本發(fā)明涉及tft-lcd技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種tft基板的檢測裝置和一種tft基板的檢測方法。

背景技術(shù)：

tft-lcd(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay)是目前的主流顯示產(chǎn)品，近年來各大面板廠商都在不斷擴大生產(chǎn)規(guī)模，市場需求隨著智能手機，電視的普及越來越大，提高生產(chǎn)效率和生產(chǎn)高質(zhì)量的基板是占領(lǐng)市場的關(guān)鍵。

但在大面積tft基板的生產(chǎn)過程中，array工廠內(nèi)經(jīng)常會發(fā)生由于鍍膜不均、顯影不均或者刻蝕不均等原因造成的tft基板上大面積的mura，特別是在有機膜產(chǎn)品顯影以后，經(jīng)常會出現(xiàn)顯影mura問題。mura主要表現(xiàn)為有效顯示區(qū)域內(nèi)亮度或者顏色顯示不均勻，是tft-lcd產(chǎn)品顯示缺陷中最難檢測的種類之一。目前我們只是利用mac&mic設備的宏觀檢查功能去用肉眼分辨mura情況，人為導致的誤差很大，無法做到精確地測量mura。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種tft基板的檢測裝置及方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)測量mura不精確的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種tft基板的檢測裝置，包括：光源，分束器，可移動參考鏡，圖像采集單元及測控單元；

所述分束器用于將入射到所述分束器的光線分束成透射光線和反射光線；

所述可移動參考鏡用于實現(xiàn)位置移動，并對入射到所述可移動參考鏡的光線進行反射；

所述圖像采集單元用于對入射到所述圖像采集單元的光線所形成的圖像進行采集，并傳輸至所述測控單元；

所述測控單元用于顯示所述圖像采集單元傳輸?shù)膱D像，以對所述tft基板進行檢測；

所述光源發(fā)出的光線入射至所述分束器，分束成第一透射光線和第一反射光線；

所述第一反射光線入射至所述tft基板，經(jīng)所述tft基板反射得到第二反射光線，所述第二反射光線入射至所述分束器，經(jīng)所述分束器透射得到第二透射光線；

所述第一透射光線入射至所述可移動參考鏡，經(jīng)所述可移動參考鏡反射得到第三反射光線，所述第三反射光線入射至所述分束器，經(jīng)所述分束器反射得到第四反射光線；

所述第二透射光線與所述第四反射光線形成干涉并入射至所述圖像采集單元。

優(yōu)選地，所述裝置還包括可移動平臺，用于承載并移動所述tft基板。

優(yōu)選地，所述可移動平臺的位移調(diào)節(jié)精度為±1μm。

優(yōu)選地，所述可移動參考鏡包括參考鏡以及壓電移位器，所述壓電移位器與所述測控單元相連，通過所述測控單元控制所述壓電移位器使所述參考鏡移動。

優(yōu)選地，所述可移動參考鏡包括參考鏡以及手動微調(diào)架，通過所述手動微調(diào)架使所述參考鏡移動。

優(yōu)選地，所述分束器為半透半反鏡。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種tft基板的檢測方法，所述方法包括：

控制所述光源通電；所述光源發(fā)出的光線入射至所述分束器，分束成第一透射光線和第一反射光線；所述第一反射光線入射至所述tft基板，經(jīng)所述tft基板反射得到第二反射光線，所述第二反射光線入射至所述分束器，經(jīng)所述分束器透射得到第二透射光線；所述第一透射光線入射至所述可移動參考鏡，經(jīng)所述可移動參考鏡反射得到第三反射光線，所述第三反射光線入射至所述分束器，經(jīng)所述分束器反射得到第四反射光線；所述第二透射光線與所述第四反射光線入射至所述圖像采集單元，形成干涉圖像；

微調(diào)所述可移動參考鏡；以調(diào)節(jié)所述圖像采集單元采集的所述干涉圖像的清晰度；

根據(jù)所述測控單元顯示的所述干涉圖像，對所述tft基板進行檢測。

優(yōu)選地，所述方法還包括：調(diào)節(jié)可移動平臺，更換所述tft基板的測量位置。

優(yōu)選地，所述可移動參考鏡包括參考鏡以及壓電移位器，所述壓電移位器與所述測控單元相連；所述微調(diào)可移動參考鏡的步驟包括：通過所述測控單元控制所述壓電移位器使所述參考鏡移動。

優(yōu)選地，所述可移動參考鏡包括參考鏡以及手動微調(diào)架，所述微調(diào)可移動參考鏡的步驟包括：通過所述手動微調(diào)架使所述參考鏡移動。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點：

