專利名稱：包括uv輻射重散射裝置的等離子體板面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器。
背景技術(shù)：
參考圖1，等離子體顯示器包括-第一板1，包括至少第一電極陣列Y(未示出)，以介電層3及保護(hù)和二次電子發(fā)射層4涂覆該電極陣列，-第二電極陣列Y′(未示出)，-第二板2，在第二板和第一板之間留有包含放電氣體的空間，將所述空間劃分為放電區(qū)域5的二維矩陣，每一個(gè)放電區(qū)域5位于第一陣列的電極和第二陣列的電極之間，并且具有部分地覆蓋有磷光體層6的壁，所述磷光體層6適合于當(dāng)受到來(lái)自所述區(qū)域中的放電的輻射的激發(fā)時(shí)，發(fā)出可見光，以及第一板包括用于將放電輻射反向散射到相應(yīng)區(qū)域的磷光體上的裝置，在這種情況下，為散射層9。
通常，按照在操作時(shí)，在相同板的兩個(gè)電極之間產(chǎn)生大部分放電的方式將第二電極陣列定位在第一板上，并且所述相同板的兩個(gè)電極被稱為共面電極。在圖1中均未示出兩個(gè)共面電極陣列Y、Y′，由于該圖示出了在穿過(guò)這些電極之間的平面中所得到的橫截面。通常，第二板包括第三電極陣列X，用于在被稱為保持周期的周期之前，尋址或激活顯示器的放電區(qū)域。
介電層3設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)記憶效應(yīng)，從而在激活放電區(qū)域之后，能夠通過(guò)在第一陣列Y的電極和第二陣列Y′的電極之間施加適當(dāng)?shù)碾妷簛?lái)保持連續(xù)的放電。
保護(hù)和二次電子發(fā)射層4用于保護(hù)介電層免于受到來(lái)自放電等離子體的離子的轟擊，并且在該離子轟擊的行動(dòng)下，還能夠發(fā)射電子，從而穩(wěn)定顯示器的操作。
實(shí)際上，第一板1對(duì)由磷光體發(fā)射的輻射通常是透明的，然后形成了前圖像顯示板；因此，第二板作為后板，其通常在每一個(gè)放電區(qū)域中覆蓋有磷光體。
顯示器的放電區(qū)域通常和至少部分地以隔板肋7定界，從而隔板肋形成了放電區(qū)域5的壁，并且通常充當(dāng)使所述板保持分離的裝置；在每一個(gè)放電區(qū)域中，通常，將磷光體6同時(shí)涂覆到背板和隔板肋的側(cè)面上。
歸功于通常包含在所述板之間的空間中的氣體的特性和壓力，等離子體8發(fā)射紫外線輻射，在圖1中由虛線表示。
如放電8的左手部分中所示，將該紫外線輻射的第一部分發(fā)射到背板2和肋7的側(cè)面上，因此，由沉積在該位置處的磷光體6直接吸收；然后，這些磷光體被激發(fā)并發(fā)射通過(guò)前板2的可見輻射，因而有助于要顯示的圖像的形成可見輻射在圖中由實(shí)線表示。
如放電8的右手部分所示，將該紫外線輻射的第二部分發(fā)射到前板1；由于設(shè)置于前板且稍后將要描述的散射裝置，將該輻射至少部分地反向散射到所述板之間的空間中，特別是反向散射到磷光體6，從而將其轉(zhuǎn)換為可見輻射，如紫外線輻射的第一部分那樣。
因此，顯而易見的是，設(shè)置于前板的散射裝置能夠?qū)τ煞烹娝l(fā)射的更大部分的輻射進(jìn)行轉(zhuǎn)換，實(shí)質(zhì)上，增加了顯示器的發(fā)光效率。
文件EP 1 085 554教導(dǎo)了如何增加等離子體顯示器的發(fā)光效率-或者，根據(jù)在前述文件的段落4中所引用的文件，通過(guò)使用紫外線輻射反射層；優(yōu)選地，將該層插入在介電層及保護(hù)和二次電子發(fā)射層之間；-或者，如圖1所示，通過(guò)使用散射層9，將所述散射層9設(shè)置在保護(hù)層上，并且具有適合于獲得在與紫外線輻射相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的散射效應(yīng)的顆粒尺寸。
