本發(fā)明是關(guān)于一種主動元件陣列基板及顯示面板的操作方法。

背景技術(shù)：

一般而言，液晶顯示面板主要是由一主動元件陣列基板、一對向基板以及一夾于主動元件陣列基板與對向基板之間的液晶層所構(gòu)成，其中主動元件陣列基板具有多個陣列排列的像素，而每一像素包括主動元件以及與主動元件電性耦接的像素電極。主動元件陣列基板上更配置有多條掃描線與數(shù)據(jù)線，每一個像素的主動元件是與對應的掃描線與數(shù)據(jù)線電性耦接。由于主動元件陣列基板上的掃描線與數(shù)據(jù)線的長度很長，故容易發(fā)生斷線的情形。當掃描線與數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線時，會導致一部分的像素無法動作(線缺陷)，故必須設法修補斷線。一般來說，為了能迅速地修補斷線，主動元件陣列基板上會預留有一條以上的修補線。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種主動元件陣列基板及顯示面板的操作方法。

于本發(fā)明的多個實施方式中，藉由設置可時序調(diào)控電阻的修補線，進而使修補后的像素單元的所面臨的阻抗與其周邊的像素單元所面臨的阻抗相似，達到修補后的像素單元與其周邊的像素單元的亮度匹配，以避免造成亮線。

根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式，主動元件陣列基板包含基板、數(shù)據(jù)線以及修復線。基板具有顯示區(qū)、第一周邊區(qū)以及第二周邊區(qū)，其中第一周邊區(qū)以及第二周邊區(qū)分別設置于顯示區(qū)的相對兩側(cè)。數(shù)據(jù)線至少設置于基板的顯示區(qū)，且延伸至第一周邊區(qū)以及第二周邊區(qū)。修復線包含至少一阻抗調(diào)變電路、第一修復線段以及第二修復線段。阻抗調(diào)變電路具有輸入端、輸出端以及控制端，其中阻抗調(diào)變電路用以根據(jù)控制端接收的控制信號調(diào)整其阻抗。第一修復線段電性耦接于輸入端且延伸至基板的第一周邊區(qū)。第二修復線段電性耦接于輸出端且延伸至基板的第二周邊區(qū)。

于本發(fā)明的部分實施方式中，主動元件陣列基板更包含源極驅(qū)動電路，電性耦接數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)線具有第一部分以及第二部分，其中第一部分至少部分設置于第一周邊區(qū)，第二部分至少部分設置于第二周邊區(qū)，第一修復線段經(jīng)由源極驅(qū)動電路連接數(shù)據(jù)線的第一部分，第二修復線段連接數(shù)據(jù)線的第二部分。

于本發(fā)明的部分實施方式中，數(shù)據(jù)線的第一部分與第二部分在顯示區(qū)中電性分離。

于本發(fā)明的部分實施方式中，數(shù)據(jù)線具有第一部分以及第二部分，其中第一部分至少部分設置于第一周邊區(qū)，第二部分至少部分設置于第二周邊區(qū)，第一修復線段連接數(shù)據(jù)線的第一部分，第二修復線段連接數(shù)據(jù)線的第二部分。

于本發(fā)明的部分實施方式中，阻抗調(diào)變電路包含薄膜晶體管。

于本發(fā)明的部分實施方式中，主動元件陣列基板更包含像素單元，設置于顯示區(qū)，其中像素單元包含像素薄膜晶體管，其中像素單元的像素薄膜晶體管與阻抗調(diào)變電路的薄膜晶體管的通道尺寸不同。

于本發(fā)明的部分實施方式中，阻抗調(diào)變電路的數(shù)量為二個，阻抗調(diào)變電路的輸入端相連，阻抗調(diào)變電路的輸出端相連。

于本發(fā)明的部分實施方式中，主動元件陣列基板更包含至少一像素單元以及控制元件。像素單元設置于顯示區(qū)且電性耦接修復線?？刂圃靡愿鶕?jù)像素單元的位置提供控制信號至阻抗調(diào)變電路。

