專利名稱：氮化硅層的制造方法及半導(dǎo)體元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化硅層的制造方法，尤其涉及一種具有高拉伸應(yīng)力的氮化硅層的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝進入亞微米時代，65nm以下的工藝對于NMOS及PMOS的驅(qū)動電流的提升日趨重視。NMOS及PMOS的驅(qū)動電流的提升將大為改善元件延遲時間(time delay)。
而最近幾年，國內(nèi)外專家開始研究具有應(yīng)力的氮化硅頂蓋層及氮化硅蝕刻終止層對元件驅(qū)動電流的影響。研究發(fā)現(xiàn)具有拉伸應(yīng)力(tensile stress)的氮化硅層可以增加NMOS的驅(qū)動電流，而且拉伸應(yīng)力越大，則NMOS的驅(qū)動電流增加越多。
但是，現(xiàn)在最佳的鍍膜技術(shù)只能形成拉伸應(yīng)力為1.2GPa的氮化硅層，而目前對于氮化硅層的拉伸應(yīng)力的需求遠高于1.2GPa。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，在形成氮化硅層之后常藉由快速熱退火工藝或是紫外光照射處理來增加拉伸應(yīng)力。
然而，形成接觸窗開口所使用的氮化硅蝕刻終止層是形成于金屬硅化物之后，所以如果利用快速熱退火工藝來增加氮化硅蝕刻終止層的應(yīng)力，快速熱退火工藝的高溫會對金屬硅化物造成不良的影響。
此外，目前對氮化硅層所進行的紫外光照射處理是在一大氣壓的環(huán)境下進行，所能夠提升的拉伸應(yīng)力有一定的限度，無法滿足在半導(dǎo)體工藝中的需要。
因此，如何有效提升氮化硅層的拉伸應(yīng)力，以達到工藝上的需求而進一步提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動電流，是目前全世界半導(dǎo)體公司研究的重要目標之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種氮化硅層的制造方法，以形成具有較高拉伸應(yīng)力的氮化硅層。
本發(fā)明的再一目的是提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法，以有效提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動電流。
本發(fā)明提出一種氮化硅層的制造方法，首先提供一襯底。接著，在襯底上形成氮化硅層。然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對氮化硅層進行紫外光照射處理。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境為3mTorr～500Torr。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境包括真空。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，紫外光的波長范圍為100nm～400nm。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，進行紫外光照射處理的環(huán)境溫度為150℃～700℃。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，進行紫外光照射處理的時間為30秒～60分鐘。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，形成氮化硅層的方法包括化學(xué)氣相沉積法。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的氮化硅層的制造方法中，化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法。
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體元件的制造方法，首先提供一襯底。接著，在襯底上形成柵介電層。然后，在柵介電層上形成柵極。接下來，在柵極兩側(cè)的襯底中形成源極/漏極區(qū)。之后，于襯底上形成第一氮化硅層。然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對第一氮化硅層進行紫外光照射處理。隨后，于第一氮化硅層上形成介電層。再者，移除部分介電層并暴露出部分第一氮化硅層。接著，移除暴露出的第一氮化硅層，以于半導(dǎo)體元件上方形成接觸窗開口。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，于源極/漏極區(qū)形成之后，于第一氮化硅層形成之前，還包括于柵極與源極/漏極區(qū)上形成金屬硅化物。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，金屬硅化物的制造方法，首先于襯底上形成第二氮化硅層。接著，移除部分第二氮化硅層，以暴露出柵極與源極/漏極區(qū)。然后，于襯底上形成金屬材料層，金屬材料層覆蓋于柵極與源極/漏極區(qū)上。接下來，進行一個熱處理，以于柵極與源極/漏極區(qū)上形成金屬硅化物。之后，移除金屬材料層。隨后，移除第二氮化硅層。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，于第二氮化硅層形成之后，于移除部分第二氮化硅層之前，還包括在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對第二氮化硅層進行紫外光照射處理。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，于第二氮化硅層形成之后，于移除部分第二氮化硅層之前，還包括對第二氮化硅層進行一個快速熱退火工藝。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境為3mTorr～500Torr。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境包括真空。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，紫外光的波長范圍為100nm～400nm。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，進行紫外光照射處理的環(huán)境溫度為150℃～700℃。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，進行紫外光照射處理的時間為30秒～60分鐘。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，形成第一氮化硅層的方法包括化學(xué)氣相沉積法。
