氧化鎢（W03)和二氧化硅（Si02)的復(fù)合物。
[0044] 當(dāng)本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過濾層13為W03和Si02的復(fù)合物時，由于該復(fù)合 物的帶隙寬度為2. 8電子伏，因此可以作為理想的藍(lán)光吸收過濾半導(dǎo)體材料。
[0045] 當(dāng)本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過濾層13為摻有C粉末的Ti02時，在波長小于 450nm時具有低于30 %的透過率，而在波長大于等于500nm時具有高于90 %的透過率，摻有 C粉末的Ti02也能夠很好的吸收波長小于450納米的藍(lán)光。
[0046] 本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過濾層13以摻有C粉末的Ti02為例進(jìn)行介紹，摻有 C粉末的Ti02對波長小于450nm的藍(lán)光具有70%的吸收率，如圖2所示。
[0047] 本發(fā)明具體實(shí)施例的陣列基板中的薄膜晶體管可以為底柵型的薄膜晶體管，也可 以為頂柵型的薄膜晶體管，還可以為其它類型的薄膜晶體管，如還可以為側(cè)柵型的薄膜晶 體管，本發(fā)明具體實(shí)施例主要以底柵型的薄膜晶體管和頂柵型的薄膜晶體管為例，具體介 紹本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過濾層在陣列基板上的具體位置。
[0048] 附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例，目的只是示意說 明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0049] 實(shí)施例一：
[0050] 本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管為底柵型的薄膜晶體管，如圖3所示，本發(fā)明 具體實(shí)施例中的陣列基板包括依次位于襯底基板30上的柵極31、柵極絕緣層32、半導(dǎo)體有 源層33、源極341、漏極342、鈍化層35、藍(lán)光過濾層13和像素電極36,其中，藍(lán)光過濾層13 在襯底基板30上的正投影區(qū)域位于像素電極36在襯底基板30上的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0051] 本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過濾層13以摻有C的Ti02為例進(jìn)行介紹，陣列基板 的非透光區(qū)包括薄膜晶體管開關(guān)、柵極線和數(shù)據(jù)線，若將藍(lán)光過濾層13設(shè)置在陣列基板的 非透光區(qū)，會影響陣列基板的正常充/放電過程；而陣列基板透光區(qū)是良好的透明導(dǎo)電材 料，僅控制每個具體像素的加電過程和液晶偏轉(zhuǎn)，因此，像素電極的區(qū)域可以作為理想的藍(lán) 光過濾層的設(shè)置區(qū)域。
[0052] 本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過濾層位于像素電極的下方，在實(shí)際設(shè)計(jì)時，藍(lán)光過 濾層還可以位于像素電極的上方。本發(fā)明具體實(shí)施例中的陣列基板還包括位于像素電極36 上方或下方，與像素電極絕緣設(shè)置的公共電極（圖中未示出），本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光 過濾層還可以位于公共電極的上方或下方。在實(shí)際設(shè)計(jì)時，本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過 濾層還可以直接設(shè)置在襯底基板30上，也可以設(shè)置在陣列基板上的任意兩個膜層之間。
[0053] 實(shí)施例二：
[0054] 本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管為頂柵型的薄膜晶體管，如圖4所示，本發(fā)明 具體實(shí)施例中的陣列基板包括依次位于襯底基板30上的遮光層40、第一絕緣層41、半導(dǎo)體 有源層33、第二絕緣層42、柵極31、第三絕緣層43、源極341、漏極342、鈍化層35、藍(lán)光過濾 層13和像素電極36,其中，藍(lán)光過濾層13在襯底基板30上的正投影區(qū)域位于像素電極36 在襯底基板30上的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0055] 本發(fā)明具體實(shí)施例中藍(lán)光過濾層13在襯底基板30上的正投影區(qū)域位于像素電極 36在襯底基板30上的正投影區(qū)域內(nèi)，藍(lán)光過濾層13不干涉陣列基板上的正常功能，不對薄 膜晶體管開關(guān)、柵極線和數(shù)據(jù)線形成較大干擾。
[0056] 本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過濾層位于像素電極的下方，在實(shí)際設(shè)計(jì)時，藍(lán)光過 濾層還可以位于像素電極的上方。本發(fā)明具體實(shí)施例中的陣列基板還包括位于像素電極36 上方或下方，與像素電極絕緣設(shè)置的公共電極（圖中未示出），本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光 過濾層還可以位于公共電極的上方或下方。在實(shí)際設(shè)計(jì)時，本發(fā)明具體實(shí)施例中的藍(lán)光過 濾層還可以直接設(shè)置在襯底基板30上，也可以設(shè)置在陣列基板上的任意兩個膜層之間。
