本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示面板的應(yīng)用越來越廣泛。如圖1所示，目前顯示面板包括在行方向上循環(huán)排布的RGBW四種子像素01，其中每個(gè)子像素01具有相同的開口率。但是，該顯示面板在顯示單色畫面時(shí)，亮度較低，因此，如何進(jìn)一步提高顯示面板在單色畫面下的光透過率，提高單色畫面的顯示亮度成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板，以提高所述顯示面板在顯示單色畫面時(shí)的顯示亮度。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

一種陣列基板，其特征在于，包括：

第一基板；

位于所述第一基板第一側(cè)交叉且絕緣設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線限定出多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素包括沿行方向循環(huán)排布的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，其中，在列方向上，同一列子像素只包括所述第一子像素和所述第三子像素或只包括所述第二子像素和所述第四子像素，且所述第一子像素和所述第三子像素在其所在列方向上依次交替排布，所述第二子像素和所述第四子像素在其所在列方向上依次交替排布；

位于所述第一基板所述第一側(cè)的多個(gè)支撐結(jié)構(gòu)，所述第四子像素所在區(qū)域在所述第一基板上的投影覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)在所述第一基板上的投影；

其中，所述第四子像素為白色子像素，且所述行方向和列方向不同。

一種顯示面板，包括上述陣列基板，與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的第二基板，位于所述陣列基板和所述第二基板之間的液晶層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板，包括：位于所述第一基板第一側(cè)交叉且絕緣設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，以及設(shè)置于所述第一基板第一側(cè)的多個(gè)支撐結(jié)構(gòu)，其中，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線限定出多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素包括沿行方向循環(huán)排布的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，所述第四子像素所在區(qū)域在所述第一基板上的投影覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)在所述第一基板上的投影，且所述第四子像素為白色子像素。由此可見，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板，將各支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述白色子像素所在的區(qū)域，從而在相同面積下，增加其他三種子像素的可用開口率，提高其他三種子像素的光透過率，從而提高包括該陣列基板的顯示面板在顯示單色畫面時(shí)的顯示亮度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的局部俯視圖；

圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖；

圖3為圖2沿AB方向的剖視圖；

圖4為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，所述第四子像素所在區(qū)域第四子像素和支撐結(jié)構(gòu)的俯視圖；

圖5為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中各子像素的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖6為圖5所示陣列基板中一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖7為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的公共電極的電連接示意圖；

圖8為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的電連接示意圖；

圖9為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的電連接示意圖；

圖10為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的電連接示意圖；

圖11為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的電連接示意圖；

圖12為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，所述色阻層與各子像素的俯視圖；

圖13為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，所述色阻層與各子像素的俯視圖；

圖14為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的包括色阻層的陣列基板的剖視圖；

圖15為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的剖視圖；

圖16為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的剖視圖；

圖17為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的剖視圖；

圖18為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的顯示面板的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖2和圖3所示，圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的俯視圖，圖3為圖2所示陣列基板沿AB方向的剖視圖，該陣列基板包括：

第一基板10；

位于所述第一基板10第一側(cè)交叉且絕緣設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線20和多條掃描線30，所述多條數(shù)據(jù)線20和所述多條掃描線30限定出多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素包括沿行方向循環(huán)排布的第一子像素41、第二子像素42、第三子像素43和第四子像素44，其中，在列方向上，同一列子像素只包括所述第一子像素41和第三子像素43，或者只包括第二子像素42和第四子像素44，且所述第一子像素41和所述第三子像素43在其所在列方向上依次交替排布，所述第二子像素42和所述第四子像素44在其所在列方向上依次交替排布；

位于所述第一基板10所述第一側(cè)的多個(gè)支撐結(jié)構(gòu)50，所述第四子像素44所在區(qū)域在所述第一基板10上的投影覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)50在所述第一基板10上的投影；

