本申請要求于2016年2月23日提交的韓國專利申請第10-2016-0021009號的優(yōu)先權(quán)及其衍生的所有權(quán)益，通過引證將其全部內(nèi)容結(jié)合在此。

本發(fā)明的示例性實施方式涉及液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置是目前最廣泛使用的顯示裝置中的一種，通常包括諸如像素電極和共用電極的場生成電極形成在其上的兩個基板以及插入在兩個基板之間的液晶層。lcd裝置通過將電壓施加于場生成電極以在液晶層中產(chǎn)生電場來顯示圖像，電場確定液晶層中液晶分子的方向以調(diào)節(jié)入射光的偏振。

lcd裝置的實例是垂直配向(“va”)模式lcd裝置，該模式是在沒有產(chǎn)生電場時將液晶分子配向成使得液晶分子的長軸垂直于上面板和下面板。va模式lcd裝置由于其高對比度和寬參考視角已被重視。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了實現(xiàn)va模式液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置中的寬視角，可以在每一個像素中設(shè)置液晶分子的配向方向彼此不同的多個域。

存在一種通過在場生成電極(諸如，像素電極)上限定切口(諸如，狹縫)來在lcd裝置的每個像素中形成多個域的方法。根據(jù)這個方法，可以通過使用切口的邊緣與場生成電極之間產(chǎn)生的邊緣場將液晶分子重新配向以提供多個域。

本發(fā)明的示例性實施方式提供了通過控制每一個像素電極的邊緣處的邊緣場以提高透射率的lcd裝置。

本發(fā)明的示例性實施方式還提供了提高側(cè)面可視性的lcd裝置。

然而，本發(fā)明的示例性實施方式不限于本文闡述的那些。通過參考以下給出的本發(fā)明的詳細說明，本發(fā)明的以上和其他示例性實施方式對本發(fā)明涉及的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言將變得更顯而易見。

根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施方式，提供了一種lcd裝置。lcd裝置包括：基底單元；像素電極，布置在所述基底單元上，并且包括主干和從主干延伸的多個分支；第一導電條，沿著像素電極的第一邊緣延伸并且與第一邊緣隔離；第一連接器，連接像素電極和第一導電條；以及共用電極，與像素電極重疊，并且具有平面形狀。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式，提供了一種lcd裝置。lcd裝置包括：基底單元；柵極線，布置在基底單元上；數(shù)據(jù)線，布置在基底單元上并在與柵極線隔離的同時與柵極線交叉；屏蔽電極，布置在數(shù)據(jù)線上并與數(shù)據(jù)線重疊，并與像素電極和導電條隔離；導電條，布置在與其上布置屏蔽電極的層相同的層上，與屏蔽電極隔離，并平行于數(shù)據(jù)線延伸。

根據(jù)該示例性實施方式，可以提供具有改善的透射率的lcd裝置。

另外，可以提供具有改善的側(cè)面可視性的lcd裝置。

從以下的詳細描述、附圖和權(quán)利要求書中，其他特征和示例性實施方式將是顯而易見的。

附圖說明

圖1是根據(jù)發(fā)明的液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置中包括的陣列基板(例如，陣列基板的像素)的示例性實施方式的示意性平面圖。

圖2是沿著圖1的線p-p’截取的示意性截面圖。

圖3是沿著圖1的線q-q’截取的示意性截面圖。

圖4是圖1的部分a的放大圖。

圖5是示出了圖1的像素電極和條形導體的示意性平面圖。

圖6到圖27是圖1的根據(jù)示例性實施方式的lcd裝置的條形導體的各種變形的示意性平面圖。

圖28到圖40是圖1的lcd裝置的示例性實施方式的像素電極和條形導體的各種變形的示意性平面圖。

圖41是示出了圖1的lcd裝置的側(cè)面伽馬曲線的曲線圖。

圖42是根據(jù)本發(fā)明的lcd裝置的像素的另一示例性實施方式的等效電路圖。

圖43是根據(jù)發(fā)明的lcd裝置中包括的陣列基板(例如，陣列基板的像素)的示例性實施方式的示意性平面圖。

圖44是沿著圖43的線r-r’截取的示意性截面圖。

圖45是沿著圖43的線s-s’截取的示意性截面圖。

圖46是示出了圖43的像素電極和條形導體的示意性平面圖。

圖47到圖49是圖42的根據(jù)示例性實施方式的lcd裝置的像素電極和條形導體的變形的示意性平面圖。

具體實施方式

通過參考以下實施方式和附圖的詳細說明會更加容易理解本發(fā)明的特征及其實現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為局限于本文所闡述的實施方式。相反地，提供這些實施方式以使本公開將是透徹且完整的，并且將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的概念，并且本發(fā)明將僅由所附權(quán)利要求限定。貫穿本說明書，相同的參考標號指相同的元件。

本文所用的術(shù)語僅是為了描述特定實施方式的目的，而不旨在限制本發(fā)明。除非上下文另有明確指出，否則如本文中使用的單數(shù)形式“一個(a)”、“一個(an)”和“該(the)”也旨在包括復數(shù)形式。將進一步理解，當在本說明書中使用術(shù)語“包含(comprise)”和/或“包括(comprising)”時，是指存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或者添加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。

將理解，當元件或?qū)酉鄬α硪辉驅(qū)颖环Q為“在其之上”、“與其連接”或“與其耦接”時，其可以直接在另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接或耦接至另一元件或?qū)?，或者可能存在一個或多個中間元件或?qū)?。相反，當元件相對另一元件或?qū)颖环Q為“直接在其之上”、“與其直接連接”或“與其直接耦接”時，則不存在中間元件或者中間層。如在本文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列舉項的任意和所有組合。

應(yīng)當理解的是，盡管本文中可使用術(shù)語第一、第二等描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部，然而，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或者部與另一區(qū)域、層或者部區(qū)分開。因此，在不背離本發(fā)明的教導的情況下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或者部可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或者部。

為了便于說明，本文中可使用諸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...上方”、“上部”等空間關(guān)系術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件或特征與另一(多個)元件或者(多個)特征的關(guān)系。應(yīng)當理解的是，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括使用或運行中的裝置的除圖中描繪的方位之外的不同方位。例如，如果將圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則描述為在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件將定向為在其他元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在…下方”可涵蓋上方和下方兩個方位。裝置可被另行定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或者位于其他方位處)并且應(yīng)當相應(yīng)地解釋文中所用的空間關(guān)系描述符。

考慮到所討論的測量以及與特定數(shù)量的測量相關(guān)的誤差(即，測量系統(tǒng)的限制)，如本文使用的“大約”或“近似”包括在由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員確定的特定值的偏差的可接受范圍內(nèi)的所述值和平均值。例如，“大約”可以是指在一個或多個標準偏差之內(nèi)、或者在所述值的±30％、20％、10％、5％之內(nèi)。

除非另有明確定義，否則本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學術(shù)語)具有與由本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。將進一步理解，諸如在通常使用的詞典中定義的那些術(shù)語應(yīng)當被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域和本發(fā)明的背景下的含義一致的含義，并且這些術(shù)語將不以理想化或過于正式的意思來解釋，除非本文明確如此定義。

參照為理想化的實施方式的示意性圖示的截面圖示，在本文中描述了示例性實施方式。因此，可以預期由于例如制造技術(shù)和/或容差所產(chǎn)生的示圖中的形狀上的變化。因此，在本文中描述的實施方式不應(yīng)當解釋為局限于如在本文中示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由制造導致的在形狀上的偏差。在示例性實施方式中，示出或者描述為平坦的區(qū)域通?？梢跃哂写植诘暮?或非線性的特征。而且，示出的銳角可以被磨圓。因此，在圖中所示出的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的并且其形狀并不旨在示出區(qū)域的精確形狀并且并不旨在限制權(quán)利要求的范圍。

除非另有明確定義，否則本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學術(shù)語)具有與由本申請所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。應(yīng)進一步理解的是，諸如在通常使用的詞典中定義的那些術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義，并且不得以理想化或者過度形式化的意義進行解釋，除非本文中明確如此定義。

在附圖中，由相同的參考標號表示相同或相似部件或元件。

在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實施方式。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置(具體地，陣列基板的像素)中包括的陣列基板的示意性平面圖，圖2是沿著圖1的線p-p’截取的示意性截面圖，圖3是沿著圖1的線q-q’截取的示意性截面圖，圖4是圖1的部分a的放大圖，圖5是示出了圖1的像素電極和條形導體的示意性平面圖，以及圖6到圖27是圖1的根據(jù)示例性實施方式的lcd裝置的條形導體的各種變形的示意性平面圖。

參考圖1至圖5，lcd裝置1可以包括：陣列基板100；對置基板200，面對陣列基板100；以及液晶層300，布置在陣列基板100與對置基板200之間，并且可以進一步包括一對偏振器(未示出)，這對偏振器分別附接在陣列基板100和對置基板200的外表面上。

在示例性實施方式中，陣列基板100可以是薄膜晶體管(“tft”)陣列基板，用于驅(qū)動液晶分子的開關(guān)器件(例如，tft)布置在薄膜晶體管(“tft”)陣列基板上，并且對置基板200可以是面對陣列基板100的基板。

液晶層300可以包括多個液晶分子310，液晶分子具有介電各向異性。響應(yīng)于施加于陣列基板100與對置基板200之間的電場，液晶分子310可以在陣列基板100與對置基板200之間在特定方向上旋轉(zhuǎn)，從而允許或者阻擋光的透射。如本文中使用的，術(shù)語“旋轉(zhuǎn)(rotate)”或“旋轉(zhuǎn)(rotation)”可以不僅包括液晶分子310的實際物理旋轉(zhuǎn)，而且還包括液晶分子310由于電場的對準的變化。

