專(zhuān)利名稱(chēng):等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板,尤其涉及具有電極結(jié)構(gòu)的表面放電型等離子體顯示面板,其中一對(duì)產(chǎn)生顯示放電的放電維持電極對(duì)應(yīng)于在兩個(gè)基片之間的每個(gè)放電單元安裝。
背景技術(shù):
等離子體顯示面板(PDP)典型地為顯示器件,該顯示器件內(nèi)由氣體放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光體從而實(shí)現(xiàn)預(yù)定的圖像。由于PDP可能具有高清晰度(甚至具有大屏幕尺寸),許多人相信它們將成為主要的、下一代平板顯示結(jié)構(gòu)。
在傳統(tǒng)的PDP中,如圖5所示,地址電極5 1在第二基片50上沿一個(gè)方向(圖中方向X)形成。絕緣層53形成在其上形成有地址電極51的第二基片50的整個(gè)表面上,從而絕緣層53覆蓋了地址電極51。阻擋肋55以直線結(jié)構(gòu)形成在絕緣層53上,且位于地址電極51之間。紅、綠和藍(lán)熒光層57形成在阻擋肋55之間。
第一基片60與第二基片50相對(duì)。放電維持電極64形成在與第二基片50相對(duì)的第一基片60的表面上。每個(gè)放電維持電極64包括一對(duì)透明電極62和一對(duì)總線電極63。透明電極62和總線電極63沿與第一基片60的地址電極51基本垂直的方向(也就是沿Y方向)設(shè)置。絕緣層66形成在其上形成有放電維持電極64的第一基片60的整個(gè)表面上,從而絕緣層66覆蓋放電維持電極64。MgO保護(hù)層68覆蓋絕緣層66。
在第二基片50的地址電極51和第一基片60的放電維持電極64交叉的區(qū)域成為形成放電單元的區(qū)域。
在地址電極51和放電維持電極64之間施加地址電壓Va進(jìn)行地址放電。然后在一對(duì)放電維持電極64之間施加維持電壓Vs進(jìn)行維持放電。此時(shí)產(chǎn)生的紫外線激發(fā)相應(yīng)的熒光層57,從而使可見(jiàn)光穿過(guò)透明的第一基片60發(fā)出,實(shí)現(xiàn)圖像顯示。
現(xiàn)在參考圖6對(duì)放電維持電極64進(jìn)行進(jìn)一步地描述。如上所述,透明電極62基本垂直于阻擋肋55的方向。包括形成放電維持電極64的每對(duì)的透明電極62彼此分開(kāi)一預(yù)定距離。也就是說(shuō),每對(duì)透明電極62沿方向X占據(jù)一預(yù)定間隔。預(yù)定間距也被用于透明電極62的相鄰對(duì)之間??偩€電極63提高了電傳導(dǎo)性,且總線電極63形成為使得總線電極63之一沿每個(gè)透明電極62的長(zhǎng)邊設(shè)置,由此完成放電維持電極64的形成。
在另一傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中,如圖7所示,放電維持電極74包括一對(duì)總線電極73和透明電極72,該總線電極73基本垂直于阻擋肋55(沿方向Y),該透明電極72從總線電極73延伸出來(lái)被定位在每個(gè)放電單元內(nèi)。透明電極72形成為T(mén)-形,如圖中所示“T”的基座與總線電極73相連。
可是,至于如圖5和圖6所示的結(jié)構(gòu)中,每對(duì)透明電極62沿方向X占據(jù)預(yù)定距離,因?yàn)楫?dāng)給放電維持電極64施加電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)放電時(shí),在透明電極62的整個(gè)表面沒(méi)有形成均勻場(chǎng),所以透明電極62的許多不必要的區(qū)域幾乎不對(duì)放電做出貢獻(xiàn)。除了能在放電單元內(nèi)減小放電效率之外,這些區(qū)域還能通過(guò)屏蔽放電單元的需要區(qū)域來(lái)減小亮度。
