專利名稱：包括具有雙重間隙的維持電極的等離子體顯示面板及制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器件，尤其涉及一種包括帶雙重間隙的維持電極的等離子體顯示面板(PDP)及其制造方法。
背景技術(shù)：
PDP是利用氣體放電的顯示器。PDP比諸如液晶顯示器(LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)和電致發(fā)光顯示器(ELD)的平板顯示器更適合用于大尺寸。
PDP由于其結(jié)構(gòu)而可以制成大尺寸，在該結(jié)構(gòu)中，具有放電電極的前玻璃襯底與具有熒光材料的后玻璃襯底相隔0.1至0.2mm的微縫，并在其間形成等離子體，使得只要精確地保持前、后玻璃襯底間的間隙，它就可以起效。
PDP分為直流(DC)型和交流(AC)型。在DC型中，電極直接暴露于放電氣體，使得電極隨著反復(fù)放電而濺射和蒸發(fā)。AC型克服了DC型的這些缺陷。為防止電極在放電期間蒸發(fā)，AC型包括覆蓋電極的介電層。另外，為了防止熒光材料被放電期間產(chǎn)生的離子破壞，AC型包括沿水平方向排布的電極。當(dāng)用這些電極激發(fā)放電時(shí)，防止了放電期間產(chǎn)生的離子注入到熒光材料中，且只有在放電期間產(chǎn)生的紫外線輻射到熒光材料上。
圖1示出這種AC型PDP(以下稱為傳統(tǒng)PDP)的結(jié)構(gòu)。參考圖1，傳統(tǒng)PDP包括彼此平行相對(duì)的前玻璃襯底10和后玻璃襯底12。在前玻璃襯底10面對(duì)后玻璃襯底12的一側(cè)(此后稱為后側(cè))，平行排布透明的第一和第二維持電極14a和14b。如圖2所示，第一與第二維持電極14a與14b之間存在間隙“d”。第一和第二維持電極14a和14b上分別設(shè)置第一和第二總線電極16a和16b，并分別與第一和第二維持電極14a和14b平行。第一和第二總線電極16a和16b防止放電過(guò)程中電阻引起的電壓降。用第一介電層18覆蓋第一和第二維持電極14a和14b以及第一和第二總線電極16a和16b。用保護(hù)層20覆蓋第一介電層18。保護(hù)層20保護(hù)第一介電層18防止其放電，因而，傳統(tǒng)PDP可以穩(wěn)定地工作很長(zhǎng)時(shí)間并且在放電期間發(fā)射出大量的二次電子，因而降低放電電壓。氧化鎂(MgO)層廣泛用于保護(hù)層20。
同時(shí)，在后玻璃襯底12上設(shè)置用于寫入數(shù)據(jù)的多個(gè)地址電極22。地址電極22互相平行地排布并且與第一和第二維持電極14a和14b垂直。為每個(gè)像素提供三個(gè)地址電極22。在單個(gè)像素中，三個(gè)地址電極22分別對(duì)應(yīng)紅色熒光材料、綠色熒光材料和藍(lán)色熒光材料。用第二介電層24覆蓋地址電極22。在第二介電層24上設(shè)置多個(gè)用于反光的阻擋肋26。多個(gè)阻擋肋26以預(yù)定的間隙隔開并與地址電極22平行。每個(gè)阻擋肋26設(shè)置在相鄰地址電極22之間的第二介電層24上。換言之，地址電極22與阻擋肋26交替排布。當(dāng)前、后玻璃襯底10和12結(jié)合在一起時(shí)，阻擋肋26與前玻璃襯底10后側(cè)上設(shè)置的保護(hù)層20緊密接觸。熒光材料28a、28b和28c沉積在阻擋肋26之間的間隙中并通過(guò)紫外線激發(fā)。第一熒光材料28a發(fā)射紅(R)光，第二熒光材料28b發(fā)射綠(G)光，而第三熒光材料28c發(fā)射藍(lán)(B)光。
前玻璃襯底10封裝到后玻璃襯底12上之后，從間隙其間排出不必要的氣體，然后將形成氣體的等離子體注入間隙。盡管可以用單一氣體(例如氖(Ne))作為形成氣體的等離子體，但還可廣泛采用混合氣體(如Ne+Xe)。
在這種傳統(tǒng)PDP中，為了避免保護(hù)層20表面上的濺射速率提高，需要將形成氣體的等離子體的壓力(如果是混合氣體則是特定氣體的分壓)維持在高壓，因而要求很高的放電電壓。
具體而言，參考圖3所示的帕邢曲線G1和G2，可以通過(guò)調(diào)整等離子體形成氣體的壓強(qiáng)P和第一與第二維持電極14a與14b之間的間隙“d”使壓強(qiáng)P和間隙“d”的乘積Pd為1來(lái)降低放電電壓。例如，當(dāng)間隙“d”為100μm(即，0.01cm)時(shí)，若壓強(qiáng)P保持在100托就可以降低PDP的放電電壓。
然而，在降低等離子體形成氣體的壓強(qiáng)P時(shí)，根據(jù)定義SR的公式(1)，保護(hù)層20表面上的SR迅速提高。
SR＝(j/P)2.5...(1)此處，“j”是維持電極14a和14b表面的電流密度。
因此，在傳統(tǒng)PDP中，等離子體形成氣體的壓強(qiáng)必須維持在高壓(如300至500托(torr))，并因此使得放電電壓也很高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種等離子體顯示面板(PDP)，在維持其效率的同時(shí)降低放電電壓。
本發(fā)明還提供一種制造該P(yáng)DP的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種等離子體顯示面板，包括在其上顯示圖像的前面板，該前面板包括多個(gè)維持電極、多個(gè)總線電極、覆蓋該多個(gè)維持電極和總線電極的第一介電層、以及保護(hù)層；與前面板隔開并密封地封裝到前面板上的后面板，該后面板包括多條數(shù)據(jù)線、覆蓋該多條數(shù)據(jù)線的第二介電層、阻擋肋、以及熒光層；以及，存在于前與后面板之間的等離子體形成氣體。此處，選自多個(gè)維持電極的第一維持電極和面對(duì)第一維持電極的第二維持電極具有雙重間隙，其允許在不降低放電效率的情況下降低放電電壓，使得可以在低壓下激發(fā)放電，并可以在放電啟動(dòng)后停止低壓放電。
優(yōu)選，第一維持電極包括第一主電極，用于在低電壓下啟動(dòng)放電后維持放電，以及第一輔助電極，整體地連接于第一主電極并用于啟動(dòng)放電。第一輔助電極是具有至少30Ω電阻的電阻元件。優(yōu)選，第二維持電極包括第二主電極，用于在低電壓下啟動(dòng)放電后維持放電，以及第二輔助電極，整體地連接于第二主電極并用于啟動(dòng)放電。第二輔助電極是具有至少30Ω電阻的電阻元件。
優(yōu)選，在其中設(shè)置第一輔助電極的第一凹槽形成在第一主電極中，在其中設(shè)置第二輔助電極的第二凹槽形成在第二主電極中。
優(yōu)選，第一和第二凹槽中的至少一個(gè)靠近阻擋肋。
優(yōu)選，第一和第二凹槽中的至少一個(gè)的入口比其內(nèi)部窄。
優(yōu)選，第一輔助電極包括設(shè)置在第一凹槽內(nèi)的主體和從主體延伸并設(shè)置在第一與第二維持電極間的端部。優(yōu)選，第二輔助電極具有與第一輔助電極相同的結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選，第一輔助電極的端部平行于或垂直于形成在第一維持電極上的總線電極，從而平行于第一維持電極，或具有尖角形狀。優(yōu)選，第二輔助電極的端部平行于或垂直于形成在第二維持電極上的總線電極，從而平行于第二維持電極，或具有尖角形狀。
優(yōu)選，第一和第二凹槽成垂直對(duì)稱或?qū)菍?duì)稱。
優(yōu)選，第一輔助電極是設(shè)置在第一主電極端部、面對(duì)第二維持電極的第一電阻元件。
優(yōu)選，第二輔助電極是設(shè)置在第二主電極端部、面對(duì)第一維持電極的第二電阻元件。
優(yōu)選，第一輔助電極是設(shè)置在第一主電極端部、面對(duì)第二維持電極或第二電阻元件的第一電阻元件。
優(yōu)選，等離子體形成氣體是氖(Ne)和氙(Xe)的混合氣體，并含4至20％的Xe。
優(yōu)選，前面板還包括在第一介電層中形成在第一輔助電極或第一和第二輔助電極之上的溝。第一介電層包括具有不同介電常數(shù)的上、下介電層，且該溝形成為暴露上介電層下面的下介電層。
第一和/或第二凹槽可直接形成在阻擋肋之上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種PDP，包括在其上顯示圖像的前面板，該前面板包括多個(gè)維持電極、多個(gè)總線電極、覆蓋該多個(gè)維持電極和總線電極的第一介電層、以及保護(hù)層；與前面板隔開并密封地封裝到前面板上的后面板，該后面板包括多條數(shù)據(jù)線、覆蓋該多條數(shù)據(jù)線的第二介電層、阻擋肋、以及熒光層；以及，存在于前與后面板之間的等離子體形成氣體。此處，多個(gè)維持電極中的至少一個(gè)包括用于維持放電的主電極和具有高電阻并用于啟動(dòng)放電的輔助電極。輔助電極連接于主電極，使得輔助電極的至少一部分存在于兩個(gè)面對(duì)的維持電極之間。
優(yōu)選，輔助電極連接于主電極的一端，使得整個(gè)輔助電極的至少一部分存在于兩個(gè)面對(duì)的維持電極之間。
凹槽可在第一介電層中，直接在輔助電極上方形成于預(yù)定深度。第一介電層可通過(guò)相繼形成具有不同介電常數(shù)的上、下介電層來(lái)形成，并且該溝形成為暴露上介電層下面的下介電層。