依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例所述，在上述的半導(dǎo)體元件的制造方法中，化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法。
由于在本發(fā)明所提出的氮化硅層的制造方法中，紫外光照射處理是在低壓的環(huán)境中進行，可提升氮化硅層的拉伸應(yīng)力。
此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法可制造出具有高拉伸應(yīng)力的氮化硅層，因此能改善電子遷移率，以提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動電流。
另外，當?shù)鑼討?yīng)用在蝕刻終止層時，可有效的提升蝕刻工藝的工藝裕度。
另一方面，在較低的環(huán)境溫度下進行紫外線照射處理即可得到高拉伸應(yīng)力的氮化硅層，可避免高溫對金屬硅化物造成破壞。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1所繪示為本發(fā)明一實施例的氮化硅層的剖面圖；圖2所繪示為紫外光波長的分布圖；圖3A～3E所繪示為本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體元件的制造流程剖面圖；圖4所繪示為氮化硅層厚度與電流增加率的曲線圖；圖5所繪示為紫外光照射時間與應(yīng)力的曲線圖；圖6所繪示為關(guān)閉電流與開啟電流的曲線圖。
主要元件符號說明100、300襯底102、310、316氮化硅層302柵介電層304柵極305源極/漏極區(qū)延伸區(qū)308源極/漏極區(qū)312金屬材料層314金屬硅化物306間隙壁318介電層320接觸窗開口具體實施方式
圖1所繪示為本發(fā)明一實施例的氮化硅層的剖面圖。
請參照圖1，本發(fā)明的氮化硅層的制造方法首先提供一襯底100，襯底100例如是硅襯底。
接著，在襯底100上形成氮化硅層102。氮化硅層102的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法，如等離子體增強型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法等方法。
然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對氮化硅層102進行紫外光照射處理。其中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境例如是在3mTorr～500Torr之間，還可為真空的環(huán)境。紫外光的波長范圍例如是在100nm～400nm之間。進行紫外光照射處理的環(huán)境溫度例如是在150℃～700℃之間。進行紫外光照射處理的時間例如是在30秒～60分鐘之間。
圖2所繪示為紫外光波長的分布圖。請參照圖2，在Light MeasurementHandbook(International Light公司出版，作者為Ryer及Alex)中，依照波長及對生物的影響將紫外光分為紫外光A(UV-A)、紫外光B(UV-B)及紫外光C(UV-C)。紫外光A的波長范圍在315nm～400nm，紫外光B的波長范圍在280nm～315nm，紫外線C的波長范圍在100nm～280nm。其中，能量最強的紫外光C在大氣中會被空氣吸收產(chǎn)生臭氧(O3)。
表1所示為打斷化學(xué)鍵所需的鍵能及紫外光波長。請參照表1，對氮化硅層102進行紫外光照射處理的目的在于紫外光具有足夠的能量能打斷Si-H及SiN-H的化學(xué)鍵，將氫(H)趕出氮化硅層102，可以增強氮化硅層102的拉伸應(yīng)力。在紫外光波長小于400nm的情況下均可打斷Si-H及SiN-H的化學(xué)鍵，且紫外光的波長越短則能量越強，氮化硅層102的拉伸應(yīng)力也越大。
表1 打斷化學(xué)鍵所需的鍵能及紫外光波長

現(xiàn)有技術(shù)所進行的紫外線照射處理是在一大氣壓的環(huán)境下進行，因此能量最強的紫外光C在大氣中會被空氣吸收產(chǎn)生臭氧(O3)。
由于對本發(fā)明的氮化硅層102所進行的紫外線照射處理，環(huán)境壓力例如是3mTorr～500Torr或是真空的低壓環(huán)境，所以可以抑制紫外光C被空氣所吸收。因此，在本發(fā)明的氮化硅層的制造方法中，所進行的紫外光照射能夠充分地利用紫外光A、紫外光B及能量最強的紫外光C來打斷Si-H及SiN-H的化學(xué)鍵，以增加氮化硅層102的拉伸應(yīng)力。
圖3A～3E所繪示為本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體元件的制造流程剖面圖。
請參照圖3A，首先提供一襯底300，例如是硅襯底。接著，在襯底300上形成柵介電層302。柵介電層302的材質(zhì)例如是氧化硅，柵介電層302的形成方法例如是熱氧化法。
然后，在柵介電層302上形成柵極304。柵極304的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅，其形成的方法例如是以原位(In-situ)摻雜的方式進行化學(xué)氣相沉積法形成摻雜多晶硅材料層(未標示)，再對摻雜多晶硅材料層進行一個圖案化工藝而形成的。
接著，可于柵極304兩側(cè)的襯底300中形成源極/漏極區(qū)延伸區(qū)305。源極/漏極區(qū)延伸區(qū)305的形成方法例如是離子注入法。
然后，可于柵極304兩側(cè)的襯底300上形成間隙壁306。間隙壁306的材質(zhì)例如是氮化硅。間隙壁306的形成方法例如是先以化學(xué)氣相沉積法形成間隙壁材料層(未繪示)，再進行一個回蝕刻工藝而形成的。