在下文中將描述陣列基板100。

第一基底單元sub1可以包括絕緣基板，并且絕緣基板可以是透明的。在示例性實施方式中，例如，第一基底單元sub1可以包括玻璃基板、石英基板、或透明樹脂基板。在示例性實施方式中，第一基底單元sub1可包括聚合物或具有高熱阻的塑料材料。在示例性實施方式中，第一基底單元sub1可具有柔性。即，第一基底單元sub1可以是可通過轉(zhuǎn)動、折疊或者彎曲而變形的基板。在示例性實施方式中，第一基底基板sub1可具有其中附加層(諸如，絕緣層)層疊在絕緣基板上的結(jié)構(gòu)。

柵極線gln和柵電極ge可以布置在第一基底單元sub1上。柵極線gln可以傳輸柵極信號，并且可以基本沿第一方向(例如，水平方向)延伸。柵電極ge可以從柵極線gln突出并且可以連接至柵極線gln。在示例性實施方式中，柵極線gln和柵電極ge可以包括鋁(al)基金屬(諸如，al或al合金)、銀(ag)基金屬(諸如，ag或ag合金)、銅(cu)基金屬(諸如，cu或cu合金)、鉬(mo)基金屬(諸如mo或mo合金)、鉻(cr)、鉭(ta)、鈦(ti)等。在示例性實施方式中，柵極線gln和柵電極ge中的每一個可具有單層結(jié)構(gòu)或可具有包括具有不同物理性能的兩個導電薄膜的多層結(jié)構(gòu)，其中兩個導電薄膜中的一個可以包括低電阻金屬，例如，al基金屬、ag基金屬、cu基金屬等，以便減少柵極布線(gln和ge)中的信號延遲或電壓降，并且另一導電薄膜可以包括對于氧化銦錫(“ito”)和氧化銦鋅(“izo”)具有優(yōu)異接觸性質(zhì)的材料，諸如，mo基金屬、cr、ti、ta等。柵極線gln和柵電極ge中的每一個的多層結(jié)構(gòu)的實例包括cr下膜和al上膜的結(jié)合以及al下膜和mo上膜的結(jié)合，但本發(fā)明不限于此。即，除了在本文中闡述的那些以外，可以使用各種金屬和導體提供柵極線gln和柵電極ge。

柵極絕緣層gi可以布置在柵極線gln和柵電極ge上。在示例性實施方式中，例如，柵極絕緣層gi可以包括絕緣材料，例如，無機絕緣材料，諸如，氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅。柵極絕緣層gi可具有單層結(jié)構(gòu)或可具有包括具有不同的物理性能的兩個絕緣膜的多層結(jié)構(gòu)。

半導體層sm可以布置在柵極絕緣層gi上，并且可以與柵電極ge部分地重疊。在示例性實施方式中，例如，半導體層sm可包括非晶硅、多晶硅、或氧化物半導體。

多個歐姆接觸構(gòu)件(oha、ohb以及ohc)可以布置在半導體層sm上。歐姆接觸構(gòu)件(oha、ohb以及ohc)可以包括：源極歐姆接觸構(gòu)件oha，布置在將在后面描述的源電極se的下方；漏極歐姆接觸構(gòu)件ohb，布置在漏電極de的下方；以及數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件ohc，布置在數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)的下方。在示例性實施方式中，例如，歐姆接觸構(gòu)件(oha、ohb以及ohc)可以包括摻雜有高濃度n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅，或硅化物。

在示例性實施方式中，當半導體層sm包括氧化物半導體時，可以不提供歐姆接觸構(gòu)件(oha、ohb以及ohc)。

源電極se、漏電極de以及數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)可以布置在歐姆接觸構(gòu)件(oha、ohb以及ohc)和柵極絕緣層gi上。數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)可以傳輸數(shù)據(jù)信號并且可以基本沿第二方向(例如，垂直方向)延伸以與柵極線gln交叉，第二方向與第一方向相交。為了方便，布置在像素電極pe的左側(cè)上的數(shù)據(jù)線dlm在下文中將會稱為第一數(shù)據(jù)線dlm，并且布置在像素電極pe的右側(cè)上的數(shù)據(jù)線dlm+1在下文中將會稱為第二數(shù)據(jù)線dlm+1。

源電極se可以連接至第一數(shù)據(jù)線dlm并且可以從第一數(shù)據(jù)線dlm突出至柵電極ge的頂部。在示例性實施方式中，源電極se的在柵電極ge上方的一部分可以彎曲成c形狀，但本發(fā)明不限于此。即，源電極se的形狀可以變化。

漏電極de面對源電極se。漏電極de可以包括基本上平行于源電極se延伸的條狀部和布置在條狀部的相對側(cè)上的延伸部。漏電極de和源電極se可以接觸半導體層sm，并且可以布置在半導體層sm上以彼此隔離。

在示例性實施方式中，數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)、源電極se以及漏電極de可以包括al、cu、ag、mo、cr、ti、ta、或其合金并且可各自具有多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)包括下膜(未示出)和布置在下膜上的低電阻上膜(未示出)，下膜包括難熔金屬，但本發(fā)明不限于此。

柵電極ge、源電極se以及漏電極de可以與半導體層sm一起提供tfttr，tfttr是開關(guān)器件。第一鈍化層pa1可以布置在柵電極ge、半導體層sm、源電極se以及漏電極de上。第一鈍化層pa1可以包括有機絕緣材料或者無機絕緣材料。第一鈍化層pa1可以保護tfttr并且可以防止將在下面描述的有機層ila中所包含的材料滲透到半導體層sm中。

有機層ila可以布置在第一鈍化層pa1上。在示例性實施方式中，有機層ila可具有平坦化第一鈍化層pa1的頂部的功能。有機層ila可包括有機材料。在示例性實施方式中，有機材料可以是光敏有機材料。

在其他示例性實施方式中，可以不提供有機層ila。在其他示例性實施方式中，有機層ila可以是濾色器。濾色器可以顯示(但不限于)三基色(諸如紅色、綠色以及藍色)中的一個。在可替換的示例性實施方式中，濾色器可以顯示青色、紫紅色、黃色以及白色(或者發(fā)白的顏色)中的一個。在以下描述中，假定有機層ila是濾色器，但本發(fā)明不限于此。

第二鈍化層pa2可以布置在有機層ila上。在示例性實施方式中，第二鈍化層pa2可包括無機絕緣材料，諸如，氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。第二鈍化層pa2可以防止有機層ila從下面的層剝落，并且可以抑制液晶層300被來自有機層ila的有機材料(諸如，溶劑)污染。

暴露漏電極de的一部分的接觸孔ct可以限定在第一鈍化層pa1、有機層ila以及第二鈍化層pa2中。

像素電極pe可以布置在第二鈍化層pa2上。像素電極pe可以經(jīng)由接觸孔ct通過接觸漏電極de電連接至tfttr。在示例性實施方式中，像素電極pe可以包括透明導電材料，例如，ito、izo、氧化鋅銦錫(“itzo”)、或摻雜鋁的氧化鋅(“azo”)、或反射性金屬，諸如，al、ag、cr、或其合金。在示例性實施方式中，例如，像素電極pe的平面形狀可以基本上為矩形。

像素電極pe可以包括主干pea、從主干pea向外延伸的多個分支peb以及突起pec。像素電極pe可以進一步包括分支連接器cnz，該分支連接器連接分支peb中至少一些的端部。

分支pea可以包括基本上沿水平方向延伸的水平主干peah和基本上沿垂直方向延伸的垂直主干peav，并且可以將像素電極pe劃分成多個子區(qū)域，例如，多個域。在示例性實施方式中，水平主干peah和垂直主干peav可以彼此相交，并且因此主干pea可以是十字形。在主干pea設(shè)置成十字形的情況下，像素電極pe可以劃分成四個子區(qū)域，即，四個域。從像素電極pe的一個子區(qū)域到另一子區(qū)域，分支peb延伸的方向可以不同。在示例性實施方式中，參考圖1和圖5，例如，分支peb可以從主干pea沿右上方向在右上方的子區(qū)域中對角地延伸，并且可以從主干pea沿右下方向在右下方的子區(qū)域中對角地延伸。分支peb可以從主干pea沿左上方向在左上方的子區(qū)域中對角地延伸，并且可以從主干pea沿左下方向在左下方的子區(qū)域中對角地延伸。在示例性實施方式中，例如，由柵極線gln延伸的方向和分支peb限定的角度、由水平主干peah和分支peb限定的角度、或者由垂直主干peav和分支peb限定的角度可以是大約45度，但本發(fā)明不限于此。

盡管未具體地示出，但在其他示例性實施方式中，除本文中闡述的以外，主干pea可以設(shè)置成各種形狀，并且像素電極pe可以根據(jù)主干pea的形狀分成一個子區(qū)域、兩個子區(qū)域或三個子區(qū)域，這將在下面參照圖31到圖40詳細地將描述。

突起pec可以連接至另一層并且可以從主干pea或分支peb向下突出。在示例性實施方式中，突起pec可以從主干pea突出，但本發(fā)明不限于此。突起pec經(jīng)由接觸孔ct電連接至漏電極de。