另外,當(dāng)形成如圖7所示的T-形透明電極72時(shí),這種情況導(dǎo)致放電集中于透明電極72的邊角區(qū)域。這妨礙了放電單元內(nèi)的放電均勻分布。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了等離子體顯示面板,在該等離子體顯示面板內(nèi),為了優(yōu)化放電維持電極的結(jié)構(gòu),分析了放電單元內(nèi)的放電分布,因此降低了放電初始電壓并改善了放電效率。
在一個(gè)實(shí)施例中,本發(fā)明涉及等離子體顯示面板,它包括彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片。地址電極形成在第二基片上。阻擋肋安裝在第一基片和第二基片之間的間隙內(nèi),從而限定多個(gè)放電單元。熒光層形成于每個(gè)放電單元內(nèi)。放電維持電極形成于與地址電極相交的方向并且是成對(duì)的,因而每個(gè)放電單元與一對(duì)放電維持電極相連接。每個(gè)放電維持電極包括延伸部分伸入放電單元,使得一對(duì)相對(duì)的延伸部分形成在每個(gè)放電單元內(nèi)。從每對(duì)放電維持電極的至少之一延伸的每個(gè)延伸部分的末端形成有凹部。
在典型實(shí)施例中,凹部可以基本形成在延伸部分的末端的中央,并且延伸部分的凹部通過(guò)彎曲的、平滑的圓部與它的周邊區(qū)域相連。
在凹部的兩側(cè)可以形成有凸部。
放電維持電極的每個(gè)延伸部分可以這樣形成,即,至少一個(gè)長(zhǎng)邊向內(nèi),離相鄰的阻擋肋有延伸部分的預(yù)定長(zhǎng)度那么遠(yuǎn)。放電維持電極的每個(gè)延伸部分也這樣形成,當(dāng)離放電單元中央的距離增加時(shí),在與地址電極相交的方向上的寬度減小。
放電維持電極可以包括總線電極和延伸電極,該總線電極形成在與地址電極相交的方向上且是成對(duì)的,從而使得每個(gè)放電單元與一對(duì)總線電極相連接,該延伸電極在每個(gè)放電單元內(nèi)從總線電極延伸,從而使得一對(duì)相對(duì)的延伸電極形成在每個(gè)放電單元內(nèi)。每個(gè)延伸電極的末端從每對(duì)總線電極的至少之一延伸,且形成有凹部。
延伸電極可以是透明的。放電維持電極的每個(gè)延伸電極可以這樣形成,即,當(dāng)離放電單元中央的距離增加時(shí),在與地址電極相交的方向上的寬度減小。
在另一實(shí)施例中,等離子體顯示面板包括彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片。地址電極形成在第二基片上。阻擋肋安裝在第一基片和第二基片之間的間隙內(nèi),從而限定多個(gè)放電單元。熒光層形成于每個(gè)放電單元內(nèi)。放電維持電極形成于與地址電極相交的方向,使得每個(gè)放電單元與一對(duì)放電維持電極相連接,每個(gè)放電維持電極包括延伸至放電單元的放電維持電極延伸部分,使得一對(duì)相對(duì)的放電維持電極延伸部分形成在每個(gè)放電單元內(nèi),每個(gè)放電維持電極延伸部分的末端具有放大的截面寬度的放大的放電維持電極延伸部分,該放大的截面寬度比放電單元的相連接的一對(duì)放電維持電極的末端的放電維持電極延伸部分的寬度大。在與放電單元對(duì)應(yīng)的每對(duì)放電維持電極中,每對(duì)中的其中一個(gè)電極是掃描電極,它實(shí)現(xiàn)在掃描區(qū)間內(nèi)的地址電極之間的地址放電,每對(duì)中的另一個(gè)電極是共用電極,它實(shí)現(xiàn)在共用電極與相應(yīng)的掃描電極之間的在放電維持區(qū)間內(nèi)的顯示放電。每個(gè)地址電極在與相對(duì)的掃描電極的放大的放電維持電極延伸部分相對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有放大的地址電極部分。
