專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，特別涉及一種具有電極結(jié)構(gòu)的AC(交流)PDP，其中電極被設(shè)置成對應(yīng)于兩基板之間的各個放電單元，該電極包括用于選擇顯示單元的尋址電極和一對用于放電顯示的顯示電極。
背景技術(shù)：
通常，PDP是一種由氣體放電產(chǎn)生的等離子體所放射的真空紫外線激發(fā)熒光體來發(fā)出紅色、綠色和藍(lán)色可見光，并因此實(shí)現(xiàn)預(yù)設(shè)圖像的顯示裝置。PDP可以用于制造超過60英寸的大尺寸屏幕，而其厚度不超過10cm(厘米)，并且由于它是一種自發(fā)射顯示裝置，所述PDP的特征在于不存在由于視角造成的失真，并且具有優(yōu)秀的色彩再現(xiàn)。而且，它的生產(chǎn)過程比LCD的生產(chǎn)過程要簡單，所以PDP在產(chǎn)量和成本方面都具有優(yōu)勢。因此，將PDP用于工業(yè)用途的電視機(jī)和平面顯示器已經(jīng)受到關(guān)注。
普通的AC PDP包括沿著一個方向(圖中的X軸方向)形成在第二基板上的尋址電極，以及一個形成在第二基板整個表面上、覆蓋尋址電極的絕緣層。在絕緣層之上，多個條狀的阻隔壁形成在各尋址電極之間，并且紅色、綠色和藍(lán)色的熒光體層形成在各阻隔壁之間。
進(jìn)一步，由一對透明電極和一對總線電極構(gòu)成的顯示電極沿著與尋址電極相交的方向(圖中的Y軸方向)形成在和第二基板相對的第一基板的表面上。依次形成一個絕緣層和一個MgO保護(hù)層并覆蓋著顯示電極。
放電單元限定在第二基板上的尋址電極與第一基板上的一對顯示電極相交的區(qū)域中。
在具有上述結(jié)構(gòu)的PDP中，排列著超過百萬的矩陣型放電單元單位。為了同時驅(qū)動AC PDP的矩陣型放電單元，需要使用一種記憶特性。
關(guān)于驅(qū)動，AC PDP的放電主要涉及兩個因素，其中一個是壁電荷，另一個使用所謂的起爆粒子。
由于阻隔壁將單位單元物理隔離，每個單元可以獨(dú)立放電。但是，實(shí)質(zhì)上，很多起爆粒子在阻隔壁頂端部分和第一基板之間狹小的空間中自由移動。有時，這種移動的數(shù)量足以導(dǎo)致誤放電，但這是非常不尋常的。通常情況下，PDP被控制在不會出現(xiàn)誤放電的范圍內(nèi)。起爆粒子的這種在第一基板與阻隔壁之間狹小空間內(nèi)的移動使接下來的放電更容易產(chǎn)生。
但是，臨近PDP邊緣設(shè)置的最外面的放電單元對驅(qū)動造成不利因素，因?yàn)樗鼈兘邮艿钠鸨Ｗ拥臄?shù)量與中心部分的放電單元相比降低了(因?yàn)榕R近的放電單元僅存在于其中一側(cè))，并因此在顯示面板被驅(qū)動時，最外面放電單元的驅(qū)動容限變得不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面提供一種等離子體顯示面板，其中擴(kuò)展部分形成在尋址電極中對應(yīng)于最外面放電單元的區(qū)域中，從而改善放電單元尋址放電的穩(wěn)定性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種等離子體顯示面板，其生產(chǎn)更簡單，成本更有效，并且能夠更穩(wěn)定、高效和方便地實(shí)施。
本發(fā)明還有一個目的是提供一種等離子體顯示面板，其可在整個面板表面上使驅(qū)動電壓容限保持一致。
根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板包括相互面對的第一基板和第二基板；沿著一個方向形成在第一基板上的相互平行的顯示電極；沿著與顯示電極相交的方向形成在第二基板上的相互平行的尋址電極；排列在第一基板和第二基板之間的空間中從而限定多個放電單元的阻隔壁；以及形成在每個放電單元中的熒光層。然后，擴(kuò)展部分形成在與鄰近兩基板邊緣的最外面放電單元相對應(yīng)的尋址電極的區(qū)域中。
擴(kuò)展部分可以形成在各個尋址電極的首端和末端區(qū)域中，并且在多個相互平行的尋址電極中，第一列和最后一列尋址電極的寬度大于剩余列尋址電極的寬度。
根據(jù)本發(fā)明的另一個典型實(shí)施例，第一擴(kuò)展部分設(shè)置在尋址電極的與每個放電單元對應(yīng)的區(qū)域，并且寬度大于第一擴(kuò)展部分的第二擴(kuò)展部分設(shè)置在尋址電極的與鄰近兩基板邊緣的最外面放電單元相對應(yīng)的區(qū)域。
第二擴(kuò)展部分可以設(shè)置在每個尋址電極的首端或末端區(qū)域，并且在多個相互平行的尋址電極中，第二擴(kuò)展部分可以設(shè)置在第一列和最后一列尋址電極的對應(yīng)各個放電單元的區(qū)域。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示面板具有設(shè)置在尋址電極的對應(yīng)于最外面放電單元區(qū)域上的擴(kuò)展部分的區(qū)域，所以更多的壁電荷在放電單元內(nèi)部產(chǎn)生，這樣可以提高放電單元尋址放電的穩(wěn)定性。因此，由于將起爆粒子補(bǔ)償?shù)较鄬θ狈ζ鸨Ｗ拥目拷@示面板邊緣的放電單元中，在該區(qū)域的尋址放電的不穩(wěn)定性會提高，因此，能夠使整個顯示面板表面的驅(qū)動電壓裕度保持一致。