在這些文件中所描述的用于提高發(fā)光效率的方法的缺陷在于其需要將用于反射或散射的附加層添加到前板上；該附加層沿著可見光線通過(guò)前板的路徑添加了附加界面或二次光學(xué)(dioptic)系統(tǒng)，這弱化了可見輻射的透射，并且減少了由該附加層提供的發(fā)光效率的提高。
即使如在文件EP 1 085 554的變體所描述的最有利的情況下，其中散射層具有與保護(hù)層接近的成份，例如基于MgO，在該文件中所描述的用于獲得其的方法也難以有效地實(shí)現(xiàn)；為了實(shí)現(xiàn)提供散射效應(yīng)的顆粒尺寸，該文件教導(dǎo)水相地對(duì)其進(jìn)行沉積，這對(duì)于保護(hù)和二次電子發(fā)射層的性能、特別是對(duì)離子轟擊情況下它的陰極發(fā)射性能不利，而這對(duì)于操作穩(wěn)定性和等離子體顯示器的壽命而言是必要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提高等離子體顯示器的發(fā)光效率，同時(shí)避免這些缺陷。
出于這個(gè)目的，本發(fā)明的主題是提出一種用于形成等離子體顯示器的一部分并且至少包括第一電極陣列的板，其中以介電層及保護(hù)和二次電子發(fā)射層涂覆第一電極陣列，所述等離子體顯示器至少包括第二電極陣列和第二板，其中，在第二板和第一板之間留有包含放電氣體的空間，對(duì)第一陣列的電極和第二陣列的電極進(jìn)行設(shè)置，從而在其間和所述板之間留有放電區(qū)域，并且以磷光體層部分覆蓋在這些區(qū)域的壁上，所述磷光體層適合于在由來(lái)自這些區(qū)域中的電極之間發(fā)出的放電的輻射激發(fā)時(shí)發(fā)光，其特征在于對(duì)在介電層與保護(hù)和二次電子發(fā)射層之間的界面進(jìn)行構(gòu)造，以使其具有位于所述放電輻射和/或由所述磷光體發(fā)出的光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均粗糙度，特別是如果該磷光體是在紫外線中發(fā)光的磷光體。
本發(fā)明的主題還是一種用于形成等離子體顯示器的一部分并且包括至少一個(gè)電極陣列的板，以介電層及保護(hù)和二次電子發(fā)射層涂覆所述電極陣列，其特征在于對(duì)介電層和保護(hù)層之間的界面進(jìn)行構(gòu)造，以使其具有在130nm和400nm，并且優(yōu)選地在130和200nm之間的平均粗糙度。
由于該界面的結(jié)構(gòu)，將未直接由磷光體吸收和轉(zhuǎn)換的輻射的大部分反向散射到這些磷光體，并有助于其激發(fā)；因此，將顯示器的發(fā)光效率顯著地提高，至少達(dá)到在所述文件EP 1 085 554中所描述的顯示器的發(fā)光效率的程度；該結(jié)構(gòu)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于與現(xiàn)有技術(shù)中所描述的散射或反射層相比，可以更為容易地獲得該結(jié)構(gòu)，而沒(méi)有弱化保護(hù)和二次電子發(fā)射層的性能的危險(xiǎn)。
因此，根據(jù)本發(fā)明的板包括用于將放電輻射反向散射到磷光體的裝置；通常，該板未涂覆磷光體，雖然不排除這樣的結(jié)構(gòu)。
通過(guò)利用基于電磁探針的傳統(tǒng)粗糙度計(jì)，可以估算根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)造界面的平均粗糙度。