在又一實(shí)施例中,等離子體顯示面板屏幕亮度在等離子體顯示面板的維持放電過(guò)程中提高了。等離子體顯示面板具有彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片。地址電極形成在第二基片上。阻擋肋安裝在第一基片和第二基片之間的預(yù)定間隙內(nèi),從而限定多個(gè)放電單元。放電單元具有由起始放電電壓激發(fā)的放電單元?dú)怏w。熒光層形成于每個(gè)放電單元內(nèi)。放電維持電極形成于與地址電極相交的方向,使得每個(gè)放電單元與一對(duì)放電維持電極相連接。每個(gè)放電維持電極包括延伸至放電單元的放電維持電極延伸部分,使得一對(duì)相對(duì)的放電維持電極延伸部分形成在每個(gè)放電單元內(nèi),同時(shí)在相對(duì)的放電電極延伸部分的末端之間存在間隙。起始放電電壓由間隙的尺寸和放電單元?dú)怏w的氙氣的含量的函數(shù)來(lái)確定。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖;圖2是用于圖1的等離子體顯示面板的一部分透明電極放大的平面圖;圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖;圖4是根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖;圖5是傳統(tǒng)的等離子體顯示面板的部分剖面透視圖;圖6是圖5的等離子體顯示面板的部分平面圖;圖7是應(yīng)用了T-形放電電極結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)等離子體顯示面板的部分平面圖;圖8根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖;圖9是放電初始電壓以間隙和放電單元?dú)怏w中的氙氣的含量的函數(shù)的形式變化的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
首先參照?qǐng)D1,在根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板(PDP)內(nèi),多個(gè)地址電極21沿一相同方向(方向Y)形成在第二基片(未示出)上,且多個(gè)放電維持電極14沿基本垂直于地址電極21的方向(方向X)形成在第一基片(未示出)上。
多個(gè)阻擋肋15形成在第二基片和第一基片之間的間隔內(nèi)。在地址電極21的每個(gè)相鄰對(duì)之間形成有一個(gè)阻擋肋15,且該阻擋肋15以與圖5中所示的相同的方式均勻地排列成行。阻擋肋15限定等離子體放電所需要的放電單元23R、23G和23B。在第一實(shí)施例中,盡管將阻擋肋15描述成以條紋圖形形成,但本發(fā)明并不限于這種結(jié)構(gòu)。例如,在本發(fā)明中可能使用閉合的阻擋肋結(jié)構(gòu),該阻擋肋結(jié)構(gòu)包括與地址電極21排列成行的阻擋肋元件和與地址電極21相交的阻擋肋元件,以此來(lái)限定放電單元23R、23G和23B。
放電維持電極14包括延伸電極12和總線電極13。延伸電極12的作用為在放電單元23R、23G和23B內(nèi)實(shí)現(xiàn)等離子放電,且為了確保亮度水平它最好通過(guò)使用透明ITO(銦錫氧化物)來(lái)實(shí)現(xiàn)??偩€電極13補(bǔ)償延伸電極12的高阻抗(也就是ITO的高阻抗)來(lái)提高電傳導(dǎo)性。因而總線電極13最好由金屬材料構(gòu)成。
總線電極13基本沿方向Y(即以行的形式)平行地形成,且對(duì)于每個(gè)放電單元23R、23G和23B,兩個(gè)總線電極13設(shè)置在其基本相對(duì)的端部。多個(gè)延伸電極12從每個(gè)總線電極13突出,且在放電單元23R、23G和23B內(nèi)的區(qū)域。結(jié)果,對(duì)于每個(gè)放電單元23R、23G和23B,其中設(shè)置了相對(duì)的一對(duì)延伸電極12。延伸電極12也被形成使得以預(yù)定距離設(shè)置放電單元23R、23G和23B內(nèi)的相對(duì)的一對(duì)末端。