通過本發(fā)明實施例提供的一種tft基板的檢測裝置，該裝置利用分束器首先將光源發(fā)出的光分成兩束，其中一束打向tft基板，另一束打向可移動參考鏡，這兩束光經(jīng)過反射以后又經(jīng)分束器傳輸?shù)綀D像采集單元，形成干涉圖像并傳輸至測控單元，根據(jù)測控單元顯示的干涉圖像，可以定量測量tft基板上mura的位置及尺寸，還可以直觀地判斷mura的嚴重程度；由于是通過非接觸地測量，還可以避免對tft基板表面結(jié)構(gòu)的破壞。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實施例一種tft基板的檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明一實施例一種tft基板的檢測裝置采集的一種干涉圖像；

圖3是本發(fā)明一實施例一種tft基板的檢測裝置采集的另一種干涉圖像；

圖4是本發(fā)明一實施例一種tft基板的檢測方法的步驟流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。

參照圖1，示出了本發(fā)明一實施例一種tft基板的檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，所述裝置可以包括：光源11，分束器12，可移動參考鏡13，圖像采集單元14及測控單元15；

分束器12用于將入射到分束器12的光線分束成透射光線和反射光線；

可移動參考鏡13用于實現(xiàn)位置移動，并對入射到可移動參考鏡13的光線進行反射；

圖像采集單元14用于對入射到圖像采集單元14的光線所形成的圖像進行采集，并傳輸至測控單元15；

測控單元15用于顯示所述圖像采集單元14傳輸?shù)膱D像，以對tft基板進行檢測。

光源11發(fā)出的光線1入射至分束器12，分束成第一透射光線2和第一反射光線3；

第一反射光線3入射至tft基板，經(jīng)tft基板反射得到第二反射光線4，第二反射光線4入射至分束器12，經(jīng)分束器12透射得到第二透射光線5；

第一透射光線2入射至可移動參考鏡13，經(jīng)可移動參考鏡13反射得到第三反射光線6，第三反射光線6入射至分束器12，經(jīng)分束器12反射得到第四反射光線7；

所述第二透射光線5與所述第四反射光線7形成干涉并入射至所述圖像采集單元14。

具體的，光源11可以是激光器，圖像采集單元14可以是ccd攝像機，測控單元15可以安裝在電腦上。

激光器發(fā)射一束激光，光線1傳播到分束器12分束得到頻率相同的第一透射光線2和第一反射光線3。其中第一反射光線3傳播到tft基板上出現(xiàn)mura的區(qū)域，經(jīng)過tft基板的反射得到第二反射光線4，又傳播到分束器12，經(jīng)分束器12透射得到第二透射光線5，傳播到ccd攝像機。

第一透射光線2傳播至可移動參考鏡13上，經(jīng)過可移動參考鏡13的反射得到第三反射光線6，又傳播到分束器12經(jīng)過反射得到第四反射光線7，傳播到ccd攝像機。

由于第二透射光線5和第四反射光線7具有相同的頻率和固定相位差，所以可以形成明暗相間的干涉條紋，經(jīng)過ccd攝像機的采集與放大將干涉圖像傳輸?shù)綔y控單元15上。在實際應用中，可以根據(jù)具體情況為ccd攝像機選用不同焦距的物鏡，來改變系統(tǒng)的分辨率、放大倍數(shù)、景深以及視場大小。

通過調(diào)節(jié)可移動參考鏡13的位置，可以改變第二透射光線5和第四反射光線7的光程差，以調(diào)節(jié)干涉條紋的對比度，直到得到高對比度的干涉圖像。通過測控單元15接收并顯示ccd攝像機傳輸?shù)母缮鎴D像，進而可以由工作人員對干涉圖像進行測量，得到tft基板上mura的位置及尺寸，同時還可以直觀地判斷mura的嚴重程度。如圖2所示，如果干涉條紋很均勻密集，則表示此區(qū)域的tft基板均勻性很好；如圖3所示，如果干涉條紋分布很不均勻，則表示此區(qū)域的tftmura很嚴重。另外，還可以在測控單元15中預置圖像處理軟件，由該圖像處理軟件對干涉圖像進行測量計算，得到tft基板上mura的位置、尺寸以及mura的嚴重程度。

本發(fā)明實施例通過本發(fā)明實施例提供的一種tft基板的檢測裝置，該裝置利用分束器首先將光源發(fā)出的光分成兩束，其中一束打向tft基板，另一束打向可移動參考鏡，這兩束光經(jīng)過反射以后又經(jīng)分束器傳輸?shù)綀D像采集單元，形成干涉圖像并傳輸至測控單元，根據(jù)測控單元顯示的干涉圖像，可以定量測量tft基板上mura的位置及尺寸，還可以直觀地判斷mura的嚴重程度；由于是通過非接觸地測量，還可以避免對tft基板表面結(jié)構(gòu)的破壞。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，裝置還可以進一步包括可移動平臺，用于承載并移動tft基板。

