專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，更具體地講，涉及一種可通過對向電極放電而引起等離子體維持放電的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)利用從用真空紫外(UV)線轟擊的熒光體材料發(fā)射的可見光而顯示圖像。當(dāng)通過放電給與PDP內(nèi)的氣體能量時形成等離子體，從等離子體發(fā)射UV線。PDP能用于制造大尺寸高分辨率屏幕，從而成為下一代顯示裝置的焦點。
傳統(tǒng)的等離子體顯示面板包括以預(yù)定的圖案排列的三電極。這種結(jié)構(gòu)通常包括前基板和后基板，前基板具有在其上形成的兩個顯示電極，后基板與前基板隔開預(yù)定的距離并在其上形成有尋址電極。兩個基板之間的空間被障肋劃分為多個放電室，在放電室內(nèi)形成的熒光體層面向后基板，放電氣體被注入各放電室中。
如上所述，透明的顯示電極形成在前基板的同一表面上，而尋址電極形成在后基板上。從而，在傳統(tǒng)的等離子體顯示面板中，利用相對的成對尋址電極和顯示電極來發(fā)生尋址放電，而僅利用表面相鄰的顯示電極來發(fā)生維持放電。從而，用于選擇發(fā)光的像素的尋址放電利用對向電極放電，而用于使選擇的像素發(fā)光到期望的亮度的維持放電利用相同表面的電極放電。
在傳統(tǒng)的PDP中，顯示電極及其對應(yīng)的尋址電極之間的距離通常大于兩個相鄰的顯示電極之間的距離。然而，因為利用對向放電而非表面放電來引起尋址放電，所以尋址放電的放電點火電壓低于顯示放電的放電點火電壓。
另一方面，放電區(qū)劃分為鞘層區(qū)和正柱區(qū)。鞘層區(qū)是圍繞介電層或電極的非發(fā)射區(qū)，在鞘層區(qū)內(nèi)消耗大部分電壓。正柱區(qū)是在非常低的電壓下可有效地產(chǎn)生等離子體放電的區(qū)域。因此，可通過增大正柱區(qū)來提高等離子體顯示面板的效率。由于鞘層區(qū)的長度與放電間隙無關(guān)，所以擴(kuò)大放電長度的方法可用作增大正柱區(qū)的方法。然而，因為增加放電間隙也增大放電點火電壓，所以增加放電間隙尚有疑問。
因此，傳統(tǒng)的等離子體顯示面板不能同時實現(xiàn)低放電點火電壓和高放電效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明可提供一種降低放電點火電壓和/或提高操作效率的等離子體顯示面板(PDP)?？赏ㄟ^使相對的顯示電極放電以在小放電間隙內(nèi)引起維持放電來降低放電點火電壓。
在一個實施例中，PDP可包括彼此以預(yù)定的間隙相對的第一基板和第二基板。第一電極和第二電極之間的空間劃分為至少一個放電室。熒光體層可形成在各放電室內(nèi)。尋址電極可形成在第一基板上并沿著第一方向(y方向)延伸。通過插入介電層而均與尋址電極電絕緣的第一電極和第二電極可形成在第一基板上并沿著第二方向(x方向)延伸，第二方向與第一方向相交。
第一電極和第二電極可形成在各放電室的相對側(cè)上并在其間具有空間。此外，各電極(接近于第二基板)的底部向各放電室的中部突出的程度可不同于各電極接近于第一基板的頂部向各放電室的中部突出的程度。


通過結(jié)合附圖對實施例的下面的描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點將變得清楚且更易于理解。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例制造的等離子體顯示面板的局部分解透視圖。
圖2是沿圖1的II-II線截取的局部剖面圖。
圖3是圖1的等離子體顯示面板的局部平面圖。
圖4是示出圖1的等離子體顯示面板的后部結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。
圖5是本發(fā)明第一實施例的第一修改的局部平面圖。
圖6是本發(fā)明第一實施例的第二修改的局部平面圖。
圖7是本發(fā)明第一實施例的第三修改的局部平面圖。
圖8是本發(fā)明第一實施例的第四修改的局部剖面圖。
圖9是本發(fā)明第一實施例的第五修改的局部平面圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第二實施例制造的等離子體顯示面板的局部剖面圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第三實施例制造的等離子體顯示面板的局部剖面圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第四實施例制造的等離子體顯示面板的局部剖面圖。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第五實施例制造的等離子體顯示面板的局部平面圖。
