本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，觸控屏(Touch Panel，簡稱TP)的誕生使人們的生活更加便捷。如今，內(nèi)嵌電容式觸控技術(shù)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于顯示技術(shù)領(lǐng)域。

其中，對于內(nèi)嵌自感電容式觸控技術(shù)，通常將用于驅(qū)動液晶偏轉(zhuǎn)的第一透明電極層分割為多個第一透明電極，IC通過與第一透明電極電連接的觸控電極引線向第一透明電極分時輸入公共電壓信號和觸控信號，以使第一透明電極分時用作公共電極和觸控電極。

如圖1所示，在觸控電極引線20向陣列基板的非顯示區(qū)延伸的過程中，會將與其非電連接的第一透明電極10分割為多個子電極101，而在子電極101之間的區(qū)域由于沒有第一透明電極10的屏蔽，數(shù)據(jù)線(圖1中未標(biāo)識出)會對第二透明電極30(即像素電極)產(chǎn)生干擾。

目前，會采用將位于子電極101之間的觸控電極引線20增寬的方式來屏蔽數(shù)據(jù)線對第二透明電極30的干擾，但是，觸控電極引線20在第一透明電極10用作公共電極時存在電位，當(dāng)其加寬后會導(dǎo)致子像素邊緣的液晶無法偏轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致子像素邊緣不透光，影響光透過率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，可避免數(shù)據(jù)線對像素電極的干擾，且保證光透過率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種陣列基板，包括設(shè)置在襯底上且位于顯示區(qū)的多個第一透明電極和多個第二透明電極，所述第一透明電極和所述第二透明電極異層設(shè)置，所述第一透明電極被分時用作公共電極和觸控電極；以及設(shè)置在相鄰所述第二透明電極之間對應(yīng)區(qū)域的數(shù)據(jù)線；所述第一透明電極與至少一根觸控電極引線直接接觸并電連接，所述觸控電極引線均沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸至所述顯示區(qū)外側(cè)的非顯示區(qū)，所述第一透明電極與所述觸控電極引線異層設(shè)置；所述觸控電極引線在所述襯底上的正投影被所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的正投影覆蓋。

進(jìn)一步的，以所述觸控電極引線與所述第一透明電極電連接的部分為起始部分，所述觸控電極引線在向非顯示區(qū)延伸過程中，將位于延伸方向上、且除與所述觸控電極引線電連接的所述第一透明電極之外的第一透明電極分割為多個子電極；所述陣列基板還包括多根第一透明輔助電極線，每一個所述第一透明電極中的任意相鄰子電極均通過一根所述第一透明輔助電極線電連接；所述第一透明輔助電極線設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。

其中，所述第一透明輔助電極線的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度，且所述第一透明輔助電極線在所述襯底上的正投影覆蓋所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的正投影。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括多根第二透明輔助電極線，所述第二透明輔助電極線與相互接觸的所述第一透明電極和所述觸控電極引線的重疊部分對應(yīng)，且所述第二透明輔助電極線與對應(yīng)的所述第一透明電極電連接；其中，所述第二透明輔助電極線與所述第一透明輔助電極線同層設(shè)置。

優(yōu)選的，所述第一透明輔助電極線與所述第二透明電極同層設(shè)置且絕緣。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一透明電極設(shè)置在所述襯底和所述第二透明電極之間。

進(jìn)一步的，所述TFT靠近所述襯底設(shè)置；第一鈍化層設(shè)置在所述TFT的上方；所述第一透明電極和所述觸控電極引線設(shè)置在所述第一鈍化層的上方；第二鈍化層設(shè)置在遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的所述第一透明電極或所述觸控電極引線的上方；所述第二透明電極和所述第一透明輔助電極線設(shè)置在所述第二鈍化層的上方，所述第一透明輔助電極線通過設(shè)置在所述第二鈍化層上的過孔將所述第一透明電極中所述相鄰子電極電連接。

基于上述，優(yōu)選的，所述第一透明電極與至少兩根觸控電極引線接觸。

優(yōu)選的，沿所述數(shù)據(jù)線的方向，第一透明輔助電極線的長度等于與其相鄰的子電極的長度。

優(yōu)選的，所述第一透明輔助電極線的形狀為T形；沿與所述數(shù)據(jù)線垂直的方向，T形的水平邊的兩端分別與子電極電連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的，沿所述數(shù)據(jù)線的方向，T形的豎直邊的寬度大于等于與其相鄰的子電極之間的間隙且小于所述第二透明電極之間的間隙。

