技術(shù)編號：6855463
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化硅層的制造方法，尤其涉及一種具有高拉伸應(yīng)力的氮化硅層的制造方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入亞微米時代，65nm以下的工藝對于NMOS及PMOS的驅(qū)動電流的提升日趨重視。NMOS及PMOS的驅(qū)動電流的提升將大為改善元件延遲時間(time delay)。而最近幾年，國內(nèi)外專家開始研究具有應(yīng)力的氮化硅頂蓋層及氮化硅蝕刻終止層對元件驅(qū)動電流的影響。研究發(fā)現(xiàn)具有拉伸應(yīng)力(tensile stress)的氮化硅層可以增加NMOS的驅(qū)動電流，而且拉伸...
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