參照?qǐng)D2,每個(gè)延伸電極12的末端包括在末端中央的凹部A和從凹部A的相對(duì)側(cè)延伸形成的凸部B。因此,對(duì)于每個(gè)放電單元23R、23G和23B內(nèi)的每對(duì)相對(duì)的延伸電極12,如圖1所示的長(zhǎng)間隙L形成在相對(duì)的凹部A之間,且相應(yīng)的短間隙S形成在每個(gè)相對(duì)的凸部B之間。這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了最初在短間隙S形成處發(fā)生主要放電,在此之后放電展開(kāi)至長(zhǎng)間隙L然后至放電單元23R、23G和23B的其它部分。
延伸電極12的凹部A將放電集中于放電單元23R、23G和23B中央,以此形成穩(wěn)定放電。凸部B減小了相對(duì)的延伸電極12(整個(gè)現(xiàn)有技術(shù))的末端之間的距離,因此使放電所需的電壓降到最小。不用顯著地減小孔徑比,通過(guò)凸部B實(shí)現(xiàn)了該優(yōu)點(diǎn)。
在典型實(shí)施例中,延伸電極12的凹部A和凸部B以曲線結(jié)構(gòu)設(shè)置,即缺少銳角。這可以通過(guò)形成在凹部A和凸部B之間的連接部C來(lái)實(shí)現(xiàn),如圖2所示。特別地,對(duì)于每個(gè)延伸電極2,在凹部A和凸部B之間的連接部C形成為斜面隨著靠凹部A的而減小。使用自然的放電展開(kāi),連接部C促使放電從其在短間隙中被啟動(dòng)處向長(zhǎng)間隙的展開(kāi)。
更具體地,在放電和外部施加電壓之間有非線性關(guān)系。例如,如果放電初始電壓是200V,直到達(dá)到200V時(shí)放電才會(huì)發(fā)生,如果是比該電壓低的電壓如199V時(shí)放電將不會(huì)發(fā)生??墒?,放電特性為,一旦放電發(fā)生且重復(fù)(即擴(kuò)散),放電以等比級(jí)數(shù)向周邊展開(kāi)。通過(guò)這樣的展開(kāi)使得將主要放電引入長(zhǎng)間隙中。
延伸電極12的凹部A和凸部B的構(gòu)造是這樣的,即對(duì)于為沿方向Y的每行放電單元23R、23G和23B設(shè)置的每對(duì)總線電極13,凹部A和凸部B可以在延伸電極12的末端對(duì)應(yīng)于總線電極13之一或如上所述兩個(gè)總線電極13形成。
此外,在第一實(shí)施例中,形成放電維持電極14的延伸電極12,使得與相鄰的阻擋肋15的距離在朝著延伸電極12的最接近端的方向一開(kāi)始就被減小。換而言之,凹部A和凸部B外的延伸電極12的構(gòu)造是,當(dāng)增加與放電單元23R、23G和23B的中心的距離時(shí),在延伸電極12和相鄰的阻擋肋15之間的沿總線電極13形成方向(方向Y)的距離一開(kāi)始就會(huì)減小。維持延伸電極12沿阻擋肋15形成方向(方向X)的預(yù)定長(zhǎng)度繼續(xù)這樣,在此之后,其長(zhǎng)度的剩余部分保持延伸電極12的預(yù)定寬度,從而增加了與相鄰阻擋肋1 5之間的距離。因?yàn)檠由祀姌O12的最接近端對(duì)放電的產(chǎn)生幾乎不做貢獻(xiàn),因此這樣的結(jié)構(gòu)改善了放電效率。通過(guò)形成具有其寬度比末端寬度小的最接近端還確保了高孔徑比。
黑條紋17可以形成在每個(gè)不成對(duì)的相鄰的放電維持電極14之間來(lái)改善對(duì)比度。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。
第二個(gè)實(shí)施例的PDP具有與第一個(gè)實(shí)施例相同的基本結(jié)構(gòu),僅在放電維持電極34的延伸電極32的形成上存在不同。特別是,雖然延伸電極32的末端的大部分和第一實(shí)施例中的一樣形成,但延伸電極32的在總線電極33形成的方向上的寬度被保持貫穿延伸電極32的在阻擋肋15形成方向上的整個(gè)長(zhǎng)度。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的等離子體顯示面板的部分平面圖。
