域、負(fù)性光刻膠部分保留區(qū)域和負(fù)性光刻膠完全去除區(qū)域，所述負(fù)性光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于形成第一過孔和第二過孔206的圖形區(qū)域，所述負(fù)性光刻膠完全保留區(qū)域和負(fù)性光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域，對所述鈍化層204和柵絕緣層109進(jìn)行刻蝕以形成第一過孔和第二過孔206，最后剝離剩余的負(fù)性光刻膠106。
[0083]步驟3006、形成透明導(dǎo)電薄膜。
[0084]步驟3007、通過構(gòu)圖工藝形成像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極連接。
[0085]本實施例中，在所述鈍化層上形成透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極連接，所述公共電極通過所述第二過孔與所述公共電極線連接。
[0086]本實施例提供的陣列基板的制備方法中，所述掩膜板包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設(shè)置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設(shè)置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設(shè)置遮光材料，所述透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)，或者所述非透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)。本實施例提供的掩膜板能夠?qū)崿F(xiàn)柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，從而減少了掩膜板的使用數(shù)量，降低了產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)成本。
[0087]實施例五
[0088]本實施例對顯示面板的制備過程進(jìn)行如下詳細(xì)描述。需要說明的是，本實施例中所述的顯示面板為TN模式，但是其它模式的顯示面板，例如，ADS模式和VA模式的顯示面板的制備方法也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0089]本實施例提供了一種顯示面板的制備方法，包括上述實施例三或?qū)嵤├奶峁┑年嚵谢宓闹苽浞椒?，具體內(nèi)容可參照上述實施例三或?qū)嵤├牡拿枋?，此處不再贅述?br>[0090]本實施例提供的顯示面板的制備方法中，所述掩膜板包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設(shè)置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設(shè)置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設(shè)置遮光材料，所述透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)，或者所述非透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)。本實施例提供的掩膜板能夠?qū)崿F(xiàn)柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，從而減少了掩膜板的使用數(shù)量，降低了產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)成本。
[0091]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種掩膜板，其特征在于，包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設(shè)置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設(shè)置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設(shè)置遮光材料，所述透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)，或者所述非透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，當(dāng)所述透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)時，所述透光區(qū)域和部分透光區(qū)域用于形成柵線、柵極和公共電極線，所述透光區(qū)域還用于形成第一過孔和第二過孔；或者 當(dāng)所述非透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)時，所述非透光區(qū)域和部分透光區(qū)域用于形成柵線、柵極和公共電極線，所述非透光區(qū)域還用于形成第一過孔和第二過孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述非透光材料層的構(gòu)成材料包括金屬材料，所述部分透光材料層的構(gòu)成材料包括金屬氧化物或者樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述金屬材料包括金屬鉻，所述金屬氧化物包括氧化鉻。
5.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 在基板上形成柵金屬薄膜； 采用掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成柵線和柵極，所述掩膜板包括權(quán)利要求1-4任一所述的掩膜板； 依次形成柵絕緣層、有源層薄膜和源漏金屬薄膜； 通過構(gòu)圖工藝形成有源層、源極和漏極； 形成鈍化層，采用所述掩膜板通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層對應(yīng)所述漏極區(qū)域形成第一過孑L ； 形成透明導(dǎo)電薄膜； 通過構(gòu)圖工藝形成像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述采用掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成柵線和柵極的同時，形成公共電極線； 所述采用所述掩膜板通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層對應(yīng)所述漏極區(qū)域形成第一過孔的同時，在所述柵絕緣層和鈍化層對應(yīng)所述公共電極線區(qū)域形成第二過孔； 所述通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的同時，形成公共電極，所述公共電極通過所述第二過孔與所述公共電極線連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述采用掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成柵線和柵極的同時，形成公共電極線的步驟包括: 在所述柵金屬薄膜上涂敷負(fù)性光刻膠，采用所述掩膜板對負(fù)性光刻膠進(jìn)行曝光顯影以形成負(fù)性光刻膠完全保留區(qū)域、負(fù)性光刻膠部分保留區(qū)域和負(fù)性光刻膠完全去除區(qū)域，所述負(fù)性光刻膠完全保留區(qū)域和負(fù)性光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成柵線、柵極和公共電極線的圖形區(qū)域，所述負(fù)性光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域； 對所述柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕以形成柵線、柵極和公共電極線； 剝離剩余的負(fù)性光刻膠； 所述采用所述掩膜板通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層對應(yīng)所述漏極區(qū)域形成第一過孔的同時，在所述柵絕緣層和鈍化層對應(yīng)所述公共電極線區(qū)域形成第二過孔的步驟包括: 在所述鈍化層上涂敷正性光刻膠，采用所述掩膜板對正性光刻膠進(jìn)行曝光顯影以形成正性光刻膠完全保留區(qū)域、正性光刻膠部分保留區(qū)域和正性光刻膠完全去除區(qū)域，所述正性光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于形成第一過孔和第二過孔的圖形區(qū)域，所述正性光刻膠完全保留區(qū)域和正性光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域； 對所述鈍化層和柵絕緣層進(jìn)行刻蝕以形成第一過孔和第二過孔； 剝離剩余的正性光刻膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述采用掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成柵線和柵極的同時，形成公共電極線的步驟包括: 在所述柵金屬薄膜上涂敷正性光刻膠，采用所述掩膜板對正性光刻膠進(jìn)行曝光顯影以形成正性光刻膠完全保留區(qū)域、正性光刻膠部分保留區(qū)域和正性光刻膠完全去除區(qū)域，所述正性光刻膠完全保留區(qū)域和正性光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成柵線、柵極和公共電極線的圖形區(qū)域，所述正性光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域； 對所述柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕以形成柵線、柵極和公共電極線； 剝離剩余的正性光刻膠； 所述采用所述掩膜板通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層對應(yīng)所述漏極區(qū)域形成第一過孔的同時，在所述柵絕緣層和鈍化層對應(yīng)所述公共電極線區(qū)域形成第二過孔的步驟包括: 在所述鈍化層上涂敷負(fù)性光刻膠，采用所述掩膜板對負(fù)性光刻膠進(jìn)行曝光顯影以形成負(fù)性光刻膠完全保留區(qū)域、負(fù)性光刻膠部分保留區(qū)域和負(fù)性光刻膠完全去除區(qū)域，所述負(fù)性光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于形成第一過孔和第二過孔的圖形區(qū)域，所述負(fù)性光刻膠完全保留區(qū)域和負(fù)性光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域； 對所述鈍化層和柵絕緣層進(jìn)行刻蝕以形成第一過孔和第二過孔； 剝離剩余的負(fù)性光刻膠。
9.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括權(quán)利要求5-8任一所述的陣列基板的制備方法。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其顯示面板的制備方法、掩膜板，所述掩膜板包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設(shè)置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設(shè)置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設(shè)置遮光材料，所述透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)，或者所述非透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明提供的掩膜板能夠?qū)崿F(xiàn)柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，從而減少了掩膜板的使用數(shù)量，降低了產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)成本。
【IPC分類】G03F1-54, H01L21-77
【公開號】CN104635419
【申請?zhí)枴緾N201510106454
【發(fā)明人】白金超, 劉耀, 劉曉偉, 丁向前, 郭總杰
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年3月11日