專利名稱：同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻工藝的匹配方法，尤其涉及一種同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法。
背景技術(shù)：
對于不同光刻涂布裝置的工藝匹配，當(dāng)相同圖形尺寸發(fā)生偏移時，在量產(chǎn)一個產(chǎn)品時，將會有相同型號的多臺光刻涂布裝置進行同一工藝層的生產(chǎn)，由于每臺光刻涂布裝置對同一層的尺寸并不能做到完全一致，這就需要調(diào)整曝光參數(shù)NA和sigma，目前應(yīng)用中會用很多片晶圓進行曝光參數(shù)的調(diào)整，一片晶圓對應(yīng)一個參數(shù)，然后進行曝光和量測，不同的產(chǎn)品又要重復(fù)相同的工作，這就導(dǎo)致了大量晶圓的費用，增加了工程師的超常工作量。
因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員致力于開發(fā)一種簡單易行，大大減少了生產(chǎn)費用和工作時間，適用于批量生產(chǎn)的光刻涂布裝置的匹配方法。發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的技術(shù)中光刻涂布裝置的匹配方法耗時耗力。
本發(fā)明提供的一種同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，所述光刻涂布裝置包括相連的光阻涂布機和光刻機，包括以下步驟步驟1，設(shè)計基準(zhǔn)晶圓和基準(zhǔn)圖形；步驟2，以一系列的曝光參數(shù)下的第一光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第一圖形，并量測第一圖形的尺寸結(jié)構(gòu)，所述第一圖形的線寬尺寸與所述基準(zhǔn)圖形相同；步驟3，以一系列的曝光參數(shù)下的第二光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第二圖形，并量測第二圖形的尺寸結(jié)構(gòu)，所述第二光刻涂布裝置與第一光刻涂布裝置應(yīng)用于同一光刻工藝中，所述第二圖形的線寬尺寸與所述基準(zhǔn)圖形相同；步驟4，選取相同尺寸結(jié)構(gòu)的第一圖形和第二圖形所對應(yīng)的曝光參數(shù)作為第一光刻涂布裝置和第二光刻涂布裝置的相應(yīng)的基準(zhǔn)曝光參數(shù)。
在本發(fā)明的一個較佳實施方式中，所述曝光參數(shù)為數(shù)值孔徑或照明相干因子。
在本發(fā)明的另一較佳實施方式中，所述第一光刻涂布裝置和/或第二光刻涂布裝置中的光刻機為浸潤式光刻機。
在本發(fā)明的另一較佳實施方式中，所述浸潤式光刻機中的紫外線的波長為248nm 或 193nm。
在本發(fā)明的另一較佳實施方式中，所述基準(zhǔn)圖形的圖形結(jié)構(gòu)為密集線條、隔離線條、頭對頭線條或T子形線條。
在本發(fā)明的另一較佳實施方式中，所述基準(zhǔn)圖形的線寬尺寸與所述同一光刻工藝的特征尺寸相同。
本發(fā)明簡單易行，大大減少了生產(chǎn)費用和工作時間，使不同光刻涂布裝置產(chǎn)生的3圖形尺寸都能達到一致，保證了批量生產(chǎn)中晶圓產(chǎn)品的質(zhì)量。


圖I是本發(fā)明的實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的實施例的不同光刻涂布裝置的相同圖形尺寸曲線圖。
具體實施方式
以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明做具體闡釋。
本發(fā)明的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，包括以下步驟步驟1，設(shè)計基準(zhǔn)晶圓和基準(zhǔn)圖形；步驟2，以一系列的曝光參數(shù)下的第一光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第一圖形，并量測第一圖形的尺寸結(jié)構(gòu)。其中第一圖形的線寬尺寸與基準(zhǔn)圖形相同；步驟3，以一系列的曝光參數(shù)下的第二光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第二圖形，并量測第二圖形的尺寸結(jié)構(gòu)。其中第二光刻涂布裝置與第一光刻涂布裝置應(yīng)用于同一光刻工藝中。第二圖形的線寬尺寸與基準(zhǔn)圖形相同；步驟4，選取相同尺寸結(jié)構(gòu)的第一圖形和第二圖形所對應(yīng)的曝光參數(shù)作為第一光刻涂布裝置和第二光刻涂布裝置的相應(yīng)的基準(zhǔn)曝光參數(shù)。
光刻涂布裝置中包括光阻涂布機和光刻機，由于不同的光刻機即使在相同的曝光參數(shù)下也可能曝光出不同尺寸的圖形，而同一光刻工藝中又要求必須具有同一的圖形尺寸，本發(fā)明利用一個基準(zhǔn)晶圓，經(jīng)不同的光刻涂布裝置曝光，隨后調(diào)整曝光參數(shù)以使不同的光刻涂布裝置曝光的圖形尺寸一致，使得產(chǎn)品質(zhì)量在不同的光刻涂布裝置生產(chǎn)時都能保持最優(yōu)。
本發(fā)明簡單易行，大大減少了生產(chǎn)費用和工作時間，使不同光刻涂布裝置產(chǎn)生的圖形尺寸都能達到一致，保證了批量生產(chǎn)中晶圓產(chǎn)品的質(zhì)量。