第三個(gè)實(shí)施例的PDP具有與第一個(gè)實(shí)施例相同的基本結(jié)構(gòu),僅在放電維持電極44的延伸電極42的形成上存在不同。特別是,延伸電極42的末端中央僅包括凹部,且沒(méi)有如第一實(shí)施例中的凸部。而且,從延伸電極42的末端開(kāi)始以朝著其最近端的方向,延伸電極42外部的長(zhǎng)邊在總線電極43形成的方向上形成有預(yù)定寬度的直部。持續(xù)此種情況至延伸電極42的預(yù)定長(zhǎng)度,然后該長(zhǎng)邊向內(nèi)傾斜來(lái)減小延伸電極42的寬度。直至基本到達(dá)延伸電極42與總線電極43相連的點(diǎn)。在該點(diǎn)處,延伸電極42的長(zhǎng)邊伸直基本平行于阻擋肋15,延伸電極42的剩余部分繼續(xù)這種結(jié)構(gòu)。
在上述本發(fā)明的PDP中,優(yōu)化了放電維持電極的構(gòu)成從而使得該電極的不需要的區(qū)域最小化,因而限制了放電電流并改善了放電效率。
此外,通過(guò)最小化具有95%透射率的放電維持電極的尺寸來(lái)增加孔徑比。即,即使放電維持電極的區(qū)域縮減,也能實(shí)現(xiàn)等于或高于現(xiàn)有技術(shù)的亮度水平。這改善了孔徑比并減少了用于形成放電維持電極的材料量。
圖8表示本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例,在與每個(gè)放電單元23R、23G和23B對(duì)應(yīng)的一對(duì)放電維持電極116和118中,一個(gè)是掃描電極116,它在掃描區(qū)間實(shí)現(xiàn)在地址電極之間的地址放電,另一個(gè)是共用電極118,它在放電維持區(qū)間實(shí)現(xiàn)在自身與相應(yīng)的掃描電極116之間顯示放電。
地址電極108具有與掃描電極116的突起116b的結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的、且處于與掃描電極116相對(duì)區(qū)域的放大部108b。這使得掃描電極116具有加大的區(qū)域。
即,每個(gè)地址電極108包括沿縱向(方向Y)延伸的線性部108a和在PDP的寬度方向(方向X)擴(kuò)展的放大部108b。放大部108b大致對(duì)應(yīng)于掃描電極116的突起116b的形狀擴(kuò)展。
更具體地,地址電極108的每個(gè)放大部108b與掃描電極116的每個(gè)突起116b的末端相對(duì)應(yīng)的部分基本為寬度為W1的四邊形。此外,地址電極108的每個(gè)放大部108b與掃描電極116的每個(gè)突起116b的最后端部分相對(duì)應(yīng)的部分具有寬度W2,當(dāng)靠近掃描電極116的相應(yīng)的總線電極116a時(shí)該寬度W2減小。地址電極108之一的線性部分108a的寬度W3作為參考被顯示。在該典型實(shí)施例中,滿足下列不等式W1>W(wǎng)2>W(wǎng)3。
如上所述在對(duì)應(yīng)于掃描電極116的結(jié)構(gòu)的區(qū)域形成地址電極108的放大部108b,可以提高地址電極108和掃描電極116之間的地址放電,并且可以減少地址放電期間的共用電極118的干擾。因此,穩(wěn)定了地址放電并防止了誤放電。
再參照?qǐng)D1作為典型的實(shí)施例,放電維持電極具有一對(duì)相對(duì)的長(zhǎng)間隙L和短間隙S,從而降低放電初始電壓Vf。因此,隨著放電初始電壓Vf的升高可以增加放電氣體中包含的氙(Xe)氣體的量。
在典型的實(shí)施例中,放電氣體包含10%或更多、最好在10%與60%之間的氙。作為氙量增加的結(jié)果在維持放電期間紫外線的發(fā)射可以更強(qiáng),因此提高了屏幕亮度。
參照表1和圖9來(lái)解釋包含在放電氣體中的氙量與相對(duì)的突起間的放電間隙之間的關(guān)系。在不同的放電間隙中,長(zhǎng)間隙被稱(chēng)為第一放電間隙G1,且短間隙被稱(chēng)為第二放電間隙G2。
