顯示基板及其制作方法以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種顯示基板、一種顯示裝置和一種顯示基板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，硬屏顯示面板ADS產(chǎn)品的摩擦(Rubbing)工藝主要有幾種取向性不良容易產(chǎn)生，具體如下:
[0003]1.周邊Block (塊):Panel (面板)之間Dummy (虛擬)區(qū)域影響Rubbing布狀態(tài)，當(dāng)Glass (玻璃基板)在Rubbing機臺存在小至0.1°的偏移時即產(chǎn)生；
[0004]2.V-Block (V形塊):由于ET Test Pad區(qū)域影響Rubbing布狀態(tài)，造成對應(yīng)區(qū)域V-Block ；
[0005]3.Pad區(qū)V-Block:Bonding Pad (粘接墊)區(qū)域引線形態(tài)影響Rubbing布狀態(tài)，造成Panel中間寬條狀V-Block ；
[0006]4.Cell (晶胞)污染/Drop (壓降)Mura:SD Shadow(數(shù)據(jù)線陰影區(qū))區(qū)域Rubbing效果差導(dǎo)致漏光產(chǎn)生不良；
[0007]5.Rubbing Mura:其他原因?qū)е碌腞ubbing不均勾，產(chǎn)生豎向Mura ；
[0008]以上種種Rubbing相關(guān)不良，根本原因在于基板的形態(tài)差異影響了 Rubbing布狀態(tài)，因此造成了取向差異。
[0009]Rubbing Mura工藝中產(chǎn)生的一個嚴重的品質(zhì)問題，嚴重影響產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，并且ET檢出率較低，造成后端嚴重的資材浪費以及品質(zhì)問題。尤其是ADS等高端產(chǎn)品，隨著客戶體驗的要求提高，對Rubbing Mura的限度要求越來越嚴，所以改善Rubbing Mura意義重大。但是該不良的根本原因并不在于Rubbing工藝，工藝的優(yōu)化改善效果有限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，如何避免摩擦取向工藝造成的Mura。
[0011]為此目的，本發(fā)明提出了一種顯示基板，包括:
[0012]多個像素，
[0013]多個狹縫圖形，分別設(shè)置在所述多個像素中至少兩個像素之間，包括多個沿摩擦方向設(shè)置的狹縫。
[0014]優(yōu)選地，包括多個功能膜層，
[0015]其中，所述多個狹縫圖形設(shè)置在所述多個功能膜層中的至少一個功能膜層上。
[0016]所述多個功能膜層包括:源漏極層、柵極金屬層、半導(dǎo)體層、鈍化層、像素電極層、公共電極層和彩膜層。
[0017]優(yōu)選地，所述狹縫圖形包括:
[0018]在柵線上沿摩擦方向設(shè)置的多個溝道，所述溝道的深度小于所述柵線的厚度；
[0019]設(shè)置在所述柵線之上的柵絕緣層；
[0020]設(shè)置在柵絕緣層之上的鈍化層；
[0021 ]設(shè)置在所述鈍化層之上的電極層。
[0022]優(yōu)選地，所述狹縫圖形包括:
[0023]沿摩擦方向設(shè)置的多條金屬線，
[0024]其中，所述多條金屬線與所述多個像素中的源漏極處于同一層；
[0025]設(shè)置在所述多條金屬線之上和相鄰金屬線之間的鈍化層；
[0026]設(shè)置在所述鈍化層之上的電極層。
[0027]優(yōu)選地，所述狹縫圖形包括:
[0028]沿摩擦方向設(shè)置的多條半導(dǎo)體線，
[0029]其中，所述多條半導(dǎo)體線與所述多個像素中的有源層處于同一層；
[0030]設(shè)置在所述多條半導(dǎo)體線之上和相鄰半導(dǎo)體線之間的鈍化層；
[0031 ]設(shè)置在所述鈍化層之上的電極層。
[0032]優(yōu)選地，所述狹縫圖形包括:
[0033]沿摩擦方向設(shè)置的多條半導(dǎo)體線，
[0034]其中，所述多條半導(dǎo)體線與所述多個像素中的有源層處于同一層；
[0035]設(shè)置在所述多條半導(dǎo)體線之上，且沿摩擦方向的多條金屬線，
[0036]其中，所述多條金屬線與所述多個像素中的源漏極處于同一層；
[0037]設(shè)置在所述多條金屬線之上和相鄰金屬線之間的鈍化層；
[0038]設(shè)置在所述鈍化層之上的電極層。
[0039]優(yōu)選地，所述狹縫圖形設(shè)置在所述多個功能膜層中最上方的膜層中與柵線對應(yīng)的位置。
[0040]優(yōu)選地，所述狹縫圖形中每條狹縫的寬度為13 μπι至15 μπι。