于本發(fā)明的部分實施方式中，修復線的第一修復線段與第二修復線段分別與數(shù)據(jù)線具有第一預修補點與第二預修補點，其中多個像素單元的第一像素單元與第二預修補點具有第一距離，多個像素單元的第二像素單元與第二預修補點具有第二距離，第一距離大于第二距離，控制元件用以依時序提供第一像素單元與第二像素單元第一阻抗值與第二阻抗值，其中第一阻抗值小于第二阻抗值。

根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式，顯示面板包含數(shù)據(jù)線與修復線，其中數(shù)據(jù)線的第一部分與第二部分互相分離，修復線與數(shù)據(jù)線的第一部分與第二部分分別具有第一預修補點與第二預修補點。顯示面板的操作方法包含：調(diào)整修復線使其具有第一阻抗值；以具有第一阻抗值的修復線透過數(shù)據(jù)線的第二部分對至少一第一像素單元供給信號；調(diào)整修復線使其具有一第二阻抗值；以及以具有第二阻抗值的修復線透過數(shù)據(jù)線的第二部分對至少一第二像素單元供給信號，其中第一阻抗值不同于第二阻抗值。

于本發(fā)明的部分實施方式中，第一像素單元與第二預修補點具有第一距離于其中，第二像素單元與第二預修補點具有第二距離于其中，第一距離大于第二距離，第一阻抗值小于第二阻抗值。上述各段的預修補點可以是經(jīng)過修補操作的預修補點或者未經(jīng)修補操作的預修補點。

于本發(fā)明的部分實施方式中，修復線包含至少一阻抗調(diào)變電路，其中調(diào)整修復線具有第一阻抗值包含：根據(jù)該第一像素單元的位置，提供阻抗調(diào)變電路的控制端第一電位，其中調(diào)整修復線具有第二阻抗值包含：根據(jù)第二像素單元的位置，提供阻抗調(diào)變電路的控制端第二電位，其中第一電位不同于第二電位。

于本發(fā)明的部分實施方式中，阻抗調(diào)變電路包含薄膜晶體管。

于本發(fā)明的部分實施方式中，至少一第一像素單元的數(shù)量為多個，第一像素單元依序相鄰設置。

于本發(fā)明的部分實施方式中，至少一第二像素單元的數(shù)量為多個，第二像素單元依序相鄰設置。

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

附圖說明

圖1a為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的主動元件陣列基板的上視示意圖；

圖1b為圖1a的主動元件陣列基板于修補情況下的簡化電路示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的顯示面板的操作方法的流程圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的主動元件陣列基板的上視示意圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的主動元件陣列基板的上視示意圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的主動元件陣列基板的上視示意圖。

其中，附圖標記

100：主動元件陣列基板150da～150de：像素單元

110：基板152：晶體管

120：數(shù)據(jù)線160：源極驅(qū)動電路

120d：數(shù)據(jù)線170：柵極驅(qū)動電路

122：第一部分180：控制元件

124：第二部分190：軟性電路板

130：掃描線200：電路板

140：修復線300：操作方法

142：阻抗調(diào)變電路310～350：步驟

142t：晶體管va：顯示區(qū)

142i：輸入端pa1：第一周邊區(qū)

142o：輸出端pa2：第二周邊區(qū)

142c：控制端dp：預修補點

144：第一修復線段sp1、sp2：經(jīng)修補的預修補點

146：第二修復線段da～de：距離

150：像素單元

150d：像素單元

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節(jié)不應用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。