優(yōu)選，其中設(shè)置輔助電極的凹槽形成在主電極中。凹槽可直接形成在阻擋肋之上。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種制造PDP的方法，該P(yáng)DP包括具有前玻璃襯底、多個(gè)維持電極、多個(gè)總線電極、覆蓋該多個(gè)維持電極和總線電極的第一介電層、以及保護(hù)層的前面板；與前面板隔開并密封地封裝到前面板上的后面板，該后面板具有后玻璃襯底、多條數(shù)據(jù)線、覆蓋該多條數(shù)據(jù)線的第二介電層、阻擋肋、以及熒光層；以及，存在于前與后面板之間的等離子體形成氣體。該方法包括形成維持電極使得每個(gè)維持電極以雙重間隙與另一個(gè)維持電極面對(duì)，該雙重間隙使得可以在兩個(gè)面對(duì)的維持電極之間、在不降低放電效率的情況下以低電壓激發(fā)放電，還使得可以在放電啟動(dòng)后停止低壓放電。
優(yōu)選，形成其間具有雙重間隙的維持電極包括形成透明電極材料層，用于在與后玻璃襯底面板相對(duì)的前玻璃襯底的表面上形成維持電極，在透明電極材料層上沉積光致抗蝕劑層，對(duì)光致抗蝕劑層構(gòu)圖使其具有與維持電極相同的圖案，從而形成具有雙重間隙的光致抗蝕劑層圖案，用光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模蝕刻透明電極材料層，以及除去光致抗蝕劑層圖案。
優(yōu)選，兩個(gè)相對(duì)的維持電極中的至少一個(gè)形成為包括主電極，用于在啟動(dòng)放電后維持放電，以及輔助電極，具有高電阻并用于啟動(dòng)放電。整體并同步形成主電極和輔助電極。優(yōu)選，在主電極中形成凹槽，并在凹槽中形成輔助電極。優(yōu)選，在主電極的一端形成輔助電極使得輔助電極設(shè)置在兩個(gè)相對(duì)的維持電極之間。優(yōu)選，輔助電極包括形成在凹槽內(nèi)的主體和從主體延伸到凹槽外從而設(shè)置在兩個(gè)相對(duì)的維持電極之間的端部。該主體在水平平面或豎直平面上交替往復(fù)。優(yōu)選，該端部分別平行于或垂直于形成在兩個(gè)相對(duì)的維持電極上的總線電極或具有尖角形狀。優(yōu)選，凹槽的入口比凹槽內(nèi)部窄。優(yōu)選，兩個(gè)相對(duì)的維持電極的每一個(gè)中都形成了輔助電極，使得對(duì)應(yīng)的兩個(gè)相對(duì)的維持電極中的輔助電極成垂直對(duì)稱或?qū)菍?duì)稱。
優(yōu)選，該方法還包括直接在雙重間隙之上、在第一介電層中形成溝。第一介電層通過(guò)順序堆疊具有不同介電常數(shù)的下介電層和上介電層來(lái)形成，并且該溝形成為暴露上介電層下面的下介電層。
該凹槽可直接形成在阻擋肋之上。
根據(jù)本發(fā)明，可以將PDP中所用的等離子體形成氣體的壓強(qiáng)(分壓)如傳統(tǒng)PDP一樣維持在高壓，而且放電電壓相對(duì)于傳統(tǒng)PDP又可以明顯降低。


通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它的特點(diǎn)以及優(yōu)點(diǎn)將更加明顯易懂，附圖中圖1是傳統(tǒng)等離子體顯示面板(PDP)的透視圖；
圖2是顯示作為圖1所示傳統(tǒng)PDP的元件的維持電極和總線電極的透視圖；圖3是顯示PDP中放電電壓相對(duì)于維持電極之間的間隙和等離子體形成氣體壓強(qiáng)的變化的帕邢曲線圖；圖4是顯示在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP中，具有雙重間隙的維持電極和分別形成在維持電極上的總線電極的透視圖；圖5至12分別是顯示在根據(jù)本發(fā)明第二至第九實(shí)施例的PDP中，具有雙重間隙的維持電極和分別形成在維持電極上的總線電極的平面圖；圖13是顯示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP中，具有雙重間隙的每個(gè)維持電極的電路圖；圖14和15是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的PDP的、包括維持電極和總線電極的上板的特征的橫截面圖；圖16是顯示用于比較傳統(tǒng)技術(shù)與本發(fā)明實(shí)施例的PDP維持電壓-效率特性的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的曲線圖；圖17是顯示用于比較傳統(tǒng)技術(shù)與本發(fā)明實(shí)施例的PDP維持電壓-亮度特性的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的曲線圖；圖18是顯示用于比較傳統(tǒng)技術(shù)與本發(fā)明第九實(shí)施例的PDP維持電壓-效率特性的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的曲線圖；圖19是顯示用于比較傳統(tǒng)技術(shù)與本發(fā)明第九實(shí)施例的PDP維持電壓-亮度特性的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的曲線圖；圖20A是圖1所示傳統(tǒng)PDP的橫截面圖；圖20B是顯示圖20A所示PDP放電前電容分布的等效電路圖；圖20C是顯示圖20A所示PDP開始放電后電容分布的等效電路圖；圖21A是根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的PDP的橫截面圖；圖21B是顯示圖21A所示PDP放電前電容分布的等效電路圖；圖21C是顯示圖21A所示PDP開始放電后電容分布的等效電路圖；圖22和23分別是第一和第二模擬PDP的橫截面，該第一和第二模擬PDP用于考察維持電極間的間隙對(duì)放電電壓的影響的模擬實(shí)驗(yàn)中；圖24和25分別是傳統(tǒng)技術(shù)和本發(fā)明第十實(shí)施例的第三和第四模擬PDP的橫截面圖；以及圖26是制造圖4所示PDP中維持電極的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。附圖中，為了清楚起見放大了層和區(qū)的厚度。
圖3中，附圖標(biāo)記G1表示當(dāng)?shù)入x子體形成氣體由單一成份構(gòu)成時(shí)所得到的第一帕邢曲線，附圖標(biāo)記G2表示當(dāng)?shù)入x子體形成氣體為混合氣體時(shí)所得到的第二帕邢曲線。
參考第一和第二帕邢曲線G1和G2，可見，無(wú)論等離子體形成氣體是混合氣體還是單一氣體，當(dāng)?shù)入x子體形成氣體的壓強(qiáng)P(以下，稱為氣壓P)與維持電極之間的間隙“d”的乘積Pd等于1時(shí)，電壓是最小放電啟動(dòng)電壓(Vf)min。
放電啟動(dòng)電壓Vf由公式(2)得出。
Vf=BPdK+lnPd--------(2)]]>此處，B是常數(shù)，而K由公式(3)得出。
K=ln[Aln(1+1γ)]---------(3)]]>此處，γ是由維持電極的材料決定的二次電子發(fā)射系數(shù)。
最小的Pd值Pdmin和最小放電啟動(dòng)電壓(Vf)min分別由公式(4)和(5)得到。
Pdmin=eAln(1+1γ)-------(4)]]>此處，“e”是自然對(duì)數(shù)，而A是常數(shù)。
(Vf)min=eBAln(1+1γ)-------(5)]]>通常，通過(guò)減小維持電極之間的間隙“d”并提高氣壓P或通過(guò)增加間隙“d”并減小氣壓P來(lái)滿足條件Pd＝1。
在減小維持電極之間的間隙“d”并提高氣壓P時(shí)，根據(jù)公式(1)，由于氣壓P高而可以減小保護(hù)層(如，MgO層)表面的濺射速率(SR)，但是亮度或效率會(huì)因?yàn)榫S持電極之間的間隙“d”減小而迅速下降。
相反，在增加間隙“d”并減小氣壓P時(shí)，由于維持電極之間的間隙“d”很寬而可以克服上述情況下發(fā)生的問(wèn)題，但由于氣壓P低而使保護(hù)層表面處的SR迅速升高。
因此，在傳統(tǒng)PDP中，為了降低保護(hù)層表面處的SR，氣壓P設(shè)得很高，且維持電極之間的間隙“d”設(shè)為合適的值，以免亮度或效率過(guò)分下降。結(jié)果，Pd值大于1。例如，Pd值為3到4。然而，當(dāng)Pd值大于1時(shí)，放電啟動(dòng)電壓大于最小放電啟動(dòng)電壓(Vf)min，如圖3所示。
因此，為了降低保護(hù)層表面處的SR，本發(fā)明提供了包括一種維持電極的PDP，該維持電極通過(guò)提高氣壓P并減小維持電極之間的間隙“d”來(lái)減輕維持電極之間的間隙“d”減小時(shí)發(fā)生的問(wèn)題，并保持Pd值接近1。
由于根據(jù)本發(fā)明的PDP以維持電極為特征，本發(fā)明的描述集中于維持電極，并且將公開能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的各種有所調(diào)整的維持電極。
