一種陣列基板及其顯示面板的制備方法、掩膜板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其顯示面板的制備方法、掩膜板。
【背景技術】
[0002]在TFT-1XD制造行業(yè)，陣列基板的制造過程需要進行4-7次曝光工藝，因此需要
4-7塊掩膜板(Mask)，例如，常見的扭曲向列(Twisted Nematic, TN)模式的陣列基板需要柵極掩膜板(Gate Mask)、有源層掩膜板(Active Mask)、源漏極掩膜板(S/D Mask)、過孔掩膜板(Via Mask)、像素電極掩膜板(ITO Mask)共五塊掩膜板。每塊掩膜板價值100-200萬人民幣，因此僅一個產品在購買掩膜板上就需要花費大量資金，提高了產品開發(fā)和生產的成本。
【發(fā)明內容】
[0003]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及其顯示面板的制備方法、掩膜板，用于解決現有技術中掩膜板導致的顯示面板的生產成本過高的問題。
[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種掩膜板，包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設置遮光材料，所述透光區(qū)域設置在所述部分透光區(qū)域內，或者所述非透光區(qū)域設置在所述部分透光區(qū)域內。
[0005]可選的，當所述透光區(qū)域設置在所述部分透光區(qū)域內時，所述透光區(qū)域和部分透光區(qū)域用于形成柵線、柵極和公共電極線，所述透光區(qū)域還用于形成第一過孔和第二過孔；或者
[0006]當所述非透光區(qū)域設置在所述部分透光區(qū)域內時，所述非透光區(qū)域和部分透光區(qū)域用于形成柵線、柵極和公共電極線，所述非透光區(qū)域還用于形成第一過孔和第二過孔。
[0007]可選的，所述非透光材料層的構成材料包括金屬材料，所述部分透光材料層的構成材料包括金屬氧化物或者樹脂。
[0008]可選的，所述金屬材料包括金屬鉻，所述金屬氧化物包括氧化鉻。
[0009]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0010]在基板上形成柵金屬薄膜；
[0011]采用掩膜板通過構圖工藝形成柵線和柵極，所述掩膜板包括上述任一掩膜板；
[0012]依次形成柵絕緣層、有源層薄膜和源漏金屬薄膜；
[0013]通過構圖工藝形成有源層、源極和漏極；
[0014]形成鈍化層，采用所述掩膜板通過構圖工藝在所述鈍化層對應所述漏極區(qū)域形成第一過孔，
[0015]形成透明導電薄膜；
[0016]通過構圖工藝形成像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極連接。
[0017]可選的，所述采用掩膜板通過構圖工藝形成柵線和柵極的同時，形成公共電極線；
[0018]所述采用所述掩膜板通過構圖工藝在所述鈍化層對應所述漏極區(qū)域形成第一過孔的同時，在所述柵絕緣層和鈍化層對應所述公共電極線區(qū)域形成第二過孔；
[0019]所述通過構圖工藝形成像素電極的同時，形成公共電極，所述公共電極通過所述第二過孔與所述公共電極線連接。
[0020]可選的，所述采用掩膜板通過構圖工藝形成柵線和柵極的同時，形成公共電極線的步驟包括:
[0021]在所述柵金屬薄膜上涂敷負性光刻膠，采用所述掩膜板對負性光刻膠進行曝光顯影以形成負性光刻膠完全保留區(qū)域、負性光刻膠部分保留區(qū)域和負性光刻膠完全去除區(qū)域，所述負性光刻膠完全保留區(qū)域和負性光刻膠部分保留區(qū)域對應于形成柵線、柵極和公共電極線的圖形區(qū)域，所述負性光刻膠完全去除區(qū)域對應于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域；
[0022]對所述柵金屬薄膜進行刻蝕以形成柵線、柵極和公共電極線；
[0023]剝離剩余的負性光刻膠；
[0024]所述采用所述掩膜板通過構圖工藝在所述鈍化層對應所述漏極區(qū)域形成第一過孔的同時，在所述柵絕緣層和鈍化層對應所述公共電極線區(qū)域形成第二過孔的步驟包括:
[0025]在所述鈍化層上涂敷正性光刻膠，采用所述掩膜板對正性光刻膠進行曝光顯影以形成正性光刻膠完全保留區(qū)域、正性光刻膠部分保留區(qū)域和正性光刻膠完全去除區(qū)域，所述正性光刻膠去除區(qū)域對應于形成第一過孔和第二過孔的圖形區(qū)域，所述正性光刻膠完全保留區(qū)域和正性光刻膠部分保留區(qū)域對應于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域；