如果A是第一放電間隙G1的尺寸與第二放電間隙G2的尺寸之和,表1表示通過(guò)實(shí)驗(yàn)得到的A值,即在該A值時(shí)根據(jù)放電氣體內(nèi)的氙量變化通過(guò)合適的放電初始電壓Vf可以驅(qū)動(dòng)。當(dāng)放電氣體包含60%或更多的氙時(shí),合適的PDP驅(qū)動(dòng)是不可能的。
在表1中,F(xiàn)(A+Xe)表示A值(單位微米被忽略)和放電氣體內(nèi)的氙量(該值的百分號(hào)被忽略)的加和。此外,根據(jù)放電氣體內(nèi)的氙量測(cè)量得到的放電效率是基于放電氣體中的氙量為5%時(shí)值為1的相對(duì)值。
表1
從表1可看出放電氣體內(nèi)的氙量從5%增加至60%,使得當(dāng)?shù)谝缓偷诙烹婇g隙G1和G2的尺寸較小,以合適的放電初始電壓Vf驅(qū)動(dòng)是可能的,且可改善放電效率。特別地,與放電氣體內(nèi)的氙量為5%時(shí)的情況做比較,在氙量為10%或更多時(shí)放電效率顯著地提高了。相應(yīng)地,在該典型實(shí)施例的PDP中,除上述放電維持電極的突起結(jié)構(gòu)外,在放電氣體內(nèi)包含有10%或更多量(最多到60%)的氙以改善放電效率。
圖9是放電初始電壓Vf隨函數(shù)F(A+Xe)變化的曲線圖。
參照?qǐng)D9,當(dāng)F(A+Xe)值是167至240范圍內(nèi)且放電氣體內(nèi)的氙量在10%和60%之間時(shí),可在180V至210V的范圍內(nèi)進(jìn)行驅(qū)動(dòng),這在PDP產(chǎn)業(yè)中被認(rèn)為是合適的放電初始電壓Vf。相應(yīng)地,根據(jù)該典型實(shí)施例的PDP實(shí)現(xiàn)了放電維持電極結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括在放電氣體中的10%至60%的氙和在167和240之間的F(A+Xe)的值。
盡管以上部分已經(jīng)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)地描述,但應(yīng)該清楚,本領(lǐng)域技術(shù)人員很明顯可以對(duì)此處指出的基本的發(fā)明思想進(jìn)行許多修改和調(diào)整,這些修改和調(diào)整仍落入本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),正如在附加權(quán)利要求中所限定的。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板,包括彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片;形成在第二基片上的地址電極;安裝在第一基片和第二基片之間的間隙內(nèi)以限定多個(gè)放電單元的阻擋肋;形成于每個(gè)放電單元內(nèi)的熒光層;和在與地址電極相交的方向上形成的放電維持電極,使得每個(gè)放電單元與一對(duì)放電維持電極相連接,每個(gè)放電維持電極包括伸入放電單元的延伸部分,使得一對(duì)相對(duì)的延伸部分形成在每個(gè)放電單元內(nèi),其中從每對(duì)放電維持電極中的至少一個(gè)延伸的每個(gè)延伸部分的末端形成有凹部。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板,其中凹部基本形成在延伸部分末端的中央。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板,其中在凹部的兩側(cè)面形成有凸部。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板,其中延伸部分的凹部通過(guò)彎曲的、平滑的圓部與它的末端周邊區(qū)域相連。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板,其中放電維持電極的每個(gè)延伸部分可以這樣形成,至少一個(gè)長(zhǎng)邊向內(nèi)形成并以延伸部分的預(yù)定長(zhǎng)度遠(yuǎn)離相鄰的阻擋肋。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板,其中放電維持電極的每個(gè)延伸部分可以這樣形成,當(dāng)離放電單元中央的距離增加時(shí),在與地址電極相交的方向上的寬度減小。