圖1a為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的主動元件陣列基板100的上視示意圖。主動元件陣列基板100包含基板110、數(shù)據(jù)線120、掃描線130、修復線140、像素單元150、源極驅(qū)動電路160以及柵極驅(qū)動電路170?；?10具有顯示區(qū)va、第一周邊區(qū)pa1以及第二周邊區(qū)pa2，其中第一周邊區(qū)pa1以及第二周邊區(qū)pa2分別設置于顯示區(qū)va的相對兩側(cè)。數(shù)據(jù)線120至少設置于基板110的顯示區(qū)va，且延伸至第一周邊區(qū)pa1以及第二周邊區(qū)pa2。掃描線130至少設置于基板110的顯示區(qū)va，且與數(shù)據(jù)線120交錯。像素單元150設置于顯示區(qū)va，且電性耦接數(shù)據(jù)線120以及掃描線130。源極驅(qū)動電路160設置于基板110的第一周邊區(qū)pa1且電性耦接數(shù)據(jù)線120。柵極驅(qū)動電路170電性耦接掃描線130。源極驅(qū)動電路160以及柵極驅(qū)動電路170用以提供像素單元150電信號。如此一來，可以透過掃描的方式使各個像素單元150運作。本發(fā)明各實施例所稱的電性耦接，應該依照本領(lǐng)域技術(shù)人員對于揭露的態(tài)樣的可預測性，而不應該僅局限于直接耦接的態(tài)樣。技術(shù)人員可以依照需求，在電性耦接的兩元件之間，添加輔助電路，而不改變本發(fā)明的精神。

于本發(fā)明的部分實施方式中，修復線140包含至少一阻抗調(diào)變電路142、第一修復線段144以及第二修復線段146。阻抗調(diào)變電路142具有輸入端142i、輸出端142o以及控制端142c，其中阻抗調(diào)變電路142用以根據(jù)控制端142c接收的控制信號調(diào)整其輸入端142i與輸出端142o之間的阻抗。第一修復線段144電性耦接于輸入端142i且延伸至基板110的第一周邊區(qū)pa1。第二修復線段146電性耦接于輸出端142o且延伸至基板110的第二周邊區(qū)pa2。

于此，第一修復線段144與第二修復線段146可以分別與數(shù)據(jù)線120的兩端交疊，以形成多個預修補點dp。理想上，各個數(shù)據(jù)線120整體是電性導通的。亦即，于本發(fā)明的部分實施方式中，當數(shù)據(jù)線120具有第一部分122以及第二部分124，其中第一部分122至少部分設置于第一周邊區(qū)pa1，第二部分124至少部分設置于第二周邊區(qū)pa2，各個數(shù)據(jù)線120的第一部分122以及第二部分124互相電性耦接。此時，各個預修補點dp并非為導通的狀態(tài)，因此第一修復線段144與第二修復線段146分別與數(shù)據(jù)線120電性隔絕。

然而，于部分實施方式中，某些數(shù)據(jù)線120可能是毀損的。圖1b為圖1a的主動元件陣列基板于修補情況下的簡化電路示意圖。在此，將毀損的數(shù)據(jù)線120標記為數(shù)據(jù)線120d，數(shù)據(jù)線120d具有第一部分122d以及第二部分124d，分別至少部分設置于第一周邊區(qū)pa1與第二周邊區(qū)pa2，毀損的數(shù)據(jù)線120d的第一部分122d與第二部分124d在顯示區(qū)va中電性分離。在此，電性耦接于數(shù)據(jù)線120d的第二部分124d的像素單元標記為像素單元150d。

為了修復毀損的數(shù)據(jù)線120d，于本發(fā)明的部分實施方式中，透過修復線140的設置，可以使像素單元150d透過修復線140電性耦接源極驅(qū)動電路160，進而使源極驅(qū)動電路160提供像素單元150d電信號。此外，有鑒于修復線140的阻抗調(diào)變電路142能夠調(diào)整修復線140的阻抗，修復線140可以時序性地調(diào)整提供給像素單元150d電信號的電阻大小，以與其他完好的數(shù)據(jù)線120的阻抗匹配，避免造成亮線。