第二方面，提供一種顯示面板，包括第一方面所述的陣列基板，還包括對盒基板以及設(shè)置在所述陣列基板和所述對盒基板之間的液晶層。

第三方面，提供一種顯示裝置，包括第二方面所述的顯示面板，還包括設(shè)置在所述陣列基板的非顯示區(qū)的IC；所述陣列基板上的觸控電極引線與所述IC電連接。

第四方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括在襯底上的顯示區(qū)形成多個第一透明電極和多個第二透明電極，所述第一透明電極和所述第二透明電極位于不同層，所述第一透明電極被分時用作公共電極和觸控電極；以及形成在相鄰所述第二透明電極之間對應(yīng)區(qū)域的數(shù)據(jù)線；所述第一透明電極與至少一根觸控電極引線直接接觸并電連接，所述觸控電極引線均沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸至所述顯示區(qū)外側(cè)的非顯示區(qū)，所述第一透明電極與所述觸控電極引線位于不同層；所述觸控電極引線在所述襯底上的正投影被所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的正投影覆蓋。

進(jìn)一步的，以所述觸控電極引線與所述第一透明電極電連接的部分為起始部分，所述觸控電極引線在向非顯示區(qū)延伸過程中，將位于延伸方向上、且除與所述觸控電極引線電連接的所述第一透明電極之外的第一透明電極分割為多個子電極；所述方法還包括形成多根第一透明輔助電極線，每一個所述第一透明電極中的任意相鄰子電極均通過一根所述第一透明輔助電極線電連接；所述第一透明輔助電極線形成在所述數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。

其中，所述第一透明輔助電極線的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度，且所述第一透明輔助電極線在所述襯底上的正投影覆蓋所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的正投影。

優(yōu)選的，所述方法還包括形成多根第二透明輔助電極線，所述第二透明輔助電極線與相互接觸的所述第一透明電極和所述觸控電極引線的重疊部分對應(yīng)，且所述第二透明輔助電極線與對應(yīng)的所述第一透明電極電連接；其中，所述第二透明輔助電極線與所述第一透明輔助電極線通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

優(yōu)選的，所述第一透明輔助電極線與所述第二透明電極通過同一次構(gòu)圖工藝形成且絕緣。

優(yōu)選的，形成所述第一透明電極、所述觸控電極引線、所述第二透明電極以及所述第一透明輔助電極線，具體包括如下步驟：

在形成所述TFT的襯底上形成第一鈍化層薄膜；在形成有所述第一鈍化層薄膜的襯底上，通過兩次構(gòu)圖工藝處理，形成所述第一透明電極和所述觸控電極引線；其中，以所述觸控電極引線與所述第一透明電極電連接的部分為起始部分，所述觸控電極引線在向非顯示區(qū)延伸過程中，將位于延伸方向上、且除與所述觸控電極引線電連接的所述第一透明電極之外的第一透明電極分割為多個子電極。

在形成所述第一透明電極和所述觸控電極引線的襯底上形成第二鈍化層薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝處理，在所述第二鈍化層薄膜的對應(yīng)所述子電極的位置形成第一過孔，在所述第二鈍化層薄膜和所述第一鈍化層薄膜的對應(yīng)所述TFT漏極的位置形成第二過孔，以使所述第二鈍化層薄膜形成為第二鈍化層，所述第一鈍化層薄膜形成為第一鈍化層。

在形成所述第二鈍化層的襯底上形成第二透明電極、以及位于所述第一透明電極中任意相鄰子電極之間的所述第一透明輔助電極線；所述第一透明輔助電極線通過所述第一過孔將所述相鄰子電極電連接，所述第二透明電極通過所述第二過孔與所述TFT漏極電連接。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，通過第一透明輔助電極線將第一透明電極中的任意相鄰子電極電連接，且使第一透明輔助電極線的寬度大于數(shù)據(jù)線的寬度，可在第一透明電極的斷開位置處，使第一透明輔助電極線起到屏蔽數(shù)據(jù)線對第二透明電極(即像素電極)干擾以及相鄰第二透明電極之間干擾的作用；而且相對現(xiàn)有技術(shù)中將位于子電極之間的觸控電極引線增寬，本發(fā)明實(shí)施例中無需將觸控電極引線增寬，因而可保證像素邊緣可透光，從而可以保證光透過率；在此基礎(chǔ)上，由于第一透明輔助電極線可以增加像素內(nèi)有效的邊緣場，因而可以進(jìn)一步增強(qiáng)子像素邊緣的光強(qiáng)，提高顯示質(zhì)量。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的俯視示意圖；

