1]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0082]如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板，包括:
[0083]多個像素I，
[0084]多個狹縫圖形2，分別設(shè)置在多個像素I中至少兩個像素I之間，包括多個沿摩擦方向設(shè)置的狹縫。
[0085]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的結(jié)構(gòu)，在圖1中，由于基板上沒有任何能予以摩擦布引導(dǎo)的結(jié)構(gòu)，摩擦布在摩擦取向工藝中，在沿著摩擦方向運動時，容易因為基板自身結(jié)構(gòu)因素和外界因素的影響，發(fā)生運動方向的偏移，導(dǎo)致摩擦工藝產(chǎn)生Mura。
[0086]由于狹縫圖形2具有多個沿摩擦方向的狹縫，其中，摩擦方向即摩擦取向工藝中摩擦布的預(yù)定運動方向，在進行摩擦取向工藝時，狹縫圖形2可以引導(dǎo)摩擦布沿著摩擦方向運動，防止摩擦布在摩擦過程中取向發(fā)生變化，從而形成良好的取向?qū)?，避免摩擦工藝產(chǎn)生的Mura，提尚廣品良率。
[0087]而且，將狹縫圖形2設(shè)置在多個像素的相鄰像素之間，可以保證摩擦布在摩擦取向過程中，能夠連續(xù)地被狹縫圖形2所引導(dǎo)，保證摩擦取向方向的準確性，進一步避免摩擦工藝產(chǎn)生的Mura。還可以避免摩擦布在摩擦工藝中沿著非摩擦方向發(fā)生摩擦而損傷摩擦布，從而延長摩擦布的使用壽命。
[0088]圖1中所示的結(jié)構(gòu)中，狹縫圖形2僅設(shè)置在與柵線對應(yīng)的位置(即橫向設(shè)置)，實際上根據(jù)需要，還可以將狹縫圖形2設(shè)置在與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的位置(即縱向設(shè)置)，但是狹縫圖形2中的狹縫都是沿摩擦方向設(shè)置的。
[0089]優(yōu)選地，包括多個功能膜層，
[0090]其中，多個狹縫圖形設(shè)置在多個功能膜層中的至少一個功能膜層上。
[0091]優(yōu)選地，多個功能膜層包括:源漏極層、柵極金屬層、半導(dǎo)體層、鈍化層、像素電極層、公共電極層和彩膜層。
[0092]如圖3所示，優(yōu)選地，狹縫圖形2包括:
[0093]在柵線(與柵極金屬層22處于同一層)上沿摩擦方向設(shè)置的多個溝道，溝道的深度小于柵線的厚度；
[0094]設(shè)置在柵線之上的柵絕緣層23 ;
[0095]設(shè)置在柵絕緣層之上的鈍化層25 ;
[0096]設(shè)置在鈍化層之上的電極層26。
[0097]柵線中溝道的深度小于柵線的厚度，可以保證柵線不會斷裂，以便正常傳輸掃描信號。
[0098]由于柵線上的溝道沿摩擦方向設(shè)置，在其上形成柵絕緣層23時，即會形成在柵線的正上方，也會形成在溝道中，從而在溝道對應(yīng)位置形成凹槽，凹槽與溝道平行，即也沿著摩擦方向，在柵絕緣層23上形成鈍化層25時，也會在凹槽對應(yīng)位置形成凹槽，進一步地，形成在鈍化層25之上的電極層26在鈍化層25的凹槽處也會形成沿著摩擦方向的凹槽，從而形成狹縫圖形2。
[0099]由于狹縫圖形2沿摩擦方向設(shè)置，在進行摩擦工藝時，狹縫圖形2可以引導(dǎo)摩擦布沿著摩擦方向運動，防止摩擦布在摩擦過程中取向發(fā)生變化，從而形成良好的取向?qū)樱苊饽Σ凉に嚠a(chǎn)生的Mura。
[0100]如圖4所示，優(yōu)選地，狹縫圖形2包括:
[0101]沿摩擦方向設(shè)置的多條金屬線24，
[0102]其中，多條金屬線24與多個像素I中的源漏極(圖中未示出)處于同一層，將金屬線24與源漏極同層形成，可以簡化制作工藝；
[0103]設(shè)置在多條金屬線24之上和相鄰金屬線24之間的鈍化層25 ；
[0104]設(shè)置在鈍化層25之上的電極層26。
[0105]由于多條金屬線24沿摩擦方向設(shè)置，在其上形成鈍化層25時，既會形成在金屬線24的正上方，也會形成于相鄰金屬線24之間，而相鄰金屬線24之間的鈍化層25相對金屬線24正上方的鈍化層25較低，從而在相鄰金屬線24之間形成凹槽，凹槽與多條金屬線24平行，即也是沿著摩擦方向的，進一步地，形成在鈍化層25之上的電極層26在鈍化層25的凹槽處也會形成沿著摩擦方向的凹槽，從而形成狹縫圖形2。
[0106]由于狹縫圖形2沿摩擦方向設(shè)置，在進行摩擦工藝時，狹縫圖形2可以引導(dǎo)摩擦布沿著摩擦方向運動，防止摩擦布在摩擦過程中取向發(fā)生變化，從而形成良好的取向?qū)樱苊饽Σ凉に嚠a(chǎn)生的Mura。