下面將參考圖4詳細(xì)介紹根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP中所用的維持電極。圖4是一種結(jié)構(gòu)的透視圖，其中根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP中維持電極與總線電極組合起來(lái)，該結(jié)構(gòu)是從前玻璃襯底的下方觀察。
圖4中，附圖標(biāo)記40和42分別表示用于在啟動(dòng)放電后維持放電的第一和第二維持電極。第一與第二維持電極40與42之間存在預(yù)定間隙g2。附圖標(biāo)記44和46分別表示互相平行地形成在各個(gè)第一和第二維持電極40和42上的第一和第二總線電極。第一和第二總線電極44和46平行于對(duì)應(yīng)的第一和第二維持電極40和42。在第一維持電極40中形成預(yù)定深度的第一凹槽48，并在第二維持電極42中形成預(yù)定深度的第二凹槽50。第一和第二凹槽48和50彼此相對(duì)并且優(yōu)選具有相同的深度。然而，第一和第二凹槽48和50的深度也可以不同。例如，如圖4所示，第一凹槽48從第一維持電極42底部到第一總線電極44的正下方形成，而第二凹槽50可以從第二維持電極42底部到第二維持電極42底部與第二總線電極46之間的特定位置形成。在第一凹槽48中形成第一電阻元件，并在第二凹槽50中形成第二電阻元件。第一電阻元件由主體52a和端部52b組成，主體52a的一端連接于第一凹槽48的底部而其另一端延伸到第一凹槽48外，端部52b連接于主體52a的另一端。第一電阻元件的主體52a沿著水平平面或垂直平面交替往復(fù)。第一電阻元件是第一維持電極40的一部分并且與其一起整體形成。第一電阻元件平行于第一維持電極40形成。第一電阻元件連接于第一凹槽48底部并朝著第二維持電極42延伸至第一維持電極40外，第一電阻元件與第一凹槽48兩側(cè)相隔預(yù)定距離。因此，第一電阻元件的端部52b設(shè)置在第一與第二維持電極40與42之間。結(jié)果，第一電阻元件比第一維持電極40更靠近第二維持電極42。在第一維持電極40中形成第一凹槽48的同時(shí)形成第一電阻元件，因此，主體52a與第一維持電極40平行。同樣原因，第一電阻元件的端部52b平行于第一維持電極40。然而，端部52b與主體52a垂直連接并因此平行于第一凹槽48的底部或第一維持電極40與第二維持電極42相對(duì)的一側(cè)。端部52b具有預(yù)定長(zhǎng)度。優(yōu)選，第一電阻元件由與第一維持電極40相同的材料制成。然而，必要時(shí)，第一電阻元件也可以由不同于第一維持電極40的材料制成。
在第二凹槽50中形成的第二電阻元件的結(jié)構(gòu)和細(xì)節(jié)與第一電阻元件的相同，因而不詳細(xì)描述。
正如第一電阻元件，第二電阻元件由主體54a和端部54b組成。第二電阻元件的端部54b設(shè)置在第一與第二維持電極40與42之間并平行于第一電阻元件的端部52b。如圖4所示，由于端部52b和54b設(shè)置在第一與第二維持電極40與42之間，端部52b與54b之間的間隙g3小于第一與第二維持電極40與42之間的間隙g2(g3＜g2)。因此，在第一與第二維持電極40與42之間存在雙重間隙。
如上所述，由于第一與第二電阻元件之間的間隙g3小于第一與第二維持電極40與42之間的間隙g2，根據(jù)本發(fā)明的PDP中的放電啟動(dòng)電壓與傳統(tǒng)PDP相比降低了。由于第一和第二電阻元件具有比第一和第二維持電極40和42高得多的電阻，啟動(dòng)放電后的一瞬間，主要通過(guò)除第一和第二電阻元件之外的第一和第二維持電極40和42提供電流。結(jié)果，在第一與第二電阻元件之間啟動(dòng)的放電就在第一與第二維持電極40與42之間蔓延。在第一與第二維持電極40與42之間蔓延的放電維持在與放電啟動(dòng)電壓相等的電壓。當(dāng)使用壁電荷時(shí)，可以保持維持電壓低于放電啟動(dòng)電壓。
為了證實(shí)在給PDP提供圖4所示的第一和第二維持電極40和42時(shí)放電啟動(dòng)電壓會(huì)降低的理論，進(jìn)行了以下兩種情況下的模擬實(shí)驗(yàn)。下面，將詳細(xì)介紹該模擬實(shí)驗(yàn)。
優(yōu)選，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP中Ne和Xe混合氣體中Xe的百分比為4至22％。
下面的描述涉及用于根據(jù)本發(fā)明第二至第九實(shí)施例具有上述特征的PDP中的維持電極。
盡管根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP中的維持電極40和42是以圖4中三維的形式進(jìn)行說(shuō)明的，但根據(jù)本發(fā)明第二至第九實(shí)施例的PDP中的維持電極以二維的形式進(jìn)行描述，即在平面上說(shuō)明。根據(jù)本發(fā)明第二至第九實(shí)施例的PDP中的維持電極以圖4所示的第一實(shí)施例的PDP中的維持電極40和42為基礎(chǔ)。盡管第二至第九實(shí)施例中的維持電極顯示在平面上，可以參考圖4容易地推斷得到其三維形狀。
在圖4至11中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。
參考圖5，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP中所用的第一和第二維持電極40和42分別包括處于第一凹槽48中的第三電阻元件和處于第二凹槽50中的第四電阻元件。第三電阻元件由主體60a和延伸到第一凹槽48外的端部60b組成。第四電阻元件也由主體62a和端部62b組成。
比較圖4和圖5，各個(gè)第三和第四電阻元件的主體60a和62a與第一電阻元件的主體52a相同，但各個(gè)第三和第四電阻元件的端部60b和62b不同于第一電阻元件的端部52b。
具體而言，在第一與第二維持電極40與42之間，第三電阻元件的端部60b平行于第四電阻元件的端部62b。然而，沿著垂直于各個(gè)第一和第二電阻元件的端部52b和54b的方向，端部60b和62b互相平行，因此，端部60b和62b平行于第一和第二凹槽48和50的側(cè)面。另外，第三電阻元件的端部60b設(shè)置在第一凹槽48的一側(cè)上，而第四電阻元件的端部62b設(shè)置在第一凹槽48的另一側(cè)上，因此，端部60b和62b彼此相對(duì)。端部60b和62b具有預(yù)定長(zhǎng)度，該預(yù)定長(zhǎng)度優(yōu)選小于第一與第二維持電極40與42之間的間隙g2。另外，優(yōu)選第三電阻元件的端部60b盡量靠近第二維持電極42。例如，第三電阻元件的端部60b的長(zhǎng)度是20μ到小于第一與第二維持電極40與42之間的間隙g2的長(zhǎng)度。還優(yōu)選第四電阻元件的端部62b盡量靠近第一維持電極40。更加優(yōu)選的是端部60b與62b之間的水平間隙小于第一與第二維持電極40與42之間的間隙g2。
參考圖6，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP中所用的第一和第二維持電極40和42分別包括處于第一凹槽48中的第五電阻元件和處于第二凹槽50中的第六電阻元件。第五電阻元件由主體64a和延伸到第一凹槽48外的端部組成。第六電阻元件也由主體66a和延伸到第二凹槽50外的端部組成。各個(gè)第五和第六電阻元件的主體64a和66a與第一電阻元件的主體52a相同。第五電阻元件的端部由水平部分64c和突起64b組成，水平部分64c垂直連接于主體64a并平行于第一凹槽48的底部，突起64b成面對(duì)第六電阻元件的尖角狀。
與第一至第四電阻元件相似，在第一維持電極40中形成第一凹槽48的同時(shí)形成第五電阻元件，因此，一體地形成主體64、水平部分64c和突起64b。但是，為了清楚起見，這些在圖6中區(qū)別示出。
各個(gè)第五和第六電阻元件的端部垂直對(duì)稱。第六電阻元件的水平部分66c對(duì)應(yīng)于第五電阻元件的水平部分64c，而突起66b對(duì)應(yīng)于突起64b。突起64b和突起66b之間存在預(yù)定的間隙g4。優(yōu)選突起64b與66b之間的間隙g4小于第一與第二維持電極40與42之間的間隙g2。例如，間隙g4優(yōu)選為約20μm并且適合為約40μm。
參考圖7，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP中所用的第一和第二維持電極40和42分別在一側(cè)上而不是如第一至第三實(shí)施例那樣在中間包括第一和第二凹槽48和50。
具體而言，在圖7中，附圖標(biāo)記80和82表示在后玻璃襯底(圖1中的12)上形成并在像素內(nèi)限定一個(gè)單元的第一和第二阻擋肋。分別包括在第一和第二維持電極40和42中的第一和第二凹槽48和50位于第一阻擋肋80附近。第七電阻元件與第一維持電極40整體形成在第一凹槽48中，而第八電阻元件與第二維持電極42整體形成在第二凹槽50中。第七和第八電阻元件分別與第一和第二電阻元件相同。因此，第七電阻元件的主體68a和端部68b對(duì)應(yīng)于第一電阻元件的主體52a和端部52b，第八電阻元件的主體70a和端部70b對(duì)應(yīng)于第二電阻元件的主體54a和端部54b。