圖2(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖一；

圖2(b)為2(a)中AA′向剖視示意圖；

圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖二；

圖3(b)為3(a)中BB′向剖視示意圖；

圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖三；

圖4(b)為4(a)中CC′向剖視示意圖；

圖4(c)為4(a)中DD′向剖視示意圖；

圖5(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖四；

圖5(b)為5(a)中FF′向剖視示意圖；

圖6(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖五；

圖6(b)為6(a)中EE′向剖視示意圖。

附圖標(biāo)記：

01-顯示區(qū)；02-非顯示區(qū)；03-IC；10-第一透明電極；101-子電極；20-觸控電極引線；30-第二透明電極；40-第一透明輔助電極線；50-第二透明輔助電極線；60-數(shù)據(jù)線；70-柵線；80-TFT；901-第一鈍化層；902-第二鈍化層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖2(a)和圖2(b)、圖3(a)和圖3(b)、以及圖4(a)、圖5(a)所示，包括設(shè)置在襯底上且位于顯示區(qū)01的多個第一透明電極10和多個第二透明電極30，第一透明電極10和第二透明電極30異層設(shè)置，第一透明電極10被分時用作公共電極和觸控電極；以及設(shè)置在相鄰第二透明電極30之間對應(yīng)區(qū)域的數(shù)據(jù)線60(圖2和圖3中未示出)；第一透明電極10與至少一根觸控電極引線20直接接觸并電連接，觸控電極引線20均沿?cái)?shù)據(jù)線60方向延伸至顯示區(qū)01外側(cè)的非顯示區(qū)02，第一透明電極10與觸控電極引線20異層設(shè)置；觸控電極引線20在襯底上的正投影被數(shù)據(jù)線60在襯底上的正投影覆蓋。

進(jìn)一步的，以觸控電極引線20與第一透明電極10電連接的部分為起始部分，所述觸控電極引線20在向非顯示區(qū)02延伸過程中，將位于延伸方向上、且除與所述觸控電極引線20電連接的所述第一透明電極10之外的第一透明電極10分割為多個子電極101；在此基礎(chǔ)上，所述陣列基板還包括多根第一透明輔助電極線40，每一個第一透明電極10中的任意相鄰子電極101均通過一根第一透明輔助電極線40電連接；所述第一透明輔助電極線40設(shè)置在數(shù)據(jù)線60遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)。

其中，第一透明輔助電極線40的寬度大于數(shù)據(jù)線60的寬度，且第一透明輔助電極線40在襯底上的正投影覆蓋數(shù)據(jù)線60在襯底上的正投影。

需要說明的是，第一，當(dāng)所述陣列基板應(yīng)用于顯示裝置，且該顯示裝置實(shí)現(xiàn)顯示功能時，此時第一透明電極10用作公共電極；當(dāng)顯示裝置實(shí)現(xiàn)觸控功能時，此時第一透明電極10用作觸控電極。

基于此，第二透明電極30則為像素電極。當(dāng)?shù)谝煌该麟姌O10用作公共電極時，第二透明電極30和第一透明電極10形成的電場驅(qū)動液晶進(jìn)行偏轉(zhuǎn)。當(dāng)?shù)谝煌该麟姌O10用作觸控電極時，第二透明電極30不工作，觸控電極基于自容方式實(shí)現(xiàn)對觸控位置的識別。

第二，本領(lǐng)域技術(shù)人員知道，顯示區(qū)01包括多個子像素，每個子像素均包括一個第二透明電極30。此外，考慮到在實(shí)現(xiàn)觸控功能時，手指與顯示裝置接觸的面積較子像素的面積大的多，因此，對于第一透明電極10無需做的如第二透明電極30一樣小，因此一個第一透明電極10可同時位于幾個、十幾個甚至幾十個子像素中。