通過參考以下詳細(xì)描述并結(jié)合附圖，對于本發(fā)明更完整的評價和許多伴隨的優(yōu)點(diǎn)會變得顯而易見，而且更加容易理解，其中相同的附圖標(biāo)忘表示相同或相似的零件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第六示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板的示意圖；圖7是傳統(tǒng)PDP的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖，參照附圖7，一種傳統(tǒng)的AC PDP包括沿著一個方向(附圖的x軸方向)形成在第二基板110上的尋址電極112，以及形成在第二基板110整個表面上、覆蓋尋址電極112的絕緣層113。在絕緣層113之上，多個條狀的阻隔壁115形成在各尋址電極112之間，并且紅色、綠色和藍(lán)色的熒光體層117形成在各阻隔壁115之間。
此外，顯示電極102和103包括一對透明電極102a和103a以及一對總線電極102b和103b，沿著與尋址電極112相交的方向(附圖的Y軸方向)形成在與第二基板110相對的第一基板100的表面上。絕緣層106和MgO保護(hù)層108依次形成并覆蓋在顯示電極102和103上。
放電單元被限定于第二基板110上的尋址電極112與第一基板100上的一對顯示電極102和103相交的區(qū)域中。
下面參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板(PDP)的示意圖。
參照圖1，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板包括沿第二基板的一個方向(圖中的Y軸方向)形成在第二基板上的多個尋址電極21，以及沿與尋址電極相交方向(圖中的X軸方向)形成的多個顯示電極(圖中未示出)。顯示電極包括維持電極(X電極)和掃描電極(Y電極)，并且放電單元被限定在尋址電極和顯示電極相交的區(qū)域中。
多個阻隔壁(圖中未示出)形成在第二基板20和第一基板10之間的空間中，并且這些阻隔壁分別設(shè)置在相鄰的尋址電極21之間，并限定等離子體放電所需的放電單元(圖中未示出)。這些放電單元(圖中未示出)對應(yīng)由尋址電極21和顯示電極形成的放電區(qū)域。
在所述示例性實(shí)施例中，擴(kuò)展部分21a形成在尋址電極21的首端區(qū)域31和末端區(qū)域32。即擴(kuò)展部分形成在用于重現(xiàn)圖像的顯示區(qū)域D內(nèi)部的重要的尋址電極21的首端和末端中，這時，不包括尋址電極21的端子部分，該尋址電極21的端子部分從各個末端以條狀延伸，并且與驅(qū)動電路(圖中未示出)相連接提供用于驅(qū)動的信號電壓。
尋址電極21的擴(kuò)展部分21a的寬度Wb設(shè)置為大于尋址電極的其它區(qū)域的寬度Wa。
尋址電極21通過與顯示電極相對的放電產(chǎn)生壁電荷，尤其是掃描電極(Y電極)，從而為所選擇的放電單元顯示圖像準(zhǔn)備維持放電。因此，由于具有上述擴(kuò)展部分21a，在放電單元21中可以產(chǎn)生更大量的壁電荷。因此，由于將起爆粒子補(bǔ)償?shù)较鄬θ狈ζ鸨Ｗ拥目拷姘暹吘壍姆烹妴卧?，在該區(qū)域的尋址放電的不穩(wěn)定性會得到改善，因此，能夠使整個顯示面板表面上的驅(qū)動電壓容限保持一致。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板(PDP)的示意圖。
根據(jù)圖2，在示例性實(shí)施例中，在多個相互平行的尋址電極21中，第一列21A和最后一列21Z的寬度Wc大于其它列尋址電極21的寬度Wa。上述的21A和21Z僅表示他們是第一和最后一列，并不表示尋址電極的數(shù)量和字母表中字母的數(shù)量相同。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板(PDP)的示意圖。
根據(jù)圖3，第三示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板，其具有第一和第二示例性實(shí)施例的所有特征，其中擴(kuò)展部分形成在每個尋址電極21的首端區(qū)域31和末端區(qū)域32，以及在多個相互平行的尋址電極21中，尋址電極的第一列21A和最后一列21Z的寬度Wc大于尋址電極21其它列的寬度Wa。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板(PDP)的示意圖。