[0041]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的顯示基板。
[0042]本發(fā)明還提出了一種顯示基板制作方法，包括:
[0043]在形成多個像素時，在所述多個像素中至少兩個像素之間，形成具有沿摩擦方向的多個狹縫的多個狹縫圖形。
[0044]優(yōu)選地，形成所述多個狹縫圖形包括:
[0045]在所述多個功能膜層中的至少一個功能膜層上形成所述多個狹縫圖形。
[0046]優(yōu)選地，形成所述狹縫圖形包括:
[0047]形成所述多個像素中的柵線之后，對所述柵線進行蝕刻，以在所述柵線上形成沿摩擦方向的多個溝道，所述溝道的深度小于所述柵線的厚度；
[0048]在所述柵線之上形成柵絕緣層；
[0049]在所述柵絕緣層之上形成鈍化層；
[0050]在所述鈍化層之上形成電極層。
[0051]優(yōu)選地，形成所述狹縫圖形包括:
[0052]在形成所述多個像素中的源漏極時，在所述多個像素中相鄰像素之間，沿摩擦方向形成多條金屬線；
[0053]在所述多條金屬線之上和相鄰金屬線之間形成鈍化層；
[0054]在所述鈍化層之上形成電極層。
[0055]優(yōu)選地，形成所述狹縫圖形包括:
[0056]在形成所述多個像素中的有源層時，在所述多個像素中相鄰像素之間，沿摩擦方向形成多條半導(dǎo)體線；
[0057]在所述多條半導(dǎo)體線之上和相鄰半導(dǎo)體線之間形成鈍化層；
[0058]在所述鈍化層之上形成電極層。
[0059]優(yōu)選地，形成所述狹縫圖形包括:
[0060]在形成所述多個像素中的有源層時，在所述多個像素中相鄰像素之間，沿摩擦方向形成多條半導(dǎo)體線；
[0061]在形成所述多個像素中的源漏極時，在所述多條半導(dǎo)體線之上，沿摩擦方向形成多條金屬線；
[0062]在所述多條金屬線之上和相鄰金屬線之間形成鈍化層；
[0063]在所述鈍化層之上形成電極層。
[0064]優(yōu)選地，形成所述狹縫圖形包括:
[0065]在所述多個功能膜層中最上方的膜層中與柵線的位置形成所述狹縫圖形。
[0066]根據(jù)上述技術(shù)方案，通過設(shè)置沿摩擦方向的狹縫圖形，而狹縫圖形中包括沿摩擦方向的狹縫，在進行摩擦取向工藝(形成取向?qū)?時，狹縫圖形可以引導(dǎo)摩擦布沿著摩擦方向運動，避免摩擦過程中取向發(fā)生變化，以形成良好的取向?qū)?，避免摩擦工藝產(chǎn)生的Mura，并延長摩擦布的使用壽命。
【附圖說明】
[0067]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對本發(fā)明進行任何限制，在附圖中:
[0068]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0069]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0070]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示面板沿AA’的截面示意圖；
[0071]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的顯示面板沿AA’的截面示意圖；
[0072]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的顯示面板沿AA’的截面示意圖；
[0073]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的顯示面板沿AA’的截面示意圖；
[0074]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的形成狹縫圖形的示意流程圖；
[0075]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的形成狹縫圖形的示意流程圖；
[0076]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的形成狹縫圖形的示意流程圖；
[0077]圖10示出了根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的形成狹縫圖形的示意流程圖。
[0078]附圖標(biāo)號說明:
[0079]1-像素；2_狹縫圖形；21_基底；22_柵極金屬層；23_柵絕緣層；24_金屬線；25-鈍化層；26_電極層；27_半導(dǎo)體線。
【具體實施方式】
[0080]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
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