分支連接器cnz可以在不面對將在下面描述的導電條(bx和by)的像素電極pe的一側(cè)處連接分支peb中至少一些的端部。在示例性實施方式中，例如，當分別面對導電條(bx和by)的像素電極pe的邊緣分別定義為第一邊緣e1和第二邊緣e2時，像素電極pe的上部邊緣被定義為第三邊緣e3，并且像素電極pe的底部邊緣被定義為第四邊緣e4，分支連接器cnz可以連接位于第三邊緣e3的分支peb的端部。在可替換的示例性實施方式中，與圖1和圖5中示出的示例性實施方式不同，可以在第四邊緣e4提供另外的分支連接器cnz以連接位于第四邊緣e4的分支peb的端部。在其他示例性實施方式中，可以不提供分支連接器cnz。

如在圖1和圖5中示出的，面對導電條bx或by的分支peb中的一些的端部可彼此不連接。

在可替換的示例性實施方式中，與圖1和圖5中示出的示例性實施方式不同，面對導電條(bx和by)的分支peb的端部可以經(jīng)由一個或多個另外的分支連接器互相連接，在這樣的情況下，導電條(bx和by)可以面對附加的分支連接器。

圖1示出了像素電極pe的水平寬度(即，像素電極pe在柵極線gln延伸的方向上的寬度)小于像素電極pe的垂直寬度(即，像素電極pe在數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)延伸的方向上的寬度)，但本發(fā)明不限于此。在其他示例性實施方式中，像素電極pe的水平寬度(即，像素電極pe在柵極線gln延伸的方向上的寬度)可以大于像素電極pe的垂直寬度(即，像素電極pe在數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)延伸的方向上的寬度)。

導電條(bx和by)和連接器(cx和cy)可以布置在第二鈍化層pa2上。導電條(bx和by)可以與像素電極pe物理隔離，并且可以布置在與其上布置像素電極pe的層相同的層上。即，導電條(bx和by)，與像素電極pe相似，可以直接布置在第二鈍化層pa2上，并且因此可以直接接觸第二鈍化層pa2。

導電條(bx和by)可以布置為面對像素電極pe的邊緣，并且可以在保持距像素電極pe一預定距離的同時與像素電極pe平行地延伸，導電條(bx和by)是設(shè)置成沿垂直方向或水平方向延伸的條的形狀的導體。在示例性實施方式中，例如，導電條(bx和by)可以沿數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)延伸的方向(即，在垂直方向上)延伸。為了方便，布置在像素電極pe左邊的導電條(bx和by)中的一個，即，面對像素電極pe的第一邊緣e1的導電條bx，在下文中將稱為第一導電條bx，并且布置在像素電極pe右邊并且面對像素電極pe的第二邊緣e2的導電條by在下文中將會稱為第二導電條by。

導電條(bx和by)可以不與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)重疊。在示例性實施方式中，例如，第一導電條bx可以布置在像素電極pe的第一邊緣e1與第一數(shù)據(jù)線dlm之間并且可以不與第一數(shù)據(jù)線dlm重疊，并且第二導電條by可以布置在像素電極pe的第二邊緣e2與第二數(shù)據(jù)線dlm+1之間并且可以不與第二數(shù)據(jù)線dlm+1重疊。

像素電極pe的邊緣與導電條(bx和by)之間的距離可以是均勻的或者可以變化。在示例性實施方式中，當面對像素電極pe的第一邊緣e1的第一導電條bx的邊緣被定義為第一內(nèi)邊緣be1x，第一內(nèi)邊緣be1x的相對側(cè)上的第一導電條bx的邊緣被定義為第一外邊緣be2x，面對像素電極pe的第二邊緣e2的第二導電條by的邊緣被定義為第二內(nèi)邊緣be1y，并且第二內(nèi)邊緣be1y的相對側(cè)上的第二導電條by的邊緣被定義為第二外邊緣be2y時，像素電極pe的第一邊緣e1與第一導電條bx的第一內(nèi)邊緣be1x之間的距離d可以是均勻的，如在圖1和圖5中示出的?？紤]到lcd裝置1的可視性可以控制距離d。在示例性實施方式中，例如，距離d可以為大約2微米(μm)至大約5μm。相似地，例如，像素電極pe的第二邊緣e2與第二導電條by的第二內(nèi)邊緣be1y之間的距離可以是均勻的并且可以為大約2μm至大約5μm。

在示例性實施方式中，可以不提供第一導電條bx和第二導電條by中的一個。

在示例性實施方式中，例如，導電條(bx和by)的寬度w可以大于0μm并且可以小于大約10μm。導電條(bx和by)的寬度w沿著導電條(bx和by)的縱長方向(或者沿著垂直方向)可以是均勻的或者可以部分地變化。

導電條(bx和by)的形狀不限于如在圖1和圖5中示出的矩形形狀，但可以變化。圖6到圖27示出了導電條(bx和by)的各種變型。更具體地，圖6到圖13示出了導電條(bx和by)的內(nèi)邊緣(參考圖5，be1x和be1y)平行于像素電極pe的邊緣的各種實例，并且圖14到圖21示出了導電條(bx和by)的外邊緣(參考圖5，be2x和be2y)平行于像素電極pe的邊緣的各種實例。圖22到圖27示出了導電條(bx和by)的內(nèi)邊緣(be1x和be1y)和外邊緣(be2x和be2y)至少部分地不與像素電極pe的邊緣平行的各種實例。為了方便，在圖6到圖27中未示出像素電極pe的詳細結(jié)構(gòu)。

在下文中將參考圖1到圖5并進一步參考圖6到圖27描述導電條(bx和by)的各種變型。

圖6和圖7示出了導電條(bx和by)為直角三角形的形狀的實例。更具體地，參考圖6，第一導電條bx和第二導電條by可以關(guān)于穿過像素電極pe的虛構(gòu)垂直線l1對稱，即，可以彼此呈線對稱。在可替換的示例性實施方式中，參考圖7，第一導電條bx和第二導電條by可以關(guān)于兩者都穿過像素電極pe的虛構(gòu)垂直線l1與虛構(gòu)水平線l2之間的交點o對稱，即，可以彼此點對稱。

圖8和圖9示出了導電條(bx和by)中的每一個由關(guān)于水平線l2對稱的兩個相同的直角三角形組成的實例。參考圖8，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可具有通過以兩個相同的直角三角形中形成直角的頂點相接的這種方式將兩個相同的直角三角形結(jié)合而提供的形狀。在可替換的示例性實施方式中，參考圖9，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可具有通過以兩個相同的直角三角形中形成銳角的頂點相接的這種方式將兩個相同的直角三角形結(jié)合而提供的形狀。在可替換的示例性實施方式中，盡管未示出，第一導電條bx可具有在圖8和圖9中示出的兩個形狀中的一個，并且第二導電條by可具有另一形狀。

圖10和圖11示出了導電條(bx和by)中的每一個由關(guān)于水平線l2對稱的兩個相同的梯形組成的實例。參考圖10和圖11，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可具有形成直角的頂點和形成銳角的頂點。更具體地，如在圖10中示出的，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可具有通過以兩個相同的梯形中形成直角的頂點相接的這種方式將兩個相同的梯形結(jié)合而提供的形狀。在可替換的示例性實施方式中，如在圖11中示出的，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可具有通過以兩個相同的梯形中形成銳角的頂點相接的這種方式將兩個相同的梯形結(jié)合而提供的形狀。在可替換的示例性實施方式中，盡管未示出，第一導電條bx可具有在圖10和圖11中示出的兩個形狀中的一個，并且第二導電條by可具有另一形狀。

圖12和圖13示出了導電條(bx和by)為梯形的形狀的實例。參考圖12，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可以關(guān)于虛構(gòu)垂直線l1對稱，即，可以彼此呈線對稱。在可替換的示例性實施方式中，參考圖13，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可以關(guān)于兩者都穿過像素電極pe的虛構(gòu)垂直線l1與虛構(gòu)水平線l2之間的交點o對稱，即，可以彼此呈點對稱。

圖14和圖15示出了導電條(bx和by)為直角三角形的形狀的實例，圖16和圖17示出了導電條(bx和by)中的每一個由關(guān)于水平線l2對稱的兩個相同的直角組成的實例，圖18和圖19示出了導電條(bx和by)中的每一個由關(guān)于水平線l2對稱的兩個相同的梯形組成，以及圖20和圖21示出了導電條(bx和by)為梯形的形狀的實例。除了導電條(bx和by)的外邊緣(be2x和be2y)平行于像素電極pe的邊緣之外，圖14到圖21的示例性實施方式基本上與圖6到圖13的示例性實施方式相同。

即，導電條(bx和by)中的每一個可具有寬度沿著導電條(bx和by)的縱長方向(或者沿著垂直方向)變化的部分，并且相應(yīng)部分的形狀可以變化。

圖22和圖23示出了導電條(bx和by)的內(nèi)邊緣(參考圖5，be1x和be1y)和外邊緣(參考圖5，be2x和be2y)都不平行于像素電極pe的邊緣的實例。參考圖22，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可以相對于像素電極pe向外彎曲，即，朝向?qū)щ姉l(bx和by)的外邊緣(be2x和be2y)分別面對的方向。在可替換的示例性實施方式中，參考圖23，第一導電條bx和第二導電條by中的每一個可以相對于像素電極pe向內(nèi)彎曲，即，朝向?qū)щ姉l(bx和by)的內(nèi)邊緣(be1x和be1y)分別面對的方向。在可替換的示例性實施方式中，盡管未示出，第一導電條bx可具有在圖22和圖23中示出的兩個形狀中的一個，并且第二導電條by可具有另一形狀。

圖24至圖27示出了導電條(bx和by)的內(nèi)邊緣(參考圖5，be1x和be1y)或者外邊緣(參考圖5，be2x和be2y)部分地平行于像素電極pe的邊緣的實例。