每個子像素還包括TFT80(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)。具體的，在實(shí)現(xiàn)顯示時，TFT80在柵線70的控制下開啟，并由數(shù)據(jù)線60將數(shù)據(jù)信號經(jīng)由開啟的TFT80的漏極輸入到第二透明電極30。

其中，參考圖4(a)所示，TFT80的柵極可直接由柵線70充當(dāng)，TFT80的源極可直接由數(shù)據(jù)線60充當(dāng)。所述TFT80可以是非晶硅TFT、多晶硅TFT、金屬氧化物TFT、有機(jī)TFT等。可以是底柵型，也可以是頂柵型。

非顯示區(qū)02位于顯示區(qū)01的外圍。

第三，不對第一透明電極10與觸控電極引線20的相對位置進(jìn)行限定，可以是先形成觸控電極引線20，后形成第一透明電極10，此時對于直接接觸的觸控電極引線20與第一透明電極10，觸控電極引線20位于下方，第一透明電極10位于上方；或者，可以是先形成第一透明電極10，后形成觸控電極引線20，此時對于直接接觸的觸控電極引線20與第一透明電極10，第一透明電極10位于下方，觸控電極引線位于上方。

其中，與每個第一透明電極10直接接觸并電連接的觸控電極引線20優(yōu)選為兩根，或兩根以上，以降低觸控電極引線20電阻，

在此基礎(chǔ)上，為了避免與當(dāng)前第一透明電極10直接接觸并電連接的觸控電極引線20在延伸向非顯示區(qū)02的過程中，與其他第一透明電極10接觸而電連接，需在觸控電極引線20與非電連接的第一透明電極10對應(yīng)位置處，將第一透明電極10斷開，從而形成多個子電極101。

第四，觸控電極引線20和數(shù)據(jù)線60通過絕緣層隔離。觸控電極引線20的寬度小于等于數(shù)據(jù)線60的寬度。

其中，由于觸控電極引線20和數(shù)據(jù)線60重疊，因而以觸控電極引線20與第一透明電極10電連接的部分為起始部分，所述觸控電極引線20在向非顯示區(qū)02延伸過程中，將位于延伸方向上、且除與所述觸控電極引線20電連接的所述第一透明電極10之外的第一透明電極10分割為多個子電極101時，數(shù)據(jù)線60和觸控電極引線20均位于相鄰子電極101之間。

第五，以觸控電極引線20與第一透明電極10電連接的部分為起始部分，所述觸控電極引線20在向非顯示區(qū)02延伸過程中，觸控電極引線20的方向是確定的，在此基礎(chǔ)上，以觸控電極引線20與第一透明電極10電連接的部分為延伸方向的起始部分，位于所述延伸方向上的第一透明電極10也是確定的。

第六，不對第一透明輔助電極線40的寬度進(jìn)行限定，只要大于數(shù)據(jù)線60的寬度，以能屏蔽數(shù)據(jù)線60對第二透明電極30的干擾即可。

其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，為了屏蔽數(shù)據(jù)線60對第二透明電極30的干擾，第一透明輔助電極線40的長度可大于等于與其相鄰的子電極101沿?cái)?shù)據(jù)線60方向的長度，或略小于與其相鄰的子電極101沿?cái)?shù)據(jù)線60方向的長度。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，通過第一透明輔助電極線40將第一透明電極10中的任意相鄰子電極101電連接，且使第一透明輔助電極線40的寬度大于數(shù)據(jù)線60的寬度，可在第一透明電極10的斷開位置處，使第一透明輔助電極線40起到屏蔽數(shù)據(jù)線60對第二透明電極30(即像素電極)干擾以及相鄰第二透明電極30之間干擾的作用；而且相對現(xiàn)有技術(shù)中將位于子電極101之間的觸控電極引線20增寬，本發(fā)明實(shí)施例中無需將觸控電極引線20增寬，因而可保證像素邊緣可透光，從而可以保證光透過率；在此基礎(chǔ)上，由于第一透明輔助電極線40可以增加像素內(nèi)有效的邊緣場，因而可以進(jìn)一步增強(qiáng)子像素邊緣的光強(qiáng)，提高顯示質(zhì)量。