具體實施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例制造的等離子體顯示面板的局部分解透視圖。圖2是沿圖1的II-II線截取的局部剖面圖。圖3是圖1中的等離子體顯示面板的局部平面圖。
參照圖1，根據(jù)本發(fā)明第一實施例制造的等離子體顯示面板可包括后基板10和前基板20，后基板10和前基板20可以以預(yù)定的間隔彼此基本平行地設(shè)置。后基板10和前基板20之間的空間可被障肋26劃分為多個放電室28。障肋26可形成在前基板20的內(nèi)表面上。
在后基板10面對前基板20的一個表面上，尋址電極12沿著第一方向(y軸方向)延伸，在后基板10的整個表面上形成的第一介電層14可覆蓋尋址電極12。在本實施例中，每個尋址電極12可具有均勻的線寬度，并可以以直線形狀形成。
在第一介電層14上形成的第一電極15和第二電極16可通過第一介電層14與尋址電極12電絕緣。第一電極15和第二電極16可沿著與第一方向相交的第二方向(x軸方向)形成。在本實施例中，第一電極15和第二電極16的每個可形成在每個放電室28的內(nèi)部且形成在其的相對側(cè)。
在應(yīng)用中，第一電極15和第二電極16可參與維持放電；而且，第一電極15和第二電極16中的任何一個可與尋址電極12一起參與尋址放電。然而，由于每個電極的作用可根據(jù)施加的信號電壓而變化，所以本發(fā)明不限于此。
當(dāng)從端部看時，第一電極15和第二電極16的每個可具有頂表面和基本豎直的后表面，頂表面從后表面基本垂直地向外突出。各電極還可包括從后表面向外且與后表面基本垂直地突出的底表面。底表面可基本平行于頂表面，而底表面的端部可延伸超過頂表面的端部。因此，前表面可從底表面的端部基本垂直地向上突出。比后表面短的前表面可通過成角度的表面連接至頂表面，該成角度的表面從頂表面的端部到前表面的端部向下傾斜。
電極15和16可背靠背地設(shè)置且在它們相鄰的后表面之間存在間隙。各電極的縱軸可基本彼此平行并沿著x軸(第二方向)延伸。
當(dāng)從側(cè)面看時，可看到第一電極15和第二電極16的每個包括子部件。例如，多個間隔的間隙15c和16c可將每個電極15和16分隔成多個第一部分15a和16a。每個間隙15c和16c可包括在每個電極15和16底表面上的槽口。因此，每個間隙可從每個電極15和16的前表面延伸到后表面，而且還從底表面垂直地向上延伸。
在后表面開始并向前表面突出的距離比每個電極15和16的頂表面長，每個間隙15c和16c可垂直向上延伸每個電極的后表面的部分高度。如此，連接部分15b和16b可跨過間隙15c和16c而連接各電極15和16的頂表面。此外，第一部分15a和16a的剩余部分可通過間隙15c和16c分隔開。
如圖1所示，第一電極15和第二電極16可沿著各放電室28的相對側(cè)設(shè)置，使得間隙15c和16c與第一障肋構(gòu)件26a(沿y方向)的中間基本對齊，并使得相鄰電極15和16的相鄰后表面之間的間隙可與第二障肋構(gòu)件26b(沿x方向)的中間基本對齊。如此，各放電室28可包括沿其一側(cè)設(shè)置的電極15的第一部分15a，和沿其相對側(cè)設(shè)置的電極16的第一部分16a。此外，每個第一部分15a和每個第一部分16a可從各放電室28的側(cè)面向各放電室28的中心軸突出。此外，每個第一部分15a的前表面可通過沿每個放電室的中心軸伸展的通道與每個第一部分16a的前表面分開。
由于第一電極15和第二電極16在各放電室28內(nèi)彼此相對，所以可通過對向放電而引起第一電極15和第二電極16之間產(chǎn)生的維持放電。因此，該放電點火電壓可低于傳統(tǒng)的等離子體顯示面板的放電點火電壓，傳統(tǒng)的等離子體顯示面板通過表面放電引起維持放電。在下文參照圖4對第一電極15和第二電極16進(jìn)行進(jìn)一步描述。
再參照圖1，第二介電層18可單個地圍繞相鄰的每對背靠背的第一電極15和第二電極16而形成。如圖3所示，第二介電層18可沿著第二方向(x方向)延伸超過相鄰的電極15和16的長度，并可在第一方向上(y方向)延伸超過每對相鄰的電極15和16的寬度。即，第二介電層18可在形成于各放電室28一側(cè)上的第一電極15和形成于各放電室28的相對側(cè)上第二電極16之間留有放電空間。
因為每對相鄰的電極15和16通過填充有包括第二介電層18的材料的間隙彼此分開，所以減少或防止了誤放電。因為第一電極15的第一部分15a也通過包括第二介電層18的材料與第二電極16的第一部分16a分開，所以進(jìn)一步避免了誤放電。
參照圖1和圖2，用來覆蓋部分第一介電層14和整個第二介電層18的MgO保護(hù)層19可形成在后基板10的整個表面上。MgO保護(hù)層19防止尋址電極12、顯示電極15和16、第一介電層14和第二介電層18在等離子體放電期間由于離子的碰撞而被損壞。此外，因為MgO的二次電子發(fā)射系數(shù)高，所以，當(dāng)保護(hù)層19由MgO形成時，放電效率提高。如圖1和圖2所示，部分MgO保護(hù)層19可形成在放電室28的中間的空間內(nèi)。