參考圖24和圖25，第一導電條bx和第二導電條by的連接到連接器(cx和cy)的部分(在下文中，條連接部分)可以平行于像素電極pe的邊緣。除了條連接部分之外，整個第一導電條bx和第二導電條by可以相對于像素電極pe向外彎曲，即，朝向?qū)щ姉l(bx和by)的外邊緣(be2x和be2y)分別面對的方向，如在圖24中示出的。在可替換的示例性實施方式中，除了條連接部分之外，整個第一導電條bx和第二導電條by可以朝向像素電極pe彎曲，如在圖25中示出的。

在可替換的示例性實施方式中，如在圖26中示出的，第一導電條bx和第二導電條by的條連接部分可以相對于像素電極pe向外彎曲，并且第一導電條bx和第二導電條by的其余部分可以平行于像素電極pe的邊緣。在可替換的示例性實施方式中，如在圖27中示出的，第一導電條bx和第二導電條by的條連接部分可以相對于像素電極pe向內(nèi)彎曲，并且第一導電條bx和第二導電條by的其余部分可以平行于像素電極pe的邊緣。

然而，本發(fā)明不限于此，并且導電條(bx和by)的形狀可以變化。

再次參考圖1到圖5，連接器(cx和cy)電連接像素電極pe和導電條(bx和by)。連接器(cx和cy)包括連接第一導電條bx和像素電極pe的第一連接器cx以及連接第二導電條by和像素電極pe的第二連接器cy。然而，本發(fā)明不限于此，并且連接器(cx和cy)的數(shù)量和位置可以變化。

在示例性實施方式中，導電條(bx和by)和連接器(cx和cy)可以包括透明導電材料，例如，ito、izo、itzo、或azo，或者反射性金屬，諸如，al、ag、cr、或其合金。導電條(bx和by)和連接器(cx和cy)可以包括與像素電極pe的材料相同的材料。在示例性實施方式中，可以使用單個掩模通過相同的處理同時提供導電條(bx和by)、連接器(cx和cy)以及像素電極pe。

屏蔽電極(she1和she2)可以布置在第二鈍化層pa2上。屏蔽電極(she1和she2)與導電條(bx和by)和像素電極pe可以物理上隔離并電絕緣。屏蔽電極(she1和she2)可以布置在與其上布置導電條(bx和by)和像素電極pe的層相同的層上。即，屏蔽電極(she1和she2)，與導電條(bx和by)和像素電極pe相似，可以直接布置在第二鈍化層pa2上，并且因此可以直接接觸第二鈍化層pa2。屏蔽電極(she1和she2)可以包括透明導電材料并且可以包括與導電條(bx和by)和像素電極pe的材料相同的材料。在示例性實施方式中，屏蔽電極(she1和she2)、導電條(bx和by)以及像素電極pe可以使用單個掩模通過相同的處理同時提供。

屏蔽電極(she1和she2)可以布置在對應(yīng)于數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)的第二鈍化層pa2的部分上，并且可以與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)重疊。即，屏蔽電極(she1和she2)可以布置在數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)上方，可以與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)絕緣，并且可以沿數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)延伸的方向(例如，垂直方向)延伸，與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)重疊。為了方便，與第一數(shù)據(jù)線dlm重疊的屏蔽電極she1在下文中將稱為第一屏蔽電極she1，并且與第二數(shù)據(jù)線dlm+1重疊的屏蔽電極she2在下文中將稱為第二屏蔽電極she2。

如在平面圖看到的，第一屏蔽電極she1在水平方向(即，柵極線gln延伸的方向)上的寬度可以大于第一數(shù)據(jù)線dlm在水平方向上的寬度。相似地，如在平面圖看到的，第二屏蔽電極she2在水平方向(即，柵極線gln延伸的方向)上的寬度可以大于第二數(shù)據(jù)線dlm+1在水平方向上的寬度。如在平面圖中看到的，第一屏蔽電極she1可以覆蓋第一數(shù)據(jù)線dlm，并且第二屏蔽電極she2可以覆蓋第二數(shù)據(jù)線dlm+1。

在示例性實施方式中，施加于將在下面描述的共用電極ce的具有與共用電壓的電平相同電平的電壓可以施加于屏蔽電極(she1和she2)。在可替換的示例性實施方式中，在其他示例性實施方式中，施加于維持電極線sln的具有與維持電壓的電平相同電平的電壓可以施加于屏蔽電極(she1和she2)。

維持電極線sln可以進一步布置在第一基底單元sub1上。維持電極線sln可以基本上沿與柵極線gln相同的方向(例如，水平方向)延伸。維持電極線sln可以包括第一維持電極slna和第二維持電極slnb，第一維持電極slna和第二維持電極slnb布置為靠近像素電極pe的邊緣。第一維持電極slna和第二維持電極slnb可以遮住或減少像素電極pe與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)之間的耦合場。

維持電極線sln可以至少部分地與導電條(bx和by)重疊。在示例性實施方式中，維持電極線sln的第一維持電極slna可以與第一導電條bx重疊。如在平面圖中看到的，第一維持電極slna可以布置在第一屏蔽電極she1與第一導電條bx之間并且可以通過與第一導電條bx重疊覆蓋第一屏蔽電極she1與第一導電條bx之間的間隙g。與第一導電條bx重疊的第一維持電極slna可以與第一屏蔽電極she1部分重疊。第一維持電極slna可以不與像素電極pe重疊，并且具體地，不與像素電極pe的第一邊緣e1重疊。

相似地，第二維持電極slnb可以與第二導電條by重疊，可以與第二屏蔽電極she2部分重疊，但可以不與像素電極pe重疊。

在示例性實施方式中，維持電極線sln可以布置在與其上布置柵極線gln和柵電極ge的層相同的層上，并且可以包括與柵極線gln和柵電極ge的材料相同的材料。即，維持電極線sln可以布置在第一基底單元sub1與柵極絕緣層gi之間并且可以包括與柵極線gln的材料相同的材料。在其他示例性實施方式中，維持電極線sln可以布置在與其上布置數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)的層相同的層上，并且可以包括與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)的材料相同的材料。即，維持電極線sln，與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)相似，可以布置在柵極絕緣層gi與第一鈍化層pa1之間并且可以包括與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)的材料相同的材料。為了方便，假定維持電極線sln布置在與其上布置柵極線gln的層相同的層上。

在下文中將描述對置基板200。

對置基板200可以包括第二基底單元sub2、遮光構(gòu)件bm、濾色器cf、保護層oc以及共用電極ce。

第二基底單元sub2(與第一基底單元sub1相似)可以包括透明絕緣基板。在示例性實施方式中，第二基底單元sub2可包括聚合物或具有高熱阻的塑料材料。在示例性實施方式中，第二基底單元sub2可具有柔性。

遮光構(gòu)件bm可以布置在第二基底單元sub2與液晶層300之間，并且具體地，在面對第一基底單元sub1的第二基底單元sub2的表面上。在示例性實施方式中，遮光構(gòu)件bm可具有與柵極線gln和tfttr重疊的部分和與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)重疊的部分bm1。在示例性實施方式中，遮光構(gòu)件bm可包括遮光顏料(諸如，炭黑)或不透明材料(諸如，cr)，并且可以進一步包括光敏有機材料。在另一個示例性實施方式中，可以不提供與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)重疊的遮光構(gòu)件bm的部分bm1。

在示例性實施方式中，濾色器cf可以顯示基色(諸如，紅色、綠色以及藍色)中的一個，但本發(fā)明不限于此。即，在另一個示例性實施方式中，例如，濾色器cf可以顯示青色、紫紅色、黃色以及白色中的一個。在示例性實施方式中，在有機層ila包括彩色顏料的情況下，可以不提供濾色器cf。

保護層oc可以布置在第二基底單元sub2、遮光構(gòu)件bm以及濾色器cf上，并且可以覆蓋遮光構(gòu)件bm。保護層oc可以平坦化由遮光構(gòu)件bm和濾色器cf提供的高度差。在其他示例性實施方式中，根據(jù)需要可以不提供保護層oc。

共用電極ce可布置在保護層oc上。在示例性實施方式中，共用電極ce可以包括諸如ito或izo的透明導電材料。在示例性實施方式中，共用電極ce可以布置在第二基底單元sub2的整個表面上。共用電極ce可以布置為平面形狀。共用電極ce可以設(shè)置為單板以面對像素電極pe。共用電壓可以施加于共用電極ce，并且因此，共用電極ce可以與像素電極pe產(chǎn)生電場。像素電極pe可以經(jīng)由tfttr接收數(shù)據(jù)電壓，并且共用電極ce可以接收共用電壓，共用電壓具有與數(shù)據(jù)電壓不同的電平。因此，可以產(chǎn)生對應(yīng)于共用電壓與數(shù)據(jù)電壓之間的差的電場。液晶層300中液晶分子310的配向可以根據(jù)電場強度變化，并且因此，可以控制lcd裝置1的透光率。

盡管未示出，配向?qū)涌梢苑謩e布置在陣列基板100和對置基板200內(nèi)部。在示例性實施方式中，配向?qū)涌梢允谴怪迸湎驅(qū)印?/p>

液晶層300可以布置在陣列基板100與對置基板200之間并且可以包括具有負介電各向異性的液晶分子310。液晶分子310可具有預傾角使得它們的長軸基本上平行于像素電極pe的分支peb的縱長方向，即，像素電極pe的分支peb延伸的方向。在沒有電場的情況下，液晶分子310可以相對于陣列基板100和對置基板200的表面垂直配向。液晶層300可以進一步包括配向劑，配向劑包括反應(yīng)性介晶，并且由于配向劑，液晶分子310可具有預傾角使得它們的長軸基本上平行于像素電極pe的分支peb的縱長方向，即，像素電極pe的分支peb延伸的方向。

