專利名稱：具有對準標記的等離子體顯示板及形成標記的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)，并特別涉及一種不會形成缺陷的帶有對準標記的PDP。本發(fā)明還涉及使用膠印方法形成對準標記的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
PDP是一種通過等離子體放電對磷光體的激發(fā)來實現(xiàn)圖像顯示的顯示裝置。由氣體放電獲得的等離子體發(fā)出的真空紫外線(VUV)激發(fā)磷光體層，然后磷光體層發(fā)出可見光從而形成圖像。由于它的高分辨率并可以制成大屏幕尺寸，PDP技術(shù)有希望成為領(lǐng)先的下一代平板顯示屏技術(shù)。
在傳統(tǒng)PDP的基本結(jié)構(gòu)中，尋址電極、隔離壁(barrier rib)和磷光體層在后基板上形成，而由掃描電極和維持電極構(gòu)成的顯示電極在前基板上形成。每個掃描電極和維持電極都包括由具有一定透射系數(shù)的材料(例如氧化銦錫)制成的透明電極及保證掃描電極和維持電極導電的金屬總線電極。
尋址電極和顯示電極分別被第一介電層和第二介電層所覆蓋。MgO保護層在第二介電層上形成。放電單元在尋址電極和顯示電極交叉處的放電空間中形成，并且放電氣體(通常為Ne-Xe混合氣體)充滿放電單元。
掃描電極分別與維持電極以其間形成的預定放電間隙相對設(shè)置。放電間隙對應于放電單元的中心。隔離壁沿與尋址電極的形成相同的方向形成為條形使得放電單元在該方向相互連通。
電極在基板上的精確排列及基板相互精確對準非常重要。最近，隨著透明電極的不斷復雜化，正確對準單位單元更加必要?；宄叽绲脑黾蛹觿×擞糜赑DP的玻璃和透明電極中的變形問題。這使得在PDP制造過程中的對準工藝更加復雜。
為了進行對準，在基板上形成對準標記。對準標記可以在形成電極、介電層和其他元件期間同時形成。
絲網(wǎng)印刷和光刻方法用于形成總線電極。浮脫(lift-off)和薄膜方法也進行了探索。最近以來偏向選擇膠印方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種對準標記形成方法和設(shè)備，使其轉(zhuǎn)印的對準標記膏的量最小，并且防止對準標記在轉(zhuǎn)印到基板上的過程中發(fā)生變形。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種帶有對準標記的PDP，其中防止了在對準標記形成和定位中的缺陷，從而由此保證PDP元件的精確對準。
一種在第一基板和第二基板之間的間隙內(nèi)具有等離子體放電結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板，其包括在與第二基板相對的第一基板的表面上形成的至少一個對準標記，每個該對準標記包括數(shù)個腔。
腔可以按提供的相鄰腔間的預定間隔以基本上一致的圖案排列。間隔相互連接形成網(wǎng)格圖案。另一方面，每個對準標記的外部邊界由邊緣限定，并且處在邊緣處的腔為邊緣所封閉。在另一方面，每個對準標記的腔形成為網(wǎng)格圖案。
每個腔具有圓形或多邊形的橫截面形狀。
對準標記使用膠印工藝形成。
一種使用膠印工藝形成對準標記的方法，其包括在凹版中以所要印刷的對準標記的形狀形成凹形，并同時在該凹形內(nèi)形成數(shù)個凸起；以用于對準標記的膏填充凹形；從凹形轉(zhuǎn)移膏到印刷用氈(printing blanket)；及從印刷用氈轉(zhuǎn)移膏到等離子體顯示板的基板。
凸起用蝕刻工藝形成。凹版為平板的形式或滾筒的形式。
一種包括具有以用于形成對準標記的膏填充的凹形的凹版和用于轉(zhuǎn)移膏到基板的氈的對準標記形成設(shè)備，并在凹版的凹形內(nèi)形成的數(shù)個凸起。凸起具有圓形或多邊形的橫截面形狀。


圖1是傳統(tǒng)PDP的局部分解透視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的帶有對準標記的PDP前基板和后基板的分解透視圖。
圖3是圖2的對準標記的俯視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的對準標記的俯視圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的又一示例性實施例的對準標記的俯視圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例利用膠印工藝的形成對準標記的設(shè)備的示意圖，示出了處于使用狀態(tài)的形成對準標記的設(shè)備。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例涉及在基板上形成對準標記的連續(xù)工序的截面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例利用膠印工藝的形成對準標記的設(shè)備的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實施例。