參照圖1所示的前基板20，障肋26可形成在前基板20上以將前基板20和后基板10之間的空間劃分為一個或多個放電室28。更具體地講，障肋26可位于前基板20和第二介電層18之間，第二介電層18圍繞每對相鄰的第一電極15和第二電極16。障肋26可包括沿第一方向形成的第一障肋構(gòu)件26a和沿第二方向形成的第二障肋構(gòu)件26b，第二障肋構(gòu)件26b與第一障肋構(gòu)件26a相交。當(dāng)然，這種特別的障肋構(gòu)造僅是示例性的，本發(fā)明可包括其它構(gòu)造。
例如，可使用僅包括沿第一方向形成的障肋構(gòu)件的條狀障肋結(jié)構(gòu)。此外，障肋構(gòu)件26a和26b均可具有不同于圖中示出的和/或這里描述的例子的幾何形狀。
在本發(fā)明中，作為另一例子，在形成前基板20上的介電層(未示出)之后，障肋26可形成在介電層上。而且，可在障肋26和前基板20之間設(shè)置一個層或多個層。
在每個放電室28內(nèi)，可形成用于吸收紫外線并發(fā)射可見光的紅色、藍(lán)色和綠色熒光體層29，而且可填充放電氣體(例如，包括氙(Xe)和氖(Ne)的氣體混合物)來產(chǎn)生等離子體放電。在一個實施例中，熒光體層29可形成在障肋26的表面上和前基板20的在相鄰的障肋26之間的底表面上。
如上提到的，在本實施例中，參與放電的尋址電極12、第一電極15和第二電極16可形成在后基板10上。通過在同一后基板10上形成參與尋址放電的尋址電極12和第一電極15，可縮短尋址放電的路徑，從而也可降低尋址放電的放電點火電壓。另一方面，在前基板20上形成熒光體層29可防止因不同顏色的熒光體層的介電常數(shù)不同而產(chǎn)生的放電點火電壓的不均勻性。
此外，由于參與放電的所有電極12、15和16都沒有設(shè)置在前基板20上，所以可提高由等離子體放電產(chǎn)生的可見光的透射率。此外，因為第一電極15和第二電極16可只由具有良好導(dǎo)電性的金屬材料組成，所以與制造既包括透明電極又包括金屬電極的傳統(tǒng)的等離子體顯示面板有關(guān)的成本和時間相比，可以簡化制造工藝并可進(jìn)一步降低制造成本。
圖4是示出圖1中的等離子體顯示面板的后部結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。如圖所示，后基板10可包括在其上形成的尋址電極12、第一電極15和第二電極16。
參照圖4，局部裝配的等離子體顯示面板可包括后基板10，尋址電極12形成在后基板10上并在第一方向(y方向)上縱向延伸。用第一介電層14覆蓋尋址電極12。第一電極15和第二電極16形成在第一介電層14上并在第二方向(x方向)上基本上彼此平行延伸。更具體地講，第一電極15的前區(qū)可跨過空間面對第二電極16的前區(qū)，當(dāng)在離第一介電層14的兩個或多個不同高度處測量時，該空間在寬度上不同。第二介電層18可密封每個相鄰的第一電極和第二電極對。MgO保護(hù)層19可形成在第二介電層18的上方，一部分MgO保護(hù)層19可與第一介電層14接觸而使相鄰的第二介電層18分開。
第一電極15和第二電極16均可呈五邊形，而且每個電極可是另一電極的鏡像。更具體地講，每個電極15和16可包括寬度為t1的頂部和寬度為t2的底部，t2大于t1。從而，與形成在后基板10上的第一介電層14相接的電極15和16底部的寬度t2，可比最接近于前基板(未示出)的所述電極頂部的寬度t1寬。結(jié)果，電極15和16的頂表面的邊緣可通過間隙G1分開，電極15和16的底表面可通過較小的間隙G2分開。換句話說，與各電極15和16的頂部相比，各電極的底部可向各放電室的中間突出得更遠(yuǎn)。
此外，第一電極15和第二電極16的相對的前部可構(gòu)造形成傾斜的表面L。傾斜的表面L可在電極15和16的頂表面的邊緣處開始，并向各放電室28的中間傾斜。
相對的電極15和16被構(gòu)造成在其相對的底部之間具有窄間隙G2而在其相對的頂部之間具有較寬的間隙G1，這種構(gòu)造可具有一些優(yōu)點。例如，在短間隙G2內(nèi)的起始維持放電可降低放電點火電壓。此外，由長間隙G1提供的高放電效率可允許采用減小的電流和/或降低的功耗來在間隙G1內(nèi)維持主放電。此外，各電極15和16的傾斜的表面L還可通過允許在短間隙G2內(nèi)的啟始放電容易地擴(kuò)散到長間隙G1內(nèi)，從而提高維持放電的穩(wěn)定性來提高PDP的可操作特性。
在下文，將詳細(xì)描述本發(fā)明第一實施例的修改。由于修改的基本結(jié)構(gòu)可與第一實施例的基本結(jié)構(gòu)相似，所以用相同的標(biāo)號表示相同或相似的組件，而且可省略對它們的描述。
