施例中，所述非透光材料層的構(gòu)成材料包括金屬材料，所述部分透光材料層的構(gòu)成材料包括金屬氧化物或者樹脂。優(yōu)選的，所述金屬材料包括金屬鉻，所述金屬氧化物包括氧化絡(luò)。
[0050]本實施例提供的掩膜板中，所述掩膜板包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設(shè)置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設(shè)置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設(shè)置遮光材料，所述透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)，或者所述非透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)。本實施例提供的技術(shù)方案能夠?qū)崿F(xiàn)柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，從而減少了掩膜板的使用數(shù)量，降低了產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)成本。
[0051]實施例二
[0052]圖2為本發(fā)明實施例二提供的一種掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，所述掩膜板101包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域102、部分透光區(qū)域103和透光區(qū)域104。所述非透光區(qū)域102上設(shè)置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域103上設(shè)置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域104不設(shè)置遮光材料，所述非透光區(qū)域102設(shè)置在所述部分透光區(qū)域103內(nèi)。在構(gòu)圖工藝過程中，所述非透光區(qū)域102和部分透光區(qū)域103用于形成柵線、柵極和公共電極線，而且所述非透光區(qū)域102還用于形成第一過孔和第二過孔，從而能夠?qū)崿F(xiàn)柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，達(dá)到減少掩膜板的使用數(shù)量，降低產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)成本的目的。
[0053]本實施例中，所述非透光材料層的構(gòu)成材料包括金屬材料，所述部分透光材料層的構(gòu)成材料包括金屬氧化物或者樹脂。優(yōu)選的，所述金屬材料包括金屬鉻，所述金屬氧化物包括氧化絡(luò)。
[0054]本實施例提供的掩膜板中，所述掩膜板包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設(shè)置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設(shè)置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設(shè)置遮光材料，所述透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)，或者所述非透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)。本實施例提供的技術(shù)方案能夠?qū)崿F(xiàn)柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，從而減少了掩膜板的使用數(shù)量，降低了產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)成本。
[0055]實施例三
[0056]本實施例對陣列基板的制備過程進(jìn)行如下詳細(xì)描述。需要說明的是，本實施例中所述的陣列基板為TN模式，但是其它模式的陣列基板，例如，ADS模式和VA模式的陣列基板的制備方法也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0057]圖3為本發(fā)明實施例三提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖。如圖3所示，所述制備方法包括:
[0058]步驟3001、在基板上形成柵金屬薄膜。
[0059]步驟3002、采用掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成柵線和柵極。
[0060]本實施例中，所述掩膜板采用上述實施例一提供的掩膜板，具體內(nèi)容可參照上述實施例一中的描述，此處不再贅述。
[0061]圖4a?圖4c為實施例三形成柵極和公共電極線的示意圖。如圖4a?圖4c所示，在基板上形成柵金屬薄膜105，在所述柵金屬薄膜105上涂敷負(fù)性光刻膠106，采用所述掩膜板101對負(fù)性光刻膠106進(jìn)行曝光顯影以形成負(fù)性光刻膠完全保留區(qū)域、負(fù)性光刻膠部分保留區(qū)域和負(fù)性光刻膠完全去除區(qū)域，所述負(fù)性光刻膠完全保留區(qū)域和負(fù)性光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成柵線、柵極108和公共電極線107的圖形區(qū)域，所述負(fù)性光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域，對所述柵金屬薄膜105進(jìn)行刻蝕以形成柵線、柵極108和公共電極線107，最后剝離剩余的負(fù)性光刻膠106?？蛇x的，所述基板為石英基板。
[0062]步驟3003、依次形成柵絕緣層、有源層薄膜和源漏金屬薄膜。
[0063]步驟3004、通過構(gòu)圖工藝形成有源層、源極和漏極。