在可替換的示例性實施方式中，配向劑可以包括在配向?qū)又?。在這種情況下，配向?qū)涌删哂兄麈満蛡?cè)鏈，并且配向劑可以提供側(cè)鏈使得液晶分子310可具有負介電各向異性。由于側(cè)鏈，液晶分子310可具有預傾角使得它們的長軸基本上平行于像素電極pe的分支peb的縱長方向，即，像素電極pe的分支peb延伸的方向。

在下文中將描述lcd裝置1的操作。

響應(yīng)于施加于柵極線gln的柵極信號，tfttr(是連接至柵極線gln的開關(guān)器件)導通，并且施加于第一數(shù)據(jù)線dlm的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由tfttr施加于像素電極pe。然后，像素電極pe與接收共用電壓的共用電極ce產(chǎn)生電場。液晶層300的液晶分子310可以響應(yīng)于電場并且可以配向成使得它們的長軸垂直于電場的方向。

像素電極pe和共用電極ce可以在液晶層300中產(chǎn)生垂直場，并且邊緣場可以在分支peb之中產(chǎn)生。由于邊緣場，液晶分子310被配向在特定方向上，并且最終在基本上平行于分支peb的縱長方向的方向上傾斜。

參考圖1到圖5，在共用電極ce與分支peb之間產(chǎn)生的邊緣場的水平分量ef1基本上朝向垂直于像素電極pe的邊緣區(qū)域中的分支peb的邊緣的方向定向，其中分支peb的端部沒有連接在一起。在第一導電條bx的第一內(nèi)邊緣be1x與共用電極ce之間產(chǎn)生的邊緣場的水平分量ef2基本上朝向垂直于第一導電條bx的縱長方向的方向定向，該方向幾乎與分支peb產(chǎn)生的邊緣場的水平分量ef1的方向相反。分支peb的邊緣產(chǎn)生的邊緣場的水平分量ef1和第一導電條bx的第一內(nèi)邊緣be1x產(chǎn)生的邊緣場的水平分量ef2可以彼此偏移。此外，導電條(bx和by)可以阻擋外電場。因此，可以防止液晶分子310未對準基本上平行于分支peb的縱長方向。因此，lcd裝置1沿著像素電極pe的邊緣的透射率可以提高。

與共用電壓的電平相同電平的電壓可以施加于屏蔽電極(she1和she2)。因此，在共用電極ce與屏蔽電極(she1和she2)之間沒有產(chǎn)生電場，或者僅產(chǎn)生弱電場。因此，可減小在鄰近數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)的區(qū)域中液晶分子310未對準的可能性。因此，鄰近數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)的區(qū)域中未對準的液晶分子可能引起的光泄漏可減少，遮光構(gòu)件bm的區(qū)域也可減小，并且lcd裝置1的開口率可以改善。

圖28到圖40是圖1的根據(jù)示例性實施方式的lcd裝置的像素電極和條形導體的各種變形的示意平面圖。

參考圖1、圖5以及圖28，除了像素電極pe在其第三邊緣e3沒有特定分支連接器并且包括面對像素電極pe的第三邊緣e3的第三導電條bz和連接像素電極pe與第三導電條bz的第三連接器cz之外，圖28的示例性實施方式與圖5的示例性實施方式基本相同。

第三導電條bz可以連接至第一導電條bx或第二導電條by。在可替換的示例性實施方式中，如在圖28中示出的，第三導電條bz可以連接至第一導電條bx和第二導電條by兩者，在這樣的情況下，可以不提供第一連接器cx、第二連接器cy以及第三連接器cz中的至少一個。

參考圖1、圖5以及圖29，圖29的示例性實施方式與圖5的示例性實施方式的不同之處在于導電條(bx和by)與像素電極pe的邊緣之間的距離改變。更具體地，在面對第一導電條bx的兩個任意分支之間，當相對接近水平主干peah的一個分支被定義為第一分支peb1并且相對遠離水平主干peah的另一分支被定義為第二分支peb2時，第一分支peb1的端部與第一導電條bx之間的最小距離d1可以小于第二分支peb2的端部與第一導電條bx之間的最小距離d2。

即，在圖29的示例性實施方式中，像素電極pe的邊緣與導電條(bx和by)之間的距離可以通過改變像素電極pe的平面形狀沿著導電條(bx和by)的縱長方向或者沿著垂直方向改變。因此，可以控制在lcd裝置1中產(chǎn)生的紋理。

參考圖1、圖5、圖29以及圖30，除了像素電極pe在其第三邊緣e3沒有特定分支連接器并且包括面對像素電極pe的第三邊緣e3的第三導電條bz和連接像素電極pe與第三導電條bz的第三連接器cz之外，圖30的示例性實施方式與圖29的示例性實施方式基本相同。

參考圖1、圖5以及圖31，圖31的示例性實施方式與圖5的示例性實施方式的不同之處在于像素電極pe被分成單個子區(qū)域。更具體地，垂直主干peav的端部和水平主干peah的端部可以彼此連接，并且因此主干pea可具有l(wèi)形狀，例如，逆時針旋轉(zhuǎn)90度的l形狀，順時針旋轉(zhuǎn)90度的l形狀，或者旋轉(zhuǎn)180度的l形狀。因此，像素電極pe可以分成單個子區(qū)域。圖31示出了主干pea處于逆時針旋轉(zhuǎn)90度的l形狀的形式的實例。

分支peb可以從主干pea沿左上方向延伸。如上所述，分支peb中的一些分支的端部可以不彼此連接。

面對像素電極pe的第一導電條bx可以布置在像素電極pe的左邊緣(或者圖5的第一邊緣e1)上，并且可以經(jīng)由第一連接器cx連接至像素電極pe。連接分支peb的端部的分支連接器cnz可以布置在像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)上。

盡管未示出，面對像素電極pe的第二導電條和連接第二導電條與像素電極pe的第二連接器可以進一步布置在像素電極pe的右邊緣(或者圖5的第二邊緣e2)上。

參考圖1、圖5、圖31以及圖32，除了像素電極pe在其上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)沒有特定分支連接器并且包括面對像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)的第三導電條bz和連接像素電極pe與第三導電條bz的第三連接器cz之外，圖32的示例性實施方式與圖31的示例性實施方式基本相同。

參考圖1、圖5以及圖33，圖33的示例性實施方式與圖5的示例性實施方式的不同之處在于像素電極pe被分成兩個子區(qū)域。更具體地，垂直主干peav的端部和水平主干peah的端部可以連接至彼此，并且因此，主干pea可具有逆時針旋轉(zhuǎn)90度的t形狀或者順時針旋轉(zhuǎn)90度的t形狀。因此，像素電極pe可以分成兩個子區(qū)域。圖33示出了主干pea處于順時針旋轉(zhuǎn)90度的t形狀的形式的實例。

分支peb可以從主干pea沿左上方向或左下方向延伸。如上所述，分支peb中的一些分支的端部可以不彼此連接。

面對像素電極pe的第一導電條bx可以布置在像素電極pe的左邊緣(或者圖5的第一邊緣e1)上，并且可以經(jīng)由第一連接器cx連接至像素電極pe。連接分支peb的端部的分支連接器cnz可以布置在像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)上。

盡管未示出，面對像素電極pe的第二導電條和連接第二導電條與像素電極pe的第二連接器可以進一步布置在像素電極pe的右邊緣(或者圖5的第二邊緣e2)上。

參考圖1、圖5、圖33以及圖34，除了像素電極pe在其上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)沒有特定分支連接器并且包括面對像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)的第三導電條bz和連接像素電極pe與第三導電條bz的第三連接器cz之外，圖34的示例性實施方式與圖33的示例性實施方式基本相同。

參考圖1、圖5以及圖35，圖35的示例性實施方式與圖5的示例性實施方式的不同之處在于像素電極pe被分成兩個子區(qū)域。更具體地，垂直主干peav的端部和水平主干peah的端部可以連接至彼此，并且因此，主干pea可具有t形狀或旋轉(zhuǎn)180度的t形狀。因此，像素電極pe可以分成兩個子區(qū)域。圖35示出了主干pea處于旋轉(zhuǎn)180度的t形狀的形式的實例。

分支peb可以從主干pea沿左上方向或右上方向延伸。如上所述，分支peb中的一些分支的端部可以不彼此連接。

面對像素電極pe的第一導電條bx可以布置在像素電極pe的左邊緣(或者圖5的第一邊緣e1)上，并且可以經(jīng)由第一連接器cx連接至像素電極pe。面對像素電極pe的第二導電條by可以布置在像素電極pe的右邊緣(或者第二邊緣e2)上，并且可以經(jīng)由第二連接器cy連接至像素電極pe。

連接分支peb的端部的分支連接器cnz可以布置在像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)上。

參考圖1、圖5、圖35以及圖36，除了像素電極pe在其上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)沒有特定分支連接器并且包括面對像素電極pe的上部邊緣(或圖5的第三邊緣e3)的第三導電條bz和連接像素電極pe與第三導電條bz的第三連接器cz之外，圖36的示例性實施方式與圖35的示例性實施方式基本相同。