其中，所述第四子像素44為白色子像素，且所述行方向與所述列方向不同。

需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述行方向可以為平行于所述掃描線30延伸的方向，也可以為平行于所述數(shù)據(jù)線20延伸的方向。如圖2所示，當(dāng)所述行方向平行于所述掃描線30延伸的方向，所述列方向優(yōu)選為平行于所述數(shù)據(jù)線20延伸的方向；當(dāng)所述行方向平行于所述數(shù)據(jù)線20延伸的方向，所述列方向優(yōu)選為平行于所述掃描線30延伸的方向，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。下面以所述行方向平行于所述掃描線30延伸的方向，所述列方向平行于所述數(shù)據(jù)線20延伸的方向?yàn)槔瑢?duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板進(jìn)行說明。

需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，可選的，各子像素所在區(qū)域的寬度a為所述陣列基板的像素寬度b的1/3。

由上可知，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板中，所述第四子像素44所在區(qū)域在所述第一基板10上的投影覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)50在所述第一基板10上的投影，即在本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板中，各所述支撐結(jié)構(gòu)50設(shè)置在所述第四子像素44所在的區(qū)域，從而在相同面積下，增加了其他三種子像素的可用開口率，提高了其他三種子像素的光透過率，從而提高了包括該陣列基板的顯示面板在顯示單色畫面時(shí)的顯示亮度。

而且，由于實(shí)際應(yīng)用中白色子像素的亮度僅僅為其最大顯示亮度的一半，存在亮度過剩的現(xiàn)象，因此，將各所述支撐結(jié)構(gòu)50設(shè)置在所述白色子像素所在的區(qū)域，使得所述白色子像素的開口率小于其他三種子像素的開口率，也不會(huì)降低所述白色子像素的顯示亮度，從而在整體上提高了包括該陣列基板的顯示面板的光透過率。

如圖4所示，圖4為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，所述第四子像素所在區(qū)域第四子像素和支撐結(jié)構(gòu)的俯視圖。在本實(shí)施例中，在平行于所述第一基板表面的平面內(nèi)，所述支撐結(jié)構(gòu)50的截面形狀為圓環(huán)形，圍繞在所述第四子像素44的四周，以在保證所述支撐結(jié)構(gòu)50的支撐作用時(shí)，降低所述支撐結(jié)構(gòu)50占用所述第四子像素44所在區(qū)域的面積比例，提高所述第四子像素44的開口率。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在平行于所述第一基板表面的平面內(nèi)，所述支撐結(jié)構(gòu)50的截面形狀還可以為其他規(guī)則圖形或不規(guī)則圖形，具體視情況而定。

在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖5和圖6所示，其中，圖5為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中各子像素的結(jié)構(gòu)俯視圖，圖6為圖5中一個(gè)子像素的結(jié)構(gòu)剖視圖，在本實(shí)施例中，所述多條數(shù)據(jù)線20和所述多條掃描線30通過薄膜晶體管60控制各所述子像素的顯示，其中，所述薄膜晶體管60與所述子像素一一對(duì)應(yīng)，且所述薄膜晶體管60的柵極g與所述掃描線30電連接，源極s與所述數(shù)據(jù)線20電連接，漏極d與所述子像素的像素電極70電連接，其中，所述掃描線30用于控制薄膜晶體管60的導(dǎo)通和截止，所述數(shù)據(jù)線20用于在所述薄膜晶體管導(dǎo)通60時(shí)，將其數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至所述薄膜晶體管60的漏極d，并經(jīng)所述薄膜晶體管60的漏極d傳輸給像素電極70。

此外，所述陣列基板還包括：在所述子像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，與所述像素電極70位于同一層，且交叉設(shè)置的公共電極80，不同子像素對(duì)應(yīng)的公共電極80上的電壓信號(hào)相同。具體工作時(shí)，所述薄膜晶體管60在所述掃描線30的控制下導(dǎo)通，將所述數(shù)據(jù)線20中的數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)所述薄膜晶體管60的漏極d傳輸給所述像素電極70，從而在所述像素電極70與公共電極80之間形成控制電場(chǎng)，控制各子像素的顯示。

