1.一種在晶圓光刻工藝中與接觸式光刻機配合使用的光刻板，其特征在于：該光刻板上對應(yīng)于晶圓平邊的區(qū)域設(shè)置有標(biāo)尺圖形，所述標(biāo)尺圖形包括若干條平行標(biāo)尺，其中有兩條平行標(biāo)尺分別作為對準基線和平行對準標(biāo)示；所述對準基線位于整個標(biāo)尺圖形的中部，是標(biāo)尺圖形中最長的一條平行標(biāo)尺；所述平行對準標(biāo)示與對準基線之間的距離用于標(biāo)示晶圓平邊與對準基線可允許的最大偏差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻板，其特征在于：所述平行對準標(biāo)示的長度或方向區(qū)別于其他平行標(biāo)尺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻板，其特征在于：所述對準基線始自光刻板的左端、終于光刻板的右端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻板，其特征在于：所述標(biāo)尺圖形還包括且僅有一條垂直標(biāo)尺，與所述若干條平行標(biāo)尺呈十字交叉。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻板，其特征在于：所述若干條平行標(biāo)尺的自身寬度和間距均相等。
6.應(yīng)用權(quán)利要求1至5任一所述光刻板進行晶圓平邊對準的方法，包括以下步驟：
(1)調(diào)整光刻機左、右兩側(cè)的顯微鏡，使左、右兩側(cè)的顯微鏡均能夠觀察到光刻板上的標(biāo)尺圖形，再調(diào)整晶圓位置，使左、右兩側(cè)的顯微鏡也能夠分別觀察到晶圓平邊上兩處設(shè)定的位置；
(2)通過標(biāo)尺圖形能夠直觀地判斷晶圓平邊與光刻板的對準偏差是否在可允許的最大偏差范圍內(nèi)；微調(diào)晶圓位置，將左側(cè)顯微鏡觀察下的晶圓左側(cè)平邊與對準基線對齊，將右側(cè)顯微鏡觀察下的晶圓右側(cè)平邊與對準基線對齊；
(3)光刻工藝完成后，在顯微鏡下觀察光刻版在晶圓上留下的對準圖形，測量左右兩側(cè)晶圓平邊與對準基線的距離，計算出晶圓平邊和光刻板標(biāo)尺圖形實際的偏差距離，判斷其是否滿足工藝需求。
7.應(yīng)用權(quán)利要求1至5任一所述光刻板進行晶圓光刻平邊補償?shù)姆椒ǎㄒ韵虏襟E：
(1)計算光刻對準工藝需要的補償量Xμm；
(2)調(diào)整光刻機左、右兩側(cè)的顯微鏡，使左、右兩側(cè)的顯微鏡均能夠觀察到光刻板上的標(biāo)尺圖形，再調(diào)整晶圓位置，使左、右兩側(cè)的顯微鏡也能夠分別觀察到晶圓平邊上兩處設(shè)定的位置；
(3)微調(diào)晶圓位置，將左側(cè)顯微鏡觀察下的晶圓左側(cè)平邊與對準基線對齊，將右側(cè)顯微鏡觀察下的晶圓右側(cè)平邊調(diào)整至與對準基線相距Xμm；
(4)光刻工藝完成后，在顯微鏡下觀察光刻版在晶圓上留下的對準圖形，測量左右兩側(cè)晶圓平邊離對準基線的距離，計算出晶圓平邊和光刻板標(biāo)尺圖形實際的偏差距離，判斷其是否滿足補償工藝需求。