7.一種等離子體顯示面板,包括彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片;形成在第二基片上的地址電極;安裝在第一基片和第二基片之間的間隙內(nèi)、限定多個(gè)放電單元的阻擋肋;形成于每個(gè)放電單元內(nèi)的熒光層;和包括總線電極和延伸電極的放電維持電極,該總線電極形成在與地址電極相交的方向上,從而使得每個(gè)放電單元與一對(duì)總線電極相連接,該延伸電極在每個(gè)放電單元內(nèi)從總線電極延伸,從而使得一對(duì)相對(duì)的延伸電極形成在每個(gè)放電單元內(nèi),其中從每對(duì)總線電極中的至少一個(gè)延伸的每個(gè)延伸電極的末端形成有凹部。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板,其中凹部基本形成在延伸電極末端的中央。
9.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板,其中在凹部的兩側(cè)面形成有凸部。
10.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板,其中延伸電極的凹部通過(guò)彎曲的、平滑的圓部與它的末端周邊區(qū)域相連。
11.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板,其中放電維持電極的每個(gè)延伸電極這樣形成,當(dāng)離放電單元中央的距離增加時(shí),在與地址電極相交的方向上的寬度減小。
12.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示面板,其中延伸電極是透明的。
13.一種等離子體顯示面板,包括彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片;形成在第二基片上的地址電極;安裝在第一基片和第二基片之間的間隙內(nèi)以限定多個(gè)放電單元的阻擋肋;形成于每個(gè)放電單元內(nèi)的熒光層;和形成于與地址電極相交的方向上的放電維持電極,使得每個(gè)放電單元與一對(duì)放電維持電極相連接,每個(gè)放電維持電極包括伸入放電單元的延伸部分,使得一對(duì)相對(duì)的延伸部分形成在每個(gè)放電單元內(nèi),其中從每對(duì)放電維持電極中的至少一個(gè)延伸的每個(gè)延伸部分的末端形成有凹部,和其中至少一長(zhǎng)間隙和至少一短間隙一起形成在相對(duì)的延伸部分的末端之間。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板,其中該長(zhǎng)間隙位于兩個(gè)短間隙之間。
15.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板,其中放電維持電極的每個(gè)延伸電極這樣形成,當(dāng)離放電單元中央的距離增加時(shí),在與地址電極相交的方向上的寬度減小。
16.一種等離子體顯示面板,包括彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片;形成在第二基片上的地址電極;安裝在第一基片和第二基片之間的間隙內(nèi)以限定多個(gè)放電單元的阻擋肋;形成于每個(gè)放電單元內(nèi)的熒光層;和形成于與地址電極相交的方向上的放電維持電極,使得每個(gè)放電單元與一對(duì)放電維持電極相連接,每個(gè)放電維持電極包括伸入放電單元的放電維持電極延伸部分,使得一對(duì)相對(duì)的放電維持電極延伸部分形成在每個(gè)放電單元內(nèi),每個(gè)放電維持電極延伸部分的末端具有放大的放電維持電極延伸部分,