由于保護(hù)和二次電子發(fā)射層非常薄，因此，其通常具有與根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)造界面相同的結(jié)構(gòu)，因此，能夠測(cè)量保護(hù)層表面上的界面粗糙度。
放電輻射的波長(zhǎng)范圍對(duì)應(yīng)于包括大于由放電所發(fā)射的能量的90％的譜范圍。
在大多數(shù)等離子體顯示器中，放電氣體基于氖/氙混合物，并且在顯示器中的放電發(fā)出具有兩個(gè)主要發(fā)射峰值的紫外線輻射，一個(gè)在145nm而另一個(gè)在175nm；因此，由于放電輻射的波長(zhǎng)范圍位于紫外線內(nèi)，所述界面的平均粗糙度最好在130和200nm之間。
優(yōu)選地，保護(hù)和二次電子發(fā)射層基于堿土元素的氧化物，特別是基于氧化鎂(MgO)的。
優(yōu)選地，介電層基于玻璃類無(wú)機(jī)材料。
本發(fā)明的主題還是一種包括根據(jù)本發(fā)明的板和第二板的等離子體顯示器，其中在第二板和第一板之間留有包含放電氣體的空間，所述等離子體顯示器還包括第二電極陣列，對(duì)第一陣列的電極和第二陣列的電極進(jìn)行設(shè)置，從而在其間和所述板之間留有放電區(qū)域，并且以磷光體層部分覆蓋在這些區(qū)域的壁上，所述磷光體層適合于當(dāng)由來(lái)自這些區(qū)域的電極之間發(fā)出的放電的輻射激發(fā)時(shí)，發(fā)出可見光。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的第一板是所述顯示器的前板；術(shù)語(yǔ)“前板”被理解為表示位于與觀察由顯示器所顯示的圖像的人相同側(cè)的板；設(shè)置在該板上的電極通常是透明的。由于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造介電層和保護(hù)層之間的界面，以便僅反向散射由板之間的放電所發(fā)出的輻射，其未吸收或吸收了非常少量的由磷光體發(fā)出的可見光；因此，有利地，該前板對(duì)由磷光體發(fā)出的可見光是透明的；由于與也具有放電輻射反向散射或反射裝置的現(xiàn)有技術(shù)的板相比，存在更少界面或二次光學(xué)系統(tǒng)讓其通過(guò)，因此，該前板對(duì)該光更為透明。
本發(fā)明的目的還是一種能夠用來(lái)制造根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示器的板的方法，包括在此板上的至少一個(gè)電極陣列上沉積介電層，并且在介電層上沉積保護(hù)和二次電子發(fā)射層，其特征在于在沉積所述保護(hù)層之前，而在已經(jīng)沉積了介電層之后，在介電層的表面上執(zhí)行適當(dāng)?shù)难心ゲ僮鳎瑥亩乖摫砻娴钠骄植诙任挥谠诘入x子體顯示器中的放電輻射的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，特別是使其位于130和400nm之間，優(yōu)選地在130和200nm之間。
這樣的結(jié)構(gòu)特別簡(jiǎn)單和經(jīng)濟(jì)。優(yōu)選地，如果存在以下情況，其將更為合適，所述情況如下介電層基于玻璃類無(wú)機(jī)材料，即基于搪瓷；這樣的搪瓷層通常通過(guò)沉積基于介電搪瓷玻璃料的層，隨后在適合于獲得具有光滑表面的致密層的條件下對(duì)其進(jìn)行烘烤而獲得。然后，剛好在搪瓷烘烤步驟之后，執(zhí)行對(duì)此表面的研磨操作；該研磨操作改變了搪瓷的表面粗糙度；之后，按照傳統(tǒng)的方式沉積保護(hù)層，通?；贛gO；由于該保護(hù)層非常薄，通常所獲得的層具有與搪瓷層的表面相同的粗糙度。