參考圖1、圖5以及圖37，圖37的示例性實施方式與圖5的示例性實施方式的不同之處在于像素電極pe被分成兩個子區(qū)域。更具體地，垂直主干peav可以包括第一垂直主干部分peav1和第二垂直主干部分peav2。第一垂直主干部分peav1可以連接至水平主干peah的一端并且可以向上延伸。第二垂直主干部分peav2可以連接至水平主干peah的另一端并且可以向下延伸。因此，主干pea可以將像素電極pe劃分成兩個子區(qū)域。

分支peb可以從主干pea沿左上方向或右下方向延伸。如上所述，分支peb中的一些分支的端部可以不彼此連接。

面對像素電極pe的第一導電條bx可以布置在像素電極pe的左邊緣(或者圖5的第一邊緣e1)上，并且可以經(jīng)由第一連接器cx連接至像素電極pe。面對像素電極pe的第二導電條by可以布置在像素電極pe的右邊緣(或者第二邊緣e2)上，并且可以經(jīng)由第二連接器cy連接至像素電極pe。在示例性實施方式中，第一導電條bx和第二導電條by可以布置為面對分支peb，而不是面對垂直主干peav。

在示例性實施方式中，連接分支peb的端部的分支連接器cnz可以布置在像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)上。

參考圖1、圖5、圖37以及圖38，除了像素電極pe在其上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)沒有特定分支連接器并且包括面對像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)的第三導電條bz和連接像素電極pe與第三導電條bz的第三連接器cz之外，圖38的示例性實施方式與圖37的示例性實施方式基本相同。

參考圖1、圖5以及圖39，圖39的示例性實施方式與圖5的示例性實施方式的不同之處在于像素電極pe被分成三個子區(qū)域。更具體地，垂直主干peav可以包括第一垂直主干部分peav1和第二垂直主干部分peav2。在示例性實施方式中，第一垂直主干部分peav1可以連接至水平主干peah并且可具有例如t形狀或者旋轉(zhuǎn)180度的t形狀。第二垂直主干部分peav2可以連接至水平主干peah的一端，并且可以沿與第一垂直主干部分peav1延伸的方向相反的方向延伸。因此，主干pea可以將像素電極pe劃分成三個子區(qū)域。

分支peb可以從主干pea沿左上方向、右上方向、或右下方向延伸。如上所述，分支peb中的一些分支的端部可以不彼此連接。

面對像素電極pe的第一導電條bx可以布置在像素電極pe的左邊緣(或者圖5的第一邊緣e1)上，并且可以經(jīng)由第一連接器cx連接至像素電極pe。面對像素電極pe的第二導電條by可以布置在像素電極pe的右邊緣(或者第二邊緣e2)上，并且可以經(jīng)由第二連接器cy連接至像素電極pe。在示例性實施方式中，第一導電條bx和第二導電條by可以布置為面對分支peb，而不是面對垂直主干peav。

連接分支peb的端部的分支連接器cnz可以布置在像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)上。

參考圖1、圖5、圖39以及圖40，除了像素電極pe在其上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)沒有特定分支連接器并且包括面對像素電極pe的上部邊緣(或者圖5的第三邊緣e3)的第三導電條bz和連接像素電極pe與第三導電條bz的第三連接器cz之外，圖40的示例性實施方式與圖39的示例性實施方式基本相同。

在圖31到圖40的示例性實施方式中，可按與圖29和圖30的示例性實施方式相似的方式改變像素電極pe的平面形狀使得像素電極pe的邊緣與導電條(bx和by)之間的距離可以改變。

圖41是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的lcd裝置(具體地，圖1的根據(jù)示例性實施方式的lcd裝置)的側(cè)面伽馬曲線的曲線圖。參考圖41，“fr”表示正面伽馬曲線，“re”表示根據(jù)比較例的lcd裝置(不包括導電條)的側(cè)面伽馬曲線，并且“pr”表示lcd裝置1的側(cè)面伽馬曲線。

如在圖41中示出的，包括導電條的lcd裝置1的側(cè)面伽馬曲線pr比根據(jù)比較例的lcd裝置的側(cè)面伽馬曲線re更靠近正面伽馬曲線fr，并且因此，與根據(jù)比較例的lcd裝置相比，lcd裝置1可具有提高的側(cè)面可視性。另外，由于lcd裝置1包括導電條，lcd裝置1的側(cè)面伽馬曲線pr變得比根據(jù)比較例的lcd裝置的側(cè)面伽馬曲線re相對平緩。因此，可以防止在lcd裝置1的側(cè)面可能發(fā)生的快速的顏色變化，因此，可以改善顏色失真。

在圖1到圖42中，相同的參考標號將分配給相同的元件，并且將省去對其的詳細說明。

圖42是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的lcd裝置的像素的等效電路圖。

參考圖42，根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的lcd裝置的像素可以包括兩個子像素(p1和p2)。像素可以包括傳輸柵極信號的柵極線gln、傳輸數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線dlm、向其施加預定維持電壓的維持電極線sln、第一tfttr1、第二tfttr2以及第三tfttr3。

第一tfttr1和第二tfttr2可以連接至相同的柵極線(即，柵極線gln)和相同的數(shù)據(jù)線(即，數(shù)據(jù)線dlm)。第三tfttr3可以連接至與第一tfttr1和第二tfttr2相同的柵極線，即，柵極線gln，并且還可以連接至第二tfttr2和維持電極線sln。

連接至第一tfttr1的第一液晶電容器clc1提供在第一子像素p1中，并且連接至第二tfttr2的第二液晶電容器clc2提供在第二子像素p2中。

第一tfttr1可以包括在第一子像素p1中，并且第二tfttr2和第三tfttr3可以包括在第二子像素p2中。

第一tfttr1的第一端子可以連接至柵極線gln，第一tfttr1的第二端子可以連接至數(shù)據(jù)線dlm，并且第一tfttr1的第三端子可以連接至第一液晶電容器clc1。

第一tfttr1的第三端子可以連接至第一子像素電極(未示出)，第一子像素電極形成第一液晶電容器clc1。

第二tfttr2的第一端子可以連接至柵極線gln，第二tfttr2的第二端子可以連接至數(shù)據(jù)線dlm，并且第二tfttr2的第三端子可以連接至第二液晶電容器clc2。

第二tfttr2的第三端子可以連接至第二子像素電極(未示出)，第二子像素電極形成第二液晶電容器clc2。

第三tfttr3的第一端子可以連接至柵極線gln，第三tfttr3的第二端子可以連接至維持電極線sln，并且第三tfttr3的第三端子可以連接至第二tfttr2的第三端子。

在下文中將描述根據(jù)圖42的示例性實施方式的lcd裝置的操作。響應(yīng)于施加于柵極線gln的柵極導通電壓，連接至柵極線gln的第一tfttr1、第二tfttr2以及第三tfttr3可以全部導通，并且第一液晶電容器clc1和第二液晶電容器clc2可以充入數(shù)據(jù)線dlm傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓。相同的數(shù)據(jù)電壓施加于第一子像素電極和第二子像素電極這兩者，并且第一液晶電容器clc1和第二液晶電容器clc2可以充入到相同的電平，即，對應(yīng)于共用電壓與數(shù)據(jù)電壓之間的差的電平。

由于第三tfttr3處于導通狀態(tài)，經(jīng)由數(shù)據(jù)線dlm傳輸?shù)降诙酉袼氐臄?shù)據(jù)電壓可被第三tfttr3分壓，第三tfttr3串聯(lián)連接至第二tfttr2。數(shù)據(jù)電壓可以根據(jù)第二tfttr2和第三tfttr3的溝道的尺寸在第二tfttr2與第三tfttr3之間劃分。因此，即使當相同的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由數(shù)據(jù)線dlm傳輸至第一子像素p1和第二子像素p2時，第一液晶電容器clc1和第二液晶電容器clc2可以充入不同的電壓。即，第二液晶電容器clc2充入的電壓可以低于第一液晶電容器clc1充入的電壓。

因此，可以通過使第一子像素p1充入的電壓和第二子像素p2充入的電壓彼此不同而提高lcd裝置的側(cè)面可視性。維持電壓可以高于共用電壓。在示例性實施方式中，例如，當共用電壓為大約7伏特(v)時，維持電壓可以為大約8v，但本發(fā)明不限于此。

在圖1到圖46中，相同的參考標號將分配給相同的元件，并且將省去對其的詳細說明。

圖43是包括在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的lcd裝置(具體地，圖42的根據(jù)示例性實施方式的lcd裝置)中的陣列基板的示意性平面圖，圖44是沿圖43的線r-r’截取的示意性截面圖，圖45是沿圖43的線s-s’截取的示意性截面圖，以及圖46是示出了圖43的像素電極和條形導體的示意性平面圖。

參考圖43至圖46，lcd裝置2可以包括：陣列基板100a；對置基板200a，面對陣列基板100a；以及液晶層300，布置在陣列基板100a與對置基板200a之間，并且可以進一步包括一對偏振器(未示出)，分別附接在陣列基板100a和對置基板200a的外表面上。

在下文中將描述陣列基板100a。

在示例性實施方式中，柵極線gln可以布置在第一基底單元sub1上，例如，第一基底單元包括透明玻璃或塑料材料。柵極線gln基本沿第一方向(例如，水平方向)延伸并且傳輸柵極信號。

從柵極線gln突出并且彼此連接的第一柵電極ge1和第二柵電極ge2可以布置在第一基底單元sub1上。可以布置第三柵電極ge3，第三柵電極也從柵極線gln突出并且與第一柵電極ge1和第二柵電極ge2隔離。第一柵電極ge1、第二柵電極ge2以及第三柵電極ge3可以全部連接至相同的柵極線(即，柵極線gln)，并且可以向第一柵電極ge1、第二柵電極ge2以及第三柵電極ge3施加相同的柵極信號。