考慮到第一透明輔助電極線40的長度太長可能會導(dǎo)致制作過程中與其沿?cái)?shù)據(jù)線60方向的上方或下方的其他第一透明輔助電極線40電連接而發(fā)生短路，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的，沿?cái)?shù)據(jù)線60的方向，第一透明輔助電極線40的長度等于與其相鄰的子電極101的長度。

優(yōu)選的，如圖4(a)和圖5(a)所示，第一透明輔助電極線40的形狀為T形；沿與數(shù)據(jù)線60垂直的方向，T形的水平邊的兩端分別與子電極101電連接。這樣，可降低制備第一透明輔助電極線40和第二透明電極30過程中，發(fā)生短路的概率。

進(jìn)一步的，如圖4(a)和圖5(a)所示，沿與數(shù)據(jù)線60平行的方向，T形的豎直邊的寬度大于等于與其相鄰的子電極101之間的間隙且小于第二透明電極30之間的間隙。這樣，可以使屏蔽效果更好，且可以進(jìn)一步增強(qiáng)子像素邊緣的光強(qiáng)。

優(yōu)選的，如圖3(a)和圖3(b)、以及圖6(a)所示，所述陣列基板還包括多根第二透明輔助電極線50，第二透明輔助電極線50與相互接觸的第一透明電極10和觸控電極引線20的重疊部分對應(yīng)，且第二透明輔助電極線50與對應(yīng)的第一透明電極10電連接；其中，第二透明輔助電極線50與第一透明輔助電極線40同層設(shè)置。

即，以任一根觸控電極引線20為例，在該觸控電極引線20與其直接接觸的第一透明電極10的重疊位置處，均設(shè)置一根第二透明輔助電極線50，該第二透明輔助電極線50與所述重疊位置處的第一透明電極10電連接。

第二透明輔助電極線50與第一透明輔助電極線40同層設(shè)置即為，采用同一次構(gòu)圖工藝形成第二透明輔助電極線50與第一透明輔助電極線40。

本發(fā)明實(shí)施例通過設(shè)置第二透明輔助電極線50，且使第二透明輔助電極線50與相互接觸的第一透明電極10和觸控電極引線20的重疊部分對應(yīng)，并與該第一透明電極10電連接，進(jìn)一步保證與觸控電極引線20相鄰的像素邊緣的可透光，并且增強(qiáng)子像素邊緣的光強(qiáng)。此外，將第二透明輔助電極線50與第一透明輔助電極線40通過同一次構(gòu)圖工藝形成，可避免構(gòu)圖工藝次數(shù)的增加，降低成本。

優(yōu)選的，如圖4(a)和圖4(c)、以及圖5(a)和圖5(b)所示，第一透明輔助電極線40與所述第二透明電極30同層設(shè)置且絕緣。

在此基礎(chǔ)上，如圖6(a)和圖6(b)所示，當(dāng)陣列基板還包括第二透明輔助電極線50時，第一透明輔助電極線40、第二透明輔助電極線50與第二透明電極30同層設(shè)置。

這樣，可避免構(gòu)圖工藝次數(shù)的增加，降低成本。

進(jìn)一步的，考慮到現(xiàn)有技術(shù)中在不設(shè)置本發(fā)明的第一透明輔助電極線40時，若將第二透明電極30設(shè)置在襯底和第一透明電極10之間，則第二透明電極30與TFT80的漏極之間通常為了減少構(gòu)圖工藝次數(shù)不設(shè)置鈍化層，在此基礎(chǔ)上，應(yīng)用到本發(fā)明中時，若在第二透明電極30與TFT80的漏極之間不設(shè)置鈍化層，則會導(dǎo)致數(shù)據(jù)線60與第一透明輔助電極線40電連接，因此需增加鈍化層，這就會導(dǎo)致相對現(xiàn)有技術(shù)增加一次構(gòu)圖工藝次數(shù)。

但是，對于第一透明電極10設(shè)置在襯底和第二透明電極30之間的情況，在TFT80與第一透明電極10會設(shè)置有一層鈍化層，在第一透明電極10和第二透明電極30也設(shè)置有一層鈍化層，在此基礎(chǔ)上，增加第一透明輔助電極線40，甚至與第一透明輔助電極線40同層的第二透明輔助電極線50，并不會導(dǎo)致構(gòu)圖工藝次數(shù)的增加。