參考圖8，與第四實(shí)施例類似，根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的PDP中所用的第一和第二維持電極40和42分別包括靠近第一阻擋肋80的第一和第二凹槽48和50。分別在第一和第二凹槽48和50中形成第九和第十電阻元件76和78。第九和第十電阻元件76和78分別與第二實(shí)施例中所述的第三和第四電阻元件相同。第五實(shí)施例的其它特征與第四實(shí)施例的相同。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的PDP中所用的第三和第四維持電極90和92。參考圖9，第三和第四維持電極90和92不同于上述第一和第二維持電極40和42。
具體而言，第三維持電極90由成倒T形的主體90a和突起90b組成。主體90a在第一與第二阻擋肋80與82之間具有預(yù)定寬度w1，從而在主體90a與第一和第二阻擋肋80和82的每一個(gè)之間都存在足夠在其中形成電阻元件的間隔。突起90b從與第四維持電極92相對(duì)的主體90a端部以相反的方向延伸，平行于第一總線電極44。突起90b與第一和第二阻擋肋80和82中的每一個(gè)都相隔預(yù)定間隙w2，w2小于主體與第一和第二阻擋肋80和82中的每一個(gè)之間的間隔w3。第四維持電極92面對(duì)第三維持電極90形成。第三與第四維持電極90與92之間存在預(yù)定間隙g2。第四維持電極92由成T形的主體92a和突起92b組成。第三和第四維持電極90和92垂直對(duì)稱。因此，第四維持電極92主體92a的寬度等于第三維持電極90主體90a的寬度w1。主體92a與第一和第二阻擋肋80和82中的每一個(gè)之間的間隙等于主體90a與第一和第二阻擋肋80和82中的每一個(gè)之間的間隙w3。另外，第四維持電極92的突起92b與第一和第二阻擋肋80和82中的每一個(gè)之間的間隙等于第三維持電極90的突起90b與第一和第二阻擋肋80和82中的每一個(gè)之間的間隙w2。第十一電阻元件94由主體94a和端部94b組成，并且與第三維持電極90一起整體形成在第三維持電極90與第一阻擋肋80之間。第十二電阻元件96由主體96a和端部96b組成，并且與第四維持電極92一起整體形成在第四維持電極92與第一阻擋肋80之間。第十一電阻元件94可以設(shè)置在第三維持電極90與第二阻擋肋82之間。第十二電阻元件96可以設(shè)置在第四維持電極92與第二阻擋肋82之間。第十一電阻元件94的主體94a設(shè)置在第三維持電極90的主體90a與第一阻擋肋80之間。第十一電阻元件94的端部94b從主體94a延伸出來(lái)，穿過(guò)第一阻擋肋80與第三維持電極90的突起90b之間的間隔并在第三與第四維持電極90與92之間延伸。端部94b平行于第三維持電極90的突起90b。第十一和十二電阻元件94和96垂直對(duì)稱。因此，在第三與第四維持電極90與92之間，第十二電阻元件96的端部96b平行于第十一電阻元件94的端部94b。結(jié)果，第十一電阻元件的端部94b與第十二電阻元件的端部96b之間的間隙g4小于第三與第四維持電極之間的間隙g2。
參考圖10，在根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的PDP中，第三和第四維持電極90和92用作主電極，第十三和十四電阻元件100和102用作輔助電極。第十三電阻元件100由主體100a和端部100b組成，并且與第三維持電極90一起整體形成在第一阻擋肋80與第三維持電極90之間。第十四電阻元件102由主體102a和端部102b組成，并且與第四維持電極92一起整體形成在第二阻擋肋82與第四維持電極92之間。第十三電阻元件100的主體100a在水平平面或垂直平面內(nèi)交替往復(fù)并平行于第三維持電極90。主體100a的一端連接于第三維持電極90。第十三電阻元件100的端部100b從主體100a的另一端延伸出來(lái)，穿過(guò)第三維持電極90的突起90b與第一阻擋肋80之間的間隔并在第三與第四維持電極90與92之間延伸。第十三電阻元件100的端部100b平行于第三維持電極90面對(duì)第四維持電極92的一側(cè)。優(yōu)選端部100b的長(zhǎng)度等于第三維持電極90面對(duì)第四維持電極92一側(cè)的長(zhǎng)度。第十四電阻元件102的主體102a在水平平面或垂直平面內(nèi)交替往復(fù)并平行于第四維持電極92。主體102a的一端連接于第四維持電極92。第十四電阻元件102的端部102b從主體102a的另一端延伸出來(lái)，穿過(guò)第四維持電極92的突起92b與第二阻擋肋82之間的間隔并在第三與第四維持電極90與92之間延伸。第十四電阻元件102可以設(shè)置在第四維持電極92與第一阻擋肋80之間。優(yōu)選第十四電阻元件102主體102a的形狀與第十三電阻元件100主體100a的形狀相同，但也可以不同。第十四電阻元件102的端部102b平行于第十三電阻元件100的端部100b。由于對(duì)應(yīng)第十三和十四電阻元件100和102的端部100b和102b存在于第三與第四維持電極90與92之間，因而兩個(gè)端部100b與102b之間的間隙g5小于第三與第四維持電極90與92之間的間隙g2。
參考圖11，在根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的PDP中，第十五和十六電阻元件114和116分別設(shè)置在第五和第六維持電極110和112的中心，使得第五和第六維持電極110和112分別包圍第十五和十六電阻元件114和116。
具體而言，在第五維持電極110中心形成第三凹槽110a，并在第六維持電極112中心形成第四凹槽112a。對(duì)應(yīng)第三和第四凹槽110a和112a的入口110b和112b比第三和第四凹槽110a和112a狹窄。第十五和十六電阻元件114和116分別存在于第三和第四凹槽110a和112a內(nèi)。第十五電阻元件114由主體114a和延伸到第三凹槽110a外的端部114b組成。第十六電阻元件116由主體116a和延伸到第四凹槽112a外的端部116b組成。在第五與第六維持電極110與112之間，端部114b和116b互相平行，并且平行于第五和第六維持電極110和112。由于端部114b和116b存在第五與第六維持電極110與112之間，第五和第六維持電極110和112由與第一與第二維持電極40與42之間的間隔g2相等的間隔分開，因此，端部114b與116b之間的間隔g6小于第五與第六維持電極110與112之間的間隔g2。
參考圖12，根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的PDP包括作為主電極的第七和第八維持電極150和152，其間具有預(yù)定間隙的間隔并互相平行。第七維持電極150包括第一總線電極44，而第八維持電極152包括第二總線電極46。第七維持電極150還包括作為輔助電極的多個(gè)第十七電阻元件154。第八維持電極152也包括與第十七電阻元件154數(shù)量相等的第十八電阻元件156作為輔助電極。在第七和第八維持電極的每一個(gè)中的電阻元件154或156之間的間隙比第十七電阻元件154與相應(yīng)的第十八電阻元件156之間的間隙寬得多。第十七與十八電阻元件154與156之間的間隙比第七與第八維持電極150與152之間的間隙窄。第七維持電極150包括其中分別設(shè)置了第十七電阻元件154以連接第五凹槽150a底部的第五凹槽150a。類似地，第八維持電極152包括其中分別設(shè)置了第十八電阻元件156以連接第六凹槽152a底部的第六凹槽152a。第十七和十八電阻元件154和156中的每一個(gè)包括具有預(yù)定長(zhǎng)度的水平部分和具有預(yù)定長(zhǎng)度的豎直部分。每個(gè)第十七電阻元件154的水平部分平行于相應(yīng)的第十八電阻元件156的水平部分。第十七與十八電阻元件154與156之間的間隙相應(yīng)于第十七與十八電阻元件154與156的水平部分之間的間隙。在電阻元件154和156的每一個(gè)中，豎直部分的一端連接于水平部分中心，而豎直部分的另一端連接于相應(yīng)凹槽的底部。對(duì)應(yīng)第十七和十八電阻元件154和156的水平部分從第七和第八維持電極150和152的端部突起預(yù)定厚度。在第五和第六凹槽150a和152a的內(nèi)壁中存在級(jí)差(step difference)。由于第五和第六凹槽150a和152a的入口處寬度大于其內(nèi)部的寬度而產(chǎn)生這種級(jí)差。第五和第六凹槽150a和152a的入口處寬度大于其內(nèi)部的寬度是由于第十七和十八電阻元件154和156水平部分的長(zhǎng)度大于第五和第六凹槽150a和152a內(nèi)部直徑。第十七和十八電阻元件154和156的豎直部分與第五和第六凹槽150a和152a的內(nèi)壁隔開。具有上述特征的第十七和十八電阻元件154和156相應(yīng)地面對(duì)第七和第八維持電極150和152的第一至第三阻擋肋80、82和84。換言之，第十七和十八電阻元件154和156直接形成在第一至第三阻擋肋80、82和84上方。
在上述實(shí)施例中，優(yōu)選主電極與輔助電極之間的間隙為15μm或更小。