優(yōu)選地，通過(guò)外層具有研磨粉的塑膠對(duì)該表面進(jìn)行摩擦，執(zhí)行對(duì)介電層表面的研磨操作；這是通常用于拋光或研磨玻璃表面或金相試樣的方法；優(yōu)選地，所述塑膠是在表面上具有開孔的拋光氈，例如，基于剛性聚氨酯泡沫塑料，能夠容納或保持研磨粉顆粒；還可以使用包括研磨粉的塑料研磨膏。
當(dāng)目標(biāo)是具有在130和200nm之間的平均粗糙度時(shí)，優(yōu)選地，研磨粉的顆粒直徑在0.2和2μm之間；實(shí)際上，這是適合于獲得具有在130和200nm之間的平均粗糙度的介電層表面的研磨顆粒的尺寸。
優(yōu)選地，干式地或者在不包含水的液體介質(zhì)中執(zhí)行研磨操作；然后，使用包以研磨粉顆粒的特殊氈。
通過(guò)在沒(méi)有水的情況下進(jìn)行該操作，避免了介電層的任何惡化，并且更容易地確保了保護(hù)層的適當(dāng)?shù)年帢O發(fā)射性能，從而提高了顯示器的壽命。


通過(guò)閱讀通過(guò)非限定性實(shí)例而給出的以下描述并參考附圖，本發(fā)明將得到更加清楚地理解，其中圖1，已經(jīng)對(duì)其進(jìn)行了描述，該圖是現(xiàn)有技術(shù)的等離子體顯示單元的示意截面表示；以及圖2按照相同的表示，示出了應(yīng)用于相同類型的單元的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
為了簡(jiǎn)化描述并顯示本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比所提供的差別和優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于實(shí)現(xiàn)相同功能的那些組件，將使用相同的參考符號(hào)。
參考圖2，開始對(duì)根據(jù)本發(fā)明的用于獲得具有高發(fā)光效率的等離子體顯示器的方法的優(yōu)選實(shí)例的描述，在這種情況下，該顯示器是具有記憶效應(yīng)的AC型的；該顯示器包括具有成對(duì)的共面電極的透明前板1′以及背板2。
首先，將描述前板1′的制造。
傳統(tǒng)上，按照以下方式，在要制造的具有顯示器尺寸的鈉鈣玻璃板上沉積平行共面和散置(interspersed)電極的兩個(gè)陣列Y、Y′，所述方式為第一陣列的每一個(gè)電極與第二陣列的電極相鄰；因而，這樣形成的每一對(duì)電極對(duì)應(yīng)于顯示器的象素行；例如，每一個(gè)電極由用于分配放電電流的較窄的不透明匯流條(bus)形成以及由透明導(dǎo)電帶形成，例如，由沿匯流條并與其接觸的ITO(銦錫氧化物)構(gòu)成；在這種情況下，同一對(duì)電極通過(guò)其各自的透明條的一側(cè)彼此面對(duì)。
接下來(lái)，準(zhǔn)備基于介電搪瓷玻璃料的膠體，將其沉積在電極陣列上，作為在板的整個(gè)有效表面上具有均勻厚度的層；根據(jù)一個(gè)變體，可以只覆蓋陣列Y、Y′的電極；除了該搪瓷玻璃料之外，上述膠體包含基于聚合物的有機(jī)粘結(jié)劑、以及通常對(duì)該粘結(jié)劑的溶劑；在沉積、干燥之后，為了蒸發(fā)溶劑，并且在適當(dāng)?shù)厥褂袡C(jī)粘結(jié)劑交聯(lián)的情況下，烘烤搪瓷層，以便從該層中去除有機(jī)粘結(jié)劑，并且使搪瓷玻璃化，以便獲得均勻的介電搪瓷層3′；在烘烤之后，所獲得的層具有光滑且平整的表面，在此狀態(tài)下，該層將使由放電所發(fā)出的輻射通過(guò)；介電層的厚度通常在10和50μm之間。
下一步驟專用于本發(fā)明該步驟在于修正介電層的表面光潔度，以便向該表面提供散射在進(jìn)行操作時(shí)，特別是在顯示器的陣列Y、Y′的電極之間、放電將發(fā)出的紫外線輻射的能力。