圖1是傳統(tǒng)PDP的局部分解透視圖。尋址電極3、隔離壁5和磷光體層7在第一基板(后基板)1上形成，并且包括掃描電極11和維持電極13的顯示電極15在第二基板(前基板)9上形成。每個掃描電極11包括用具有高透射系數(shù)的材料(例如ITO)制成的透明電極11a，和用金屬制成使得掃描電極11導電的總線電極11b。類似地，每個維持電極13包括用具有高透射系數(shù)的材料(例如ITO)制成的透明電極13a，和用金屬制成使得掃描電極13導電的總線電極13b。尋址電極3和顯示電極15分別由第一介電層17和第二介電層19所覆蓋。MgO保護層21在第二介電層19上形成。放電單元在放電區(qū)域形成，在該處尋址電極3與顯示電極15交叉。放電氣體(通常為Ne-Xe混合氣體)充滿放電單元。
圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的帶有對準標記的PDP前基板和后基板的分解透視圖。
PDP的放電結(jié)構(gòu)在位于前基板21和后基板22交迭的區(qū)域內(nèi)的顯示區(qū)域26內(nèi)形成。對準標記24在顯示區(qū)域26的外部形成，對準標記24在密封前基板21和后基板22時用于對準前基板21和后基板22。對準標記24可以在總線電極或?qū)ぶ冯姌O的形成期間使用電極膏形成。對準標記24也在曝光工藝中用作參考點。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的每個對準標記24包括在預定區(qū)域形成的多個腔24a。
圖3是基本沿圖2中垂直于前基板21的方向顯示的對準標記24的俯視圖。參照圖3，腔24a以相鄰腔24a之間具有預定間隔的一致圖案排列。腔24a之間的間隔可以填充膏來形成預定圖案。作為一個示例，如圖3所示間隔相互連接并形成網(wǎng)格圖案。
凹槽在膠印工藝中使用的凹印平板(gravure plate)內(nèi)形成，并且當凸起在凹槽中形成之后，用膏填充凹槽并進行印刷，由此形成腔24a。腔24a可以具有圓形、正方形、矩形等橫截面形狀。在第一個示例實施例中，腔24a具有正方形的橫截面構(gòu)形。
另外，對準標記24可以沿著邊緣相互連接。在與后基板22相對的表面上，對準標記24可以完全相互連接而不形成腔。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的對準標記的俯視圖。
在此示例性實施例中，數(shù)個腔25a可以在對準標記25內(nèi)形成，并且如上一個實施例在腔25a之間形成預定間隔。然而，在這個實施例中腔25a的形狀并不全部相同。即腔25a形成具有正方形、三角形和梯形的橫截面形狀。對準標記25的外部邊界由邊緣來限定，并且處在這些區(qū)域的腔25a為該邊緣所封閉。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的又一示例性實施例的對準標記的俯視圖。
在此示例性實施例中，像前一個實施例一樣，數(shù)個腔26a在對準標記26內(nèi)形成。然而，在這個實施例中，腔26a形成為相互連接的網(wǎng)格圖案。
圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的利用膠印工藝的對準標記形成設(shè)備的示意圖，示出了處于使用狀態(tài)的對準標記形成設(shè)備。
凹形33在凹印平板31內(nèi)形成，并且凹形33用膏(paste)填充。填充凹形33之后膏被轉(zhuǎn)移到氈(blanket)35上，然后膏又從氈35轉(zhuǎn)移到玻璃基板37上。在實際生產(chǎn)中，數(shù)個凹形33在凹印平板31內(nèi)形成。凸起40在凹形33內(nèi)形成。凸起40可以具有圓形、正方形、矩形、多邊形等橫截面形狀。
在凹印平板31內(nèi)形成的凹形33和凸起40可以通過蝕刻工藝形成，在這種情況下，相關(guān)步驟包括光致抗蝕劑的沉積、使用光掩模曝光和顯影。因為以這種方式進行的蝕刻在本領(lǐng)域所熟知，所以這里不提供相關(guān)工藝的詳細描述。
圖7是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的涉及在基板上形成對準標記的連續(xù)工序的截面圖。
如圖7所示，具有將要印刷的對準標記的形狀的凹形33首先在凹印平板31內(nèi)形成。數(shù)個凸起40在凹形33中同時形成。而后凹形33用膏34填充，此后用刮刀32除去膏34的過多部分(即溢出的膏)。
作為包括如上所述以預定間隔形成的凸起40的對準標記凹形33的此形成的結(jié)果，膏34在凸起40之間填充而不是在凹形33所包圍的整個區(qū)域內(nèi)填充。因此，所需的膏34的量減少一個量，該量等于凸起40所占據(jù)的體積。
而后，凹形33內(nèi)填充的膏34被轉(zhuǎn)移到印刷用氈35上。當轉(zhuǎn)移到印刷用氈35，得到的膏34的形狀與凹形33的形狀是相反的。即與凹形33內(nèi)所形成的凸起40相應的位置是縮進的。
隨后，從凹形33轉(zhuǎn)移到印刷用氈35上的膏34又轉(zhuǎn)移到玻璃基板37上。在這個過程中，膏34在印刷用氈35和玻璃基板37之間受到擠壓。然而，膏34不會遭受任何向外變形。這是上述的最小的膏34用量的結(jié)果。即，在轉(zhuǎn)移到印刷用氈35上之前凸起40可保證膏34中具有充足的縫隙，從而當隨后膏34轉(zhuǎn)移到玻璃基板37上時，由于膏在印刷用氈35和玻璃基板37之間受到擠壓而作用于膏34的擠壓壓力向膏34中所形成的間隙的內(nèi)部方向施加。因此，防止止了對準標記的向外扭曲形成。
