像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列基板行驅(qū)動(dòng)(Gate Driver on Array，GOA)技術(shù)，是直接將柵極驅(qū)動(dòng)電路(Gate driver ICs)集成在陣列基板上，來代替外接驅(qū)動(dòng)芯片的一種工藝技術(shù)。該技術(shù)的應(yīng)用不僅可減少生產(chǎn)工藝程序，降低產(chǎn)品成本，提高集成度，而且可以做到面板兩邊對(duì)稱的美觀設(shè)計(jì)，同時(shí)也省去了柵極電路(Gate IC)的邦定區(qū)域以及扇出(Fan-out)布線空間，從而可實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)，提尚廣能和良品率。
[0003]目前對(duì)于ADS(Advanced_SuperDimens1nal Switching，高級(jí)超維場開關(guān)技術(shù))顯示模式的液晶屏，小尺寸產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)GOA并不困難，因?yàn)樾〕叽绠a(chǎn)品負(fù)載小，充電率不是問題;但對(duì)于大尺寸UHD(Ultra High Definit1n Televis1n，超高清)產(chǎn)品，如65UHD等大尺寸GOA產(chǎn)品，由于負(fù)載大，像素充電率往往成為設(shè)計(jì)瓶頸，盡管目前GOA驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)多種多樣，但要滿足充電率設(shè)計(jì)要求還是比較困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，解決了現(xiàn)有顯示產(chǎn)品(尤其是大尺寸GOA產(chǎn)品)像素充電率不足的問題。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括:數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極，所述數(shù)據(jù)線連接至所述薄膜晶體管的源極，所述薄膜晶體管的漏極連接至所述像素電極，還包括:輔助電容和第一控制信號(hào)線，所述輔助電容的第一電極連接至所述像素電極，第二電極連接至所述第一控制信號(hào)線;所述輔助電容用于，在所述薄膜晶體管開啟時(shí)接收并存儲(chǔ)來自所述數(shù)據(jù)線的像素電壓信號(hào)，在所述薄膜晶體管關(guān)閉且所述第一控制信號(hào)線上的電壓抬高時(shí)，向所述像素電極進(jìn)行像素電壓信號(hào)的補(bǔ)加載。
[0007]可選地，所述第一控制信號(hào)線在所述薄膜晶體管的開啟時(shí)段輸出第一電平，在所述薄膜晶體管關(guān)閉至本幀信號(hào)結(jié)束前的時(shí)段輸出第二電平，所述第二電平大于所述第一電平。
[0008]優(yōu)選地，所述的像素結(jié)構(gòu)還包括:與所述薄膜晶體管的柵極相連的柵線;驅(qū)動(dòng)所述柵線的GOA驅(qū)動(dòng)單元中，其第一節(jié)點(diǎn)的電壓在對(duì)應(yīng)行柵線開啟之后跳變?yōu)楦唠娖?所述第一控制信號(hào)線連接至所述第一節(jié)點(diǎn)。
[0009]優(yōu)選地，所述GOA驅(qū)動(dòng)單元采用直流模型，所述第一節(jié)點(diǎn)為下拉節(jié)點(diǎn)。
[0010]可選地，所述第一控制信號(hào)線平行于柵線設(shè)置。
[0011]可選地，所述第一控制信號(hào)線與柵線同層設(shè)置。
[0012]優(yōu)選地，所述第一控制信號(hào)線的一部分充當(dāng)所述輔助電容的第二電極。
[0013]優(yōu)選地，所述輔助電容的第一電極與所述薄膜晶體管的源極及漏極同層設(shè)置，或者，所述輔助電容的第一電極與所述像素電極同層設(shè)置，
[0014]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，具有上述任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)上述任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，包括:柵線輸出開啟電壓，薄膜晶體管打開，數(shù)據(jù)線通過所述薄膜晶體管向像素電極加載像素電壓信號(hào)，同時(shí)輔助電容接收并存儲(chǔ)來自所述數(shù)據(jù)線的像素電壓信號(hào);柵線輸出關(guān)閉電壓，關(guān)閉所述薄膜晶體管，此時(shí)第一控制信號(hào)線上的電壓抬高，所述輔助電容向所述像素電極進(jìn)行像素電壓信號(hào)的補(bǔ)加載。