基于此，優(yōu)選的，如圖4(a)-圖4(c)、以及圖6(a)和圖6(b)所示，第一透明電極10設(shè)置在襯底和第二透明電極30之間。

此處，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，觸控電極引線20也設(shè)置在襯底和第二透明電極30之間。

這樣，與第二透明電極10同層的第一透明輔助電極線40還可在實(shí)現(xiàn)顯示功能時，完全屏蔽觸控電極引線20電位對顯示的影響。

進(jìn)一步的，如圖4(a)-圖4(c)所示，TFT80靠近襯底設(shè)置；第一鈍化層901設(shè)置在TFT80的上方；第一透明電極10和觸控電極引線20設(shè)置在第一鈍化層901的上方；第二鈍化層902設(shè)置在遠(yuǎn)離第一鈍化層901的第一透明電極10或觸控電極引線20的上方；第二透明電極30和第一透明輔助電極線40設(shè)置在第二鈍化層902的上方，第一透明輔助電極線40通過設(shè)置在第二鈍化層902上的過孔將第一透明電極10中相鄰子電極101電連接。

當(dāng)然，當(dāng)陣列基板還包括第二透明輔助電極線50時，如圖6(a)和圖6(b)，第二透明輔助電極線50也設(shè)置在第二鈍化層902的上方。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述的陣列基板，以及與上述的陣列基板對盒的對盒基板，位于所述陣列基板和所述對盒基板之間的液晶層。

其中，對盒基板可包括黑矩陣和彩膜。

當(dāng)然，本發(fā)明并不限定彩膜僅可設(shè)置在對盒基板上，彩膜還可設(shè)置在陣列基板上。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，通過在陣列基板上設(shè)置第一透明輔助電極線40，來將第一透明電極10中的任意相鄰子電極101電連接，且使第一透明輔助電極線40的寬度大于數(shù)據(jù)線60的寬度，可在第一透明電極10的斷開位置處，使第一透明輔助電極線40起到屏蔽數(shù)據(jù)線60對第二透明電極30(即像素電極)干擾以及相鄰第二透明電極30之間干擾的作用；而且相對現(xiàn)有技術(shù)中將位于子電極101之間的觸控電極引線20增寬，本發(fā)明實(shí)施例中無需將觸控電極引線20增寬，因而可保證像素邊緣可透光，從而可以保證光透過率；在此基礎(chǔ)上，由于第一透明輔助電極線40可以增加像素內(nèi)有效的邊緣場，因而可以進(jìn)一步增強(qiáng)子像素邊緣的光強(qiáng)，提高顯示質(zhì)量。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板，以及設(shè)置在所述陣列基板的非顯示區(qū)02的IC03(參考圖2(a)和圖3(a)所示)，所述觸控電極引線20與IC03電連接。

上述顯示裝置具體可以是液晶顯示裝置，例如可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制備方法，如圖2(a)和圖2(b)、圖3(a)和圖3(b)、以及圖4(a)、圖5(a)所示，包括在襯底上的顯示區(qū)01形成多個第一透明電極10和多個第二透明電極30，第一透明電極10和第二透明電極30位于不同層，第一透明電極10被分時用作公共電極和觸控電極；以及形成在相鄰第二透明電極30之間對應(yīng)區(qū)域的數(shù)據(jù)線60；第一透明電極10與至少一根觸控電極引線20直接接觸并電連接，所述觸控電極引線20均沿?cái)?shù)據(jù)線60方向延伸至顯示區(qū)01外側(cè)的非顯示區(qū)02，第一透明電極10與所述觸控電極引線20位于不同層；所述觸控電極引線20在襯底上的正投影被數(shù)據(jù)線60在襯底上的正投影覆蓋。

進(jìn)一步的，以觸控電極引線20與第一透明電極10電連接的部分為起始部分，所述觸控電極引線20在向非顯示區(qū)02延伸過程中，將位于延伸方向上、且除與所述觸控電極引線20電連接的所述第一透明電極10之外的第一透明電極10分割為多個子電極101；在此基礎(chǔ)上，所述方法還包括形成多根第一透明輔助電極線40，每一個第一透明電極10中的任意相鄰子電極101均通過一根第一透明輔助電極線40電連接；所述第一透明輔助電極線40形成在數(shù)據(jù)線60遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)。