在膠印工藝中，對準標記通常在電極形成期間形成。膏轉(zhuǎn)移到由硅橡膠制成的圓柱形氈上，并且該氈與基板相接觸并在基板上滾動使得膏轉(zhuǎn)移到基板上。在傳統(tǒng)工藝中，由于壓力在氈的運動方向作用于對準標記，對準標記不能正確定位，并且經(jīng)常變形。然而，由于運用了上述本發(fā)明的示例性實施例的對準標記形成方法，對準標記定位或形成中的這些問題不會再發(fā)生。
將膏34轉(zhuǎn)移到玻璃基板37上之后，進行膏34的干燥和烘烤從而完成對準標記的形成。如上所述對準標記在進行電極形成的同時形成。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例的利用膠印工藝的對準標記形成設(shè)備的示意圖。在此示例性實施例中，凹形38在凹印滾筒39上形成，并且在凹形38中充滿膏。在凹形38被填充后，膏被轉(zhuǎn)移到玻璃基板37上。
如前一個實施例，蝕刻工藝在凹印滾筒39的表面進行從而形成凹形38，并且數(shù)個凸起41在每個凹形38中形成。凸起41可具有圓形、正方形、矩形、多邊形等橫截面形狀。與上面實施例一樣凸起41與凹形38同時形成。
凹形38用膏34填充，此后用刮刀32除去膏34的過多部分(即溢出的膏)。隨后，凹形38中填充的膏34被轉(zhuǎn)移到印刷用氈35上。膏34最終轉(zhuǎn)移到玻璃基板37上。然后進行干燥和烘烤從而完成對準標記的形成。
雖然本發(fā)明的實施例已經(jīng)在上文進行了詳細的描述，但是應當清楚理解本領(lǐng)域的技術(shù)人員對這里提供的基本發(fā)明概念作出的一些改變并不超出權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，其在第一基板和第二基板之間的間隙內(nèi)具有等離子體放電結(jié)構(gòu)，其包括在第一基板的與第二基板相對的表面上形成的至少一個對準標記，每個該對準標記包括數(shù)個腔。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述腔以基本一致的圖案排列，相鄰腔間具有預定間隔。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示板，其中所述間隔相互連接從而形成網(wǎng)格圖案。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中每個所述對準標記的外部邊界由邊緣限定，并且處在該邊緣處的腔為該邊緣所封閉。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中每個所述對準標記的腔形成為網(wǎng)格圖案。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中每個所述腔具有圓形和多邊形之一的橫截面形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述對準標記通過膠印工藝形成。
8.一種使用膠印工藝的對準標記形成方法，其包括在凹版中按所要印刷的對準標記的形狀形成凹形，并同時在該凹形內(nèi)形成數(shù)個凸起；用用于對準標記的膏填充所述凹形；從所述凹形轉(zhuǎn)移膏到印刷用氈；和從所述印刷用氈轉(zhuǎn)移膏到所述等離子體顯示板的基板。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述凸起用蝕刻工藝形成。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述凹版為平板的形式。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述凹版為滾筒的形式。
12.一種對準標記形成設(shè)備，其包括具有以用于形成對準標記的膏填充的凹形的凹版和用于轉(zhuǎn)移膏到基板的氈，該對準標記形成設(shè)備包括形成在所述凹印板的凹形內(nèi)的數(shù)個凸起。
13.如權(quán)利要求12所述的對準標記形成設(shè)備，其中所述凸起具有圓形和多邊形之一的橫截面形狀。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在第一基板和第二基板之間的間隙內(nèi)具有等離子體放電結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板，其包括在與第二基板相對的第一基板的表面上形成的至少一個對準標記，每個該對準標記包括數(shù)個腔。一種使用膠印工藝形成對準標記的方法，其包括在凹版中以所要印刷的對準標記的形狀形成凹形，并同時在該凹形內(nèi)形成數(shù)個凸起；以用于對準標記的膏填充凹形；從凹形轉(zhuǎn)移膏到印刷用氈；及從印刷用氈轉(zhuǎn)移膏到等離子體顯示板的基板。一種對準標記形成工藝利用凹版進行上述方法。
文檔編號H01J17/49GK1638000SQ20041009544
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月19日
發(fā)明者宋詠和, 吳丞憲, 盧昌錫, 文喆熙 申請人:三星Sdi株式會社