接下來，請參照圖3B，在柵極304兩側(cè)的襯底300中形成源極/漏極區(qū)308。源極/漏極區(qū)308的形成方法例如是離子注入法。
之后，可于襯底300上形成氮化硅層310，氮化硅層310例如是用以作為應(yīng)力層使用。氮化硅層310的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法，如等離子體增強型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法等方法。此外，于襯底300上形成氮化硅層310之后，可對氮化硅層310進行一個處理工藝以提高氮化硅層310的拉伸應(yīng)力。此處理工藝可以是對氮化硅層310進行一個快速熱退火工藝。此外，處理工藝也可以是在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對氮化硅層310進行紫外光照射處理。其中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境例如是在3mTorr～500Torr之間，還可為真空的環(huán)境。紫外光的波長范圍例如是在100nm～400nm之間。進行紫外光照射處理的環(huán)境溫度例如是在150℃～700℃之間。進行紫外光照射處理的時間例如是在30秒～60分鐘之間。
接著，移除部分氮化硅層310，以暴露出柵極304與源極/漏極區(qū)308。移除部分氮化硅層310的方法例如是進行一個圖案化工藝。然后，于襯底300上形成金屬材料層312，金屬材料層312覆蓋于柵極304與源極/漏極區(qū)308上。金屬材料層312的材質(zhì)例如是鎳、鎢、鈷、鈦、鉬或鉑，而金屬材料層的形成方法例如是物理氣相沉積法。
接下來，請參照圖3C，進行一個熱處理，以于柵極304與源極/漏極區(qū)308上形成金屬硅化物314。金屬硅化物314的材質(zhì)例如是硅化鎳、硅化鎢、硅化鈷、硅化鈦、硅化鉬或硅化鉑。之后，移除金屬材料層312。隨后，移除氮化硅層310。在形成金屬硅化物314時，本領(lǐng)域技術(shù)人員可依工藝上的需求來決定是否形成氮化硅層310。值得注意的是，在形成氮化硅層310的情況下可增加拉伸應(yīng)力。
之后，請參照圖3D，于襯底300上形成氮化硅層316，氮化硅層316例如是作為蝕刻終止層使用。氮化硅層316的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法，如等離子體增強型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法等方法。
然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對氮化硅層316進行紫外光照射處理。其中，低于一大氣壓的壓力環(huán)境例如是在3mTorr～500Torr之間，還可為真空的環(huán)境。紫外光的波長范圍例如是在100nm～400nm之間。進行紫外光照射處理的環(huán)境溫度例如是在150℃～700℃之間。進行紫外光照射處理的時間例如是在30秒～60分鐘之間。
然后，請參照圖3E，于氮化硅層316上形成介電層318。介電層318的材質(zhì)例如是氧化硅。介電層318的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。然后，移除部分介電層318并暴露出部分氮化硅層316。接著，移除暴露出的氮化硅層316，以于半導(dǎo)體元件上方形成接觸窗開口320。上述介電層318及氮化硅層316的移除方法例如是進行光刻及蝕刻工藝而移除的。其它半導(dǎo)體元件的后續(xù)工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知，于此不再贅述。
由于在本發(fā)明所制造的半導(dǎo)體元件中，氮化硅層310及氮化硅層316均為具有高拉伸應(yīng)力的膜層，因此能改善電子遷移率，以提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動電流。此外，由于氮化硅層316可在較低的環(huán)境溫度(150℃～700℃)下進行紫外線照射處理，可避免高溫對金屬硅化物314造成破壞。
以下，進行實際的實驗測試，以說明利用本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法所制造的元件效能。
圖4所繪示為氮化硅層厚度與電流增加率的曲線圖。
請參照圖4，在電流增加率是8％的條件下，當?shù)鑼拥睦鞈?yīng)力為1.2Gpa時，所需的氮化硅層厚度為800埃，當?shù)鑼拥睦鞈?yīng)力為1.5Gpa時，所需的氮化硅層厚度為620埃，當?shù)鑼拥睦鞈?yīng)力為1.8Gpa時，所需的氮化硅層厚度為500埃。換言之，在氮化硅層的拉伸應(yīng)力越高的情況下，達到相同電流增加率所需的膜層厚度就越薄。由此可知，在氮化硅層應(yīng)用在蝕刻終止層時，由于本發(fā)明能提高氮化硅層的拉伸應(yīng)力以降低氮化硅層厚度，可有效的提升蝕刻工藝的工藝裕度。
圖5所繪示為紫外光照射處理時間與拉伸應(yīng)力的曲線圖。
請參照圖5，在環(huán)境溫度為400℃的條件下，氮化硅層在進行紫外光照射處理12秒時，在一大氣壓下進行紫外光照射處理的氮化硅層的拉伸應(yīng)力為1.54Gpa，在低于一大氣壓下(真空)進行紫外光照射處理的氮化硅層的拉伸應(yīng)力為1.68Gpa。由此可知，由于本發(fā)明是在低于一大氣壓的低壓力環(huán)境下進行紫外光照射處理，可以有效提升氮化硅層的拉伸應(yīng)力。
圖6所繪示為關(guān)閉電流與開啟電流的曲線圖。
請參照圖6，氮化硅層應(yīng)用在蝕刻終止層時，在氮化硅層厚度為800埃及關(guān)閉電流(Ioff)為1×10-7的條件下，拉伸應(yīng)力為1.4Gpa的氮化硅層相比于低拉伸應(yīng)力的氮化硅層的開啟電流(Ion)高出9.6％，拉伸應(yīng)力為1.4Gpa的氮化硅層相比于低拉伸應(yīng)力的氮化硅層的開啟電流(Ion)高出12.6％。由此可知，本發(fā)明所制造出的高拉伸應(yīng)力的氮化硅層，能大幅提升開啟電流。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點1.在本發(fā)明所提出的氮化硅層的制造方法中，由于紫外光照射處理是在低壓的環(huán)境中進行，高能量的紫外光C不會被空氣所吸收，可提升氮化硅層的拉伸應(yīng)力。