圖5是本發(fā)明第一實施例的第一修改的局部平面圖。參照圖5，第二介電層32可包括第一介電層部分32a，第一介電層部分32a沿著第二方向形成并圍繞第一電極15和第二電極16。第二介電層32還可包括第二介電層部分32b，第二介電層部分32b在第一方向上形成并與第一介電層部分32a相交。第二介電層部分32b可在最接近于第一障肋構(gòu)件26a處形成。第二介電層32的使用允許各放電室28被劃分為若干單獨的子空間。這種構(gòu)造允許更精確地控制各放電室28的放電。
圖6是本發(fā)明第一實施例的第二修改的局部平面圖。參照圖6，雙側(cè)電極33的任一側(cè)可與放電室28的一側(cè)相接。第二電極34可形成在各放電室28內(nèi)，并設(shè)置在與電極33的一側(cè)相對的各放電室28的一側(cè)。為了防止誤放電，可通過介電材料的層使成對背靠背的第二電極34分開。
在應(yīng)用中，可對第二電極34和尋址電極12施加電壓來產(chǎn)生尋址放電。類似地，可對第一電極33和第二電極34施加電壓來產(chǎn)生維持放電。
圖7是本發(fā)明第一實施例的第三修改的局部平面圖。如圖7所示，尋址電極36可包括突起36a，突起36a設(shè)置成與第一電極15和第二電極16之間的空間對應(yīng)。此外，突起36a可在尋址電極的縱軸的任一側(cè)上沿著第二方向(x方向)延伸。從而，各突起36a可與電極15和16的每個第一部分15a或16a大約一般寬。
上述構(gòu)造，即，尋址電極36在接近于電極15和16的第一部分15a和16a的底部具有窄寬度36b而在接近于各放電室28的中間具有寬突起36a，在對尋址放電貢獻(xiàn)很少的部分處有效地減小了尋址電極36的面積，并在參與尋址放電的放電室28的區(qū)域有效地增大了尋址電極36的面積。因此，與傳統(tǒng)的PDP相比，可更有效地發(fā)生尋址放電。
圖8是本發(fā)明第一實施例的第四修改的局部剖面圖。如圖8所示，在本修改中，黑層38對應(yīng)于在前基板20和障肋26之間形成有障肋26的部分。該黑層38防止外部光被反射以提高等離子體顯示面板的公稱對比度。
在本發(fā)明中，介電層(未示出)形成在前基板20上并且障肋26形成在介電層上，在這種情況下，黑層38可形成在障肋26和介電層之間，這也包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
圖9是本發(fā)明第一實施例的第五修改的局部平面圖。
如圖9所示，交替系列的雙側(cè)電極39和40可形成在后基板10上。電極39和40可沿著障肋26(圖1)設(shè)置，使得各電極的相對側(cè)突出到不同的放電室28內(nèi)。因此，圖9中的沿著y方向(第一方向)從頂?shù)降椎捻樞蚩砂姌O40的第一側(cè)、電極40的第二相對側(cè)、放電室28、第二電極39的第一側(cè)、第二電極39的第二相對側(cè)、另一放電室28、另一電極40的第一側(cè)、另一電極40的第二相對側(cè)等。每個電極39和40的每一側(cè)可分別包括向各放電室28的中間突出的凸起39a和40a。此外，可由一個子像素驅(qū)動一對相鄰的放電室28。作為選擇，可由一個子像素驅(qū)動每個單獨的放電室28。
在下文，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第二實施例、第三實施例、第四實施例和第五實施例制造的等離子體顯示面板。除了本發(fā)明的第二實施例、第三實施例、第四實施例和第五實施例的第一電極和第二電極的形狀與第一實施例中的第一電極和第二電極的形狀不同之外，第二實施例至第五實施例的基本結(jié)構(gòu)可與第一實施例的結(jié)構(gòu)基本相似。在各實施例中，使用相同或相似的標(biāo)號表示與第一實施例相同或相似的組件。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體顯示面板的局部剖面圖。在圖10中，第一L形電極41和第二L形電極42位于各放電室28內(nèi)并跨過各放電室28的中間空間彼此相對。如圖10所示，突起P的底表面(L形電極41和42的底部)可面對后基板10。電極41和42的相對的頂表面可通過間隙分開。介電層18可覆蓋每對背靠背的電極41和42，并可填充該間隙。MgO保護(hù)層19可涂覆后基板10的整個表面。L形電極41和42的使用提供在后基板10附近的短間隙和在前基板20附近的長間隙。因此，短間隙放電允許降低的放電點火電壓，長間隙放電同時地(或基本同時地)提高放電效率。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例制造的等離子體顯示面板的局部剖面圖。在該實施例中，第一電極43和第二電極44可位于各放電室28內(nèi)并跨過各放電室28的中間彼此相對。如圖11所示，可使第一電極43和第二電極44的相對的內(nèi)表面彎曲。從而，與電極43和44面對前基板20的部分相比，電極43和44的面對后基板10的其它部分可向放電室28的中間突出地更遠(yuǎn)。