出于這個(gè)目的，在該表面上執(zhí)行研磨操作，從而獲得不再如先前那樣光滑的介電表面，而獲得了具有位于在操作期間在顯示器中將由放電發(fā)出的輻射的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均粗糙度的表面；通常，該范圍是紫外線輻射的范圍，并且執(zhí)行該操作，從而向介電表面提供在130和200nm之間的平均粗糙度；例如，利用具有電磁頭的粗糙度計(jì)例如DEKTAK牌的設(shè)備來(lái)測(cè)量該平均粗糙度。
為了執(zhí)行該研磨操作，可以使用許多公知的方法，例如，利用非常細(xì)的研磨粉的機(jī)械研磨。
在烘烤之后，搪瓷表面非常適合于利用非常細(xì)的研磨劑的機(jī)械研磨操作；優(yōu)選地，使用在商業(yè)上可用的具有0.2μm和2μm之間的顆粒尺寸的研磨劑，或者作為研磨膏(金剛石、氧化鋁、金剛砂)，或者在用于干式拋光的氈上；更準(zhǔn)確地說(shuō)，例如，可以執(zhí)行以下方法之一-利用潤(rùn)滑劑，最好是相對(duì)于搪瓷層是惰性的并且在化學(xué)上無(wú)活性的潤(rùn)滑劑，在具有金剛石研磨膏的液體介質(zhì)中進(jìn)行研磨；優(yōu)選地，使用如異丙醇型的重質(zhì)醇等與包含基于金剛石的研磨粉的研磨膏兼容的重質(zhì)醇；有利地，避免使用水，以便更好地確保要沉積在研磨表面上的基于MgO的保護(hù)層的特性；-利用諸如“玻璃砂紙”型的包含研磨粉的特殊氈進(jìn)行干研磨；因而，通過(guò)避免使用水，有利地，保持了要沉積在研磨表面上的基于MgO保護(hù)層的特性。
為了提高該機(jī)械研磨操作的效率和均勻性，優(yōu)選地，使用適當(dāng)?shù)臋C(jī)械，該機(jī)械給要研磨表面上的氈固定器和膏劑固定器(“附屬物”)賦予了復(fù)雜的運(yùn)動(dòng)；此類機(jī)械廣泛用于研磨和拋光玻璃表面。
不脫離本發(fā)明，可以使用其他機(jī)械研磨方法，諸如利用包含研磨粉的承載氣體對(duì)表面進(jìn)行噴丸(或者“噴砂”)；還可以使用對(duì)表面處理領(lǐng)域的技術(shù)人員公知的化學(xué)研磨方法、電侵蝕方法和化學(xué)機(jī)械方法。
在專用于本發(fā)明的該研磨操作之后，現(xiàn)在，該介電層具有“結(jié)構(gòu)化”的表面-該表面將不再允許來(lái)自放電的輻射通過(guò)，而將會(huì)向顯示器的內(nèi)部反向散射所述輻射；以及-然而，如光滑且平整的起始表面那樣，該表面將允許由沉積在背板上的磷光體發(fā)出的可見輻射通過(guò)，稍后將提到這一點(diǎn)。
在該研磨操作之后，按照本來(lái)已知的方式，例如通過(guò)真空蒸發(fā)來(lái)沉積保護(hù)和二次電子發(fā)射層4′，在這種情況下，基于MgO；所獲得的該層的厚度通常在0.5和1.5μm之間。
由于所獲得的該層非常薄，可以發(fā)現(xiàn)介電層表面的粗糙度和結(jié)構(gòu)與保護(hù)和二次電子發(fā)射層的外表面相關(guān)。
利用上述的傳統(tǒng)研磨方法，可以發(fā)現(xiàn)，在與保護(hù)層4′的界面處的介電層3′的表面結(jié)構(gòu)具有“空間噪聲”的類型，如同保護(hù)層自身的結(jié)構(gòu)；這樣的結(jié)構(gòu)不同于在所述的文件EP 1 085 554中所描述的通過(guò)在水介質(zhì)中進(jìn)行沉淀所獲得的散射層的結(jié)構(gòu)。