如圖7所示，圖7為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的公共電極80的電連接示意圖，在本實(shí)施例中，所述同一行的子像素對(duì)應(yīng)的公共電極80電連接且通過公共電極走線90輸入公共電極信號(hào)?？蛇x的，所述公共電極走線90與所述掃描線30位于同一層，并通過第二過孔91與所述公共電極走線90電連接，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖8-圖11所示，各所述第四子像素44所在區(qū)域在所述第一基板上投影覆蓋各所述薄膜晶體管60在所述第一基板上的投影，以將各子像素對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管60均設(shè)置在所述第四子像素44所在的區(qū)域，從而進(jìn)一步增大其他三種子像素的可用開口率，提高其他三種子像素的光透過率，進(jìn)而提高包括該陣列基板的顯示面板在顯示單色畫面時(shí)的顯示亮度和整體開口率。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)子像素劃分成多個(gè)像素單元，各所述像素單元均包括一個(gè)第四子像素44，同一所述像素單元中各子像素電連接的薄膜晶體管60均位于該像素單元內(nèi)所述第四子像素44所在區(qū)域內(nèi)。可選的，在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，各所述像素單元均包括一個(gè)第四子像素44、第三子像素43、第二子像素42和第一子像素41，以使得各所述像素單元都可以顯示各種顏色。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，如圖8所示，圖8示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的電連接示意，在本實(shí)施例中，所述像素單元包括：第四子像素44；在所述行方向上與所述第四子像素44相鄰的第三子像素43；在所述列方向上與所述第四子像素44相鄰的第二子像素42；在所述列方向上與所述第三子像素43相鄰的第一子像素41。

如圖9所示，圖9示出了本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的電連接示意，在本實(shí)施例中，所述像素單元包括：第四子像素44；在所述行方向上與所述第四子像素44相鄰的第一子像素41；在所述列方向上與所述第四子像素44相鄰的第二子像素42；在所述列方向上與所述第一子像素41相鄰的第三子像素43。

在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述像素單元還可以僅包括第一子像素41、第二子像素42、第三子像素43和第四子像素44中的部分種類子像素，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。

如圖10所示，圖10示出了本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的電連接示意，在本實(shí)施例中，所述像素單元包括：第四子像素44；在所述行方向上與所述第四子像素44相鄰的第三子像素43；在所述列方向上與所述第四子像素44相鄰的第二子像素42；在所述列方向上與所述第二子像素42相鄰的第三子像素43。

如圖11所示，如圖11所示，圖11示出了本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，各子像素對(duì)應(yīng)的像素電極的電連接示意，在本實(shí)施例中，所述像素單元包括：第四子像素44；在所述行方向上與所述第四子像素44相鄰的第一子像素41；在所述列方向上與所述第四子像素44相鄰的第二子像素42；在所述列方向上與所述第二子像素42相鄰的第一子像素41。

繼續(xù)如圖8所示，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述漏極通過第一過孔61與所述子像素的像素電極70電連接；所述源極通過第二過孔62與所述數(shù)據(jù)線20電連接。

可選的，繼續(xù)如圖8所示，在平行于所述第一基板的平面內(nèi)，所述第二過孔62的剖視圖為弧形，即對(duì)所述第二過孔62做挖空設(shè)計(jì)，從而減小所述掃描線30和所述第二過孔62、所述數(shù)據(jù)線20之間的交疊電容。但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。

在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖12-圖14所示，其中，圖12為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，所述色阻層與各子像素的俯視圖；圖13為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板中，所述色阻層與各子像素的俯視圖；圖14為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的包括色阻層的陣列基板的剖視圖。在本實(shí)施例中，所述陣列基板還包括：

位于所述第一基板10第一側(cè)的色阻層100，所述色阻層100包括：第一色阻101、第二色阻102、第三色阻103和遮光結(jié)構(gòu)104，所述第一色阻101與所述第一子像素41對(duì)應(yīng)，所述第二色阻102與所述第二子像素42對(duì)應(yīng)，所述第三色阻103與所述第三子像素43對(duì)應(yīng)，所述遮光結(jié)構(gòu)104至少覆蓋所述第四子像素44與所述第一子像素41之間的非透光區(qū)、所述第四子像素44與所述第二子像素42之間的非透光區(qū)、所述第四子像素44與所述第三子像素43之間的非透光區(qū)。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖12所示，所述遮光結(jié)構(gòu)104覆蓋所述第一子像素41、所述第二子像素42、所述第三子像素43和所述第四子像素44中任意兩個(gè)子像素之間的非透光區(qū)。即在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一色阻101僅覆蓋所述第一子像素41對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述第二色阻102僅覆蓋所述第二子像素42對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述第三色阻103僅覆蓋所述第三子像素43對(duì)應(yīng)的區(qū)域，剩余區(qū)域全部由所述遮光結(jié)構(gòu)104覆蓋。