參照圖4，在第四示例性實(shí)施例中，第一擴(kuò)展部分41b形成在各個尋址電極41上對應(yīng)各個放電單元的區(qū)域中(圖中未示出)。這些第一擴(kuò)展部分41可以產(chǎn)生比使用與顯示電極的掃描電極(y電極)相對放電時更多的壁電荷，這樣可以使放電變得更容易。
另外，第二擴(kuò)展部分41a形成在各個尋址電極21的首端區(qū)域和末端區(qū)域，并且第二擴(kuò)展部分41a的寬度Wb大于第一擴(kuò)展部分41b的寬度Wd，第一擴(kuò)展部分41b的寬度Wd大于對應(yīng)非放電區(qū)域的尋址電極的寬度Wa。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板(PDP)的示意圖。
根據(jù)圖5，在第五示例性實(shí)施例中，在多個相互平行的尋址電極41中，第二擴(kuò)展部分41a形成在尋址電極的第一列41A和尋址電極的最后一列41Z的與各個放電單元對應(yīng)的區(qū)域中。第一擴(kuò)展部分41b形成在其余尋址電極的與各個放電單元對應(yīng)的區(qū)域中。如在第四示例性實(shí)施例中一樣，第二擴(kuò)展部分41a的寬度Wb大于第一擴(kuò)展部分41b的寬度Wd，并且第一擴(kuò)展部分41b的寬度Wd大于對應(yīng)非放電區(qū)域的尋址電極的寬度Wa。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第六示例性實(shí)施例具有尋址電極的等離子體顯示面板(PDP)的示意圖。
根據(jù)圖6，第六示例性實(shí)施例的等離子體顯示面板具有第四和第五示例性實(shí)施例中的所有特征。其中第一擴(kuò)展部分41b形成在尋址電極41的與各個放電單元對應(yīng)的區(qū)域中(圖中未示出)，并且第二擴(kuò)展部分形成在各個尋址電極21的首端區(qū)域31和末端區(qū)域32中。另外，在多個相互平行的尋址電極41中，第二擴(kuò)展部分41a形成在尋址電極的第一列41A和尋址電極的最后一列41Z的與各個放電單元對應(yīng)的區(qū)域中。
第二擴(kuò)展部分41a的寬度Wb形成為比第一擴(kuò)展部分41b的寬度Wd要大，并且第一擴(kuò)展部分41b的寬度Wd形成為大于對應(yīng)非放電區(qū)域的尋址電極的寬度Wa。
盡管本發(fā)明的實(shí)施例已經(jīng)在上文中結(jié)合特定的示例性實(shí)施例作了詳細(xì)描述，應(yīng)該理解本發(fā)明并不局限于所公開的示例性實(shí)施例，而與此相反，本發(fā)明將包括在如附加的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種修改和/或等同設(shè)置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括相互面對的第一基板和第二基板；顯示電極，沿一個方向形成在所述第一基板上，相互平行；尋址電極，沿著與所述顯示電極相交方向形成在所述第二基板上，并且相互平行；阻隔壁，設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間的空間中從而限定多個放電單元；和熒光層，形成在各個放電單元中；其中擴(kuò)展部分形成在所述尋址電極的對應(yīng)臨近所述第一和所述第二基板邊緣的最外面放電單元的區(qū)域中。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述擴(kuò)展部分形成在所述各個尋址電極的首端區(qū)域和末端區(qū)域中。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，在相互平行的所述尋址電極中，所述尋址電極的第一列和最后一列寬度大于所述尋址電極其余列的寬度。
4.一種等離子體顯示面板，包括相互面對的第一基板和第二基板；顯示電極，沿一個方向形成在所述第一基板上，相互平行；多個尋址電極，沿著與所述顯示電極相交方向形成在所述第二基板上，并且相互平行；阻隔壁，設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間的空間中從而限定多個放電單元；和熒光層，形成在所述各個放電單元上；其中第一擴(kuò)展部分形成在所述尋址電極的對應(yīng)每個所述放電單元的區(qū)域中；其中第二擴(kuò)展部分，具有比所述第一擴(kuò)展部分大的寬度，形成在所述尋址電極的對應(yīng)臨近所述第一和第二基板邊緣的最外面放電單元的區(qū)域中。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中，所述第二擴(kuò)展部分形成在各個尋址電極的首端區(qū)域和末端區(qū)域中。