于本發(fā)明的多個實施方式中，可以透過多種方式使預修補點dp導通，形成經(jīng)修補的預修補點sp1、sp2，而使第一修復線段144連接數(shù)據(jù)線120d的第一部分122d，且使第二修復線段146連接數(shù)據(jù)線120d的第二部分124d。舉例而言，可以焊接方式使預修補點dp導通，形成焊接點。如此一來，即可將信息傳送至數(shù)據(jù)線120d的第二部分124d。

于本發(fā)明的部分實施方式中，第一修復線段144與第二修復線段146可以由同一第一圖案化層所形成，而數(shù)據(jù)線120可以由第二圖案化層所形成，第一圖案化層與第二圖案化層可由絕緣層分隔開來，絕緣層中可開設開口，以作為前述的預修補點dp，而可以選擇性地將絕緣層的開口(預修補點dp)填入導電材料，形成經(jīng)修補的預修補點sp1、sp2，而使第一圖案化層與第二圖案化層電性耦接。

雖然在此以第一修復線段144直接連接數(shù)據(jù)線120的第一部分122d為例，來說明本發(fā)明的概念，但不應以此限制本發(fā)明的范圍。于其他實施方式中，第一修復線段144可以經(jīng)由源極驅(qū)動電路160連接數(shù)據(jù)線120的第一部分122d。

于本實施方式中，主動元件陣列基板100更包含軟性電路板190以及電路板200。源極驅(qū)動電路160以及柵極驅(qū)動電路170可以透過其他線路電性耦接軟性電路板190以及電路板200，在此不再一一繪示。于此，修復線140僅設置于基板110上，而不設置于軟性電路板190以及電路板200上。于其他實施方式中，修復線140可以部分設置于軟性電路板190以及電路板200上。

于本發(fā)明的部分實施方式中，阻抗調(diào)變電路142可設置于基板110上。于部分實施方式中，阻抗調(diào)變電路142可包含晶體管142t，其具有柵極、源極以及漏極分別作為控制端142c、輸入端142i以及輸出端142o。舉例而言，此晶體管142t可以是薄膜晶體管，其可包含適當?shù)陌雽w材料，例如氧化銦鎵鋅(indiumgalliumzincoxide；igzo)、氧化銦鎵(igo)、氧化銦鋅(izo)、氧化銦錫(indiumtinoxide；ito)、氧化鈦(titaniumoxide；tio)、氧化鋅(zincoxide；zno)、氧化銦(indiumoxide；ino)、氧化鎵(galliumoxide；gao)。

于本發(fā)明的部分實施方式中，像素單元150包含晶體管152，此晶體管152可以是薄膜晶體管，其可包含上述適當?shù)陌雽w材料。于此，像素單元150的晶體管152與阻抗調(diào)變電路142的晶體管142t的半導體材料可以是相同或不同的。由于像素單元150的晶體管152與阻抗調(diào)變電路142的晶體管142t的設計目的不同，兩者可具有不同的通道尺寸。具體而言，于本發(fā)明的部分實施方式中，阻抗調(diào)變電路142的晶體管142t的通道寬長比(w/l)可以大于像素單元150的晶體管152的通道寬長比，藉此阻抗調(diào)變電路142的晶體管142t的阻值可以調(diào)整到更低。

或者，于其他實施方式中，阻抗調(diào)變電路142可以是其他元件，適用于根據(jù)控制端142c接收的控制信號調(diào)整其輸入端142i與輸出端142o之間的阻抗。舉例而言，阻抗調(diào)變電路142可以是數(shù)位類比轉(zhuǎn)換器(digitaltoanalogconverter；dac)。