在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖13所示，所述遮光結(jié)構(gòu)104僅覆蓋所述第四子像素44與所述第一子像素41之間的非透光區(qū)、所述第四子像素44與所述第二子像素42之間的非透光區(qū)、所述第四子像素44與所述第三子像素43之間的非透光區(qū)，以減少所述遮光結(jié)構(gòu)104的面積，從而減少所述遮光結(jié)構(gòu)104的成本。需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一色阻101、所述第二色阻102和所述第三色阻103中任意兩種不同顏色的色阻均具有交疊區(qū)域105，所述交疊區(qū)域105覆蓋所述第一子像素41、所述第二子像素42和所述第三子像素43中任一兩個(gè)子像素之間的非透光區(qū)。

具體的，所述第一色阻101與所述第二色阻102之間的交疊區(qū)域覆蓋所述第一子像素41和所述第二子像素42之間的非透光區(qū)，所述第一色阻101與所述第三色阻103之間的交疊區(qū)域覆蓋所述第一子像素41和所述第三子像素43之間的非透光區(qū)，所述第二色阻102與所述第三色阻103之間的交疊區(qū)域覆蓋所述第二子像素42與所述第三子像素43之間的非透光區(qū)。

在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖14所示，所述色阻層100位于所述薄膜晶體管60背離所述第一基板10一側(cè)，所述支撐結(jié)構(gòu)50位于所述遮光結(jié)構(gòu)104背離所述第一基板10一側(cè)。

可選的，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖14所示，所述遮光結(jié)構(gòu)在所述第一基板10上的投影覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)50在所述第一基板10上的投影。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖15所示，所述支撐結(jié)構(gòu)50在所述第一基板10上的投影覆蓋其對(duì)應(yīng)的所述第四子像素44和所述遮光結(jié)構(gòu)在所述第一基板10上的投影。需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述支撐結(jié)構(gòu)50為無色透明的支撐結(jié)構(gòu)，以避免所述支撐結(jié)構(gòu)50影響所述第四子像素44區(qū)域的顯示顏色。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖16所示，所述遮光結(jié)構(gòu)與所述支撐結(jié)構(gòu)50之間還設(shè)置有有機(jī)膜層110，即所述色阻層100與所述支撐結(jié)構(gòu)50之間設(shè)置有有機(jī)膜層110；在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖17所示，所述遮光結(jié)構(gòu)與所述薄膜晶體管60之間設(shè)置有有機(jī)膜層，即所述色阻層100與所述薄膜晶體管60之間設(shè)置有有機(jī)膜層110，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述有機(jī)膜層還可以設(shè)置在其他位置，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。

此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，如圖18所示，該顯示面板包括：本發(fā)明上述任一實(shí)施例所提供的陣列基板200，與所述陣列基板200相對(duì)設(shè)置的第二基板300，位于所述陣列基板200與所述第二基板300之間的液晶層400。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板，包括：位于所述第一基板第一側(cè)交叉且絕緣設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，以及設(shè)置于所述第一基板第一側(cè)的多個(gè)支撐結(jié)構(gòu)，其中，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條掃描線限定出多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素包括沿行方向循環(huán)排布的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，所述第四子像素所在區(qū)域在所述第一基板上的投影覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)在所述第一基板上的投影，且所述第四子像素為白色子像素。由此可見，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板，將各支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述白色子像素所在的區(qū)域，從而在相同面積下，增加其他三種子像素的可用開口率，提高其他三種子像素的光透過率，從而提高包括該陣列基板的顯示面板在顯示單色畫面時(shí)的顯示亮度。

本說明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。