雖然上述本發(fā)明實(shí)施例中的各個(gè)維持電極的形狀不同，但可以用等效電路代表該維持電極，如圖13所示。在圖13中，第一電阻R1表示上述電阻元件的電阻，而第二電阻R2表示第一至第六維持電極40、42、90、92、110和112的電阻。附圖標(biāo)記It表示施加放電啟動(dòng)電壓Vs時(shí)提供給包括電阻元件的維持電極的總電流。附圖標(biāo)記I1表示流過(guò)第一電阻R1的電流，而I2表示流過(guò)第二電阻R2的電流。
參考圖4，其示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP中所用的第一和第二維持電極40和42，第一或第二電阻元件對(duì)應(yīng)于圖13所示等效電路中的第一電阻R1，而第一或第二維持電極40或42對(duì)應(yīng)于圖13中的第二電阻R2。
圖13所示的電流I1和I2分別可以用公式(6)和(7)表示。
I1=R2R1+R2It----------(6)]]>I2=R1R1+R2It---------(7)]]>因此，在給出適當(dāng)?shù)牡谝缓偷诙娮鑂1和R2值時(shí)，可以用公式(6)和(7)得到分別流過(guò)第一和第二電阻R1和R2的電流I1和I2。
例如，當(dāng)?shù)谝浑娮鑂1是1kΩ而第二電阻R2是30Ω時(shí)，根據(jù)公式(6)，流過(guò)第一電阻R1的電流I1是[30/(1000+30)]It，根據(jù)公式(7)，流過(guò)第二電阻R2的電流I2是[1000/(1000+30)]It。因此，流過(guò)第一電阻R1的電流I1與流過(guò)第二電阻R2的電流I2的比是3∶100。因而可以作這種推論流過(guò)遠(yuǎn)大于第二電阻R2的第一電阻R1的電流I1比流過(guò)第二電阻R2的電流I2小得多。
同樣，將該結(jié)論用于本發(fā)明。換言之，由于不同電阻元件的電阻遠(yuǎn)大于第一至第八維持電極的電阻，所以，流過(guò)不同電阻元件的電流遠(yuǎn)小于流過(guò)第一至第八維持電極的電流。
因此，在低壓下用電阻元件啟動(dòng)放電后，電阻元件中嚴(yán)格限制電流流過(guò)，并且絕大部分電流流過(guò)電阻遠(yuǎn)小于電阻元件的維持電極。
已經(jīng)介紹過(guò)分別在第一至第八維持電極中設(shè)置電阻元件。然而，當(dāng)考慮到第一至第八維持電極和電阻元件的功能時(shí)，第一至第八維持電極可以看作第一至第八主電極，而第一至第十八電阻元件可以看作第一至第十八輔助電極。這種情況下，根據(jù)本發(fā)明的維持電極由主電極和輔助電極組成。
下面的介紹涉及根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的PDP。根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的PDP不同于根據(jù)本發(fā)明第一至第九實(shí)施例的PDP，在于PDP的上板上形成了溝。
參考圖14，第九和第十維持電極160和162在前玻璃襯底10上以預(yù)定間隙隔開，互相平行。第九和第十維持電極160和162是主電極，并等效于根據(jù)本發(fā)明第一至第九實(shí)施例的PDP中所包括的維持電極。分別在第九和第十維持電極160和162上形成第三和第四總線電極164和166。第三和第四總線電極164和166分別與第一和第二總線電極44和46在相同的位置形成并具有同樣的功能。附圖標(biāo)記160a和162a分別表示代表第九和第十維持電極160和162中設(shè)置的第十九和第二十電阻元件的輔助電極。第十九和第二十電阻元件160a和162a等效于根據(jù)本發(fā)明第一至第九實(shí)施例的PDP的每一個(gè)中包括的電阻元件。因此，示意性地說(shuō)明第十九和第二十電阻元件160a和162a的形狀。
在前玻璃襯底10上形成預(yù)定厚度的介電層168，從而用介電層168覆蓋第九和第十維持電極160和162、第三和第四總線電極164和166、以及第十九和第二十電阻元件160a和162a。優(yōu)選，介電層168透過(guò)入射光。在介電層168中形成預(yù)定深度的第一溝GR1。優(yōu)選，第一溝GR1直接形成在第十九和第二十電阻元件160a和162a上。優(yōu)選，第一溝GR1形成得盡量深但不暴露第十九和第二十電阻元件160a和162a。換言之，優(yōu)選，最小化第一溝GR1底部與第十九和第二十電阻元件160a和162a之間的間隙。
在介電層168中形成第一溝GR1時(shí)，第一溝GR1中可以存在放電氣體。因此，放電氣體與第十九和第二十電阻元件160a和162a之間的間隙很窄，使得與未在介電層168中形成第一溝GR1的情況相比放電電壓減小了。換言之，由于第一溝GR1中的氣體比介電層168的介電常數(shù)小，第一溝GR1中的電場(chǎng)強(qiáng)度大于其它部分。因此，與在其它部分中相比，在第一溝GR1中可以以更低的放電電壓來(lái)激發(fā)放電。由于PDP中的壓強(qiáng)和放電氣體不變，因而發(fā)光效率也不會(huì)降低。
在介電層168上形成保護(hù)層170(由MgO制成)覆蓋第一溝GR1表面。
介電層168優(yōu)選包括單層，但也可以包括多層。例如，如圖15所示，透光介電層168可以包括第一介電層172和第二介電層174。優(yōu)選，第一和第二介電層172和174是透明的。即使是在介電層168包括第一和第二介電層172和174時(shí)，也可以在介電層168中形成第二溝GR2，如圖15所示。優(yōu)選，第二溝GR2在與第一溝GR1同樣的位置形成。另外，優(yōu)選第二溝GR2穿透第二介電層174并暴露第一介電層172。優(yōu)選第一介電層172的暴露部分盡量薄，但不暴露第十九和第二十電阻元件160a和162a。在第二介電層174上形成保護(hù)層170以覆蓋第二溝GR2的表面。優(yōu)選，保護(hù)層170由MgO制成，但保護(hù)層170也可以由功能與MgO相同的另一種材料制成。
為證實(shí)根據(jù)本發(fā)明的PDP對(duì)傳統(tǒng)PDP的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果示于圖16至19。
在實(shí)驗(yàn)中，采用了圖11所示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的PDP(以下，稱第一PDP)、圖12所示根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的PDP(以下，稱第二PDP)和圖1所示傳統(tǒng)PDP(以下，稱第三PDP)。使用Ne和Xe混合氣體作為放電氣體。
為了比較第一至第三PDP的特性，測(cè)得了第一至第三PDP的維持電壓-效率特性(以下，稱第一特性)和維持電壓-亮度特性(以下，稱第二特性)。
圖16示出第一和第三PDP的第一特性測(cè)量結(jié)果。圖17示出第一和第三PDP的第二特性測(cè)量結(jié)果。
在圖16和17中，“▲”和“◆”分別表示第一PDP中Xe對(duì)放電氣體的比為12％和10％時(shí)的情況，而“■”表示第三PDP中Xe對(duì)放電氣體的比為10％時(shí)的情況。
參考圖16，放電啟動(dòng)電壓在第三PDP中為195V而在放電氣體中包括10％Xe的第一PDP中為175V。換言之，第一PDP中的放電啟動(dòng)電壓比第三PDP中的低10％以上。
同時(shí)，為了測(cè)量第一和第三PDP在穩(wěn)定放電狀態(tài)下的第一特性，在第三PDP中將維持電壓保持在比放電啟動(dòng)電壓高約10V的205V，同時(shí)測(cè)量第三PDP的效率(Im/W)，并將第一PDP中的Xe比例提高到12％，隨后在202.5V的維持電壓下測(cè)量第一PDP的效率。第三PDP的效率為1.210Im/W，而Xe比例為12％的第一PDP的效率是1.722Im/W。換言之，第一PDP的效率比第三PDP的高大約42％。
參考圖17，當(dāng)?shù)谝籔DP中Xe的比例為12％時(shí)，第一和第三PDP的第二特性之間沒有很大的差別。然而，當(dāng)?shù)谝籔DP中Xe的比例為10％時(shí)，第一PDP的亮度低于第三PDP的亮度。
從圖16和17所示的結(jié)果可以推段，第一PDP的第一特性相對(duì)于第三PDP可以提高，第一PDP的第二特性保持在第三PDP的水平。
以下的說(shuō)明涉及第二和第三PDP的第一和第二特性的測(cè)量結(jié)果。在測(cè)量實(shí)驗(yàn)中，第二和第三PDP中諸如放電氣體類型、放電氣體混合比、內(nèi)部壓強(qiáng)、占空比和熒光層的類型的內(nèi)部條件都相同。
圖18示出第二和第三PDP的第一特性測(cè)量結(jié)果。圖19示出第二和第三PDP的第二特性測(cè)量結(jié)果。
在圖18中，“▲”表示第二PDP的第一特性測(cè)量結(jié)果，而“◆”表示第三PDP的第一特性測(cè)量結(jié)果。在圖19中，“▲”表示第二PDP的第二特性測(cè)量結(jié)果，而“◆”表示第三PDP的第二特性測(cè)量結(jié)果。
參考圖18，第二PDP中放電啟動(dòng)電壓為205V而第三PDP中為218V。啟動(dòng)放電后，在第二與第三PDP之間，發(fā)光效率沒有很大的差別。然而，在比第三PDP低的維持電壓下，第二PDP的最大發(fā)光效率比第三PDP的高。
