一種液晶顯示面板及其制造方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶顯示面板及其制造方法?！尽颈尘凹夹g(shù)】】
[0002]目前，由于采用低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon, LTPS)薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)制造的顯示面板具有分辨率高、反應(yīng)速度快、高亮度、高開口率等優(yōu)點(diǎn)，LTPS-TFT顯示面板的應(yīng)用越來越廣泛。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有的TFT陣列基板10包括透明襯底101、遮光層102、第一絕緣層103、介質(zhì)層104、多晶硅層105、第二絕緣層106、柵極107、介電層108、第三絕緣層109以及源極IlOa和漏極110b。因多晶硅(p-Si)迀移率(30-300cm2/VS)較高，若其受到光照則容易導(dǎo)致漏電流變大，影響顯示面板的顯示效果。
[0004]為解決上述問題，一般通過在透明襯底101和第一絕緣層103之間設(shè)置遮光層102 (Line Shied Layer，LS)來防止背光對TFT溝道處p_Si的影響。但是，由于鋪墊在遮光層102上的第一絕緣層103不可避免的存在邊坡β，往往導(dǎo)致該坡度位置處對應(yīng)的非晶硅(a-Si)經(jīng)ELA(激發(fā)態(tài)激光退火)處理形成多晶硅(p-Si)時(shí)因不平而產(chǎn)生晶化不均勻的現(xiàn)象，具體如圖2所示。
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【發(fā)明內(nèi)容】
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[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板及其制造方法，以解決現(xiàn)有TFT陣列基板中遮光層的設(shè)置容易導(dǎo)致多晶硅晶化不均勻的問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，其包括:
[0007]顯示子面板和透光板，所述顯示子面板包括彩膜基板、陣列基板以及設(shè)置在所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶層，所述透光板貼合固定在所述顯示子面板靠近陣列基板側(cè)的外表面上；
[0008]所述陣列基板包括透明襯底、形成于所述透明襯底上的第一絕緣層、形成于所述第一絕緣層上的介質(zhì)層、以及形成于所述介質(zhì)層上的多晶硅層；
[0009]所述透光板上形成有至少一個(gè)遮光圖案，每一遮光圖案在所述透明襯底上的正投影覆蓋所述多晶硅層在所述透明襯底上的正投影。
[0010]進(jìn)一步地，所述透光板和顯示子面板之間通過膠框或靜電吸附的方式進(jìn)行貼合固定。
[0011]進(jìn)一步地，所述顯示子面板的貼合面及透光板的貼合面上分別形成有用于預(yù)定位的第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記，所述第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記彼此對準(zhǔn)貼合。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記中的一個(gè)為“十”字形或叉形，另一個(gè)的對稱軸在所述透光板上的正投影與所述“十”字形或叉形的對位標(biāo)記在所述透光板上的正投影重疊。
[0013]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括第二絕緣層、介電層、第三絕緣層以及至少一個(gè)薄膜晶體管，每一薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極，
[0014]所述源極和漏極分別位于所述多晶硅層的兩側(cè)，所述第二絕緣層位于所述多晶硅層上方，所述柵極位于所述第二絕緣層上方，所述介電層位于所述柵極上方，所述第三絕緣層位于所述介電層上方，所述源極和漏極分別貫穿所述第三絕緣層及介電層與所述多晶硅層連接。
[0015]同樣為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種制造上述液晶顯示面板的方法，其包括以下步驟:
[0016]A、制作陣列基板和彩膜基板，并將制作好的所述陣列基板與彩膜基板組裝成顯示子面板；
[0017]B、提供一透光板，在所述透光板上形成至少一個(gè)遮光圖案，使每一遮光圖案在對應(yīng)的所述透明襯底上的正投影覆蓋所述多晶硅層在所述透明襯底上的正投影；
[0018]C、將所述顯示子面板靠近陣列基板側(cè)的貼合面和透光板的貼合面對齊貼合并固定。