[0064]本實施例中，在所述柵線、柵極108和公共電極線107之上依次形成柵絕緣層、有源層薄膜和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層201、源極202和漏極203。
[0065]步驟3005、形成鈍化層，采用所述掩膜板通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層對應(yīng)所述漏極區(qū)域形成第一過孔。
[0066]本實施例中，所述采用所述掩膜板通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層對應(yīng)所述漏極區(qū)域形成第一過孔的同時，在所述柵絕緣層和鈍化層對應(yīng)所述公共電極線區(qū)域形成第二過孔。圖5a?圖5c為實施例三形成過孔的示意圖。如圖5a?圖5c所示，在所述源極202和漏極203之上形成鈍化層204，在所述鈍化層204上涂敷正性光刻膠205，采用所述掩膜板101對正性光刻膠205進(jìn)行曝光顯影以形成正性光刻膠完全保留區(qū)域、正性光刻膠部分保留區(qū)域和正性光刻膠完全去除區(qū)域，所述正性光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于形成第一過孔和第二過孔206的圖形區(qū)域，所述正性光刻膠完全保留區(qū)域和正性光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域，對所述鈍化層204和柵絕緣層109進(jìn)行刻蝕以形成第一過孔和第二過孔206，最后剝離剩余的正性光刻膠205。
[0067]步驟3006、形成透明導(dǎo)電薄膜。
[0068]步驟3007、通過構(gòu)圖工藝形成像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極連接。
[0069]本實施例中，在所述鈍化層上形成透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極連接，所述公共電極通過所述第二過孔與所述公共電極線連接。
[0070]本實施例提供的陣列基板的制備方法中，所述掩膜板包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設(shè)置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設(shè)置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設(shè)置遮光材料，所述透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)，或者所述非透光區(qū)域設(shè)置在所述部分透光區(qū)域內(nèi)。本實施例提供的掩膜板能夠?qū)崿F(xiàn)柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，從而減少了掩膜板的使用數(shù)量，降低了產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)成本。
[0071]實施例四
[0072]本實施例對陣列基板的制備過程進(jìn)行如下詳細(xì)描述。需要說明的是，本實施例中所述的陣列基板為TN模式，但是其它模式的陣列基板，例如，ADS模式和VA模式的陣列基板的制備方法也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0073]本實施例提供一種陣列基板的制備方法。參見圖3，所述制備方法包括:
[0074]步驟3001、在基板上形成柵金屬薄膜。
[0075]步驟3002、采用掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成柵線和柵極。
[0076]本實施例中，所述掩膜板采用上述實施例二提供的掩膜板，具體內(nèi)容可參照上述實施例二中的描述，此處不再贅述。
[0077]圖6為本發(fā)明實施例四提供的一種曝光工藝的示意圖。參見圖6、圖4b和圖4c，在基板上形成柵金屬薄膜105，在所述柵金屬薄膜105上涂敷正性光刻膠205，采用所述掩膜板101對正性光刻膠205進(jìn)行曝光顯影以形成正性光刻膠完全保留區(qū)域、正性光刻膠部分保留區(qū)域和正性光刻膠完全去除區(qū)域，所述正性光刻膠完全保留區(qū)域和正性光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成柵線、柵極108和公共電極線107的圖形區(qū)域，所述正性光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域，對所述柵金屬薄膜105進(jìn)行刻蝕以形成柵線、柵極108和公共電極線107，最后剝離剩余的正性光刻膠205。
[0078]步驟3003、依次形成柵絕緣層、有源層薄膜和源漏金屬薄膜。
[0079]步驟3004、通過構(gòu)圖工藝形成有源層、源極和漏極。
[0080]本實施例中，在所述柵線、柵極108和公共電極線107之上依次形成柵絕緣層、有源層薄膜和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成有源層201、源極202和漏極203。
[0081]步驟3005、形成鈍化層，采用所述掩膜板通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層對應(yīng)所述漏極區(qū)域形成第一過孔。
[0082]本實施例中，所述采用所述掩膜板通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層對應(yīng)所述漏極區(qū)域形成第一過孔的同時，在所述柵絕緣層和鈍化層對應(yīng)所述公共電極線區(qū)域形成第二過孔。圖7為本發(fā)明實施例四提供的另一種曝光工藝的不意圖。參見圖7、圖5b和圖5c，在所述源極202和漏極203之上形成鈍化層204，在所述鈍化層204上涂敷負(fù)性光刻膠106，采用所述掩膜板101對負(fù)性光刻膠106進(jìn)行曝光顯影以形成負(fù)性光刻膠完全保留區(qū)