由于在介電層3′和保護(hù)層4′之間的界面的結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明的前板1′能夠?qū)ψ贤饩€輻射進(jìn)行反向散射，而允許可見輻射通過(guò)，該結(jié)構(gòu)適合于提供位于放電輻射的波長(zhǎng)范圍內(nèi)、特別是在130和200nm之間的平均粗糙度；由于通過(guò)簡(jiǎn)單的研磨操作就可以獲得這樣的粗糙度，與那些現(xiàn)有技術(shù)相比，這樣的反向散射裝置更為經(jīng)濟(jì)和有效。此外，由于沒(méi)有沉積專用于反射和反向散射UV的附加層的操作，所獲得的板具有高得多的機(jī)械強(qiáng)度。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的顯示器的背板2，按照本來(lái)已知的方式對(duì)其進(jìn)行制造，以便獲得在鈉鈣玻璃板12上包括以下組件的板，所述組件為-第三電極陣列X，與前板上的陣列Y、Y′的電極方向垂直延伸；
-基于搪瓷的介電層13；-隔板肋7的陣列，適合于限定放電區(qū)域，并且從而在所述板已經(jīng)連接在一起之后，所述放電區(qū)域位于陣列X的電極和第一板的陣列Y、Y′的散置電極對(duì)的交點(diǎn)處；以及-在這樣限定的放電區(qū)域的壁上沉積磷光體層6，即，在與介電層13接觸的這些區(qū)域的底部和肋7的側(cè)部。
之后，將前板1′與后板2相連，從而使后板2的陣列X的電極與肋7之間的前板1′的陣列Y、Y′的電極對(duì)相交；然后，肋7充當(dāng)使板1′、2保持空間分離的裝置。
按照本來(lái)已知的方式將這兩個(gè)板密封在一起，并且抽空板1′和2之間的空間中所包含的氣體，并且將該空間充滿放電氣體，特別地包括氙。
然后，獲得了根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示器；專用于本發(fā)明的、介電層3′與保護(hù)層4′的界面處的表面結(jié)構(gòu)使得輻射的絕大部分不直接被吸收并且由要恢復(fù)的磷光體轉(zhuǎn)換，從而可以向這些磷光體反向散射該輻射，因此，將顯示器的發(fā)光效率顯著地提高到至少與前述文件EP 1 085 554中所描述的顯示器的發(fā)光效率相似的程度，而避免了在顯示器的前板中的特定散射或反射層；有利地，根據(jù)本發(fā)明，可以使基于MgO的保護(hù)層非常容易地屏蔽任何微量的水，從而更好地確保了該層的陰極發(fā)射特性和顯示器的壽命。
權(quán)利要求
1.一種用于形成等離子體顯示器的一部分并且至少包括第一電極陣列的板(1′)，其中以介電層(3′)及保護(hù)和二次電子發(fā)射層(4′)涂覆第一電極陣列，所述等離子體顯示器至少包括第二電極陣列和第二板(2)，其中，在第二板(2)和第一板(1′)之間留有包含放電氣體的空間，對(duì)第一陣列的電極和第二陣列的電極進(jìn)行設(shè)置，從而在其間和板(1′，2)之間留有放電區(qū)域(5)，并且以磷光體層(6)部分覆蓋在這些區(qū)域(5)的壁上，所述磷光體層(6)適合于在由來(lái)自這些區(qū)域(5)中的電極之間發(fā)出的放電(8)的輻射激發(fā)時(shí)發(fā)光，其特征在于對(duì)介電層(3′)和保護(hù)層(4′)之間的界面進(jìn)行構(gòu)造，以使其具有位于所述放電輻射和/或由所述磷光體發(fā)出的光的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均粗糙度。