這種構(gòu)造允許在與后基板相鄰的部分產(chǎn)生短間隙放電。然后，短間隙放電擴(kuò)散到與前基板20相鄰的部分的主放電區(qū)。如此，降低放電點火電壓的同時提高了放電效率。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第四實施例制造的等離子體顯示面板的局部剖面圖。參照圖12，第一電極45和第二電極46可位于各放電室28內(nèi)，并跨過各放電室28的中間彼此相對。各電極45和46可包括面對前基板20的第一相對表面A1和第二相對表面A2，第二相對表面A2比第一相對表面A1更靠近于后基板10。第一相對表面A1可包括與第一方向基本垂直的表面，第二相對表面A2可包括傾斜的表面。在這種構(gòu)造中，與第一電極45和第二電極46的每個接近于前基板20的部分相比，第一電極45和第二電極46的每個接近于后基板10的部分可向各放電室28的中間突出地更遠(yuǎn)。
因此，當(dāng)在與后基板10相鄰的部分以短間隙放電開始放電時，可降低放電點火電壓。因此，可通過將短間隙放電引入各電極45和46與前基板20相接的部分的長間隙來提高放電效率。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第五實施例制造的等離子體顯示面板的局部平面圖。如圖13所示，第一電極47和第二電極48可以以在第二方向上延伸的條形形狀形成。在本實施例中，第二介電層49可以以矩陣形成，從而第一電極47和第二電極48單獨地參與各放電室28的放電。
從而，第二介電層49可包括第一介電層部分49a，第一介電層部分49a圍繞第一電極47和第二電極48并沿著第二方向形成。第二介電層49還可包括第二介電層部分49b，第二介電層部分49b沿著第一方向形成并與第一介電層部分49a相交，第二介電層部分49b將各放電室28劃分為單獨的子空間。
由于本發(fā)明的第二實施例、第三實施例、第四實施例和第五實施例的基本結(jié)構(gòu)可與本發(fā)明的第一實施例的結(jié)構(gòu)相同或相似，所以第一實施例的修改可應(yīng)用于第二實施例、第三實施例、第四實施例和第五實施例；而且這些修改包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
本發(fā)明可使用具有對上述結(jié)構(gòu)修改的第一電極和/或第二電極。因此，本發(fā)明的實施例構(gòu)造的方式可以是，在面對前基板的部分的電極的突出程度不同于在面對后基板的部分的電極的突出程度。
此外，雖然在上面提到的實施例中第一電極和第二電極具有相同的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明中描述的電極的結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于第一電極和第二電極中的任何一個。
盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例和修改具體示出和描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在這里可以對各種形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板，跨過預(yù)定的間隙與相對的第二基板基本平行，其中，所述間隙被劃分為放電室；熒光體層，形成在所述放電室內(nèi)；尋址電極，形成在所述第一基板上并沿著第一方向延伸；第一電極和第二電極，形成在所述第一基板上，其中，所述第一電極和所述第二電極彼此相對設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極都沿著與所述第一方向相交的第二方向延伸，其中，所述第一電極或所述第二電極中的至少一個接近于所述第二基板的部分向所述放電室的中間突出的程度不同于所述第一電極或所述第二電極中的至少另一個接近于所述第一基板的部分向所述放電室的中間突出的程度。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，與所述第一電極或所述第二電極接近于所述第二基板的部分相比，所述第一電極或所述第二電極接近于所述第一基板的其它部分向所述放電室突出得更遠(yuǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，在所述第一方向上，與所述第一電極或所述第二電極接近于所述第二基板的部分相比，所述第一電極或所述第二電極接近于所述第一基板的部分較長。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個面對各放電室的中間的表面具有向各放電室的中間突出的傾斜的表面。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個在所述第一方向上逐漸變長，其中，所述第一電極或所述第二電極中的至少一個的高度在所述第一方向上變化。