于本發(fā)明的部分實施方式中，主動元件陣列基板100更包含控制元件180，電性耦接阻抗調(diào)變電路142的控制端142c?？刂圃?80用以根據(jù)像素單元150的位置或距離提供控制信號至阻抗調(diào)變電路142。舉例而言，控制元件180可以是定時控制器(timingcontroller)。于此，雖然將控制元件180繪示于基板110上，但不應以此限制本發(fā)明的范圍，于其他實施方式中，可以將控制元件180設置于電路板200或其他元件上，而不位于基板110上。

于本實施方式中，設計主動元件陣列基板100具有左右相稱的修復線140，以分別與左右兩區(qū)的數(shù)據(jù)線120形成預修補點dp。于其他實施方式中，可以僅設計一修復線140與所有的數(shù)據(jù)線120形成預修補點dp。再于其他實施方式中，可以設計多條修復線140與各個數(shù)據(jù)線120形成多個預修補點dp。應了解到，不應以修復線140或預修補點dp的數(shù)量而限制本發(fā)明的范圍。

在此，主動元件陣列基板100可以搭配對向基板(未繪示)以及顯示介質(zhì)(未繪示)而構(gòu)成顯示面板(未繪示)。對向基板可以是彩色濾光層基板或一般的基板，且主動元件陣列基板100與對向基板分隔設置。顯示介質(zhì)層(未繪示)夾設于主動元件陣列基板100與對向基板(未繪示)之間。其中主動元件陣列基板100的基板110與對向基板其中一者的材料可包含玻璃、石英、聚合物材料(例如：聚亞酰胺(pi)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene；bcb)、聚碳酸酯(pc)、或其它合適的材料)、或其它合適的材料、或前述至少二種的組合。顯示介質(zhì)(未繪示)的材料包含自發(fā)光材料(例如：有機發(fā)光材料、無機發(fā)光材料、或其它合適的材料、或前述的組合)、非自發(fā)光材料(例如：液晶、電泳、電濕潤、或其它合適的材料、或前述的組合)。

圖2為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的顯示面板的操作方法300的流程圖。顯示面板的操作方法300包含步驟310～350。同時參考圖1b與圖2，顯示面板中的主動元件陣列基板100包含數(shù)據(jù)線120與修復線140，其中數(shù)據(jù)線120包含損壞的數(shù)據(jù)線120d。數(shù)據(jù)線120d的第一部分122d與第二部分124d互相分離，修復線140與數(shù)據(jù)線120d的第一部分122d與第二部分124d分別具有經(jīng)修補的預修補點sp1、sp2。

為方便說明起見，于此，將多個像素單元150d分別標記為像素單元150da～150de。每一像素單元150da～150de至經(jīng)修補的預修補點sp2分別具有距離da～de。在此，以像素單元150da、150dc來說明本實施方式，于此，距離da大于距離dc。

首先，來到步驟310，判斷像素單元150da、150dc的位置，并獲得像素單元150da的位置相較于像素單元150dc的位置較遠離經(jīng)修補的預修補點sp2的信息。

接著，來到步驟320，根據(jù)像素單元150da的位置，提供阻抗調(diào)變電路142的控制端142c第一電位，進而調(diào)整修復線140使其具有第一阻抗值。

其后，來到步驟330，在像素單元150da所連接的掃描線130也接收到掃描信號而使像素單元150da的晶體管導通時，以具有第一阻抗值的修復線140透過數(shù)據(jù)線120的第二部分124對像素單元150da供給信號。

參考步驟340，根據(jù)像素單元150dc的位置，提供阻抗調(diào)變電路142的控制端142c第二電位，進而調(diào)整修復線140使其具有一第二阻抗值。于此，第一電位不同于第二電位，而使第一阻抗值不同于第二阻抗值。于部分實施方式中，可以設計第一電位大于第二電位，且第一阻抗值小于第二阻抗值。

參考步驟350，在像素單元150dc所連接的掃描線130也接收到電信號而使像素單元150dc的晶體管導通時，以具有第二阻抗值的修復線140透過數(shù)據(jù)線120的第二部分124對像素單元150dc供給信號。

