1.一種短路棒結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
自下而上依次層疊設(shè)置的數(shù)據(jù)線層、第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層、第三絕緣層及金屬連接層；以及
第一導(dǎo)通孔，穿過(guò)所述第二絕緣層與第三絕緣層，所述第一導(dǎo)通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，使得所述金屬連接層與所述金屬走線層導(dǎo)通；
第二導(dǎo)通孔，依次穿過(guò)所述第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層及第三絕緣層，所述第二導(dǎo)通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，使得所述金屬連接層與所述數(shù)據(jù)線層導(dǎo)通；其中，
所述第二導(dǎo)通孔之處于所述金屬走線層的部分的外側(cè)設(shè)置有絕緣材料，以避免所述數(shù)據(jù)線層與所述金屬走線層直接導(dǎo)通，使得所述數(shù)據(jù)線層與所述金屬走線層通過(guò)所述金屬連接層導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路棒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線層與所述金屬走線層的層疊位置可互換。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路棒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述短路棒連接于陣列基板，所述陣列基板包括顯示區(qū)及外圍區(qū)，所述陣列基板的顯示區(qū)排布有若干數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線連接所述短路棒的數(shù)據(jù)線層，所述短路棒位于所述外圍區(qū)，所述短路棒的金屬走線層通過(guò)同層金屬走線與測(cè)試信號(hào)源導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路棒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬連接層為氧化銦錫透明導(dǎo)電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的短路棒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)通孔與第二導(dǎo)通孔內(nèi)均沉積有所述氧化銦錫透明導(dǎo)電材料。
6.一種陣列基板，其特征在于，包含有顯示區(qū)及外圍區(qū)，所述顯示區(qū)排布有若干數(shù)據(jù)線，所述外圍區(qū)設(shè)置有測(cè)試信號(hào)源及短路棒，所述短路棒通過(guò)金屬走線連接所述測(cè)試信號(hào)源；
所述短路棒包括：
自下而上依次層疊設(shè)置的數(shù)據(jù)線層、第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層、第三絕緣層及金屬連接層；以及
第一導(dǎo)通孔，穿過(guò)所述第二絕緣層與第三絕緣層，所述第一導(dǎo)通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，使得所述金屬連接層與所述金屬走線層導(dǎo)通；
第二導(dǎo)通孔，依次穿過(guò)所述第一絕緣層、金屬走線層、第二絕緣層及第三絕緣層，所述第二導(dǎo)通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，使得所述金屬連接層與所述數(shù)據(jù)線層導(dǎo)通；其中，
所述第二導(dǎo)通孔之處于所述金屬走線層的部分的外側(cè)設(shè)置有絕緣材料，以避免所述數(shù)據(jù)線層與所述金屬走線層直接導(dǎo)通，使得所述數(shù)據(jù)線層與所述金屬走線層通過(guò)所述金屬連接層導(dǎo)通。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線層與所述金屬走線層的層疊位置可互換。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線連接所述短路棒的數(shù)據(jù)線層，所述短路棒的金屬走線層通過(guò)同層的所述金屬走線與所述測(cè)試信號(hào)源導(dǎo)通。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬連接層為氧化銦錫透明導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)通孔與第二導(dǎo)通孔內(nèi)均沉積有所述氧化銦錫透明導(dǎo)電材料。