參考圖19，第二PDP中，亮度在可視區(qū)開始出現(xiàn)的放電啟動(dòng)電壓比第三PDP中的小得多。從圖19所示曲線可以推出，第三PDP的亮度高于第二PDP的。然而，也可推出第二PDP的亮度可以為用戶提供滿意的圖像。
如上所述，當(dāng)綜合考慮第二和第三PDP的第二特性時(shí)，可以得出第二PDP的第二特性優(yōu)于第三PDP的第二特性的結(jié)論。
隨后的說(shuō)明涉及根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例、在上介電層中有溝的PDP的功耗和第三PDP的功耗。
圖20A是第三PDP的橫截面圖，而圖21A是對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的PDP(以下，稱第四PDP)的PDP橫截面圖。
在圖21A中，附圖標(biāo)記E1和E2分別表示形成在面對(duì)后玻璃襯底12的前玻璃襯底10上的第一和第二電極。第一和第二電極E1和E2中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于上述本發(fā)明第一至第十實(shí)施例的每一個(gè)中包括主電極和輔助電極的電極。附圖標(biāo)記180表示覆蓋第一和第二電極E1和E2并具有預(yù)定深度的第一或第二溝GR1或GR2的介電層。附圖標(biāo)記182表示覆蓋介電層180整個(gè)表面的保護(hù)層。
參考圖20A和21A，第三PDP中第一與第二維持電極14a與14b之間和第四PDP中第一與第二電極E1與E2之間存在介電層。因此，在第三和第四PDP中每一個(gè)的上板中可以存在寄生電容。然而，由于第三PDP的上板結(jié)構(gòu)與第四PDP的不同，所以第三PDP上板中寄生電容的分布不同于第四PDP上板中寄生電容的分布。因此，第三PDP的位移電流不同于第四PDP的，且因此，第三PDP的功耗不同于第四PDP的功耗。
具體而言，圖20B和20C是顯示放電啟動(dòng)之前和之后第三PDP上板中寄生電容分布的等效電路圖。在圖20B和20C中，Cp表示包括第一和第二維持電極14a和14b及存在于第一與第二維持電極14a與14b之間的介電層18的電容器的電容(以下，稱第一電容)。Cd表示包括第一和第二維持電極14a和14b、保護(hù)層20和存在于第一和第二維持電極14a和14b以及保護(hù)層20之間的介電層18的電容器的電容(以下，稱第二電容)。Cg表示包括第一和第二維持電極14a和14b、存在于第一與第二維持電極14a與14b之間的介電層18、以及放電區(qū)域中的氣體的電容器的電容(以下，稱第三電容)。
參考圖20B，放電啟動(dòng)前存在第一至第三電容Cp、Cd和Cg。然而，在啟動(dòng)放電時(shí)，放電區(qū)域中的氣體具有導(dǎo)電性，因此放電區(qū)域中的氣體介電層消失。結(jié)果，如圖20C所示，啟動(dòng)放電時(shí)第三電容Cg消失。即使在放電啟動(dòng)后，第一和第二電容也不變。
圖21B和21C示出啟動(dòng)放電前后，第四PDP上板中寄生電容的分布。Cps表示包括第一和第二電極E1和E2、形成在第一或第二溝GR1或GR2側(cè)壁上的保護(hù)層182、以及介電層180的電容器的電容(以下，稱第四電容)，其中，其中介電層180形成在第一和第二電極E1和E2以及形成在第一或第二溝GR1或GR2的側(cè)壁上的保護(hù)層182之間。Cpo表示包括形成在第一或第二溝GR1或GR2側(cè)壁上的保護(hù)層182和存在于溝中的放電氣體的電容器的電容(以下，稱第五電容)。第四電容Cps存在于第一或第二溝GR1或GR2的兩側(cè)，并且因此總共存在兩個(gè)第四電容Cps。
啟動(dòng)放電前，如圖21B所示，第四PDP上板中存在第二至第五電容。啟動(dòng)放電后，第一或第二溝GR1或GR2中的放電氣體具有導(dǎo)電性，因此第一或第二溝GR1或GR2中的氣體介電層消失。結(jié)果，啟動(dòng)放電后，第五電容Cpo從第四PDP的上板消失。
參考圖20B和21B，啟動(dòng)放電前，第三PDP中的第一電容Cp相應(yīng)于第四PDP中串聯(lián)連接的第四和第五電容Cps和Cpo。因此，第四PDP中的第四和第五電容Cps和Cpo之和小于第三PDP中的第一電容Cp，如公式(8)所示。
Cp>Cpo+CpsCpo×Cps----------(8)]]>由于位移電流與電容成比例，所以，啟動(dòng)放電前，在第四PDP中第一與第二電極E1與E2之間引起的位移電流小于在第三PDP中第一與第二維持電極14a與14b之間引起的位移電流。
與位移電流fCV成比例的功耗W用公式(9)表示。
W＝fCV2...(9)此處，“f”表示交流(AC)電壓頻率，C表示電容，而V表示AC電壓。
如上所述，第四PDP中寄生電容器的電容或位移電流fCV小于第三PDP中寄生電容器的。因此，從公式(9)可以推出，第四PDP的功耗小于第三PDP的。
實(shí)施第一模擬實(shí)驗(yàn)來(lái)觀察在維持電極中存在或不存在作為輔助電極的電阻元件時(shí)，放電啟動(dòng)電壓的變化。實(shí)施第二模擬實(shí)驗(yàn)來(lái)觀察形成在上介電層中的溝與放電啟動(dòng)電壓之間的關(guān)系。
在第一模擬實(shí)驗(yàn)中，圖22所示的第一模擬PDP用作傳統(tǒng)PDP，而圖23所示的第二模擬PDP用作根據(jù)本發(fā)明包括具有電阻元件的維持電極的PDP。
在圖22中，附圖標(biāo)記194和196分別表示以第一距離D1彼此隔開的維持電極。附圖標(biāo)記190表示其一個(gè)表面上形成了維持電極194和196的上介電層。保護(hù)層198形成在上介電層190相對(duì)的表面上。形成下介電層192，使其與保護(hù)層198隔開與PDP的放電間隔相應(yīng)的距離。在面對(duì)保護(hù)層198的下介電層192表面上形成熒光層200。
圖23所示的第二模擬PDP具有與圖22所示第一模擬PDP相同的結(jié)構(gòu)，除了第二模擬PDP中維持電極200和202互相隔開的第二距離D2小于第一模擬PDP中維持電極194和196互相隔開的第一距離D1。第二距離D2對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明第一至第十實(shí)施例的每一個(gè)PDP中分別包括在不同的維持電極中的電阻元件之間的間隙。
在第一模擬實(shí)驗(yàn)中，上、下介電層190和192的厚度是30μm，并且圖22和23所示的第一和第二模擬PDP中采用了介電常數(shù)為12的介電材料。維持電極194、196、200和202的寬度為320μm。第一距離D1是80μm，第二距離D2是20μm。施加給每個(gè)維持電極194、196、200和202的電壓脈沖寬度為5μs。另外，第一和第二模擬PDP采用Ne和Xe混合氣體作為放電氣體，并且Xe比例從5％變到10％和30％。壓強(qiáng)維持在505托。
表1示出第一和第二模擬PDP中測(cè)得的放電啟動(dòng)電壓結(jié)果。
表1 參考表1，無(wú)論Xe的比例如何，第二模擬PDP中的放電啟動(dòng)電壓都低于第一模擬PDP中的放電啟動(dòng)電壓。此結(jié)果意味著，當(dāng)維持電極包括根據(jù)本發(fā)明包括電阻元件時(shí)，可以在低于傳統(tǒng)PDP的電壓下激發(fā)放電。還意味著，當(dāng)?shù)诙MPDP的放電啟動(dòng)電壓等于第一模擬PDP的時(shí)，第二模擬PDP中Xe比例可以提高到高于第一模擬PDP中的。
Xe比例增大時(shí)，發(fā)光效率也提高了。因此，使用相同的放電啟動(dòng)電壓時(shí)，第二模擬PDP的發(fā)光效率高于第一模擬PDP的。
在第二模擬實(shí)驗(yàn)中，圖24所示的第三模擬PDP用作傳統(tǒng)的PDP，而圖25所示的第四模擬PDP用作根據(jù)本發(fā)明在覆蓋維持電極的介電層中形成包括電阻元件和溝的維持電極的PDP。在圖22至25中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
如圖24所示，第三模擬PDP與第一模擬PDP相同，因此，省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
圖25所示的第四模擬PDP包括上介電層一個(gè)表面上的兩個(gè)維持電極204和206。兩個(gè)維持電極204和206互相隔開第二距離D2(圖23)。在兩個(gè)維持電極204與206之間的上介電層190中形成溝208。保護(hù)層198形成在上介電層190的相對(duì)表面上以覆蓋溝208的整個(gè)表面。第四模擬PDP的其它部分與第二模擬PDP的相同。
在第二模擬實(shí)驗(yàn)中，第三和第四模擬PDP中上、下介電層190和192的厚度、介電材料、維持電極194、196、204和206的寬度、施加給維持電極194、196、204和206的電壓脈沖寬度、放電氣體、以及放電氣體中Xe的比例都相同。Xe比例從5％變到10％和30％。壓強(qiáng)維持在505托。
表2示出在第三和第四模擬PDP中測(cè)量放電啟動(dòng)電壓的結(jié)果。
表2 參考表2，第四模擬PDP中的放電啟動(dòng)電壓遠(yuǎn)低于第三模擬PDP中的。特別是比較表1與表2時(shí)，第四模擬PDP中的放電啟動(dòng)電壓遠(yuǎn)低于第二模擬PDP中的。