[0019]進(jìn)一步地，所述步驟B中的遮光圖案是采用黃光制程的方式形成的。
[0020]進(jìn)一步地，所述步驟A中還包括:在所述顯示子面板的貼合面上形成用于預(yù)定位的第一對位標(biāo)記；
[0021]所述步驟B中還包括:在所述透光板的貼合面上形成用于預(yù)定位的第二對位標(biāo)記；
[0022]所述步驟C中所述顯示子面板和透光板的對齊貼合是通過將所述第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記對準(zhǔn)貼合來實(shí)現(xiàn)的。
[0023]進(jìn)一步地，所述步驟A和B中第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記中的一個(gè)為“十”字形或叉形，另一個(gè)的對稱軸與所述“十”字形或叉形的對位標(biāo)記一致；
[0024]在所述步驟C中，將所述“十”字形或叉形的對位標(biāo)記在所述透光板上的正投影與所述另一對位標(biāo)記的對稱軸在所述透光板上的正投影重疊，以便使所述第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記對準(zhǔn)。
[0025]進(jìn)一步地，所述步驟C中，將所述顯示子面板和透光板對齊貼合之前，還包括:在所述透光板的貼合面上涂覆用于粘合固定的膠框。
[0026]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板及其制造方法，該液晶顯示面板通過將形成有遮光圖案的透光板貼合固定在顯示子面板靠近陣列基板側(cè)的外表面上，并使該遮光圖案在陣列基板的透明襯底上的正投影覆蓋多晶硅層在透明襯底上的正投影，不僅能防止因光照產(chǎn)生的漏電流變大現(xiàn)象，且不影響多晶硅的晶化過程，同時(shí)采用的制造方法簡單，制作工藝靈活，易于操作。
【【附圖說明】】
[0027]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的截面示意圖；
[0028]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的ELA退火示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的透光板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示子面板貼合面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0032]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板的的截面示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0033]為使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0034]本發(fā)明所提到的“外”是指遠(yuǎn)離液晶層的方向，“內(nèi)”是指靠近液晶層的方向。
[0035]請參閱圖3、圖4和圖6，本發(fā)明具體描述了一種液晶顯不面板，其于一較佳實(shí)施方式中包括顯示子面板I和透光板2，顯示子面板I包括彩膜基板(圖中未示出)、陣列基板以及設(shè)置在彩膜基板和陣列基板之間的液晶層(圖中未示出)，透光板2貼合固定在顯示子面板I靠近陣列基板側(cè)的外表面上。
[0036]該陣列基板包括透明襯底111、形成于透明襯底111上的第一絕緣層112、形成于第一絕緣層112上的介質(zhì)層113、以及形成于介質(zhì)層113上的多晶硅層114。
[0037]透光板2上形成有至少一個(gè)遮光圖案21，每一遮光圖案21在透明襯底111上的正投影覆蓋多晶硅層114在透明襯底111上的正投影。
[0038]本實(shí)施例中，該陣列基板還包括第二絕緣層116、介電層118、第三絕緣層119以及至少一個(gè)薄膜晶體管115，每一薄膜晶體管115包括源極115A、漏極115B和柵極115C，源極115A和漏極115B分別位于多晶硅層114的兩側(cè)，第二絕緣層116位于多晶硅層114上方，柵極115C位于第二絕緣層116上方，介電層118位于柵極115C上方，第三絕緣層119位于介電層118上方，源極115A和漏極115B分別貫穿第三絕緣層119及介電層118與多晶硅層114連接。
[0039]進(jìn)一步地，該陣列基板還包括至少一個(gè)數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極(圖中未示出)，數(shù)據(jù)線與源極115A連通，用于將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸給對應(yīng)的薄膜晶體管115的源極115A。掃描線與柵極115C連通，用于將掃描信號(hào)傳輸給對應(yīng)的薄