[0107]如圖5所示，優(yōu)選地，狹縫圖形2包括:
[0108]沿摩擦方向設(shè)置的多條半導(dǎo)體線27，
[0109]其中，多條半導(dǎo)體線27與多個像素I中的有源層(圖中未示出)處于同一層，將半導(dǎo)體線27與有源層同層形成可以簡化制作工藝；
[0110]設(shè)置在多條半導(dǎo)體線27之上和相鄰半導(dǎo)體線27之間的鈍化層25 ;
[0111]設(shè)置在鈍化層25之上的電極層26。
[0112]由于多條半導(dǎo)體線27沿摩擦方向設(shè)置，在其上形成鈍化層25時，既會形成在半導(dǎo)體線27的正上方，也會形成于相鄰半導(dǎo)體線27之間，而相鄰半導(dǎo)體線27之間的鈍化層25相對半導(dǎo)體線27正上方的鈍化層25較低，從而在相鄰半導(dǎo)體線27之間形成凹槽，凹槽與多條半導(dǎo)體線27平行，即也是沿著摩擦方向的，進一步地，形成在鈍化層25之上的電極層26在鈍化層25的凹槽處也會形成沿著摩擦方向的凹槽，從而形成狹縫圖形2。
[0113]由于狹縫圖形2沿摩擦方向設(shè)置，在進行摩擦工藝時，狹縫圖形2可以引導(dǎo)摩擦布沿著摩擦方向運動，防止摩擦布在摩擦過程中取向發(fā)生變化，從而形成良好的取向?qū)樱苊饽Σ凉に嚠a(chǎn)生的Mura。
[0114]如圖6所示，優(yōu)選地，狹縫圖形2包括:
[0115]沿摩擦方向設(shè)置的多條半導(dǎo)體線27，
[0116]其中，多條半導(dǎo)體線27與多個像素I中的有源層處于同一層，將半導(dǎo)體線27與有源層同層形成可以簡化制作工藝；
[0117]設(shè)置在多條半導(dǎo)體線27之上，且沿摩擦方向的多條金屬線24，
[0118]其中，多條金屬線24與多個像素I中的源漏極處于同一層，將金屬線24與源漏層同層形成可以簡化制作工藝；
[0119]設(shè)置在多條金屬線24之上和相鄰金屬線24之間的鈍化層25 ；
[0120]設(shè)置在鈍化層25之上的電極層26。
[0121]由于多條半導(dǎo)體線27和多條金屬線24均沿摩擦方向設(shè)置，在多條金屬線24上形成鈍化層25時，既會形成在多條金屬線24的正上方，也會形成于相鄰金屬線24之間，以及相鄰半導(dǎo)體線27之間，而相鄰半導(dǎo)體線27之間和相鄰金屬線24之間的鈍化層25相對金屬線24正上方的鈍化層25較低，從而形成凹槽，凹槽與多條半導(dǎo)體線27和多條金屬線24平行，即也是沿著摩擦方向的，進一步地，形成在鈍化層25之上的電極層26在鈍化層25的凹槽處也會形成沿著摩擦方向的凹槽，從而形成狹縫圖形2。
[0122]優(yōu)選地，狹縫圖形2設(shè)置在多個功能膜層中最上方的膜層中與柵線對應(yīng)的位置。
[0123]將狹縫圖形2設(shè)置在多個功能膜層中最上方的膜層(例如公共電極)中，可以使得摩擦取向工藝中，摩擦布直接與狹縫圖形2相接觸，使得狹縫圖形2良好地引導(dǎo)摩擦布沿著摩擦方向運動。并且將狹縫圖形2設(shè)置在與柵線對應(yīng)的位置，可以狹縫圖形2中的狹縫緊密排列，從而良好地引導(dǎo)摩擦取向工藝。
[0124]另外，摩擦工藝的摩擦方向一般與柵線相垂直，將狹縫圖形2設(shè)置在與柵線對應(yīng)的公共電極上，可以保證具有狹縫圖形2的公共電極與柵線對應(yīng)，從而在每個像素I中都設(shè)置有狹縫圖形2，保證摩擦布在摩擦取向過程中，能夠連續(xù)地被狹縫圖形2所引導(dǎo)，保證摩擦取向方向的準確性，進一步避免摩擦工藝產(chǎn)生的Mura。
[0125]優(yōu)選地，狹縫圖形2中每條狹縫的寬度為13 μπι至15 μπι。
[0126]寬度為13 μπι至15 μπι的狹縫與當前摩擦工藝中摩擦布的直徑相匹配，可以更加順利地引導(dǎo)摩擦布運動。當然，狹縫的具體寬度也可以根據(jù)需要設(shè)置。
[0127]上述顯示基板包括但不僅限于ADS和TN類型的基板，對應(yīng)不同類型的基板，可以根據(jù)需要設(shè)置形成狹縫圖形2所在的層。
[0128]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述任一項的顯示基板。
[0129]需要說明的是，本實施例中的顯示裝置可以為:電子紙、手機、平板電腦、電視機、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0130]本發(fā)明還提出了一種顯示基板制作方法，包括:
[0131]在形成多個像素I時，在多個像素I中至少兩個像素I之間，形成具有沿摩擦方向形成的多個狹縫的多個狹縫圖形2。
[0132]形成多個狹縫圖形包括:
[0133]在多個功能膜層中的至少一個功