2.本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法可制造出具有高拉伸應(yīng)力的氮化硅層，因此能改善電子遷移率，以提升半導(dǎo)體元件的驅(qū)動電流。
3.在本發(fā)明所提出的半導(dǎo)體元件的制造方法中，當?shù)鑼討?yīng)用在蝕刻終止層時，可有效的提升蝕刻工藝的工藝裕度。
4.本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法在較低的環(huán)境溫度下進行紫外線照射處理即可得到高拉伸應(yīng)力氮化硅層，可避免高溫對金屬硅化物造成破壞。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種氮化硅層的制造方法，包括提供一襯底；在該襯底上形成一氮化硅層；以及在一低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對該氮化硅層進行一紫外光照射處理。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中該低于一大氣壓的壓力環(huán)境為3mTorr～500Torr。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中該低于一大氣壓的壓力環(huán)境包括真空。
4.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中該紫外光的波長范圍為100nm～400nm。
5.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中進行該紫外光照射處理的環(huán)境溫度為150℃～700℃。
6.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中進行該紫外光照射處理的時間為30秒～60分鐘。
7.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中形成該氮化硅層的方法包括一化學(xué)氣相沉積法。
8.如權(quán)利要求1所述的氮化硅層的制造方法，其中該化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法。
9.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括提供一襯底；在該襯底上形成一柵介電層；在該柵介電層上形成一柵極；在該柵極兩側(cè)的該襯底中形成一源極/漏極區(qū)；于該襯底上形成一第一氮化硅層；在一低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對該第一氮化硅層進行一紫外光照射處理；于該第一氮化硅層上形成一介電層；移除部分該介電層并暴露出部分該第一氮化硅層；以及移除暴露出的該第一氮化硅層，以于該半導(dǎo)體元件上方形成一接觸窗開口。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，于該源極/漏極區(qū)形成之后，于該第一氮化硅層形成之前，還包括于該柵極與該源極/漏極區(qū)上形成一金屬硅化物。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該金屬硅化物的制造方法包括于該襯底上形成一第二氮化硅層；移除部分該第二氮化硅層，以暴露出該柵極與該源極/漏極區(qū)；于該襯底上形成一金屬材料層，該金屬材料層覆蓋于該柵極與該源極/漏極區(qū)上；進行一熱處理，以于該柵極與該源極/漏極區(qū)上形成該金屬硅化物；移除該金屬材料層；以及移除該第二氮化硅層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，于該第二氮化硅層形成之后，于移除部分該第二氮化硅層之前，還包括在該低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對該第二氮化硅層進行該紫外光照射處理。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，于該第二氮化硅層形成之后，于移除部分該第二氮化硅層之前，還包括對該第二氮化硅層進行一快速熱退火工藝。
14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該低于一大氣壓的壓力環(huán)境為3mTorr～500Torr。
15.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該低于一大氣壓的壓力環(huán)境包括真空。
16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該紫外光的波長范圍為100nm～400nm。
17.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中進行該紫外光照射處理的環(huán)境溫度為150℃～700℃。
18.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中進行該紫外光照射處理的時間為30秒～60分鐘。
19.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中形成該第一氮化硅層的方法包括一化學(xué)氣相沉積法。
20.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強型化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法或原子層化學(xué)氣相沉積法。
全文摘要
一種氮化硅層的制造方法，首先提供一襯底。接著，在襯底上形成氮化硅層。然后，在低于一大氣壓的壓力環(huán)境中，對氮化硅層進行紫外光照射處理。藉此，可增加氮化硅層的拉伸應(yīng)力。
文檔編號H01L21/336GK1949464SQ20051011371
公開日2007年4月18日 申請日期2005年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者陳能國, 蔡騰群, 廖秀蓮 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司