[0057] 本發(fā)明具體實(shí)施例的顯示面板，如圖5所示，包括相對設(shè)置的陣列基板51和彩膜 基板52,以及位于陣列基板51和彩膜基板52之間的液晶層53,其中，陣列基板51為本發(fā) 明具體實(shí)施例提供的上述陣列基板。本發(fā)明具體實(shí)施例背光源發(fā)出的含有波長小于450納 米的藍(lán)光的光線54經(jīng)過陣列基板51和彩膜基板52后，由于陣列基板上設(shè)置有藍(lán)光過濾層 13,因此波長小于450納米的藍(lán)光被吸收，出射光線55中不含波長小于450納米的藍(lán)光，降 低了藍(lán)光福射對人眼的傷害。
[0058] 本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板， 該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light Emitting Diode，OLED)面板、OLED顯示器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。
[0059] 本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上制作柵 極、半導(dǎo)體有源層、源極、漏極和像素電極，其中，該方法還包括：在像素電極對應(yīng)的區(qū)域制 作藍(lán)光過濾層，藍(lán)光過濾層用于吸收波長小于450納米的藍(lán)光。
[0060] 本發(fā)明具體實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法主要以制作底柵型薄膜晶體管的 陣列基板和制作頂柵型薄膜晶體管的陣列基板為例進(jìn)行具體介紹。
[0061] 對于底柵型薄膜晶體管的陣列基板，具體地，如圖6所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供 的陣列基板的制作方法包括：
[0062] S601、通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上依次制作柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源 極和漏極；
[0063] S602、在完成上述步驟的襯底基板上依次形成鈍化層和藍(lán)光過濾薄膜，通過構(gòu)圖 工藝形成貫穿所述鈍化層和所述藍(lán)光過濾薄膜的過孔，暴露出需要與后續(xù)形成的像素電極 電連接的漏極；
[0064] S603、在完成上述步驟的襯底基板上形成一層透明導(dǎo)電薄膜；
[0065] S604、在所述透明導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，僅保留 需要形成像素電極位置處的光刻膠；
[0066] S605、對透明導(dǎo)電薄膜和藍(lán)光過濾薄膜進(jìn)行刻蝕，并去除剩余的光刻膠，形成像素 電極和藍(lán)光過濾層，所述像素電極通過所述過孔與暴露出的所述漏極電連接。
[0067] 下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例中的陣列基板的制作方法。
[0068] 如圖7(a)所示，本發(fā)明具體實(shí)施例首先通過構(gòu)圖工藝在襯底基板30上依次制作 柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極。本發(fā)明具體實(shí)施例中的襯底基板30為玻璃 基板，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，襯底基板30還可以為柔性基板等基板，本發(fā)明具體實(shí)施例并不 對襯底基板的具體材料做限定。本發(fā)明具體實(shí)施例通過構(gòu)圖工藝在襯底基板30上依次制 作柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅 述。圖中71表示制作在陣列基板的非透光區(qū)的柵極、源極、漏極，以及柵極線和數(shù)據(jù)線。
[0069] 接著，如圖7(a)所示，在完成上述步驟的襯底基板30上形成鈍化層35,鈍化層的 具體形成方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。
[0070] 接著，在鈍化層35上形成一層藍(lán)光過濾薄膜73,如圖7 (b)所示，優(yōu)選地，本發(fā)明具 體實(shí)施例通過磁控濺射的方法形成藍(lán)光過濾薄膜73,當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)過程中還可以采用 其它的形成薄膜的方法形成藍(lán)光過濾薄膜。之后，通過構(gòu)圖工藝形成貫穿鈍化層35和藍(lán)光 過濾薄膜73的過孔（圖中未示出），暴露出需要與后續(xù)形成的像素電極電連接的漏極，本發(fā) 明具體實(shí)施例形成的過孔的具體位置可以參見圖3所示。本發(fā)明具體實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝 包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕以及去除光刻膠的部分或全部過程，本發(fā)明具體實(shí)施 例通過構(gòu)圖工藝形成貫穿鈍化層35和藍(lán)光過濾薄膜73的過孔的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)通過 構(gòu)圖工藝形成貫穿鈍化層的過孔的方法類似，這里不再贅述。
[0071] 接著，在藍(lán)光過濾薄膜73上形成一層透明導(dǎo)電薄膜74,如圖7(c)所示，本發(fā)明具 體實(shí)施例也可以采用磁控濺射的方法形成透明導(dǎo)電薄膜，本發(fā)明具體實(shí)施例中形成的透明 導(dǎo)電薄膜可以為氧化銦錫（ITO)的單層膜，也可以為氧