該放大的放電維持電極延伸部分寬度大于遠(yuǎn)離該放電單元的一對(duì)相連接的放電維持電極的放電維持電極延伸部分的寬度;其中,在與一放電單元對(duì)應(yīng)的每對(duì)放電維持電極中,每對(duì)中的其中一個(gè)放電維持電極為掃描電極,該掃描電極在掃描區(qū)間實(shí)現(xiàn)在地址電極之間的地址放電,每對(duì)中的另一個(gè)電極為共用電極,該共用電極在放電維持區(qū)間實(shí)現(xiàn)在共用電極與相應(yīng)的掃描電極之間的顯示放電,其中,每個(gè)地址電極在與相對(duì)的掃描電極的放大的放電維持電極延伸部分相對(duì)應(yīng)的區(qū)域具有放大的地址電極部分。
17.如權(quán)利要求16所述的等離子體顯示面板,其中放大地址電極部分具有寬度為W1的基本為四邊形的放大地址電極部分;寬度為W3的線性地址電極部分,其將第一放電單元的放大地址電極部分與相鄰的共享共用電極的第二放電單元的放大地址電極部分相連;以及寬度為W2的錐形地址電極部分,其將放大地址電極部分與遠(yuǎn)離共享共用地址電極的一對(duì)彼此相連接的放電單元的線性地址電極部分末端相連接。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板,其中寬度W1>寬度W2>寬度W3。
19.如權(quán)利要求16所述的等離子體顯示面板,其中至少一長(zhǎng)間隙和至少一短間隙一起形成在相對(duì)的放電維持電極延伸部分的末端之間。
20.一種等離子體顯示面板,包括彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片;形成在第二基片上的地址電極;安裝在第一基片和第二基片之間的間隙內(nèi)以限定多個(gè)放電單元的阻擋肋,所述放電單元具有由起始放電電壓激發(fā)的放電單元?dú)怏w;形成于每個(gè)放電單元內(nèi)的熒光層;和形成于與地址電極相交的方向上的放電維持電極,使得每個(gè)放電單元與一對(duì)放電維持電極相連接,每個(gè)放電維持電極包括延伸至放電單元的放電維持電極延伸部分,使得一對(duì)相對(duì)的放電維持電極延伸部分形成在每個(gè)放電單元內(nèi)且相對(duì)的放電電極延伸部分的末端之間存在間隙;其中從每對(duì)放電維持電極中的至少一個(gè)延伸的每個(gè)延伸部分的末端形成有凹部,其中氙氣量確定在放電單元?dú)怏w的10%到60%的范圍內(nèi)。
21.如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示面板,其中至少一長(zhǎng)間隙和至少一短間隙一起形成在相對(duì)的放電維持電極延伸部分的末端之間。
22.如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示面板,其中起始放電電壓在180V至210V的范圍內(nèi)。
全文摘要
一種等離子體顯示面板包括彼此相對(duì)且其間具有預(yù)定間隙的第一基片和第二基片。地址電極形成在第二基片上。阻擋肋安裝在第一基片和第二基片之間的間隙內(nèi),從而限定多個(gè)放電單元。熒光層形成于每個(gè)放電單元內(nèi)。放電維持電極形成于與地址電極相交的方向并且是成對(duì)的,使得每個(gè)放電單元與一對(duì)放電維持電極相連接。每個(gè)放電維持電極包括伸入放電單元的延伸部分,使得一對(duì)相對(duì)的延伸部分形成在每個(gè)放電單元內(nèi)。從每對(duì)總線電極的至少之一的電極延伸的每個(gè)延伸部分的末端形成有凹部。
文檔編號(hào)H01J17/04GK1523633SQ200310124950
公開(kāi)日2004年8月25日 申請(qǐng)日期2003年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月27日
發(fā)明者權(quán)宰翊, 姜景斗, 金禹泰, 柳憲錫, 禹錫均 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社