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，其像素結(jié)構(gòu)還包括輔助電容和第一控制信號(hào)線，輔助電容的第一電極連接至所述像素電極，第二電極連接至第一控制信號(hào)線;輔助電容在薄膜晶體管開啟時(shí)接收并存儲(chǔ)來自數(shù)據(jù)線的像素電壓信號(hào)，在薄膜晶體管關(guān)閉將第一控制信號(hào)線上的電壓抬高，輔助電容向像素電極進(jìn)行像素電壓信號(hào)的再次補(bǔ)充加載，可以解決現(xiàn)有大尺寸GOA產(chǎn)品像素充電率不足的問題。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0018]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)方法流程圖；
[0021 ]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；
[0022]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供方案模擬實(shí)驗(yàn)的仿真波形圖；
[0023]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中的一種GOA電路圖；
[0024]圖7為圖6所示GOA電路中上拉節(jié)點(diǎn)與下拉節(jié)點(diǎn)的電壓變化示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0026]實(shí)施例
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，如圖1和圖2所示，該像素結(jié)構(gòu)包括:數(shù)據(jù)線D1、薄膜晶體管Tl和像素電極，數(shù)據(jù)線Dl連接至薄膜晶體管Tl的源極，薄膜晶體管Tl的漏極連接至像素電極，還包括:輔助電容Cst’和第一控制信號(hào)線Cl，輔助電容Cst’的第一電極連接至像素電極，第二電極連接至第一控制信號(hào)線Cl;輔助電容Cst’用于，在薄膜晶體管Tl開啟時(shí)接收并存儲(chǔ)來自數(shù)據(jù)線Dl的像素電壓信號(hào)，在薄膜晶體管Tl關(guān)閉且第一控制信號(hào)線Cl上的電壓抬高時(shí)，向像素電極進(jìn)行像素電壓信號(hào)的補(bǔ)加載。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)中，除常見的數(shù)據(jù)線D1、公共電極線Vcom、薄膜晶體管Tl和像素電極、公共電極外，還包括輔助電容Cst’和第一控制信號(hào)線Cl，輔助電容Cst’的第一電極連接至像素電極及薄膜晶體管Tl的漏極，第二電極連接至第一控制信號(hào)線Cl。
[0029]該像素結(jié)構(gòu)工作時(shí)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序參照?qǐng)D4所示，其中Vdata代表數(shù)據(jù)線Dl上的像素電壓信號(hào)(即數(shù)據(jù)信號(hào)，又稱列掃描信號(hào))，Vgate代表柵線Gl上的柵極掃描信號(hào)(又稱行掃描信號(hào))，Vpull代表第一控制信號(hào)線Cl上的第一控制信號(hào)，Vpixel代表像素電極上的像素電壓。驅(qū)動(dòng)該像素結(jié)構(gòu)的方法如圖3所示，包括:
[0030]101、柵線Gl輸出開啟電壓，薄膜晶體管Tl打開，數(shù)據(jù)線Dl通過薄膜晶體管Tl向像素電極加載像素電壓信號(hào)，同時(shí)輔助電容Cst’接收并存儲(chǔ)來自數(shù)據(jù)線Dl的像素電壓信號(hào)。
[0031]本步驟柵線Gl輸出開啟電壓Vgh，薄膜晶體管Tl打開，數(shù)據(jù)線Dl向存儲(chǔ)電容Cst、液晶電容Clc和輔助電容Cst’加載像素電壓信號(hào)，此時(shí)第一控制信號(hào)線Cl上保持一恒定電平，例如第一電平VI。
[0032]102、柵線Gl輸出關(guān)閉電壓，關(guān)閉薄膜晶體管Tl，此時(shí)第一控制信號(hào)線Cl上的電壓抬高，輔助電容Cst’向像素電極進(jìn)行像素電壓信號(hào)的補(bǔ)加載。
[0033]本步驟柵線Gl輸出關(guān)閉電壓Vgl，薄膜晶體管Tl關(guān)閉，存儲(chǔ)電容Cst、Clc和輔助電容Cst’向像素電極加載像素電壓信號(hào)，直至第一控制信號(hào)線Cl上的電壓發(fā)生跳變，抬高(例如抬高為第二電平V2，第二電平V2大于第一電平VI)，根據(jù)電容的特性，輔助電容Cst’的第一電極抬高，其第二電極的電平也會(huì)隨之升高，因而輔助電容Cst’會(huì)開始向像素電極進(jìn)行再次充電，即進(jìn)行像素電壓信號(hào)的補(bǔ)充加載，解決顯示產(chǎn)品像