一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 與陰極射線管（Cathode Ray Tube，CRT)顯示器相比，液晶顯示器（Liquid Crystal Display，IXD)具有很多優(yōu)點，如厚度較薄，功耗較低等。因此，液晶顯示器在很多 領(lǐng)域都已經(jīng)代替了 CRT顯示器。液晶顯示器作為一種被動發(fā)光顯示器，需要一個亮度均一、 節(jié)能高效、輕薄的背光源，而白光發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED)背光源由于突 出的優(yōu)點，正逐步取代冷陰極焚光燈管（Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)技術(shù)，成 為目前液晶顯示器的主流背光源。
[0003] 但目前液晶顯示裝置中使用的背光源，光譜中含有大量不規(guī)則頻率的高能短波藍(lán) 光，短波藍(lán)光的波長小于450納米（nm)，這些短波藍(lán)光具有極高能量，能夠穿透晶狀體直達(dá) 視網(wǎng)膜。藍(lán)光照射視網(wǎng)膜會產(chǎn)生自由基，而這些自由基會導(dǎo)致視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞衰亡，上 皮細(xì)胞的衰亡會導(dǎo)致光敏細(xì)胞缺少養(yǎng)分從而引起視力損傷。
[0004] 自然界本身不存在單獨的白光，藍(lán)光是可見光光譜中的重要組成部分，而藍(lán)光通 過與綠光、紅光混合后呈現(xiàn)出白光。目前白光LED常用的工藝為藍(lán)色芯片加熒光粉，藍(lán)光作 為激發(fā)光，波長越短，激發(fā)能力越強；激發(fā)其表面涂覆的熒光粉后發(fā)出對應(yīng)顏色的光，然后 上述光再與藍(lán)光相互作用，經(jīng)混色后合成白光。常見的白光LED背光光譜，其中波長位于 430nm到450nm的藍(lán)光，對人眼傷害最大。
[0005] 為了改善藍(lán)光輻射，降低對人眼的傷害，現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計了一種抗藍(lán)光輻射鏡片，這 些類型的鏡片使得波長位于400nm到500nm的藍(lán)光過濾效果達(dá)到40 %到50 %，雖然這類鏡 片能夠在一定程度上降低背光源中有害藍(lán)光的含量，保護(hù)使用者的眼睛。但這種設(shè)計存在 如下不足：一、膜層結(jié)構(gòu)復(fù)雜，加工難度高；二、吸收的藍(lán)光范圍較大，400nm到500nm的藍(lán)光 損失較多，影響視覺效果和顯示色域；三、佩戴藍(lán)光過濾專用眼鏡，只能單人使用且影響人 眼的視覺體驗，觀賞感覺較差。
[0006] 綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)在降低背光源中有害藍(lán)光時，制作難度高，吸收的藍(lán)光范圍較 大，影響廣品的顯不品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以在不影響產(chǎn)品 的顯不品質(zhì)的情況下，降低背光源中有害藍(lán)光的含量。
[0008] 本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括透光區(qū)和非透光區(qū)，其中，所述透光區(qū)形 成有的藍(lán)光過濾層，所述藍(lán)光過濾層用于吸收波長小于450納米的藍(lán)光。
[0009] 由本發(fā)明實施例提供的陣列基板，由于僅在陣列基板的透光區(qū)設(shè)置藍(lán)光過濾層， 該藍(lán)光過濾層用于吸收波長小于450納米的藍(lán)光，因此，相對于現(xiàn)有技術(shù)設(shè)置膜層結(jié)構(gòu)復(fù) 雜的抗藍(lán)光輻射鏡片，本發(fā)明實施例能夠吸收較窄波段的高能短波藍(lán)光，即在不影響產(chǎn)品 的顯不品質(zhì)的情況下，降低背光源中有害藍(lán)光的含量。
[0010] 較佳地，所述藍(lán)光過濾層包括半導(dǎo)體納米粒子。
[0011] 較佳地，所述半導(dǎo)體納米粒子包括氧化鈦或氧化鎢。
[0012] 較佳地，包括依次位于襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極、漏 極、鈍化層、藍(lán)光過濾層和像素電極，其中，所述藍(lán)光過濾層在所述襯底基板上的正投影區(qū) 域位于所述像素電極在所述襯底基板上的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0013] 較佳地，包括依次位于襯底基板上的遮光層、第一絕緣層、半導(dǎo)體有源層、第二絕 緣層、柵極、第三絕緣層、源極、漏極、鈍化層、藍(lán)光過濾層和像素電極，其中，所述藍(lán)光過濾 層在所述襯底基板上的正投影區(qū)域位于所述像素電極在所述襯底基板上的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0014] 本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0015] 本發(fā)明具體實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上制作柵 極、半導(dǎo)體有源層、源極、漏極和像素電極，其中，所述方法還包括：在所述像素電極對應(yīng)的 區(qū)域制作藍(lán)光過濾層，所述藍(lán)光過濾層用于吸收波長小于450納米的藍(lán)光。