如此一來，可以如同完好的數(shù)據(jù)線120，使較遠離經(jīng)修補的預修補點sp2(即較接近源極驅(qū)動電路160)的第一像素單元152da面臨較小阻抗調(diào)變電路142的阻抗，并使較接近經(jīng)修補的預修補點sp2(即較遠離源極驅(qū)動電路160)的第二像素單元154dc面臨較大阻抗調(diào)變電路142的阻抗，進而避免亮線的產(chǎn)生。

于本實施方式中，透過控制元件180依時序提供逐漸變小的電位，可以使多個像素單元150da～150de所面臨阻抗調(diào)變電路142的阻抗值依序增大。當然不應以此限制本發(fā)明的范圍，于其他實施方式中，可以將像素單元150da～150de分為兩個群組，設計依序相鄰設置的像素單元150da、150db面臨相同的第一阻抗值，依序相鄰設置的像素單元150dc～150e面臨相同的第二阻抗值，第一阻抗值小于第二阻抗值，亦可避免亮線的產(chǎn)生。

圖3為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的主動元件陣列基板100的上視示意圖。本實施方式與圖1a的實施方式相似，差別之一在于：本實施方式中，第一修復線段144經(jīng)由源極驅(qū)動電路160延伸至數(shù)據(jù)線120，以形成多個預修補點dp。當數(shù)據(jù)線120毀損時，可以設計預修補點dp導通，而使毀損的數(shù)據(jù)線120電性耦接修復線140。于此，修復線140可以部分設置于軟性電路板190以及電路板200上。具體而言，修復線140的第一修復線段144可以設置于軟性電路板190以及電路板200上。

詳言之，在本實施方式中，第一修復線段144可包含第一段144a以及第二段144b，第一段144a的一端例如是經(jīng)過電路板200而連接至源極驅(qū)動電路160內(nèi)的放大器162，第一段144a的另一端則連接至阻抗調(diào)變電路142，第二段144b的一端例如是連接至源極驅(qū)動電路160內(nèi)的放大器162，第二段144b的另一端與對應的數(shù)據(jù)線120的一端交疊，以形成多個預修補點dp。

本實施方式的其他細節(jié)大致如前所述，在此不再贅述。

圖4為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的主動元件陣列基板100的上視示意圖。本實施方式與圖1a的實施方式相似，差別之一在于：本實施方式中，阻抗調(diào)變電路142的數(shù)量為二個。二個阻抗調(diào)變電路142可以并聯(lián)，具體而言，二個阻抗調(diào)變電路142的輸入端142i相連，二個阻抗調(diào)變電路142的輸出端142o相連。

于此，二個阻抗調(diào)變電路142可以透過不同的控制元件180控制，而使信號可以選擇適當?shù)穆窂絺鬟f，藉以控制修復線140的電阻大小。

本實施方式的其他細節(jié)大致如前所述，在此不再贅述。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的部分實施方式的主動元件陣列基板100的上視示意圖。本實施方式與圖1a的實施方式相似，差別在于：于本實施方式中，阻抗調(diào)變電路142設置于電路板200上。軟性電路板190連接于基板110以及電路板200之間。

本實施方式中，修復線140可以部分設置于軟性電路板190以及電路板200上。具體而言，修復線140的第二修復線段146可以設置于軟性電路板190以及電路板200上。此外，于本實施方式中，第一修復線段144可以經(jīng)由源極驅(qū)動電路160連接數(shù)據(jù)線120的第一部分122d。

本實施方式的其他細節(jié)大致如前所述，在此不再贅述。

于本發(fā)明的多個實施方式中，藉由設置可時序調(diào)控電阻的修補線，進而使修補后的像素單元的所面臨的阻抗與其周邊的像素單元所面臨的阻抗相似，達到修補后的像素單元與其周邊的像素單元的亮度匹配，以降低亮線的困擾。

當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。