技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的課題是提供用于形成可以作為硬掩模使用，通過(guò)使用了硫酸/過(guò)氧化氫等藥液的濕蝕刻的方法能夠除去的抗蝕劑下層膜的抗蝕劑下層膜形成用組合物。作為解決本發(fā)明課題的方法為一種光刻用抗蝕劑下層膜形成用組合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解縮合物，該水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4?(a+b)式(1)〔式(1)中，R1表示式(2)：所示的有機(jī)基團(tuán)且通過(guò)Si?C鍵與硅原子結(jié)合。R3表示烷氧基、酰氧基或鹵基。a表示1的整數(shù)，b表示0～2的整數(shù)，a+b表示1～3的整數(shù)?！乘镜乃庑怨柰椋?B)成分為包含具有烷氧基甲基或羥基甲基的環(huán)結(jié)構(gòu)的交聯(lián)性化合物、或者具有環(huán)氧基或封端異氰酸酯基的交聯(lián)性化合物。

技術(shù)研發(fā)人員：若山浩之;中島誠(chéng);柴山亙;遠(yuǎn)藤雅久
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.06
技術(shù)公布日：2017.08.18