柵極絕緣層gi可以布置在柵極線gln和第一柵電極ge1、第二柵電極ge2以及第三柵電極ge3上。在示例性實施方式中，柵極絕緣層gi可包括無機絕緣材料，諸如，氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。柵極絕緣層gi可具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。

第一半導體層sm1、第二半導體層sm2以及第三半導體層sm3可以布置在柵極絕緣層gi上。更具體地，第一半導體層sm1可以布置在第一柵電極ge1的上方，第二半導體層sm2可以布置在第二柵電極ge2的上方，并且第三半導體層sm3可以布置在第三柵電極ge3的上方。在示例性實施方式中，例如，第一半導體層sm1、第二半導體層sm2以及第三半導體層sm3可包括非晶硅、多晶硅、或氧化物半導體。

多個歐姆接觸構(gòu)件(oha1、oha2、oha3、ohb1、ohb2、ohb3以及ohc)可以布置在第一半導體層sm1、第二半導體層sm2以及第三半導體層sm3上。歐姆接觸構(gòu)件(oha1、oha2、oha3、ohb1、ohb2、ohb3、和ohc)可以包括：源極歐姆接觸構(gòu)件oha1、oha2以及oha3，分別布置在將在下面描述的第一源電極se1、第二源電極se2以及第三源電極se3下方；漏極歐姆接觸構(gòu)件ohb1、ohb2以及ohb3，分別布置在將在下面描述的第一漏電極de1、第二漏電極de2以及第三漏電極de3下方；以及數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件ohc，布置在數(shù)據(jù)線dlm和dlm+1的下方。在示例性實施方式中，當?shù)谝话雽w層sm1、第二半導體層sm2以及第三半導體層sm3包括氧化物半導體時，可以不提供歐姆接觸構(gòu)件(oha1、oha2、oha3、ohb1、ohb2、ohb3以及ohc)。

數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)、第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2、第二漏電極de2、第三源電極se3以及第三漏電極de3可以布置在歐姆接觸構(gòu)件(oha1、oha2、oha3、ohb1、ohb2、ohb3以及ohc)和柵極絕緣層gi上。

數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)可以傳輸數(shù)據(jù)電壓并且可以基本沿第二方向(例如，垂直方向)延伸以與柵極線gln相交。

第一源電極se1設(shè)置為從數(shù)據(jù)線dlm突出至第一柵電極ge1的頂部。在示例性實施方式中，第一源電極se1的在第一柵電極ge1上方的一部分可以彎曲成c形狀，但本發(fā)明不限于此。

第一漏電極de1設(shè)置成與第一柵電極ge1上方的第一源電極se1隔離。第一漏電極de1和第一源電極se1可以連接至第一半導體層sm1。

第二源電極se2設(shè)置為從數(shù)據(jù)線dlm突出至第二柵電極ge2的頂部。在示例性實施方式中，例如，第二源電極se2的在第二柵電極ge2上方的一部分可以彎曲成c形狀，但本發(fā)明不限于此。

第二漏電極de2設(shè)置成與第二柵電極ge2上方的第二源電極se2隔離。第二漏電極de2和第二源電極se2可以連接至第二半導體層sm2。

第三源電極se3連接至第二漏電極de2并且設(shè)置為與第三柵電極ge3的上方的第三漏電極de3隔離。第三漏電極de3和第三源電極se3可以連接至第三半導體層sm3。

第三漏電極de3設(shè)置為在第三柵電極ge3上突出。第三漏電極de3可以連接至將在下面描述的維持電極線sln，并且可以接收預定電壓(例如，維持電壓)。

第一柵電極ge1、第一半導體層sm1、第一源電極se1以及第一漏電極de1形成第一tft(圖32的tr1)。第二柵電極ge2、第二半導體層sm2、第二源電極se2以及第二漏電極de2形成第二tft(圖32的tr2)。第三柵電極ge3、第三半導體層sm3、第三源電極se3以及第三漏電極de3形成第三tft(圖32的tr3)。

第一鈍化層pa1可以布置在數(shù)據(jù)線dlm和dlm+1、第一源電極se1、第二源電極se2以及第三源電極se3和第一漏電極de1、第二漏電極de2以及第三漏電極de3上。第一鈍化層pa1可以包括有機絕緣材料或者無機絕緣材料。第一鈍化層pa1可以保護第一tfttr1、第二tfttr2以及第三tfttr3并且可以防止將在下面描述的有機層ila中包括的材料滲透到第一半導體層sm1、第二半導體層sm2以及第三半導體層sm3中。

有機層ila可以布置在第一鈍化層pa1上。在示例性實施方式中，有機層ila可具有平坦化第一鈍化層pa1的頂部的功能。有機層ila可包括有機材料。有機層ila可以進一步包括彩色顏料。在示例性實施方式中，例如，有機層ila可包括允許特定顏色波長的光的透射的彩色顏料。即，有機層ila可以是濾色器。當有機層ila包括彩色顏料時，有機層ila可以與數(shù)據(jù)線dlm和dlm+1上的相鄰像素的絕緣層ila’至少部分重疊。為了方便，在以下描述中，假定有機層ila是濾色器。

第二鈍化層pa2可以布置在有機層ila上。在示例性實施方式中，第二鈍化層pa2可包括無機絕緣材料，諸如，氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。第二鈍化層pa2可以防止有機層ila從下面的層剝落，并且可以抑制液晶層300被來自有機層ila的有機材料(諸如，溶劑)污染。

暴露第一漏電極de1的一部分的第一接觸孔ct1、暴露第二漏電極de2的一部分的第二接觸孔ct2以及暴露第三漏電極de3的一部分和將在下面描述的維持電極延伸部slnp的第三接觸孔ct3可以提供在第一鈍化層pa1、有機層ila以及第二鈍化層pa2中。

像素電極(pe1和pe2)可以布置在有機層ila和第二鈍化層pa2上。像素電極(pe1和pe2)可以包括第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2。第一子像素電極pe1可以經(jīng)由第一接觸孔ct1連接至第一漏電極de1，并且第二子像素電極pe2可以經(jīng)由第二接觸孔ct2連接至第二漏電極de2。

第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2可以分別從第一漏電極de1和第二漏電極de2接收數(shù)據(jù)電壓。在示例性實施方式中，第三源電極se3可以從第二漏電極de2的對應(yīng)于第二接觸孔ct2的寬部分de2a延伸。施加于第二漏電極de2的數(shù)據(jù)電壓的一部分可以被第三源電極se3分壓，并且因此施加于第二子像素電極pe2的第二子像素電壓可以低于施加于第一子像素電極pe1的第一子像素電壓。這對應(yīng)于施加于第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2的數(shù)據(jù)電壓具有正極性(+)的情況。當施加于第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2的數(shù)據(jù)電壓具有負極性(-)時，施加于第一子像素電極pe1的第一子像素電壓可以低于施加于第二子像素電極pe2的第二子像素電壓。

第一子像素電極pe1可以包括第一主干pe1a、從第一主干pe1a向外延伸的多個第一分支pe1b以及連接至第一漏電極de1的第一突起pe1c，并且可以進一步包括連接第一分支pe1b中至少部分分支的端部的第一分支連接器cz1。第一主干pe1a可以包括第一水平主干pe1ah和第一垂直主干pe1av。

第一主干pe1a、第一分支pe1b、第一突起pe1c以及第一分支連接器cz1與圖1到圖5的它們各自的對應(yīng)物相同，并且因此，將省去對其的詳細說明。

如上所述，參考圖33到圖36，面對將在下面描述的上導電條b1x或b1y的第一子像素電極pe1的第一分支pe1b中的一些分支的端部可以不彼此連接。在可替換的示例性實施方式中，與圖43到圖46中示出的示例性實施方式不同，面對上導電條b1x或b1y的第一子像素電極pe1的第一分支pe1b的端部可以經(jīng)由另外的分支連接器至少部分彼此連接，在這樣的情況下，上導電條b1x或b1y可以面對另外的分支連接器。

第二子像素電極pe2可以包括第二主干pe2a、從第二主干pe2a向外延伸的多個第二分支pe2b以及連接至第二漏電極de2的第二突起pe2c，并且可以進一步包括連接第二分支pe2b中至少一些分支的端部的第二分支連接器cz2。第二主干pe2a可以包括第二水平主干pe2ah和第二垂直主干pe2av。

第二主干pe2a、第二分支pe2b、第二突起pe2c以及第二分支連接器cz2與圖1到圖5的它們各自的對應(yīng)物相同，并且因此，將省去對其的詳細說明。

如上所述，參考圖33到圖36，面對將在下面描述的下導電條b2x或b2y的第二子像素電極pe2的第二分支pe2b中的一些分支的端部可以不彼此連接。在可替換的示例性實施方式中，與圖43到圖46中所示出的不同，面對下導電條b2x或b2y的第二子像素電極pe2的第二分支pe2b的端部可以經(jīng)由另外的分支連接器至少部分彼此連接，在這樣的情況下，下導電條b2x或b2y可以面對另外的分支連接器。

上導電條(b1x和b1y)、上連接器(c1x和c1y)、下導電條(b2x和b2y)、下連接器(c2x和c2y)可以布置在第二鈍化層pa2上。上導電條(b1x和b1y)可以與第一子像素電極pe1物理隔離并且可以布置在與其上布置第一子像素電極pe1的層相同的層上。相似地，下導電條(b2x和b2y)可以與第二子像素電極pe2物理隔離并且可以布置在與其上布置第二子像素電極pe2的層相同的層上。即，上導電條(b1x和b1y)和下導電條(b2x和b2y)，如同像素電極(pe1和pe2)，可以直接布置在第二鈍化層pa2上，并且因此可以直接接觸第二鈍化層pa2。