[0016] 較佳地，所述方法具體包括：
[0017] 通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上依次制作柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏 極；
[0018] 在完成上述步驟的襯底基板上依次形成鈍化層和藍(lán)光過濾薄膜，通過構(gòu)圖工藝形 成貫穿所述鈍化層和所述藍(lán)光過濾薄膜的過孔，暴露出需要與后續(xù)形成的像素電極電連接 的漏極；
[0019] 在完成上述步驟的襯底基板上形成一層透明導(dǎo)電薄膜；
[0020] 在所述透明導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，僅保留需要形 成像素電極位置處的光刻膠；
[0021] 對透明導(dǎo)電薄膜和藍(lán)光過濾薄膜進(jìn)行刻蝕，并去除剩余的光刻膠，形成像素電極 和藍(lán)光過濾層，所述像素電極通過所述過孔與暴露出的所述漏極電連接。
[0022] 較佳地，所述方法具體包括：
[0023] 通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上依次制作遮光層、第一絕緣層、半導(dǎo)體有源層、第二絕 緣層、柵極、第三絕緣層、源極和漏極；
[0024] 在完成上述步驟的襯底基板上依次形成鈍化層和藍(lán)光過濾薄膜，通過構(gòu)圖工藝形 成貫穿所述鈍化層和所述藍(lán)光過濾薄膜的過孔，暴露出需要與后續(xù)形成的像素電極電連接 的漏極；
[0025] 在完成上述步驟的襯底基板上形成一層透明導(dǎo)電薄膜；
[0026] 在所述透明導(dǎo)電薄膜上涂覆光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，僅保留需要形 成像素電極位置處的光刻膠；
[0027] 對透明導(dǎo)電薄膜和藍(lán)光過濾薄膜進(jìn)行刻蝕，并去除剩余的光刻膠，形成像素電極 和藍(lán)光過濾層，所述像素電極通過所述過孔與暴露出的所述漏極電連接。
[0028] 較佳地，形成藍(lán)光過濾薄膜，包括：
[0029] 通過磁控濺射的方法形成藍(lán)光過濾薄膜。
【附圖說明】
[0030] 圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖2為本發(fā)明實施例提供的藍(lán)光過濾層的藍(lán)光吸收效果示意圖；
[0032] 圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033] 圖4為本發(fā)明實施例二提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034] 圖5為本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0036] 圖7(a) -圖7(d)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作過程的不同階段的 結(jié)構(gòu)圖；
[0037] 圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的制作方法流程圖。
【具體實施方式】
[0038] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以在不影響產(chǎn)品 的顯不品質(zhì)的情況下，降低背光源中有害藍(lán)光的含量。
[0039] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn) 一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施 例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的 所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040] 下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實施例提供的陣列基板。
[0041] 如圖1所示，本發(fā)明具體實施例提供了一種陣列基板，包括透光區(qū)11和非透光區(qū) 12,本發(fā)明具體實施例中的陣列基板的透光區(qū)11形成有藍(lán)光過濾層13,藍(lán)光過濾層13用于 吸收波長小于450納米的藍(lán)光。
[0042] 優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中的藍(lán)光過濾層13包括半導(dǎo)體納米粒子，該半導(dǎo)體納 米粒子由于獨特的能級結(jié)構(gòu)可以吸收特定波長的光。
[0043] 具體實施時，本發(fā)明具體實施例中的藍(lán)光過濾層13為摻有碳（C)粉末的二氧化鈦 (Ti02)，或為