6.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個接近于各放電室的中間的區(qū)域還包括垂直于所述第一方向的表面。
7.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個接近于所述第一基板的部分具有向各放電室的中間突出的突起。
8.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個面對各放電室的中間的表面是彎曲的。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個包括第一部分和第二部分，所述第一部分被劃分成對應(yīng)于各放電室，所述第二部分在所述第二方向上連接所述第一部分，每個第一部分接近于所述第二基板的部分向每個放電室的中間突出較遠(yuǎn)的程度不同于每個第一部分接近于所述第一基板的其它部分向每個放電室的中間突出的程度。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，其中，每個第一部分接近于所述第二基板的所述部分的長度和每個第一部分接近于所述第一基板的所述部分的長度在所述第二方向上是一致的。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極各自以沿著所述第二方向延伸的帶狀形成。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括第一介電層，形成以覆蓋所述第一基板上的所述尋址電極；第二介電層，其圍繞在所述第一介電層上形成的相鄰的所述第一電極和所述第二電極對。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中，所述第二介電層沿著所述第二方向延長，同時分別圍繞所述第一電極和所述第二電極。
14.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中，所述第二介電層包括第一介電層部分，沿著所述第二方向形成并分別圍繞所述第一電極和所述第二電極；第二介電層部分，沿著所述第一方向形成。
15.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一個由在所述第一方向上彼此相鄰的放電室共用。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極中的每個由在所述第一方向上彼此相鄰的放電室共用，而且所述第一電極和所述第二電極交替地排列在所述第一方向上。
17.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，形成的障肋將在所述第一電極和所述第二電極及所述第二基板之間的空間劃分成所述放電室。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其中，黑層形成在所述第二基板上以對應(yīng)于形成有所述障肋的部分。
19.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述熒光體層形成在所述第二基板上。
20.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極包括從所述尋址電極的兩側(cè)延伸的突起，其中，每個突起與所述第一電極和所述第二電極之間的空間對應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的等離子體顯示面板，其可降低放電點火電壓同時提高放電效率。該等離子體顯示面板可包括第一基板，跨過預(yù)定的間隙與相對的第二基板基本平行，該間隙被劃分為放電室；熒光體層，可形成在放電室內(nèi)；尋址電極，可形成在第一基板上并沿著第一方向延伸；第一電極和第二電極，可形成在第一基板上，而且，第一電極或第二電極中的至少一個接近于第二基板的部分向放電室的中間突出的程度可不同于第一電極或第二電極中的至少一個接近于第一基板的部分向放電室的中間突出的程度。
文檔編號H01J11/16GK1767129SQ20051011687
公開日2006年5月3日 申請日期2005年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月27日
發(fā)明者許民, 徐淳星, 崔勛永, 崔榮鍍 申請人:三星Sdi株式會社