具體的，整個檢測裝置可以固定吊裝在一個可以移動的平臺上，通過操縱平臺緩慢的移動，改變tft基板的測量位置。由于tft基板上mura的影響，我們可以通過測控單元15看到干涉條紋有規(guī)律的出現(xiàn)和消失，所以每出現(xiàn)或者消失一個條紋，就表示第二透射光線5和第四反射光線7的光程差發(fā)生變化，即mura的厚度發(fā)生變化。通過移動可移動平臺可以對tft基板不同位置的mura進行測量。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，上述可移動平臺的位移調(diào)節(jié)精度可以為±1μm。

本發(fā)明實施例通過可移動平臺移動tft基板，可以對tft基板不同位置的mura進行測量，在優(yōu)選實施例中橫向測量精度可以達到微米級別。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，可移動參考鏡13可以包括參考鏡以及壓電移位器，壓電移位器與測控單元15相連，通過測控單元15控制壓電移位器使所述參考鏡移動。

具體的，測控單元15可以安裝在電腦上，壓電移位器可以與測控單元15連接。我們通過測控單元15來控制壓電移位器產(chǎn)生微小的位移，從而改變第二透射光線5和第四反射光線7的光程差，進而得到對比度高的干涉條紋，根據(jù)得到的干涉圖像可以對mura進行更精確地測量。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，可移動參考鏡還可以包括參考鏡以及手動微調(diào)架，通過所述手動微調(diào)架使所述參考鏡移動。

具體的，可以通過手動微調(diào)架控制參考鏡的位移，從而改變第二透射光線5和第四反射光線7的光程差，進而得到對比度高的干涉條紋，根據(jù)得到的干涉圖像可以對mura進行更精確地測量。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述分束器可以為半透半反鏡。

具體的，半透半反鏡可以使照射在半透半反鏡上的光線一半進行反射，一半進行透射，這樣可以確保得到同一光源發(fā)出的頻率相同的兩束光，這是兩束光產(chǎn)生干涉的的必要條件。

在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，還可以利用此裝置進行tft基板表面膜厚的測量。入射到tft基板表面的光，一部分在薄膜上表面反射，另一部分在薄膜下反射，由于這些反射波是同一光源發(fā)射出來的可干涉光，通過ccd攝像機可形成干涉圖像。隨著tft基板表面膜厚的變化，上表面的反射光與下表面的反射光之間的光程差也相應發(fā)生變化，導致ccd攝像機采集到的干涉條紋的增加或減少，根據(jù)干涉條紋的變化通過理論計算可以得到膜厚的變化。

本發(fā)明實施例還公開了一種使用上述裝置測量tft基板的方法，如圖4所示，所述方法可以包括：

步驟101：控制所述光源通電；光源發(fā)出的光線入射至分束器，分束成第一透射光線和第一反射光線；第一反射光線入射至tft基板，經(jīng)tft基板反射得到第二反射光線，第二反射光線入射至分束器，經(jīng)分束器透射得到第二透射光線；第一透射光線入射至可移動參考鏡，經(jīng)可移動參考鏡反射得到第三反射光線，第三反射光線入射至分束器，經(jīng)分束器反射得到第四反射光線；第二透射光線與第四反射光線入射至圖像采集單元，形成干涉圖像；

步驟102：微調(diào)可移動參考鏡；以調(diào)節(jié)圖像采集單元采集的干涉圖像的清晰度；

步驟103：根據(jù)測控單元顯示的干涉圖像，對tft基板進行檢測。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述方法還可以進一步包括：

步驟201：調(diào)節(jié)可移動平臺，更換tft基板的測量位置。

具體的，步驟201可以在步驟103之后，對于連續(xù)測量的情況，步驟201執(zhí)行完成后，可以繼續(xù)執(zhí)行步驟102和步驟103。具體的執(zhí)行次序可以根據(jù)實際情況來確定，本發(fā)明對此不做限定。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，可移動參考鏡包括參考鏡以及壓電移位器，壓電移位器與測控單元相連；微調(diào)可移動參考鏡的步驟包括：通過測控單元控制壓電移位器使參考鏡移動。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，可移動參考鏡包括參考鏡以及手動微調(diào)架，微調(diào)可移動參考鏡的步驟包括：通過手動微調(diào)架使參考鏡移動。

對于前述的各方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因為依據(jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時進行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、商品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、商品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、商品或者設備中還存在另外的相同要素。

以上對本發(fā)明所提供的一種tft基板的檢測裝置和一種tft基板的檢測方法進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制。