如圖I中所示，基準(zhǔn)圖形的圖形結(jié)構(gòu)可為密集線條I、隔離線條2、頭對頭線條3或 T字形線條4。
在本發(fā)明的實施例中，曝光參數(shù)可為數(shù)值孔徑(numerical aperture,簡稱NA)或照明相干因子(sigma)。使用一系列的NA或sigma參數(shù)曝光基準(zhǔn)晶圓上的不同曝光區(qū)域， 以得到不同參數(shù)下的不同的圖形。其中可以使用一系列逐漸增大的NA或sigma參數(shù)。
此外，在本發(fā)明的實施例中，第一光刻涂布裝置和/或第二光刻涂布裝置中的光刻機可為浸潤式光刻機。并且，光刻機型號有248nm波長或193nm波長浸潤式光刻機。
在本發(fā)明的實施例中，基準(zhǔn)圖形可以為ID或2D圖形，其適用范圍為90納米技術(shù)節(jié)點以下光刻生產(chǎn)工藝。
另外，在本發(fā)明的實施例中，基準(zhǔn)圖形的線寬尺寸與同一光刻工藝的特征尺寸相同。從而可以有針對性的測試并調(diào)整光刻工藝中的不同光刻涂布裝置。
如圖2中所示，在本發(fā)明的實施例中，第一光刻涂布裝置和第二光刻涂布裝置應(yīng)用不同的NA和sigma參數(shù)得了大致相同的圖形結(jié)構(gòu)特性。圖中曲線10為第一光刻涂布裝置應(yīng)用NA和sigma參數(shù)得到的一系列圖形尺寸結(jié)構(gòu)，曲線20為第二光刻涂布裝置應(yīng)用NA 和sigma參數(shù)得到的一系列圖形尺寸結(jié)構(gòu)；橫坐標(biāo)為圖形的線寬尺寸；縱坐標(biāo)為圖形的CDCN 102540758 A大小。
以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，所述光刻涂布裝置包括相連的光阻涂布機和光刻機，其特征在于，包括以下步驟步驟1，設(shè)計基準(zhǔn)晶圓和基準(zhǔn)圖形；步驟2，以一系列的曝光參數(shù)下的第一光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第一圖形，并量測第一圖形的尺寸結(jié)構(gòu)，所述第一圖形的線寬尺寸與所述基準(zhǔn)圖形相同；步驟3，以一系列的曝光參數(shù)下的第二光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第二圖形，并量測第二圖形的尺寸結(jié)構(gòu)，所述第二光刻涂布裝置與第一光刻涂布裝置應(yīng)用于同一光刻工藝中，所述第二圖形的線寬尺寸與所述基準(zhǔn)圖形相同；步驟4，選取相同尺寸結(jié)構(gòu)的第一圖形和第二圖形所對應(yīng)的曝光參數(shù)作為第一光刻涂布裝置和第二光刻涂布裝置的相應(yīng)的基準(zhǔn)曝光參數(shù)。
2.如權(quán)利要求I所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于， 所述曝光參數(shù)為數(shù)值孔徑或照明相干因子。
3.如權(quán)利要求I所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于， 所述第一光刻涂布裝置和/或第二光刻涂布裝置中的光刻機為浸潤式光刻機。
4.如權(quán)利要求3所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于， 所述浸潤式光刻機中的紫外線的波長為248nm或193nm。
5.如權(quán)利要求I所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于， 所述基準(zhǔn)圖形的圖形結(jié)構(gòu)為密集線條、隔離線條、頭對頭線條或T字形線條。
6.如權(quán)利要求I所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于， 所述基準(zhǔn)圖形的線寬尺寸與所述同一光刻工藝的特征尺寸相同。
全文摘要
本發(fā)明提供的一種同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，包括設(shè)計基準(zhǔn)晶圓和基準(zhǔn)圖形；以一系列的曝光參數(shù)下的第一光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第一圖形，并量測第一圖形的尺寸結(jié)構(gòu)；以一系列的曝光參數(shù)下的第二光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第二圖形，并量測第二圖形的尺寸結(jié)構(gòu)；步驟4，選取相同尺寸結(jié)構(gòu)的第一圖形和第二圖形所對應(yīng)的曝光參數(shù)作為第一光刻涂布裝置和第二光刻涂布裝置的相應(yīng)的基準(zhǔn)曝光參數(shù)。本發(fā)明簡單易行，大大減少了生產(chǎn)費用和工作時間，使不同光刻涂布裝置產(chǎn)生的圖形尺寸都能達到一致，保證了批量生產(chǎn)中晶圓產(chǎn)品的質(zhì)量。
文檔編號G03F7/16GK102540758SQ201110386758
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
發(fā)明者戴韞青, 毛智彪, 王劍 申請人:上海華力微電子有限公司