根據(jù)第一和第二模擬實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以推出，當(dāng)兩個(gè)維持電極分別包括相隔距離小于兩個(gè)維持電極之間相隔距離的電阻元件并且在覆蓋PDP中的維持電極和電阻元件的介電層中形成溝時(shí)，與同傳統(tǒng)PDP一樣包括不具有根據(jù)本發(fā)明的溝的電阻元件的PDP相比，其放電啟動(dòng)電壓降低了。
因此，在第四模擬PDP中，可以在低于第三模擬PDP的電壓下激發(fā)放電，而且可以提高放電氣體中Xe比例，因此可以在更低的啟動(dòng)電壓下提供高發(fā)光效率。
下面的說(shuō)明涉及制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的方法，具體而言是制造用于PDP中的維持電極的方法。此處，第一至第八維持電極稱作主電極，電阻元件稱作輔助電極。此外，假設(shè)維持電極包括主電極和輔助電極。
參考圖26，在步驟200中準(zhǔn)備干凈的玻璃襯底。該玻璃襯底用作前玻璃襯底。然后在步驟210中，在玻璃襯底上形成透明電極材料層，例如氧化銦錫(ITO)層，其具有高透射率且適于形成維持電極。在步驟220中，對(duì)透明電極材料層構(gòu)圖，由此形成具有雙重間隙的維持電極。
具體而言，每個(gè)維持電極都包括間隔，并且在該間隔中形成圖4至12所示的電阻元件中的一個(gè)。換言之，每個(gè)維持電極包括主電極(第一至第八維持電極中的一個(gè))和輔助電極(第一至第二十電阻元件中的一個(gè))，其中，主電極包括間隔并且大多數(shù)電流流過(guò)主電極，輔助電極形成在該間隔中并且連接于主電極。優(yōu)選，同步并整體形成主電極和輔助電極。另外，優(yōu)選相鄰主電極之間的間隙大于形成在各個(gè)主電極上的輔助電極之間的間隙，使得兩個(gè)相鄰的維持電極具有雙重間隙。
通過(guò)將這些特征反應(yīng)在對(duì)沉積在透明電極材料層上的光致抗蝕劑層進(jìn)行構(gòu)圖的工藝中，得到具有上述特征的維持電極。換言之，通過(guò)在對(duì)光致抗蝕劑層進(jìn)行構(gòu)圖的工藝中反應(yīng)維持電極的這些特征，形成了具有這些特征，即相同維持電極形狀的，光致抗蝕劑層圖案。然后，通過(guò)用光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模蝕刻透明電極材料層，在玻璃襯底上形成了具有這些特征的維持電極。
在步驟220中，形成圖4至12之一所示的維持電極或圖4到12所示維持電極的一種組合。例如，形成相鄰兩個(gè)維持電極中的一個(gè)，使其包括圖4所示第一維持電極40和由主體52a和端部52b構(gòu)成的第一電阻元件，并形成另一個(gè)維持電極使其包括圖5至12所示維持電極之一和第二至第十八電阻元件之一。
在玻璃襯底上形成維持電極后，在步驟230中，在各個(gè)維持電極上形成總線電極使其平行于各個(gè)維持電極。在維持電極之間形成黑條紋(blackstripe)(未示出)，并且形成介電層(圖14所示168)以覆蓋維持電極、子電極和黑條紋。介電層168可以如圖14所示包括單層，或可以如15所示通過(guò)順序形成第一和第二介電層172和174包括多層。此后如圖14所示，在介電層168中形成第一溝GR1?；蛘?，如圖15所示，可以在介電層168中形成第二溝GR2。優(yōu)選，第一和第二溝GR1和GR2形成得盡量深，但不暴露電阻元件160a和162a。因此，優(yōu)選，形成第二溝GR2以暴露第一介電層172。然而，第二溝GR2也可以朝著第一介電層172形成得更深。用典型的光刻工藝就可以很容易地形成第一或第二溝GR1或GR2。
隨后的步驟，例如在具有第一或第二溝GR1或GR2的介電層168上形成保護(hù)層的步驟、封裝線印刷步驟和形成保護(hù)層的步驟、用于形成后玻璃襯底面板的步驟、將前玻璃襯底面板封裝到后玻璃襯底面板的步驟、注入等離子體形成氣體的步驟、以及包裝步驟都根據(jù)典型工藝進(jìn)行。然而，優(yōu)選等離子體形成氣體是Ne和Xe的混合氣體，其中含4至20％Xe。
如上所述，用于根據(jù)本發(fā)明的PDP中的維持電極包括主電極和輔助電極(即電阻元件)，其中啟動(dòng)放電后，大多數(shù)電流流過(guò)主電極，輔助電極具有大電阻，用于低壓放電。另外，在覆蓋主電極和輔助電極的介電層中，直接在輔助電極之上形成溝。分別包括在不同維持電極中的輔助電極之間的間隙比主電極之間的間隙窄。因此，與傳統(tǒng)PDP相比可以降低放電啟動(dòng)電壓。特別是放電電壓的采用在溝中引起強(qiáng)電場(chǎng)，有助于溝中放電氣體的放電。因此，在根據(jù)本發(fā)明包括溝和輔助電極的PDP中可以進(jìn)一步降低放電啟動(dòng)電壓。而且，在根據(jù)本發(fā)明的PDP中，主電極間的間隙與傳統(tǒng)PDP中維持電極之間的間隙同樣寬。因此，與傳統(tǒng)PDP相比，在根據(jù)本發(fā)明的PDP中可以防止亮度和效率的下降，同時(shí)可以降低放電啟動(dòng)電壓20V以上。
雖然參考其優(yōu)選實(shí)施例具體顯示和描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)把優(yōu)選實(shí)施例看成僅具有描述性的意義而不是有限定的目的。例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以使用形狀不同于上述實(shí)施例中描述的輔助電極(即電阻元件)，而不脫離本發(fā)明的范圍。例如，可以分別在如圖2所示沒有凹槽的傳統(tǒng)維持電極14a和14b中設(shè)置根據(jù)本發(fā)明的電阻元件，取代在維持電極中形成的凹槽中設(shè)置輔助電極。換言之，可以在維持電極14a的一端設(shè)置電阻元件以面對(duì)維持電極14b，并且可以在維持電極14b的一端設(shè)置電阻元件以面對(duì)維持電極14a。此處，兩個(gè)電阻元件可以設(shè)置成互相面對(duì)或互相交替?；蛘?，兩個(gè)相對(duì)維持電極中可以只有一個(gè)具有凹槽，因此可以在沒有凹槽的一個(gè)維持電極端部設(shè)置電阻元件，而在另一個(gè)維持電極中形成的凹槽中設(shè)置電阻元件。另外，可以直接在僅僅單個(gè)電阻元件上形成溝。如上所述，由于可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種修改，因此本發(fā)明的范圍不由本發(fā)明的具體描述來(lái)限定而是由所附權(quán)利要求來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括在其上顯示圖像的前面板，該前面板包括多個(gè)維持電極、多個(gè)總線電極、覆蓋該多個(gè)維持電極和總線電極的第一介電層、以及保護(hù)層；與前面板隔開并密封地封裝到前面板上的后面板，該后面板包括多條數(shù)據(jù)線、覆蓋該多條數(shù)據(jù)線的第二介電層、阻擋肋、以及熒光層；以及存在于前與后面板之間的等離子體形成氣體，其中，選自該多個(gè)維持電極的第一維持電極和面對(duì)該第一維持電極的第二維持電極具有雙重間隙，其允許在不降低放電效率的情況下降低放電電壓，使得可以在低電壓下激發(fā)放電，并可以在放電啟動(dòng)后停止低電壓放電。
2.如權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中該第一維持電極包括第一主電極，用于在低電壓下啟動(dòng)放電后維持放電；以及第一輔助電極，整體地連接于第一主電極并用于啟動(dòng)放電，第一輔助電極是具有至少30Ω電阻的電阻元件。
3.如權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中第二維持電極包括第二主電極，用于在低電壓下啟動(dòng)放電后維持放電；以及第二輔助電極，整體地連接于第二主電極并用于啟動(dòng)放電，第二輔助電極是具有至少30Ω電阻的電阻元件。
4.如權(quán)利要求2的等離子體顯示面板，其中，在其中設(shè)置第一輔助電極的第一凹槽形成在第一主電極中。
5.如權(quán)利要求4的等離子體顯示面板，其中第一凹槽靠近阻擋肋。
6.如權(quán)利要求4的等離子體顯示面板，第一凹槽的入口比其內(nèi)部窄。
7.如權(quán)利要求4的等離子體顯示面板，其中第一輔助電極包括設(shè)置在第一凹槽內(nèi)的主體和從主體延伸并設(shè)置在第一與第二維持電極間的端部。
8.如權(quán)利要求6的等離子體顯示面板，其中第一輔助電極包括設(shè)置在第一凹槽內(nèi)的主體和從主體延伸并設(shè)置在第一與第二維持電極間的端部。
9.如權(quán)利要求7的等離子體顯示面板，其中第一輔助電極的主體在水平平面或豎直平面中交替往復(fù)。
10.如權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中第一輔助電極的主體在水平平面或豎直平面中交替往復(fù)。
11.如權(quán)利要求7的等離子體顯示面板，其中第一輔助電極的端部平行于或垂直于形成在第一維持電極上的總線電極。