[0026]對所述鈍化層和柵絕緣層進行刻蝕以形成第一過孔和第二過孔；
[0027]剝離剩余的正性光刻膠。
[0028]可選的，所述采用掩膜板通過構圖工藝形成柵線和柵極的同時，形成公共電極線的步驟包括:
[0029]在所述柵金屬薄膜上涂敷正性光刻膠，采用所述掩膜板對正性光刻膠進行曝光顯影以形成正性光刻膠完全保留區(qū)域、正性光刻膠部分保留區(qū)域和正性光刻膠完全去除區(qū)域，所述正性光刻膠完全保留區(qū)域和正性光刻膠部分保留區(qū)域對應于形成柵線、柵極和公共電極線的圖形區(qū)域，所述正性光刻膠去除區(qū)域對應于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域；
[0030]對所述柵金屬薄膜進行刻蝕以形成柵線、柵極和公共電極線；
[0031]剝離剩余的正性光刻膠；
[0032]所述采用所述掩膜板通過構圖工藝在所述鈍化層對應所述漏極區(qū)域形成第一過孔的同時，在所述柵絕緣層和鈍化層對應所述公共電極線區(qū)域形成第二過孔的步驟包括:
[0033]在所述鈍化層上涂敷負性光刻膠，采用所述掩膜板對負性光刻膠進行曝光顯影以形成負性光刻膠完全保留區(qū)域、負性光刻膠部分保留區(qū)域和負性光刻膠完全去除區(qū)域，所述負性光刻膠去除區(qū)域對應于形成第一過孔和第二過孔的圖形區(qū)域，所述負性光刻膠完全保留區(qū)域和負性光刻膠部分保留區(qū)域對應于所述圖形區(qū)域之外的其它區(qū)域；
[0034]對所述鈍化層和柵絕緣層進行刻蝕以形成第一過孔和第二過孔；
[0035]剝離剩余的負性光刻膠。
[0036]本發(fā)明還提供一種顯示面板的制備方法，包括上述任一陣列基板的制備方法。
[0037]本發(fā)明具有下述有益效果:
[0038]本發(fā)明提供的陣列基板及其顯示面板的制備方法、掩膜板中，所述掩膜板包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和透光區(qū)域，所述非透光區(qū)域上設置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域上設置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域不設置遮光材料，所述透光區(qū)域設置在所述部分透光區(qū)域內，或者所述非透光區(qū)域設置在所述部分透光區(qū)域內。本發(fā)明提供的掩膜板能夠實現柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，從而減少了掩膜板的使用數量，降低了產品開發(fā)和生產成本。
【附圖說明】
[0039]圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種掩膜板的結構示意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明實施例二提供的一種掩膜板的結構示意圖；
[0041]圖3為本發(fā)明實施例三提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖；
[0042]圖4a?圖4c為實施例三形成柵極和公共電極線的示意圖；
[0043]圖5a?圖5c為實施例三形成過孔的示意圖；
[0044]圖6為本發(fā)明實施例四提供的一種曝光工藝的示意圖；
[0045]圖7為本發(fā)明實施例四提供的另一種曝光工藝的示意圖。
【具體實施方式】
[0046]為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖對本發(fā)明提供的陣列基板及其顯示面板的制備方法、掩膜板進行詳細描述。
[0047]實施例一
[0048]圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種掩膜板的結構示意圖。如圖1所示，所述掩膜板101包括基板，所述基板包括非透光區(qū)域102、部分透光區(qū)域103和透光區(qū)域104。所述非透光區(qū)域102上設置有非透光材料層，所述部分透光區(qū)域103上設置有部分透光材料層，所述透光區(qū)域104不設置遮光材料，所述透光區(qū)域104設置在所述部分透光區(qū)域103內。在構圖工藝過程中，所述透光區(qū)域104和部分透光區(qū)域103用于形成柵線、柵極和公共電極線，而且所述透光區(qū)域104還用于形成第一過孔和第二過孔，從而能夠實現柵極掩膜板與過孔掩膜板共用，達到減少掩膜板的使用數量，降低產品開發(fā)和生產成本的目的。
[0049]本實