2.一種用于形成等離子體顯示器的一部分并且包括至少一個(gè)電極陣列的板，以介電層(3′)及保護(hù)和二次電子發(fā)射層(4′)涂覆所述電極陣列，其特征在于對(duì)介電層(3′)和保護(hù)層(4′)之間的界面進(jìn)行構(gòu)造，以使其具有在130nm和400nm之間的平均粗糙度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2之一所述的板，其特征在于保護(hù)和二次電子發(fā)射層(4′)是基于堿土元素的氧化物的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的板，其特征在于介電層(3′)基于是玻璃類無(wú)機(jī)材料的。
5.一種包括如前述權(quán)利要求之一所述的板(1′)的第二板(2)的等離子體顯示器，其中在第二板(2)和第一板(1′)之間留有包含放電氣體的空間，所述等離子體顯示器還包括第二電極陣列，對(duì)第一陣列的電極和第二陣列的電極進(jìn)行設(shè)置，從而在其間和板(1′，2)之間留有放電區(qū)域(5)，并且以磷光體層(6)部分覆蓋在這些區(qū)域(5)的壁上，所述磷光體層(6)適合于當(dāng)由來(lái)自這些區(qū)域(5)的電極之間發(fā)出的放電(8)的輻射激發(fā)時(shí)，發(fā)出可見光。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示器，其特征在于所述第一板(1′)是所述顯示器的前板。
7.一種能夠用來(lái)制造如權(quán)利要求1到4之一所述的等離子體顯示器板的方法，包括在此板(1′)上的至少一個(gè)電極陣列上沉積介電層(3′)，并且在介電層(3′)上沉積保護(hù)和二次電子發(fā)射層(4′)，其特征在于在沉積所述保護(hù)層(4′)之前，而在已經(jīng)沉積了介電層(3′)之后，在介電層(3′)的表面上執(zhí)行適當(dāng)?shù)难心ゲ僮?，從而使該表面的平均粗糙度位于等離子體顯示器中的放電輻射的波長(zhǎng)范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述表面的平均粗糙度位于130nm和400nm之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7和8之一所述的方法，其特征在于通過(guò)包以研磨粉的塑膠對(duì)所述表面進(jìn)行摩擦，執(zhí)行在所述表面上的研磨操作。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，當(dāng)基于權(quán)利要求8時(shí)，其特征在于所述研磨粉的顆粒直徑在0.2和2μm之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于干式地執(zhí)行所述研磨操作。
12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于在不含水的液體介質(zhì)中執(zhí)行所述研磨操作。
全文摘要
一種包括介電層(3′)和保護(hù)層(4′)的板(1′)，其中，為了反向散射來(lái)自放電(8)的輻射，對(duì)介電層(3′)和保護(hù)層(4′)之間的界面進(jìn)行構(gòu)造，以使其具有該輻射的波長(zhǎng)范圍內(nèi)、特別是在130和200nm之間的平均粗糙度。這樣的反向散射裝置與現(xiàn)有技術(shù)中的裝置相比更為經(jīng)濟(jì)和有效，由于通過(guò)對(duì)介電層的表面進(jìn)行研磨操作就可以獲得這樣的粗糙度。
文檔編號(hào)H01J9/02GK1575502SQ02820925
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2002年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月29日
發(fā)明者讓－皮埃爾·克勒索, 伊萬(wàn)·拉韋爾迪 申請(qǐng)人:湯姆森許可貿(mào)易公司