其中，第一透明輔助電極線40的寬度大于數(shù)據(jù)線60的寬度，且第一透明輔助電極線40在襯底上的正投影覆蓋數(shù)據(jù)線60在襯底上的正投影。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，通過第一透明輔助電極線40將第一透明電極10中的任意相鄰子電極101電連接，且使第一透明輔助電極線40的寬度大于數(shù)據(jù)線60的寬度，可在第一透明電極10的斷開位置處，使第一透明輔助電極線40起到屏蔽數(shù)據(jù)線60對第二透明電極30(即像素電極)干擾以及相鄰第二透明電極30之間干擾的作用；而且相對現(xiàn)有技術(shù)中將位于子電極101之間的觸控電極引線20增寬，本發(fā)明實(shí)施例中無需將觸控電極引線20增寬，因而可保證像素邊緣可透光，從而可以保證光透過率；在此基礎(chǔ)上，由于第一透明輔助電極線40可以增加像素內(nèi)有效的邊緣場，因而可以進(jìn)一步增強(qiáng)子像素邊緣的光強(qiáng)，提高顯示質(zhì)量。

優(yōu)選的，如圖3(a)和圖3(b)、以及圖6(a)所示，所述方法還包括形成多根第二透明輔助電極線50，第二透明輔助電極線50與相互接觸的第一透明電極10和觸控電極引線20的重疊部分對應(yīng)，且第二透明輔助電極線50與對應(yīng)的第一透明電極10電連接；其中，第二透明輔助電極線50與第一透明輔助電極線40通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

本發(fā)明實(shí)施例通過形成第二透明輔助電極線50，且使第二透明輔助電極線50與相互接觸的第一透明電極10和觸控電極引線20的重疊部分對應(yīng)，并與該第一透明電極10電連接，進(jìn)一步保證與觸控電極引線20相鄰的像素邊緣的可透光，并且增強(qiáng)子像素邊緣的光強(qiáng)。此外，將第二透明輔助電極線50與第一透明輔助電極線40通過同一次構(gòu)圖工藝形成，可避免構(gòu)圖工藝次數(shù)的增加，降低成本。

優(yōu)選的，如圖4(a)和圖4(c)、以及圖5(a)和圖5(b)所示，第一透明輔助電極線40與第二透明電極30通過同一次構(gòu)圖工藝形成且絕緣。

在此基礎(chǔ)上，如圖6(a)和圖6(b)所示，當(dāng)陣列基板還包括第二透明輔助電極線50時，第一透明輔助電極線40、第二透明輔助電極線50與第二透明電極30通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

這樣，可避免構(gòu)圖工藝次數(shù)的增加，降低成本。

進(jìn)一步的，參考圖4(a)-圖4(c)所示，形成第一透明電極10、觸控電極引線20、第二透明電極30以及第一透明輔助電極線40，具體包括如下步驟：

S10、在形成TFT80的襯底上形成第一鈍化層薄膜。

S11、在形成有第一鈍化層薄膜的襯底上，通過兩次構(gòu)圖工藝處理，形成第一透明電極10和觸控電極引線20；其中，以觸控電極引線20與第一透明電極10電連接的部分為起始部分，所述觸控電極引線20在向非顯示區(qū)02延伸過程中，將位于延伸方向上、且除與所述觸控電極引線20電連接的所述第一透明電極10之外的第一透明電極10分割為多個子電極101。

S12、在形成第一透明電極10和觸控電極引線20的襯底上形成第二鈍化層薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝處理，在第二鈍化層薄膜的對應(yīng)子電極101的位置形成第一過孔，在第二鈍化層薄膜和第一鈍化層薄膜的對應(yīng)TFT80漏極的位置形成第二過孔，以使第二鈍化層薄膜形成為第二鈍化層902，第一鈍化層薄膜形成為第一鈍化層901。

S13、在形成第二鈍化層902的襯底上形成第二透明電極30、以及位于第一透明電極10中任意相鄰子電極101之間的第一透明輔助電極線40；所述第一透明輔助電極線40通過所述第一過孔將相鄰子電極101電連接，第二透明電極30通過所述第二過孔與TFT80的漏極電連接。

在此基礎(chǔ)上，當(dāng)陣列基板還包括第二透明輔助電極線50時，如圖6(a)和圖6(b)，在形成第一透明輔助電極線40的同時，也形成第二透明輔助電極線50。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。