上連接器(c1x和c1y)電連接第一子像素電極pe1和上導電條(b1x和b1y)。上連接器(c1x和c1y)可以包括連接第一上導電條b1x和第一子像素電極pe1的第一上連接器c1x，以及連接第二上導電條b1y和第一子像素電極pe1的第二上連接器c1y。

相似地，下連接器(c2x和c2y)電連接第二子像素電極pe2和下導電條(b2x和b2y)。下連接器(c2x和c2y)可以包括連接第一下導電條b2x和第二子像素電極pe2的第一下連接器c2x，以及連接第二下導電條b2y和第二子像素電極pe2的第二下連接器c2y。

對上導電條(b1x和b1y)和下導電條(b2x和b2y)的其余描述與根據(jù)圖1到圖27的示例性實施方式中的任一個的導電條bx和by的描述基本相同，并且對上連接器(c1x和c1y)和下連接器(c2x和c2y)的其余描述與根據(jù)圖1到圖5的示例性實施方式的連接器(cx和cy)的描述基本相同。因此，將省去對上導電條(b1x和b1y)、下導電條(b2x和b2y)、上連接器(c1x和c1y)以及下連接器(c2x和c2y)的更詳細的描述。

屏蔽電極(she1和she2)可以布置在第二鈍化層pa2上。屏蔽電極(she1和she2)可以與上導電條(b1x和b1y)、下導電條(b2x和b2y)以及像素電極(pe1和pe2)物理上隔離并電絕緣。屏蔽電極(she1和she2)可以布置在與其上布置上導電條(b1x和b1y)、下導電條(b2x和b2y)以及像素電極(pe1和pe2)的層相同的層上，并且可以包括與上導電條(b1x和b1y)、下導電條(b2x和b2y)以及像素電極(pe1和pe2)的材料相同的材料。屏蔽電極(she1和she2)可以包括與數(shù)據(jù)線dlm重疊的第一屏蔽電極she1，以及與數(shù)據(jù)線dlm+1重疊的第二屏蔽電極she2。

維持電極線sln可以進一步布置在第一基底單元sub1上。維持電極線sln可以基本上沿與柵極線gln相同的方向(例如，水平方向)延伸。維持電極線sln可以布置為圍繞像素電極(pe1和pe2)的至少一部分。維持電極線sln可以包括第一維持電極slna、第二維持電極slnb以及第三維持電極slnc，第一維持電極slna、第二維持電極slnb以及第三維持電極slnc布置為圍繞第一子像素電極pe1的一部分。維持電極線sln可以進一步包括從第一維持電極slna或第二維持電極slnb延伸的維持電極延伸部slnp。維持電極線sln可以進一步包括布置為圍繞第二子像素電極pe2的一部分的第四維持電極slnd、第五維持電極slne以及第六維持電極slnf。在示例性實施方式中，如在平面圖中示出的，第一維持電極slna和第五維持電極slne可以布置在像素電極(pe1和pe2)與數(shù)據(jù)線dlm之間，并且第二維持電極slnb和第四維持電極slnd可以布置在像素電極(pe1和pe2)與數(shù)據(jù)線dlm+1之間。

在示例性實施方式中，例如，維持電極線sln可以布置在與其上布置柵極線gln和第一柵電極ge1、第二柵電極ge2以及第三柵電極ge3的層相同的層上，并且可以包括與柵極線gln和第一柵電極ge1、第二柵電極ge2以及第三柵電極ge3的材料相同的材料。即，維持電極線sln可以布置在第一基底單元sub1與柵極絕緣層gi之間并且可以包括與柵極線gln的材料相同的材料。

第一維持電極slna可以覆蓋第一上導電條b1x與第一屏蔽電極she1之間的間隙g。第一維持電極slna可以與第一上導電條b1x部分重疊或者還可以與第一屏蔽電極she1部分重疊。

相似地，第二維持電極slnb可以覆蓋第二上導電條b1y與第二屏蔽電極she2之間的間隙。第二維持電極slnb可以與第二上導電條b1y部分重疊或者還可以與第二屏蔽電極she2部分重疊。

相似地，第五維持電極slne可以覆蓋第一下導電條b2x與第一屏蔽電極she1之間的間隙。第五維持電極slne可以與第一下導電條b2x部分重疊或者還可以與第一屏蔽電極she1部分重疊。

相似地，第四維持電極slnd可以覆蓋第二下導電條b2y與第二屏蔽電極she2之間的間隙。第四維持電極slnd可以與第二下導電條b2y部分重疊或者還可以與第二屏蔽電極she2部分重疊。

連接圖案cp可以布置在第二鈍化層pa2上。連接圖案cp可以經(jīng)由第三接觸孔ct3電連接維持電極延伸部slnp和第三漏電極de3。連接圖案cp可以布置在與其上布置像素電極(pe1和pe2)的層相同的層上，并且可以包括與像素電極(pe1和pe2)的材料相同的材料。

在下文中將描述對置基板200a。

對置基板200a可以包括第二基底單元sub2、遮光構(gòu)件bm、保護層oc以及共用電極ce。

第二基底單元sub2(與第一基底單元sub1相似)可以包括透明絕緣基板。在示例性實施方式中，例如，第二基底單元sub2可包括聚合物或具有高熱阻的塑料材料。在示例性實施方式中，第二基底單元sub2可具有柔性。

遮光構(gòu)件bm可以布置在面對第一基底單元sub1的第二基底單元sub2的表面上。在示例性實施方式中，遮光構(gòu)件bm可具有與柵極線gln和第一tfttr1、第二tfttr2以及第三tfttr3重疊的部分以及與數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)重疊的部分bm1。遮光構(gòu)件bm可包括遮光顏料(諸如，炭黑)或不透明材料(諸如，cr)，并且可以進一步包括光敏有機材料?？梢圆惶峁┡c數(shù)據(jù)線(dlm和dlm+1)重疊的遮光構(gòu)件bm的部分bm1。

保護層oc可以布置在第二基底單元sub2和遮光構(gòu)件bm上，并且可以覆蓋遮光構(gòu)件bm。保護層oc可以使由遮光構(gòu)件bm提供的高度差平坦化。在其他示例性實施方式中，根據(jù)需要可以不提供保護層oc。

共用電極ce可布置在保護層oc上。在示例性實施方式中，當不提供保護層oc時，共用電極ce可以布置在第二基底單元sub2和遮光構(gòu)件bm上。在示例性實施方式中，共用電極ce包括諸如ito或izo的透明導電材料。在示例性實施方式中，共用電極ce可以布置在第二基底單元sub2的整個表面上。共用電壓可以施加于共用電極ce，并且因此，共用電極ce可以與像素電極(pe1和pe2)產(chǎn)生電場。

圖47到圖49是圖42的根據(jù)示例性實施方式的lcd裝置的像素電極和條形導體的變形的示意性平面圖。

圖43、圖46以及圖47，除了第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2中的每一個沒有特定分支連接器，第一子像素電極pe1包括布置在第一子像素電極pe1的上部邊緣上的第三上導電條b1z以及連接第一子像素電極pe1和第三上導電條b1z的第三上連接器c1z，并且第二子像素電極pe2包括布置在第二子像素電極pe2的下邊緣上的第三下導電條b2z以及連接第二子像素電極pe2和第三下導電條b2z的第三下連接器c2z以外，圖47的示例性實施方式與圖43和圖46的示例性實施方式基本相同。

根據(jù)第一上導電條b1x和第二上導電條b1y以及第三上導電條b1z如何連接至第一子像素電極pe1，可以不提供第一上連接器c1x和第二上連接器c1y以及第三上連接器c1z中的至少一個，并且根據(jù)第一下導電條b2x和第二下導電條b2y以及第三下導電條b2z如何連接至第二子像素電極pe2，可以不提供第一下連接器c2x和第二下連接器c2y以及第三下連接器c2z中的至少一個。

參考圖43、圖46以及圖48，圖48的示例性實施方式與圖43和圖46的示例性實施方式的不同之處在于第一子像素電極pe1的邊緣與上導電條b1x和b1y之間的距離可以改變并且第二子像素電極pe2的邊緣與下導電條b2x和b2y之間的距離可以改變。第一子像素電極pe1的邊緣與上導電條(b1x和b1y)之間的距離或者第二子像素電極pe2的邊緣與下導電條(b2x和b2y)之間的距離改變的方式與以上參考圖29描述的方式基本相同，并且因此，將省去對其的詳細說明。

參考圖43、圖46、圖48以及圖49，除了下述以外，圖49的示例性實施方式與圖48的示例性實施方式基本相同，即，第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2中的每一個沒有特定分支連接器，第一子像素電極pe1包括布置在第一子像素電極pe1的上部邊緣上的上導電條b1z，以及連接第一子像素電極pe1和第三上導電條b1z的第三上連接器c1z，并且第二子像素電極pe2包括布置在第二子像素電極pe2的下邊緣上的第三下導電條b2z，以及連接第二子像素電極pe2和第三下導電條b2z的第三下連接器c2z。

已參考附圖描述了本發(fā)明的示例性實施方式。然而，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將會理解可在基本不偏離本發(fā)明的原理的前提下對公開的實施方式做出許多變化和修改。因此，本發(fā)明公開的實施方式僅以一般和描述性的意義使用，而不用于限制的目的。