12.如權(quán)利要求8的等離子體顯示面板，其中第一輔助電極的端部平行于或垂直于形成在第一維持電極上的總線電極或者具有尖角形狀。
13.如權(quán)利要求3的等離子體顯示面板，其中，在其中設(shè)置第二輔助電極的第二凹槽形成在第二主電極中。
14.如權(quán)利要求13的等離子體顯示面板，其中第二凹槽靠近阻擋肋。
15.如權(quán)利要求13的等離子體顯示面板，其中第二凹槽的入口比其內(nèi)部窄。
16.如權(quán)利要求13的等離子體顯示面板，其中第二輔助電極包括設(shè)置在第二凹槽內(nèi)的主體和從主體延伸并設(shè)置在第一與第二維持電極間的端部。
17.如權(quán)利要求15的等離子體顯示面板，其中第二輔助電極包括設(shè)置在第二凹槽內(nèi)的主體和從主體延伸并設(shè)置在第一與第二維持電極間的端部。
18.如權(quán)利要求16的等離子體顯示面板，其中第二輔助電極的主體在水平平面或豎直平面中交替往復(fù)。
19.如權(quán)利要求17的等離子體顯示面板，其中第二輔助電極的主體在水平平面或豎直平面中交替往復(fù)。
20.如權(quán)利要求16的等離子體顯示面板，其中第二輔助電極的端部平行于或垂直于形成在第二維持電極上的總線電極或者具有尖角形狀。
21.如權(quán)利要求17的等離子體顯示面板，其中第二輔助電極的端部平行于或垂直于形成在第二維持電極上的總線電極。
22.如權(quán)利要求13的等離子體顯示面板，其中，在其中設(shè)置第一輔助電極的第一凹槽形成在第一主電極中。
23.如權(quán)利要求22的等離子體顯示面板，其中第一和第二凹槽垂直對(duì)稱。
24.如權(quán)利要求22的等離子體顯示面板，其中第一和第二凹槽對(duì)角對(duì)稱。
25.如權(quán)利要求2的等離子體顯示面板，其中第一輔助電極是設(shè)置在第一主電極端部從而面對(duì)第二維持電極的第一電阻元件。
26.如權(quán)利要求3的等離子體顯示面板，其中第二輔助電極是設(shè)置在第二主電極端部從而面對(duì)第一維持電極的第二電阻元件。
27.如權(quán)利要求26的等離子體顯示面板，其中第一輔助電極是設(shè)置在第一主電極端部從而面對(duì)第二維持電極或第二電阻元件的第一電阻元件。
28.如權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中等離子體形成氣體是氖(Ne)和氙(Xe)的混合氣體，并含4至20％的Xe。
29.如權(quán)利要求2的等離子體顯示面板，其中前面板還包括在第一介電層中形成在第一輔助電極之上的溝。
30.如權(quán)利要求29的等離子體顯示面板，其中第一介電層包括具有不同介電常數(shù)的上、下介電層，且該溝形成為暴露上介電層下面的下介電層。
31.如權(quán)利要求3的等離子體顯示面板，其中前面板還包括在第一介電層中形成在第一和第二輔助電極之上的溝。
32.如權(quán)利要求31的等離子體顯示面板，其中第一介電層包括具有不同介電常數(shù)的上、下介電層，且該溝形成為暴露上介電層下面的下介電層。
33.如權(quán)利要求4的等離子體顯示面板，其中第一凹槽直接形成在阻擋肋之上。
34.如權(quán)利要求13的等離子體顯示面板，其中第二凹槽直接形成在阻擋肋之上。
35.一種等離子體顯示面板，包括在其上顯示圖像的前面板，該前面板包括多個(gè)維持電極、多個(gè)總線電極、覆蓋該多個(gè)維持電極和總線電極的第一介電層、以及保護(hù)層；與前面板隔開并密封地封裝到前面板上的后面板，該后面板包括多條數(shù)據(jù)線、覆蓋該多條數(shù)據(jù)線的第二介電層、阻擋肋、以及熒光層；以及存在于前與后面板之間的等離子體形成氣體，其中，多個(gè)維持電極中的至少一個(gè)包括用于維持放電的主電極和具有高電阻并用于啟動(dòng)放電的輔助電極，以及該輔助電極連接于主電極，使得輔助電極的至少一部分存在于兩個(gè)面對(duì)的維持電極之間。
36.如權(quán)利要求35的等離子體顯示面板，其中輔助電極包括主體和端部，該主體在水平平面或豎直平面中交替往復(fù)，該端部從主體延伸從而處于兩個(gè)面對(duì)的維持電極之間。
37.如權(quán)利要求36的等離子體顯示面板，其中凹槽形成在主電極中，使得輔助電極的主體設(shè)置在凹槽中。
38.如權(quán)利要求36的等離子體顯示面板，其中該端部平行于或垂直于該端部面對(duì)的維持電極。
39.如權(quán)利要求37的等離子體顯示面板，其中該凹槽的入口比其內(nèi)部窄。
40.如權(quán)利要求35的等離子體顯示面板，其中輔助電極連接于主電極的一端，使得整個(gè)輔助電極設(shè)置于兩個(gè)面對(duì)的維持電極之間。
41.如權(quán)利要求35的等離子體顯示面板，其中直接在輔助電極之上、在第一介電層中形成預(yù)定深度的溝。
42.如權(quán)利要求41的等離子體顯示面板，其中通過(guò)相繼形成具有不同介電常數(shù)的上、下介電層來(lái)形成第一介電層，并且該溝形成為暴露上介電層下面的下介電層。
43.如權(quán)利要求37的等離子體顯示面板，其中該凹槽直接形成在阻擋肋之上。
44.一種制造等離子體顯示面板的方法，該等離子體顯示面板包括具有前玻璃襯底、多個(gè)維持電極、多個(gè)總線電極、覆蓋該多個(gè)維持電極和總線電極的第一介電層、以及保護(hù)層的前面板；與前面板隔開并密封地封裝到前面板上的后面板，該后面板具有后玻璃襯底、多條數(shù)據(jù)線、覆蓋該多條數(shù)據(jù)線的第二介電層、阻擋肋、以及熒光層；以及，存在于前與后面板之間的等離子體形成氣體，該方法包括形成維持電極使得每個(gè)維持電極以雙重間隙與另一個(gè)維持電極面對(duì)，該雙重間隙使得可以在兩個(gè)面對(duì)的維持電極之間在不降低放電效率的情況下以低電壓激發(fā)放電，還使得可以在放電啟動(dòng)后停止低電壓放電。
45.如權(quán)利要求44的方法，其中形成其間具有雙重間隙的維持電極包括形成透明電極材料層，用于在與后玻璃襯底面板相對(duì)的前玻璃襯底的表面上形成維持電極；在透明電極材料層上沉積光致抗蝕劑層；對(duì)光致抗蝕劑層構(gòu)圖使其具有與維持電極相同的圖案，從而形成具有雙重間隙的光致抗蝕劑層圖案；用光致抗蝕劑層圖案作為蝕刻掩模蝕刻透明電極材料層；以及除去光致抗蝕劑層圖案。
46.如權(quán)利要求44的方法，其中兩個(gè)相對(duì)的維持電極中的至少一個(gè)形成為包括主電極，用于在啟動(dòng)放電后維持放電；以及輔助電極，具有高電阻并用于啟動(dòng)放電，以及整體并同步形成主電極和輔助電極。
47.如權(quán)利要求46的方法，其中在主電極中形成凹槽，并在凹槽中形成輔助電極。
48.如權(quán)利要求46的方法，其中在主電極的一端形成輔助電極使得輔助電極設(shè)置在兩個(gè)相對(duì)的維持電極之間。
49.如權(quán)利要求47的方法，其中輔助電極包括形成在凹槽內(nèi)的主體和從主體延伸到凹槽外從而設(shè)置在兩個(gè)相對(duì)的維持電極之間的端部，并且該主體在水平平面或豎直平面上交替往復(fù)。
50.如權(quán)利要求49的方法，其中該端部分別平行于或垂直于形成在兩個(gè)相對(duì)的維持電極上的總線電極或具有尖角形狀。
51.如權(quán)利要求47的方法，其中凹槽的入口比凹槽內(nèi)部窄。
52.如權(quán)利要求46的方法，其中兩個(gè)相對(duì)的維持電極的每一個(gè)中都形成了輔助電極，使得對(duì)應(yīng)的兩個(gè)相對(duì)的維持電極中的輔助電極成垂直對(duì)稱或?qū)菍?duì)稱。
53.如權(quán)利要求44的方法，還包括直接在雙重間隙之上在第一介電層中形成溝。
54.如權(quán)利要求53的方法，其中通過(guò)順序堆疊具有不同介電常數(shù)的下介電層和上介電層來(lái)形成第一介電層，并且該溝形成為暴露上介電層下面的下介電層。
55.如權(quán)利要求47的方法，其中該凹槽直接形成在阻擋肋之上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種包括具有雙重間隙的維持電極的等離子體顯示面板(PDP)及其制造方法。該P(yáng)DP包括具有雙重間隙結(jié)構(gòu)和預(yù)定電阻值的維持電極。每個(gè)維持電極包括用于維持放電的主電極和用于在不降低效率的情況下啟動(dòng)低壓放電的輔助電極。分別包含在不同的維持電極中的輔助電極間的間隙比不同的維持電極間的間隙窄。每個(gè)輔助電極形成在阻擋肋之間或直接在阻擋肋之上。在覆蓋主電極和輔助電極的介電層中形成溝。該溝直接形成在輔助電極之上。
文檔編號(hào)H01J11/22GK1525518SQ20031012491
公開日2004年9月1日 申請(qǐng)日期2003年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月31日
發(fā)明者孫承賢, 和, 金永模, 勒尼亞欽, 畑中秀和, 施帕科夫斯基, 瓦西列·勒尼亞欽, 尼古萊·施帕科夫斯基, 藏尚勛, 宋美貞, 金孝俊, 金起永, 樸亨彬 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社