b的側(cè)面上，其寬度比維持電極221a和221b的伸出長度窄。上透明介電層223覆蓋維持電極221a和221b以及匯流電極222a和222b。
由于可以通過刻蝕除去一部分上介電層223，因此最終表面具有脊結(jié)構(gòu)。更具體地說，維持電極對221a和221b之間的一部分上介電層223可以被刻蝕，由此形成其中除去了上介電層223的間隙230。因而，前基板220的下表面可以暴露于間隙230。
R、G和B熒光層215可以獨(dú)立地設(shè)置在其中除去了上介電層223的前基板220的下表面上。特別是，暴露于間隙230的前基板220的下表面可以形成為溝槽232的形狀。
溝槽232可以比放電室小并位于放電室內(nèi)。此外，溝槽232形成有預(yù)定深度，使得預(yù)定厚度的熒光層215可以施加于溝槽232的內(nèi)表面。此外，優(yōu)選形成在溝槽232的內(nèi)部下表面上的熒光層115和形成在溝槽232的內(nèi)部側(cè)表面上的熒光層115彼此整體地形成。
保護(hù)層224覆蓋上介電層223。在這種情況下，保護(hù)層224覆蓋上介電層223面對后基板210的表面，以及形成間隙230的上介電層223的表面。保護(hù)層224防止上介電層223由于等離子體顆粒濺射而損傷，并通過發(fā)射二次電子而減小放電電壓和維持電壓。保護(hù)層224可以由MgO制成。
圖7是沿著圖6的線II-II’的透視圖。這里，圖7是只相對于一個放電室從上部看到的透視圖。
參見圖7，匯流電極222a和222b彼此平行延伸，并設(shè)置在被間隔壁213圍繞的放電室中。在匯流電極222a和222b的側(cè)面上，“T”形維持電極221a和221b彼此面對地設(shè)置在匯流電極222a和222b之間。圖6的間隙230形成在維持電極221a和221b之間。熒光層215施加于在前基板220的下表面上形成的溝槽232的內(nèi)表面，其暴露于間隙230。
利用這種結(jié)構(gòu)，可以在通過間隙230彼此面對的維持電極221a和221b之間平穩(wěn)地發(fā)生維持放電，從而激勵熒光層215，其隨著其能級減小而發(fā)射可見光線。
根據(jù)本發(fā)明示意實(shí)施例的具有上述結(jié)構(gòu)的PDP具有以下優(yōu)點(diǎn)。
由于熒光層不形成在下板上，可以在尋址期間以及維持放電期間防止離子撞擊。而且，由于可以防止離子撞擊，因此可以防止熒光層退化。此外，可以防止形成永久余像。
本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可以對本發(fā)明做出各種修改和改變。因此，本發(fā)明趨于覆蓋落入所附權(quán)利要求書及其等效形式范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板(PDP)，包括后基板；設(shè)置在后基板上并在第一方向上延伸的尋址電極；覆蓋尋址電極的下介電層；設(shè)置在下介電層上從而限定放電室的間隔壁；基本上平行于后基板設(shè)置的前基板；設(shè)置在前基板上并在第二方向上延伸的維持電極對，第二方向與第一方向交叉；覆蓋維持電極的上介電層；覆蓋上介電層的保護(hù)層；和放電室中的放電氣體，其中上介電層包括在放電室內(nèi)的維持電極對之間的間隙，并且熒光層設(shè)置在該間隙中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的PDP，其中熒光層設(shè)置在被該間隙暴露的前基板的下表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的PDP，其中前基板的暴露下表面形成為溝槽形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的PDP，其中該溝槽形成在放電室中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的PDP，其中熒光層設(shè)置在該溝槽的內(nèi)表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的PDP，其中保護(hù)層覆蓋形成該間隙的上介電層的側(cè)表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的PDP，其中保護(hù)層包括氧化鎂。
8.一種等離子體顯示面板(PDP)，包括后基板；與后基板耦合的前基板；和在前基板和后基板之間的多個放電室，其中放電室包括尋址電極、維持電極對和熒光層，該熒光層設(shè)置在前基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的PDP，其中該熒光層設(shè)置在前基板中的溝槽中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的PDP，還包括包括間隙的第一介電層；其中維持電極對設(shè)置在前基板上，并且第一介電層覆蓋維持電極，該間隙設(shè)置在維持電極對之間，并且該溝槽被該間隙所暴露。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的PDP，還包括包括間隙的第一介電層，其中維持電極對設(shè)置在前基板上，第一介電層覆蓋維持電極對，該間隙設(shè)置在維持電極對之間，熒光層對應(yīng)于該間隙。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的PDP，其中熒光層設(shè)置在前基板中的溝槽中。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的PDP，還包括第一介電層；和第二介電層，其中尋址電極設(shè)置在后基板上并由第一介電層覆蓋，維持電極對在與尋址電極交叉的方向上設(shè)置在前基板上，并且被第二介電層覆蓋，第二介電層包括對應(yīng)于熒光層的間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的PDP，其中該間隙和熒光層整體地包含在放電室內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的PDP，其中熒光層設(shè)置在前基板中的溝槽中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的PDP，其中該溝槽具有基本上矩形的形狀。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的PDP，其中熒光層包括設(shè)置在溝槽下表面和側(cè)表面上的熒光材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求8的PDP，其中熒光層包括熒光層島。
全文摘要
一種等離子體顯示面板包括后基板、設(shè)置在后基板上并被下介電層覆蓋的尋址電極、以及設(shè)置在下介電層上限定放電室的間隔壁。前基板設(shè)置成與后基板平行，成對維持電極設(shè)置在前基板上，上介電層覆蓋維持電極，保護(hù)層覆蓋上介電層。上介電層包括在放電室內(nèi)的成對維持電極之間的間隙，熒光層設(shè)置在該間隙中。
文檔編號H01J11/38GK1767130SQ20051011803
公開日2006年5月3日 申請日期2005年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月26日
發(fā)明者李性龍 申請人:三星Sdi株式會社