6.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中，所述多個尋址電極相互平行，第二擴(kuò)展部分形成在尋址電極的第一列和最后一列的對應(yīng)各個放電單元的區(qū)域中。
7.一種等離子體顯示面板，包括相互面對的第一基板和第二基板，容納所形成的多個放電單元；多個顯示電極，沿一個方向形成在所述第一基板上，相互平行；以及多個尋址電極，沿著與所述顯示電極相交方向形成在所述第二基板上，所述尋址電極包括擴(kuò)展部分，其設(shè)置在所述尋址電極的對應(yīng)臨近所述第一和第二基板邊緣的最外面放電單元的區(qū)域中。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，還包括所述多個尋址電極的第一列和最后一列的寬度大于尋址電極其余列的寬度。
9.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，還包括另一組擴(kuò)展部分，其形成在各個所述尋址電極的對應(yīng)各個放電單元的區(qū)域中。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板，還包括所述擴(kuò)展部分的寬度大于另一組擴(kuò)展部分的寬度。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示面板，其中，另一組擴(kuò)展部分的寬度大于所述尋址電極的對應(yīng)非放電區(qū)域的寬度。
12.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其擴(kuò)展部分形成在所述尋址電極第一列和所述尋址電極最后一列的對應(yīng)各個放電單元的區(qū)域中，另一組擴(kuò)展部分形成在其余尋址電極的對應(yīng)各個所述放電單元的區(qū)域中。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，還包括擴(kuò)展部分的寬度大于另一組擴(kuò)展部分的寬度。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，另一組擴(kuò)展部分的寬度大于尋址電極的對應(yīng)非放電區(qū)域的寬度。
15.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，還包括所述擴(kuò)展區(qū)域形成在所述尋址電極的首端部分和末端部分中，并且所述擴(kuò)展部分形成在所述尋址電極第一列和所述尋址電極最后一列的對應(yīng)各個所述放電單元的區(qū)域中，同時另一組擴(kuò)展部分形成在所述尋址電極的對應(yīng)各個放電單元的區(qū)域中。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，還包括擴(kuò)展部分的寬度大于另一組擴(kuò)展部分的寬度。
17.如權(quán)利要求16所述的等離子體顯示面板，其中，另一組擴(kuò)展部分的寬度大于尋址電極對應(yīng)非放電區(qū)域的寬度。
18.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，所述擴(kuò)展部分形成在所述各個尋址電極的首端區(qū)域和末端區(qū)域中。
19.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極的所述擴(kuò)展部分的寬度大于所述尋址電極其它區(qū)域的寬度，與擴(kuò)展部分相適應(yīng)，更多的壁電荷在放電單元中。
20.一種等離子體顯示面板，包括相互面對的第一基板和第二基板；多個顯示電極，沿一個方向形成在所述第一基板上，相互平行；多個尋址電極，沿著與所述顯示電極相交方向形成在所述第二基板上，所述尋址電極包括所述多個尋址電極第一列和最后一列的寬度大于尋址電極其余列的寬度。
全文摘要
本發(fā)明公開一種AC等離子體顯示面板(PDP)，其具有設(shè)置在對應(yīng)兩基板之間的各個放電單元的電極，用于選擇顯示單元的尋址電極，其形成在一個基板上，以及用于顯示放電的一對顯示電極，其形成在另一基板上。等離子體顯示面板包括，相互面對的第一基板和第二基板；沿一個方向形成在第一基板上的顯示電極，其相互平行；沿著與顯示電極相交方向形成在第二基板上的尋址電極，其相互平行；設(shè)置在第一基板和第二基板之間的空間中，用于限定多個放電單元的阻隔壁；以及形成在各個放電單元中的熒光層。而且，擴(kuò)展部分形成在尋址電極的對應(yīng)臨近兩基板邊緣的最外面放電單元的區(qū)域中。
文檔編號H01J17/49GK1606121SQ20041009595
公開日2005年4月13日 申請日期2004年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月4日
發(fā)明者權(quán)宰翊, 姜景斗 申請人:三星Sdi株式會社